JPS5861106A - 基板上にフルオロアルキルアクリレ−トの重合体の被膜を形成する方法 - Google Patents
基板上にフルオロアルキルアクリレ−トの重合体の被膜を形成する方法Info
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- JPS5861106A JPS5861106A JP56159762A JP15976281A JPS5861106A JP S5861106 A JPS5861106 A JP S5861106A JP 56159762 A JP56159762 A JP 56159762A JP 15976281 A JP15976281 A JP 15976281A JP S5861106 A JPS5861106 A JP S5861106A
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- substrate
- film
- fluoroalkyl acrylate
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
レートの重合体の被膜を形成する方法に関し、とくにレ
ジスト用被膜を形成する方法に関する。
ジスト用被膜を形成する方法に関する。
本発明者らは、以前に、フルオ四アルキルアクリレート
をグ田一放電により基板上にその１合体の被膜を形成す
ることができ、この被膜に高エネルギー線でパターンを
描画し、さらに現像することによって微細レジストパタ
ーンを形成することができることを発見し、特許出願を
している（特願昭５６−１４２１９８号）。
をグ田一放電により基板上にその１合体の被膜を形成す
ることができ、この被膜に高エネルギー線でパターンを
描画し、さらに現像することによって微細レジストパタ
ーンを形成することができることを発見し、特許出願を
している（特願昭５６−１４２１９８号）。
すなわち、
（１）（一グ撃ー放電によって励起された不活性気体に
より、 （ｂ）式： ＲｆＲ２００００Ｒ１＝ ｒｍ２（式中
、Ｒｆは炭素数１〜１５ｆｌの直鎮状または分岐状のパ
ーフルオリアルキル基またはこレノフッ素原子１箇以上
が水素原子によって置換されかつ少なくとも７ツ素原子
１ｌ１を有する基、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル
基またはハ讐ゲン原子および一は２価の炭化水素残基を
示す。）で示されるフルオロアルキルアクリレ−）およ
び （０）必要に応じ（ｂ）以外の重合性物質を重合させる
ことを特徴とする基板上にフルオロアルキルアクリレー
トの単独重合体もしくは共重合体またはフルオロアルキ
ルアクリレートの単独重合体と他の重合性物質の単独重
合体との混合物の重合体被膜を形成する方法、ならびに （ｇ）（Ａ） （４グロー放電によって励起された不活
性気体により、 （ｂ）式： ＲｆＲ２ｏａｏｃｍ： ＝ ＯＨ，ＩＢ
（式中、〜は炭素数１〜１５箇の直鎖状または分岐状の
バーフルオロアルキル基またはこれのフッ素原子１箇以
上が水素原子によって置換されかつ少なくとも７ツ素原
子１箇を有する基、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル
基またはへ冒ゲン原子およびＲ２は２価の炭化水素残基
を示も）で示されるフルオロアルキルアクリレートおよ
び （０）必要に応じ（ｋｌ）以外の重合性物質を重合させ
て基板上に重合体被膜を形成させ、 （Ｂ）ついで、高エネルギー線を被膜に照射して潜像パ
ターンを描画し、 （０）最後に、現像する ことを特徴とするレジストパターン被膜を有する基体を
製造する方法である。
より、 （ｂ）式： ＲｆＲ２００００Ｒ１＝ ｒｍ２（式中
、Ｒｆは炭素数１〜１５ｆｌの直鎮状または分岐状のパ
