JPS5860563A - 電子部品の保護膜 - Google Patents
電子部品の保護膜Info
- Publication number
- JPS5860563A JPS5860563A JP56160640A JP16064081A JPS5860563A JP S5860563 A JPS5860563 A JP S5860563A JP 56160640 A JP56160640 A JP 56160640A JP 16064081 A JP16064081 A JP 16064081A JP S5860563 A JPS5860563 A JP S5860563A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- protective film
- film
- electronic components
- inorganic particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/473—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins containing a filler
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電子部品、特に半導体素子の表面保護に関
するものである。半導体素子の保護膜や多層配線の層間
絶縁膜として一般にＢ１Ｏｘ、リンシリケートガラス
８１ｓＮ４などの無機材料が使われている。ところが、
配線材料としてＡｌを用い半堺体素子上１／（ＳｉＯ２
膜を形成すると熱膨張率の違いによってクランクが発生
するので膜厚は１μｍ以丁にしなければならない。一方
リンシリヶートガラスは膜厚が２μｍであってもクラッ
クが発生しないが吸湿性が大きい欠点がある。５ｉｓＮ
４はその中間の熱膨張率であるが、いずれの材料でもそ
の成膜には５００℃前後の高温が必要であり、がっＡ４
との熱膨張率の違いによりクラックが発生するので厚い
保−膜を形成することができな膿。
するものである。半導体素子の保護膜や多層配線の層間
絶縁膜として一般にＢ１Ｏｘ、リンシリケートガラス
８１ｓＮ４などの無機材料が使われている。ところが、
配線材料としてＡｌを用い半堺体素子上１／（ＳｉＯ２
膜を形成すると熱膨張率の違いによってクランクが発生
するので膜厚は１μｍ以丁にしなければならない。一方
リンシリヶートガラスは膜厚が２μｍであってもクラッ
クが発生しないが吸湿性が大きい欠点がある。５ｉｓＮ
４はその中間の熱膨張率であるが、いずれの材料でもそ
の成膜には５００℃前後の高温が必要であり、がっＡ４
との熱膨張率の違いによりクラックが発生するので厚い
保−膜を形成することができな膿。
このような欠点を改善するために近年低温で成膜ができ
、かつ熱膨張率の違いによる歪を吸収する耐熱性高分子
材料が使われつつある。この高分子材料は、従来のパッ
シベーション効果すなわち半導体素子の電気特性の安定
化や防湿効果以外にも、ポンディグ等の取扱い時に生ず
る傷の防止やソフトエラー防止の為のα線吸収層として
厚い保ｄ模の形成に使用されている。
、かつ熱膨張率の違いによる歪を吸収する耐熱性高分子
材料が使われつつある。この高分子材料は、従来のパッ
シベーション効果すなわち半導体素子の電気特性の安定
化や防湿効果以外にも、ポンディグ等の取扱い時に生ず
る傷の防止やソフトエラー防止の為のα線吸収層として
厚い保ｄ模の形成に使用されている。
α線吸収層を例にとって説明すると、第１図において（
１） Ｆｉ半導体メモリー素子、（２）は高分子保護膜
である。半導体メモリの高密度化にともないバッグージ
材料から放出されるわずかなα線によりソフトエラーが
生ずる・。これを防止するために高分子材料（２）を３
０〜４０μｍ以上の厚さに塗布しα線を吸収する。高分
子材料は溶媒に溶解したものをボッティングやスピンコ
ーティング等の方法で素子上に塗布しベーキングするこ
とにより溶媒を蒸発させたり、硬化反応を起こさせて塗
布膜を形成する。このように形成された高分子膜は従来
の無機薄膜に比べである程度歪を吸収するが、厚さ数１
０μｍ以上になると溶媒の蒸発や硬化反応のとき収縮し
て素子表面から剥離し々す、塗膜にクラックが生じたり
する欠点がある。又シリコンクエバーなと薄い基板に塗
布すると塗膜の収縮により基板が湾曲する。
１） Ｆｉ半導体メモリー素子、（２）は高分子保護膜
である。半導体メモリの高密度化にともないバッグージ
材料から放出されるわずかなα線によりソフトエラーが
生ずる・。これを防止するために高分子材料（２）を３
０〜４０μｍ以上の厚さに塗布しα線を吸収する。高分
子材料は溶媒に溶解したものをボッティングやスピンコ
ーティング等の方法で素子上に塗布しベーキングするこ
とにより溶媒を蒸発させたり、硬化反応を起こさせて塗
布膜を形成する。このように形成された高分子膜は従来
の無機薄膜に比べである程度歪を吸収するが、厚さ数１
０μｍ以上になると溶媒の蒸発や硬化反応のとき収縮し
て素子表面から剥離し々す、塗膜にクラックが生じたり
