JPS6120360A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS6120360A JPS6120360A JP59140596A JP14059684A JPS6120360A JP S6120360 A JPS6120360 A JP S6120360A JP 59140596 A JP59140596 A JP 59140596A JP 14059684 A JP14059684 A JP 14059684A JP S6120360 A JPS6120360 A JP S6120360A
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- Japan
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- resin
- semiconductor element
- sealed
- acid resin
- semiconductor device
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- H10W74/121—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by multiple encapsulations, e.g. by a thin protective coating and a thick encapsulation
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
木Ｒ明は、耐湿性、および半導体素子と封止樹脂との接
着性が改良された樹脂封止型半導体装置に関する。
着性が改良された樹脂封止型半導体装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
４！導体素子表面は、湿気や不純物に極めて敏感である
ため、樹脂等で封止されている。 第２図はこのような
従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。 同図に
みるように、半導体素子１はリードフレーム４に固定さ
れ、半導体素子１のポンディングパッド２と、リードフ
レーム４のり一ド４ａ、４ｂとは、金、アルミニウム等
の金属線３によって接続されている。 そしてこれらは
ユボキシ樹脂等の封止樹脂５で封止されて仝休が固定さ
れている。
ため、樹脂等で封止されている。 第２図はこのような
従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。 同図に
みるように、半導体素子１はリードフレーム４に固定さ
れ、半導体素子１のポンディングパッド２と、リードフ
レーム４のり一ド４ａ、４ｂとは、金、アルミニウム等
の金属線３によって接続されている。 そしてこれらは
ユボキシ樹脂等の封止樹脂５で封止されて仝休が固定さ
れている。
従来から素子の表面にポリイミド樹脂の保護コー１〜を
施した樹脂封止型半導体装置は知られていた。 しかし
ながら、ポリイミド樹脂は、一般に半導体素子との接着
性が悪く、ハーメチック封止型と違って本質的に水を吸
湿−ｄる樹脂封止型半導体装置においては、耐湿性が劣
ることが大きな問題であった。 そのため、半導体素子
どの接着剥離を生じないようカップリング剤処理等をあ
らかじめ施ηことは、ある程度有効である。 しかしカ
ップリング剤処理をしてもまだ耐湿性は十分でなく、ア
ルミニウム配線など半導体素子の腐食しやすい部分が水
分により断線したり、吸湿時にリーク電流が増大でる等
の問題があった。
施した樹脂封止型半導体装置は知られていた。 しかし
ながら、ポリイミド樹脂は、一般に半導体素子との接着
性が悪く、ハーメチック封止型と違って本質的に水を吸
湿−ｄる樹脂封止型半導体装置においては、耐湿性が劣
ることが大きな問題であった。 そのため、半導体素子
どの接着剥離を生じないようカップリング剤処理等をあ
らかじめ施ηことは、ある程度有効である。 しかしカ
ップリング剤処理をしてもまだ耐湿性は十分でなく、ア
ルミニウム配線など半導体素子の腐食しやすい部分が水
分により断線したり、吸湿時にリーク電流が増大でる等
の問題があった。
［発明の目的１
本発明の［１的は、上記欠点を解消づるためになされた
もので、半導体素子との適合性（接＠性）が良好で耐湿
試験においてリーク電流が少なく、しかも腐食、断線等
の問題が起こり難く、ざらに半導体素子の表面の保護層
により半導体製迄工稈にお１する加重落ちを防止した樹
脂封止型半導体装置を１足供することにある。
もので、半導体素子との適合性（接＠性）が良好で耐湿
試験においてリーク電流が少なく、しかも腐食、断線等
の問題が起こり難く、ざらに半導体素子の表面の保護層
により半導体製迄工稈にお１する加重落ちを防止した樹
脂封止型半導体装置を１足供することにある。
［発明の概要］
本発明は、上記目的を達成するために鋭意研究を小ねた
結果なされたもので、半導体ぺ一子表面に１）定の樹脂
による保護層を設（プることにより従来の欠点が解消さ
れることを児いだしたものである。