ーフルオリアルキル基またはこレノフッ素原子１箇以上
が水素原子によって置換されかつ少なくとも７ツ素原子
１ｌ１を有する基、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル
基またはハ讐ゲン原子および一は２価の炭化水素残基を
示す。）で示されるフルオロアルキルアクリレ−）およ
び （０）必要に応じ（ｂ）以外の重合性物質を重合させる
ことを特徴とする基板上にフルオロアルキルアクリレー
トの単独重合体もしくは共重合体またはフルオロアルキ
ルアクリレートの単独重合体と他の重合性物質の単独重
合体との混合物の重合体被膜を形成する方法、ならびに （ｇ）（Ａ） （４グロー放電によって励起された不活
性気体により、 （ｂ）式： ＲｆＲ２ｏａｏｃｍ： ＝ ＯＨ，ＩＢ
（式中、〜は炭素数１〜１５箇の直鎖状または分岐状の
バーフルオロアルキル基またはこれのフッ素原子１箇以
上が水素原子によって置換されかつ少なくとも７ツ素原
子１箇を有する基、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル
基またはへ冒ゲン原子およびＲ２は２価の炭化水素残基
を示も）で示されるフルオロアルキルアクリレートおよ
び （０）必要に応じ（ｋｌ）以外の重合性物質を重合させ
て基板上に重合体被膜を形成させ、 （Ｂ）ついで、高エネルギー線を被膜に照射して潜像パ
ターンを描画し、 （０）最後に、現像する ことを特徴とするレジストパターン被膜を有する基体を
製造する方法である。
この方法では、Ｑ．５ｐｍのレジスト被膜において５０
〜２５０に局−の照射線量でパターンを形成することが
でき、良好な感度かえられるが、なお不充分である。
〜２５０に局−の照射線量でパターンを形成することが
でき、良好な感度かえられるが、なお不充分である。
本発明の目的は、さらに良好な感度のグｗ −放電重合
によるフルオロアルキルアクリレ−Ｆの重合体からなる
レジスト被膜をうることにあるＯ すなわち本発明は、 グ嘗ー放電によって励起された不活性気体により、 （一式： ＲｔＲ２００００Ｒ１＝ Ｃｎｉ２（式中
、Ｒｆは炭素数１〜１５箇の直鎖状または分岐状のバー
フルオロアルキル基またはこれのフッ素原子１箇以上が
水素原子によって置換されかつ少なくともフッ素原子１
箇を有する基、一は水素原子、メチル基、エチル基また
はへリゲン原子および一は２価の炭化水素残基を示す。
によるフルオロアルキルアクリレ−Ｆの重合体からなる
レジスト被膜をうることにあるＯ すなわち本発明は、 グ嘗ー放電によって励起された不活性気体により、 （一式： ＲｔＲ２００００Ｒ１＝ Ｃｎｉ２（式中
、Ｒｆは炭素数１〜１５箇の直鎖状または分岐状のバー
フルオロアルキル基またはこれのフッ素原子１箇以上が
水素原子によって置換されかつ少なくともフッ素原子１
箇を有する基、一は水素原子、メチル基、エチル基また
はへリゲン原子および一は２価の炭化水素残基を示す。
）で示されるフルオロアルキルアクリレートおよび
（ｂ）必要に応じ（＆）以外の重合性物質を（０）テト
ラメチル錫とともに 重合させることを特徴とする基板上にフルオロアルキル
アクリレートの重合体の被膜を形成する方法、および該
被膜に高エネルギー線を照射して潜像パターンを描画し
、必要に応じて最後に現像することを特徴とするレジス
トパターン被膜を有する基体を製造する方法に関する。
ラメチル錫とともに 重合させることを特徴とする基板上にフルオロアルキル
アクリレートの重合体の被膜を形成する方法、および該
被膜に高エネルギー線を照射して潜像パターンを描画し
、必要に応じて最後に現像することを特徴とするレジス
トパターン被膜を有する基体を製造する方法に関する。
本発明によれば、２４−”程度の照射−量で０．２Ｐの
膜厚を有するレジスト膜にパターンを形成させることが
できる。
膜厚を有するレジスト膜にパターンを形成させることが