する欠点がある。又シリコンクエバーなと薄い基板に塗
布すると塗膜の収縮により基板が湾曲する。
この発明は上記のような従来の欠点を除去するためにな
されたもので、高分子材料に金属酸化物や金属窒化物等
からなる絶縁性粒子をフィラーとして混入したものを塗
布することにより樹脂膜の収縮を緩和し剥離やクランク
を防止することを目的としている。
されたもので、高分子材料に金属酸化物や金属窒化物等
からなる絶縁性粒子をフィラーとして混入したものを塗
布することにより樹脂膜の収縮を緩和し剥離やクランク
を防止することを目的としている。
以丁、この発明の一実施例を図について説明するっ第２
図にぬいて（１）は半導体素子、（２）は耐熱性樹脂と
してポリイミド、（３）Ｖｉ絶縁粉体としてＳｉＯ２か
らなるフィラ゛−を示す。
図にぬいて（１）は半導体素子、（２）は耐熱性樹脂と
してポリイミド、（３）Ｖｉ絶縁粉体としてＳｉＯ２か
らなるフィラ゛−を示す。
絶縁性無機粒子として５ｉＯｚ 、Ａ／２０３ 、 Ｔ
ｉ０ｚ 、Ｔａ２０５、Ｚｎ０ｚ等の金属酸化物、８１
３Ｎ４等の金属窒化物ヤＳ１が使われ、絶縁樹脂として
ポリイミド、ポリアミドイミド、フェノール樹脂、シリ
コン樹脂、ポリカーボネイト樹脂ポリベンツイミダゾー
ル樹脂、ホリパラパニック酸樹脂等が使われる。
ｉ０ｚ 、Ｔａ２０５、Ｚｎ０ｚ等の金属酸化物、８１
３Ｎ４等の金属窒化物ヤＳ１が使われ、絶縁樹脂として
ポリイミド、ポリアミドイミド、フェノール樹脂、シリ
コン樹脂、ポリカーボネイト樹脂ポリベンツイミダゾー
ル樹脂、ホリパラパニック酸樹脂等が使われる。
〔実施例１〕
ポリイミド樹脂（半導体用トレニース、東し質相脂分１
７％、溶媒：ＮＮ−ジメチルアセトアミド、粘度１ｏｕ
ｏｃｐｓ ）にＢｉＯ２の粉末（粒経約１５／１ｍ）を
樹脂分に対して５０重鷲％混入したものを半導体メモリ
ー（５４Ｋ（Ｄ）ＲＡＭ）表面に１５ｇｍｅｓｈのステ
ンレスを使ったスクリーン印刷を行った。ベーキング（
１０００℃３０分、２００℃３０分、３５０℃３０分、
窒素雰囲気中で加熱）ｔｌｋ膜厚約５０μｍのものが得
られた。
７％、溶媒：ＮＮ−ジメチルアセトアミド、粘度１ｏｕ
ｏｃｐｓ ）にＢｉＯ２の粉末（粒経約１５／１ｍ）を
樹脂分に対して５０重鷲％混入したものを半導体メモリ
ー（５４Ｋ（Ｄ）ＲＡＭ）表面に１５ｇｍｅｓｈのステ
ンレスを使ったスクリーン印刷を行った。ベーキング（
１０００℃３０分、２００℃３０分、３５０℃３０分、
窒素雰囲気中で加熱）ｔｌｋ膜厚約５０μｍのものが得
られた。
上記フィラーのないポリイミド樹脂をボッティングで塗
布し、ベーキングして５０μｍ厚さの保護膜を形成する
とベーキングによる収縮によって約３０％のものが膜の
剥離やクランクが生ずるが、実施例においては１００％
の歩留が得られた。
布し、ベーキングして５０μｍ厚さの保護膜を形成する
とベーキングによる収縮によって約３０％のものが膜の
剥離やクランクが生ずるが、実施例においては１００％
の歩留が得られた。
高分子材料中にフイ２−を混入することにより系引きの
ないスクリーン印刷に適したものに改質され、量産性の
優れたスクリーン印刷が可能となり、α線の吸収率も無
４ｍ！物の万が大きいため同じ膜厚ではより良い保護効
果が得られる。更に高分子中にフィラーを混入すること
により熱伝導性が良くなり素子前作時の熱放散が艮くな
る。
ないスクリーン印刷に適したものに改質され、量産性の
優れたスクリーン印刷が可能となり、α線の吸収率も無
４ｍ！物の万が大きいため同じ膜厚ではより良い保護効
果が得られる。更に高分子中にフィラーを混入すること
により熱伝導性が良くなり素子前作時の熱放散が艮くな
る。
実施例では塗布方法としてスクリーン印刷法を示したが
、スピンコーティング、ボッティング、ローラーコーテ
ィング等公知のいずれの方法をとっても良い。
、スピンコーティング、ボッティング、ローラーコーテ
ィング等公知のいずれの方法をとっても良い。
適用機種は半導体素子にかぎらず各種電子部品にも利用
でき、又α線に対する保護膜に限定するものでない。
でき、又α線に対する保護膜に限定するものでない。
フィラーの量は自由に変えることができるが塗膜性から
見ると３０〜７０９６が適している。
見ると３０〜７０９６が適している。
以上説明したように、この発明により、保護膜の剥離や
クランクがほとんど発生しない。
クランクがほとんど発生しない。
第１図は従来の高分子保護被膜を有する半導体素子を示
す断面図、第２図はこの発明の一実施例において形成し
たフィラー入り高分子保護被膜を（３）はフィラーを示
す。 なお図中の同一符号は同−又は相当部分を示十。 代 理 人 葛 野 信 −第１図 第２図
す断面図、第２図はこの発明の一実施例において形成し
たフィラー入り高分子保護被膜を（３）はフィラーを示
す。 なお図中の同一符号は同−又は相当部分を示十。 代 理 人 葛 野 信 −第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１ン電子部品の六面に金属酸化物または金属窒化物等