結果なされたもので、半導体ぺ一子表面に１）定の樹脂
による保護層を設（プることにより従来の欠点が解消さ
れることを児いだしたものである。
■」ち、木５で明は、半導体素子を樹脂により封止しで
なる樹脂封止型半導体装置において、半導体素子表面３
こポリパラバン酸樹脂の保護層が形成されていることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
なる樹脂封止型半導体装置において、半導体素子表面３
こポリパラバン酸樹脂の保護層が形成されていることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明に用いるポリパラバン酸樹脂としては、一般式
（但し式中、Ｘは−ＣＨ２−、−０−。
−５Ｏ２−を、ｎは正の整数を、でれそれ表１ ）で示
されるものが使用される。 ポリパラバン酸樹脂を用い
て半導体素子表面に保？！！＝Ｆｔを形成づるには、ポ
リパラバン酸樹脂を適当な溶剤に溶解して樹脂溶液とな
し素子表面に塗布−４る。 ここで用いる溶剤としては
、ジメヂル小ルムアミド、ジメチルアセ１〜アミド、Ｎ
−メチル−２−ビ［コリトン等の非ゾロ１トン系極性溶
剤が最適なしのとして挙げられ、これらは単独又は２種
以十の混合系として使用される。 ポリパラバン酸樹脂
には、必要に応じて無機質充填剤、顔料、カーボンブラ
ック、チクソ剤、潤泡剤、カップリング剤等を配合して
しよい。
されるものが使用される。 ポリパラバン酸樹脂を用い
て半導体素子表面に保？！！＝Ｆｔを形成づるには、ポ
リパラバン酸樹脂を適当な溶剤に溶解して樹脂溶液とな
し素子表面に塗布−４る。 ここで用いる溶剤としては
、ジメヂル小ルムアミド、ジメチルアセ１〜アミド、Ｎ
−メチル−２−ビ［コリトン等の非ゾロ１トン系極性溶
剤が最適なしのとして挙げられ、これらは単独又は２種
以十の混合系として使用される。 ポリパラバン酸樹脂
には、必要に応じて無機質充填剤、顔料、カーボンブラ
ック、チクソ剤、潤泡剤、カップリング剤等を配合して
しよい。
上記のようにして調製した樹脂を半導体素子に塗布し、
１５０〜２００℃で数時間焼き句ける。 このようにし
て半導体素子表面に保護層を形成せしめた後、エポキシ
樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等の成形材料で注
形、トランスファ成形、射出成形などにより０．５〜５
ｍｌｌ１程度の厚さにモールドして樹脂封止型半導体装
置を製造する。
１５０〜２００℃で数時間焼き句ける。 このようにし
て半導体素子表面に保護層を形成せしめた後、エポキシ
樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等の成形材料で注
形、トランスファ成形、射出成形などにより０．５〜５
ｍｌｌ１程度の厚さにモールドして樹脂封止型半導体装
置を製造する。
［発明の実施例コ
次に本発明を実施例によって説明する。
第１ａ図の断面図に示すように、半導体素子１の表面に
ポリパラバン酸樹脂をポンディングパッド２を除いた部
分にステンシルスクリーンによる印刷方式を用いて１５
〜１００μＩＩｌ厚さに塗布して保護層６とする。 こ
こで保護層６の形成に用いるポリパラバン酸樹脂は、２
５ｔＡｍ部のポリパラバン酸樹脂を７ｂ１量部のジメヂ
ルアｔ？ Ｉ−アミドの溶剤中で８０℃で溶解後、ヂク
ソ剤３重帛部、カップリング剤１重部部を加えて三本ロ
ールにより混合混練したものを用いた。 この樹脂溶液
を半導体素子１に塗イＩＪ後、２００℃で１時間加熱し
てポリパラバン酸樹脂の保護層６を得る。 こうして得
られた半導体素子を使用して樹脂封圧型２１′導体系子
が製造される。 −づなわら、第１ｂ図に示づようにポ
リパラバン酸樹脂による保護層６で保護された半導体素
子１はリードフレーム４に固定され、半導体素子１のポ
ンディングパッド２はリード４ａ。
ポリパラバン酸樹脂をポンディングパッド２を除いた部
分にステンシルスクリーンによる印刷方式を用いて１５
〜１００μＩＩｌ厚さに塗布して保護層６とする。 こ
こで保護層６の形成に用いるポリパラバン酸樹脂は、２
５ｔＡｍ部のポリパラバン酸樹脂を７ｂ１量部のジメヂ
ルアｔ？ Ｉ−アミドの溶剤中で８０℃で溶解後、ヂク
ソ剤３重帛部、カップリング剤１重部部を加えて三本ロ
ールにより混合混練したものを用いた。 この樹脂溶液
を半導体素子１に塗イＩＪ後、２００℃で１時間加熱し
てポリパラバン酸樹脂の保護層６を得る。 こうして得
られた半導体素子を使用して樹脂封圧型２１′導体系子
が製造される。 −づなわら、第１ｂ図に示づようにポ
リパラバン酸樹脂による保護層６で保護された半導体素
子１はリードフレーム４に固定され、半導体素子１のポ
ンディングパッド２はリード４ａ。
４ｂに金属線３によって接続される。 そしてこれらは
エポキシ樹脂５で封止される。 ここぐポンディングパ
ッド２に樹脂を二１−トしなかった理由は、金属線３を
接続さゼるボンディングゴー程があることと、エポキシ
樹脂５とポリパンパン酸樹脂層との熱膨張係数の差に起
因する事故が発りづるおそれがあるからである。
エポキシ樹脂５で封止される。 ここぐポンディングパ
ッド２に樹脂を二１−トしなかった理由は、金属線３を