できる。
本発明における励起された不活性ガスは、温度０〜２０
０°０１圧力１０〜１０ ＴｏｒｒＪましくは１〜１
０２Ｔｏｒｒでグシー放電域に不活性ガスを通ずる２０
００ｍ３８ＴＰ／ｍｉｎであり、またグリ−放電は、０
．１〜ｌＱＱ白の高周波電界下１〜５００ｗ、とくに５
〜５０Ｗの放１１１１１力で行なうのが好ましい。なお
グリ−放電は、反応管内に２枚の平行平板電極を設けて
高周波電圧をかけるか、または反応管外に誘導コイルを
設け、高周波電流をかけて行なう。
０°０１圧力１０〜１０ ＴｏｒｒＪましくは１〜１
０２Ｔｏｒｒでグシー放電域に不活性ガスを通ずる２０
００ｍ３８ＴＰ／ｍｉｎであり、またグリ−放電は、０
．１〜ｌＱＱ白の高周波電界下１〜５００ｗ、とくに５
〜５０Ｗの放１１１１１力で行なうのが好ましい。なお
グリ−放電は、反応管内に２枚の平行平板電極を設けて
高周波電圧をかけるか、または反応管外に誘導コイルを
設け、高周波電流をかけて行なう。
不活性ガスには、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプ
トン、キセノンを使用することがでキ、好ましくは、ア
ルゴンおよびクリプトンである。
トン、キセノンを使用することがでキ、好ましくは、ア
ルゴンおよびクリプトンである。
本発明において用いるフルオリアルキルアクリレートは
、前述の式で示されるものである〇−基は炭素原子数が
１〜１５１！１、好ましくは１〜１０箇であり、フッ素
原子数が少なくとも１箇、好ましくはＲｆ基の炭素原子
数とｆ基の炭素原子数との和の少なくとも１／２である
。Ｒ２基はアクリレート基またはメタクリレート基とＲ
ｆ基とを連結するためのものであり、その炭素原子数は
１〜１０箇、なかんづく１〜５箇が好ましいが、臨界的
なものではない。好ましいフルオリアルキルアクリレー
トは沸点が大気圧で４００°ｏ以下または４０τｅｒｒ
で７０句以下のものである。
、前述の式で示されるものである〇−基は炭素原子数が
１〜１５１！１、好ましくは１〜１０箇であり、フッ素
原子数が少なくとも１箇、好ましくはＲｆ基の炭素原子
数とｆ基の炭素原子数との和の少なくとも１／２である
。Ｒ２基はアクリレート基またはメタクリレート基とＲ
ｆ基とを連結するためのものであり、その炭素原子数は
１〜１０箇、なかんづく１〜５箇が好ましいが、臨界的
なものではない。好ましいフルオリアルキルアクリレー
トは沸点が大気圧で４００°ｏ以下または４０τｅｒｒ
で７０句以下のものである。
本発明において用いられるフルオリアルキルアクリレー
トを例示すると、 ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ，２（Ｃｆｆ２）、
＄Ｑ）１２ ＝ ０（ＯＨ３）００００（ａＨ３）２（
ＯＦ、２）２ＨＯＨ，２＝ Ｏ（Ｊ！Ｈ３）ＯＯＯａＨ
２Ｈ１７７３０Ｈ２＝ ０（ａＨ３）ＯＯＯＯＨ＠７２
０ＨＦＯＦ３０Ｈ２＝ Ｏ（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ（ＯＨ
３）ＯＩＦ、ＩＱＨＰＧＦ３ａＨ２＝＝ Ｏ（ＯＨ３）
ＯＯＯＯＨ（０２）１３）ｍ！２０１１ＩＣＰＩ３０Ｈ
ｇ Ｗ ０（ＯＨ３）００００Ｈ（０３１１７）０７５
Ｇｉ７ＯＦ３０ＨＪ！ ｘ ０（ＯＨ３）００００（Ｏ
Ｈ３）、ｄν２Ｇｉ’ＰＯ？３（Ｍ２ ＝ ０（ＯＨ３
）００００（ＯＨ３）（Ｏ枦５）ＯＦ１０Ｈ］］ＩＯ’
Ｆ３０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）００００（（！Ｈ３）１０
１Ｆ２０Ｈ（（７Ｆ３）２σＨ２＝Ｏ（ＯＨ３）ＯＯＯ
ＯＨ１ｔＭ２（０１ｇ）ｎ７ｎは１〜１０ などがあげられる。
トを例示すると、 ０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ，２（Ｃｆｆ２）、