の絶縁性無機粒子をフィラーとして混入した一分子材料
を成膜したことを特徴とする電子部品の保護膜。 （２）絶縁性無機粒子として５１０２の粉末を、高分子
材料としてポリイミド樹脂を用いた特許請求の範囲第１
項記載の電子部品の保護膜、 （■絶縁性無機粒子として、Ｂ１０ｚ 、 Ｔｉ０ｚ
、Ａ４２０ｓ、Ｔａ２’ｓ 、 ＺｎＯ２、Ｂ１５Ｎａ
及びＳｉ）うちのいずれか一つの粉末を用いたｔ！＃許
請求の範囲第１項記載の電子部品の保護膜。 （５）高分子材料として、ポリイミド樹脂、ポリアミド
イミド樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリカー
ボネイト樹脂、ポリベンツイミダゾール樹脂及びポリバ
ラパニック酸樹脂のうちのいずれか一つを用い走％＃′
！Ｆ請求の範囲第１項記載の電子部品の保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56160640A JPS5860563A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 電子部品の保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56160640A JPS5860563A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 電子部品の保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860563A true JPS5860563A (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=15719296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56160640A Pending JPS5860563A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 電子部品の保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860563A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6120360A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US4632208A (en) * | 1983-12-20 | 1986-12-30 | Tokico Ltd. | Vehicle braking system |
| JPS6399234A (ja) * | 1986-06-02 | 1988-04-30 | Toray Ind Inc | ポリイミドコ−テイング剤組成物 |
| JPS6440586A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-10 | Hitachi Chemical Co Ltd | Adhesive composition |
| JPH01121364A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-15 | Ube Ind Ltd | 印刷用ポリイミド組成物 |
| JPH02277416A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-14 | Fujii Kinzoku Kako Kk | 温度自己制御可能な鍋 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698845A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
| JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56160640A patent/JPS5860563A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698845A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
| JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4632208A (en) * | 1983-12-20 | 1986-12-30 | Tokico Ltd. | Vehicle braking system |
| JPS6120360A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS6399234A (ja) * | 1986-06-02 | 1988-04-30 | Toray Ind Inc | ポリイミドコ−テイング剤組成物 |
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