接続さゼるボンディングゴー程があることと、エポキシ
樹脂５とポリパンパン酸樹脂層との熱膨張係数の差に起
因する事故が発りづるおそれがあるからである。
このようにしＣ製造された樹脂封止型ず導体装置につい
て信頼性試験を行ったところ、耐湿性については１２５
℃の飽和水蒸気中で８００ 閃間以−にの高イ恩頼性が
得られ、さらに装置位製造王稈における本位もほとんど
なくることが確認された。
て信頼性試験を行ったところ、耐湿性については１２５
℃の飽和水蒸気中で８００ 閃間以−にの高イ恩頼性が
得られ、さらに装置位製造王稈における本位もほとんど
なくることが確認された。
［発明の効果１
以上説明したように本発明の樹脂封止型コ１′導体装置
は、従来のものと異なり、ポリパラバン酸樹脂で４１’
導体系了をコートしたことによって素子表面と保護膜と
の接着性が改善され、極めて優れた耐湿性を得ることが
できる。 そして腐食、断線もなくなり、装置の製造工
程における加工落ちも少なくなり、＾イ＾頼性の半導体
装置を得ることがて・きるものである。
は、従来のものと異なり、ポリパラバン酸樹脂で４１’
導体系了をコートしたことによって素子表面と保護膜と
の接着性が改善され、極めて優れた耐湿性を得ることが
できる。 そして腐食、断線もなくなり、装置の製造工
程における加工落ちも少なくなり、＾イ＾頼性の半導体
装置を得ることがて・きるものである。
第１ａ図は本発明に係る半導体素子の平面図、第１ｂ図
は第１ａ図の半導体素子を使用した本発明の樹脂封止型
半導体装置の一例を示す断面図、第２図は従来の樹脂封
止型半導体装置の断面図である。 １・・・半導体素子、 ２・・・ポンディングパッド、
３・・・金属線、 ４．４ａ 、４ｂ・・・リードフレ
ーム、５・・・封止樹脂、 ６・・・保護層（ポリパラ
バン酸樹脂）。 特許出願人 東芝ケミカル株式会社 代理人 弁理士 諸１）英二 第１ａ図 第１ｂ図 １１１２図
は第１ａ図の半導体素子を使用した本発明の樹脂封止型
半導体装置の一例を示す断面図、第２図は従来の樹脂封
止型半導体装置の断面図である。 １・・・半導体素子、 ２・・・ポンディングパッド、
３・・・金属線、 ４．４ａ 、４ｂ・・・リードフレ
ーム、５・・・封止樹脂、 ６・・・保護層（ポリパラ
バン酸樹脂）。 特許出願人 東芝ケミカル株式会社 代理人 弁理士 諸１）英二 第１ａ図 第１ｂ図 １１１２図
Claims (1)
- １ 半導体素子を樹脂により封止してなる樹脂封止型半
導体装置において、半導体素子表面にポリパラバン酸樹
脂の保護層が形成されていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59140596A JPS6120360A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59140596A JPS6120360A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120360A true JPS6120360A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15272371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59140596A Pending JPS6120360A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5706575A (en) * | 1994-09-22 | 1998-01-13 | The Regents Of The University Of California | Method of making eddy current-less pole tips for MRI magnets |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860563A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品の保護膜 |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP59140596A patent/JPS6120360A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860563A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品の保護膜 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5706575A (en) * | 1994-09-22 | 1998-01-13 | The Regents Of The University Of California | Method of making eddy current-less pole tips for MRI magnets |
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