＄Ｑ）１２ ＝ ０（ＯＨ３）００００（ａＨ３）２（
ＯＦ、２）２ＨＯＨ，２＝ Ｏ（Ｊ！Ｈ３）ＯＯＯａＨ
２Ｈ１７７３０Ｈ２＝ ０（ａＨ３）ＯＯＯＯＨ＠７２
０ＨＦＯＦ３０Ｈ２＝ Ｏ（ＯＨ３）ＯＯＯＯＨ（ＯＨ
３）ＯＩＦ、ＩＱＨＰＧＦ３ａＨ２＝＝ Ｏ（ＯＨ３）
ＯＯＯＯＨ（０２）１３）ｍ！２０１１ＩＣＰＩ３０Ｈ
ｇ Ｗ ０（ＯＨ３）００００Ｈ（０３１１７）０７５
Ｇｉ７ＯＦ３０ＨＪ！ ｘ ０（ＯＨ３）００００（Ｏ
Ｈ３）、ｄν２Ｇｉ’ＰＯ？３（Ｍ２ ＝ ０（ＯＨ３
）００００（ＯＨ３）（Ｏ枦５）ＯＦ１０Ｈ］］ＩＯ’
Ｆ３０Ｈ２＝ ０（ＯＨ３）００００（（！Ｈ３）１０
１Ｆ２０Ｈ（（７Ｆ３）２σＨ２＝Ｏ（ＯＨ３）ＯＯＯ
ＯＨ１ｔＭ２（０１ｇ）ｎ７ｎは１〜１０ などがあげられる。
かかるフルオリアルキルアクリレートは、本発明におい
ては不活性ガス流量の０．５〜５０％の割合でとくに１
〜２０％の割合で供給するのが好ましい。
ては不活性ガス流量の０．５〜５０％の割合でとくに１
〜２０％の割合で供給するのが好ましい。
本発明において必要に応じて用いる（荀以外の重合性物
質は、二重結合を有するビニル系単量体である。
質は、二重結合を有するビニル系単量体である。
該ビニル系単量体としては、たとえばエチレン、プロピ
レン、ブチレン、イソブチレン、ブタジェンなどのエチ
レン系不飽和オレフィン類；スチレン、ａ−メチルスチ
レン、ｐ−クリルスチレンなどのスチレン類；アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレ
イン酸などの不飽和カルボン酸１１７アクリル酸メチル
、アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル
酸イソブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸イソブ
チル、アクリル酸２−クロル−エチル、アクリルｌ！７
エエル、ぼ−ク冒ルアクリル酸メチル、メタクリル酸メ
チル、メタクリル酸エチル・、メタクリル酸ブチル、ａ
−エチルアクリル酸エチルなどのａ−メチレン脂肪族モ
ノカルボン酸のエステル類；ビニルメチルエーテル、ビ
ニルエチルエーテル、ビ慕ルイソプチルエーテルなどの
ビニルエーテルａｔ塩化ビニル、酢酸ビニル、プ豐ピオ
ン酸ビ＝ル、酪酸ビニル、安ｍ香ｍビニルなどのビニル
エステル類＋１−メチル−１′−メジキシエチレン、１
．１’−ジメトキシエチレン、１．２−ジメトキシエチ
レン、１，１′−ジメトキシカルボニルエチレン、１−
メチル−１’−二トリエチレンなどのエチレン誘導体−
Ｎ−ビニルビリール、Ｎ−ビニルカルバゾール、舅−ビ
ニルインドール、Ｎ−ビニルビ田すジン、Ｎ−ビニルビ
リリドンナトの証−ビニル化合物；そのほかアクリ璽ニ
トリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタク
リルアミド、ａ−エチルアクリルア之ド、アクリルアニ
リド、ジ−クリロアクリルアニリド、ｍ−二トリアクリ
ルアニリド、ｍ−メトキシアクリルアニリド、ビニリデ
ンクリライド、ビニリデンシアナイドなどがあげられる
。
レン、ブチレン、イソブチレン、ブタジェンなどのエチ
レン系不飽和オレフィン類；スチレン、ａ−メチルスチ
レン、ｐ−クリルスチレンなどのスチレン類；アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレ
イン酸などの不飽和カルボン酸１１７アクリル酸メチル
、アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル
酸イソブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸イソブ
チル、アクリル酸２−クロル−エチル、アクリルｌ！７
エエル、ぼ−ク冒ルアクリル酸メチル、メタクリル酸メ
チル、メタクリル酸エチル・、メタクリル酸ブチル、ａ
−エチルアクリル酸エチルなどのａ−メチレン脂肪族モ
ノカルボン酸のエステル類；ビニルメチルエーテル、ビ
ニルエチルエーテル、ビ慕ルイソプチルエーテルなどの
ビニルエーテルａｔ塩化ビニル、酢酸ビニル、プ豐ピオ
ン酸ビ＝ル、酪酸ビニル、安ｍ香ｍビニルなどのビニル
エステル類＋１−メチル−１′−メジキシエチレン、１
．１’−ジメトキシエチレン、１．２−ジメトキシエチ
レン、１，１′−ジメトキシカルボニルエチレン、１−
メチル−１’−二トリエチレンなどのエチレン誘導体−
Ｎ−ビニルビリール、Ｎ−ビニルカルバゾール、舅−ビ
ニルインドール、Ｎ−ビニルビ田すジン、Ｎ−ビニルビ
リリドンナトの証−ビニル化合物；そのほかアクリ璽ニ
トリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタク
リルアミド、ａ−エチルアクリルア之ド、アクリルアニ
リド、ジ−クリロアクリルアニリド、ｍ−二トリアクリ
ルアニリド、ｍ−メトキシアクリルアニリド、ビニリデ
ンクリライド、ビニリデンシアナイドなどがあげられる
。
かかるビニル単量体の割合は、フルオロアルキルアクリ
レートとの合計量の６０モル襲以下とするのがよい。
レートとの合計量の６０モル襲以下とするのがよい。
フルオロアルキルアクリレートの鯛造には、公知の方法
を採用することができる。
を採用することができる。
たとえばフルオロアルコールとアクリル酸またはメタク
リル酸またはそれらの誘導体とを反応させてうろことが
できる。
リル酸またはそれらの誘導体とを反応させてうろことが
できる。
ＱＨ２＝ ＯＲ”０ＯＯＨ＋ＲｆＲ”Ｏトー−一→ＣＨ
２＝ ＯＲ’ｏｏｏｐ２Ｒで−４−Ｒ２０（式中、Ｒ１
、Ｒ２およびｋは前記と同じ。）具体的には、たとえば
メタクリル酸り胃ティドに２．２．５，４，４．４−へ
キナフルオリブチルアルコールを加え、さらに重合禁止
剤、たとえばへイドνキノンジメチルエーテルを少量加
えて６〇−１２０°ａに加熱して、２ｔ２．５ｔ４．４
．４−ヘキナフルオ讐ブチルメタクリレージを製造する
ことができる。
２＝ ＯＲ’ｏｏｏｐ２Ｒで−４−Ｒ２０（式中、Ｒ１
、Ｒ２およびｋは前記と同じ。）具体的には、たとえば
メタクリル酸り胃ティドに２．２．５，４，４．４−へ
キナフルオリブチルアルコールを加え、さらに重合禁止
剤、たとえばへイドνキノンジメチルエーテルを少量加
えて６〇−１２０°ａに加熱して、２ｔ２．５ｔ４．４
．４−ヘキナフルオ讐ブチルメタクリレージを製造する
ことができる。
テトツメチル錫の割合は、フルオリアルキルアクリレー
トに対して０．１〜２０毫ル襲、なかんづ＜０．５〜１
０毫ル襲が好ましい。
トに対して０．１〜２０毫ル襲、なかんづ＜０．５〜１
０毫ル襲が好ましい。
本発明に用いる基板は限定されるものではなく、たとえ
ば食塩の結晶、夕田ムマスタしたガラス板、珪素、ゲル
マニウムなどの１半導体膜、クロム、アルセニウム、チ
タン、金などの導体膜、酸化珪素、窒化珪素、リン珪化
ガラス、ヒ素珪化ガラス、硼素珪化ガラスなどの絶縁体
膜などを例示することができる。かかる基板は放電域内
または放電域の下流に置かれる。
ば食塩の結晶、夕田ムマスタしたガラス板、珪素、ゲル
マニウムなどの１半導体膜、クロム、アルセニウム、チ
タン、金などの導体膜、酸化珪素、窒化珪素、リン珪化
ガラス、ヒ素珪化ガラス、硼素珪化ガラスなどの絶縁体
膜などを例示することができる。かかる基板は放電域内
または放電域の下流に置かれる。
本発明を実行するには、たとえば第１図に示す装置が用
いられる。真空ポンプで所定の圧力に調節しながら、不
活性ガス、フルオリアルキルアクリレートおよびテトラ
メチル錨を供給し、水平または鉛直の資料設置台に基板
を置いてまたは取付けて高周波電圧をかけることにより
グロー放電を行うと基板上にフルオロアルキルアクリレ
ート重合体の被膜が形成される。
いられる。真空ポンプで所定の圧力に調節しながら、不
活性ガス、フルオリアルキルアクリレートおよびテトラ
メチル錨を供給し、水平または鉛直の資料設置台に基板
を置いてまたは取付けて高周波電圧をかけることにより
グロー放電を行うと基板上にフルオロアルキルアクリレ
ート重合体の被膜が形成される。
このようにして形成された重合体の被・膜は基板ととも
に７０〜２００ ’０でプリベータを必要ニ応じて行う
。
に７０〜２００ ’０でプリベータを必要ニ応じて行う
。
重合体の被膜を形成した基板は、プリベータをせずにま
たはプリベーク後、高エネルギー線たとえば電子線、Ｘ
ｍｓ達紫外線などを照射して被膜にパターンを描画し、
必要に応じこれを現像すると、微細レジストパターンを
有する被膜を基板上に形成させることができる。
たはプリベーク後、高エネルギー線たとえば電子線、Ｘ
ｍｓ達紫外線などを照射して被膜にパターンを描画し、
必要に応じこれを現像すると、微細レジストパターンを
有する被膜を基板上に形成させることができる。
現像は、描画を電子線照射でしたばあい、レジスト膜の
厚さが小であるときには電子線照射だけで充分なばあい
があるが、酸素プラズマエツチング、水素もしくは不活
性ガスプラズマエツチングまたは加熱による現像のばあ
いには電子線照射を小とするので好ましい。
厚さが小であるときには電子線照射だけで充分なばあい
があるが、酸素プラズマエツチング、水素もしくは不活
性ガスプラズマエツチングまたは加熱による現像のばあ
いには電子線照射を小とするので好ましい。
さらにこの現像は通常用いられる溶媒により電子線、ｘ
Ｉｓ照射部分を溶出することによっても行なうことがで
きる。
Ｉｓ照射部分を溶出することによっても行なうことがで
きる。
酸素プラズマエツチングでは、ガス圧１〜６００ ｍＴ
ｏｒｒ ％温度０〜１００°０でグリ−放電域、たとえ
ば平行平板円形電極の一方の極上に、必要があれば絶縁
して基体上の潜像のある重合体被膜を基体とともに置い
て、酸素を通じながら行なう。
ｏｒｒ ％温度０〜１００°０でグリ−放電域、たとえ
ば平行平板円形電極の一方の極上に、必要があれば絶縁
して基体上の潜像のある重合体被膜を基体とともに置い
て、酸素を通じながら行なう。
酸素は紅などの不活性気体と混合して通じるのがよく、
またＡｒ −０２混合気体中の０２濃度は１０〜２００
〜２０毫ル襲通常６１の容器容積について１０〜１００
ａｍ’ＢＴＰ、Ａｉｓで混合気体を通じる。放電電力
は、電極間容積１ｏ−につき０．２〜２ｗがよい。
またＡｒ −０２混合気体中の０２濃度は１０〜２００
〜２０毫ル襲通常６１の容器容積について１０〜１００
ａｍ’ＢＴＰ、Ａｉｓで混合気体を通じる。放電電力
は、電極間容積１ｏ−につき０．２〜２ｗがよい。
加熱による現像は１〜１Ｏ−５）−ル、好ましくは１０
〜１０トールの減圧下に重合体のガラス転移点以上で
熱分解を起さない温度、一般に８０〜２５０’Ｏで行な
うのがよい。
〜１０トールの減圧下に重合体のガラス転移点以上で
熱分解を起さない温度、一般に８０〜２５０’Ｏで行な
うのがよい。
水素または不活性気体プラズマエッチングは、１０（〜
１０トール、好ましくは１０−２〜１０″トールのガス
圧で温５ 度０〜１００°Ｏに維持された水素または不活性気体プ
ラズマ中に、基板上に形成された重合体被膜を置くこと
によって行なえばよい。不活性ガスとしては−１たとえ
ばアルゴン、ヘリウム、チッ素などが用いられうる。具
体的には平行電極の一方の極板上に、重合体被膜が他方
の極板と対面するように被膜が形成された基板を裁置す
る。必要なら、基板と極板とを絶縁してもよい。水素ま
たは不活性気体の流量は、通常容器容積６）あたり０，
１〜１０ （１ｍ”５７Ｐ／ｆａ１ｍであり、放電は電
極間容積１（２）３あたり０．０５〜１Ｗの放電電力で
行なえばよい。また放電時間は値上の条件に応じて適宜
遺訳すればよい。
１０トール、好ましくは１０−２〜１０″トールのガス
圧で温５ 度０〜１００°Ｏに維持された水素または不活性気体プ
ラズマ中に、基板上に形成された重合体被膜を置くこと
によって行なえばよい。不活性ガスとしては−１たとえ
ばアルゴン、ヘリウム、チッ素などが用いられうる。具
体的には平行電極の一方の極板上に、重合体被膜が他方
の極板と対面するように被膜が形成された基板を裁置す
る。必要なら、基板と極板とを絶縁してもよい。水素ま
たは不活性気体の流量は、通常容器容積６）あたり０，
１〜１０ （１ｍ”５７Ｐ／ｆａ１ｍであり、放電は電
極間容積１（２）３あたり０．０５〜１Ｗの放電電力で
行なえばよい。また放電時間は値上の条件に応じて適宜
遺訳すればよい。
このようにして形成したレジストパターン被膜は、牛導
体素子、磁気バブル素子、光応用部品、ビデオディスク
の製造に応用することができる。
体素子、磁気バブル素子、光応用部品、ビデオディスク
の製造に応用することができる。
りぎに参考例および実施例をあげて、本発明の方法をよ
り詳しく説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定
されるものではない。
り詳しく説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定
されるものではない。
参考例１
第１図に示すプラズマ重合装置を用いて、基板上にフル
オロアルキルアクリレートの重合体の被膜を形成した。
オロアルキルアクリレートの重合体の被膜を形成した。
装置の主体である真空容器（１）は全容積が１１であり
、該真空容器（１）内の圧力は真空ポンプ０１）と！り
四−ド真空針（８）で０．７トールに調整され、真空容
器内のガスは液体チッ素トラップ（ト）を介して排気さ
れる。先端のアルゴン容器（２）よりアルゴンを６３．
５ａｍ ８７Ｐ／１ａｉｎで供給し、ラジオ波発生機（
７）より電力針（６）およびインピーダンス調整回路（
５）を経て誘電フィル（４）で発生した１５．５６ＭＨ
ａのグルー放電域を通過させてアルゴンを励起させた。
、該真空容器（１）内の圧力は真空ポンプ０１）と！り
四−ド真空針（８）で０．７トールに調整され、真空容
器内のガスは液体チッ素トラップ（ト）を介して排気さ
れる。先端のアルゴン容器（２）よりアルゴンを６３．
５ａｍ ８７Ｐ／１ａｉｎで供給し、ラジオ波発生機（
７）より電力針（６）およびインピーダンス調整回路（
５）を経て誘電フィル（４）で発生した１５．５６ＭＨ
ａのグルー放電域を通過させてアルゴンを励起させた。
一方、容器（８）よりフルオロアルキルアクリレートと
テトラメチル錫との混合物を１．６（１１！ｌ’８でＰ
／ｗａ ｉ ｍの流量で真空容＃（１）内に供給し、前
記励起されたアルゴンと合流させて冷却水で冷却された
試料設置台（９）上に置かれた基板（図示されていない
）と接触させ、真空ポンプαυで排気した。
テトラメチル錫との混合物を１．６（１１！ｌ’８でＰ
／ｗａ ｉ ｍの流量で真空容＃（１）内に供給し、前
記励起されたアルゴンと合流させて冷却水で冷却された
試料設置台（９）上に置かれた基板（図示されていない
）と接触させ、真空ポンプαυで排気した。
被膜の形成条件はつぎのとおりであった。
基板 り四ム蒸着したガラス板
装置の周囲の瀉麿 室 温 真空客器内ガス圧 ｏ、７トールグロー放１１
を電力 １０Ｗアルゴン流量 ６６
．５ａｍ３ＢＴＰ／１１ｎフルオロアル中ルアクリレー
トＷｄｌＬ １．５ｓｏＪ８τＬ／−４ｎテトフ
メチル錫流置 ０．Ｑ５ｏｍ３ｆｆｉ５ａｉ
臘接触時間 ｇｏ仕分 間厚をタリステップで測定した。膜厚は、１．６μｍで
あった。
装置の周囲の瀉麿 室 温 真空客器内ガス圧 ｏ、７トールグロー放１１
を電力 １０Ｗアルゴン流量 ６６
．５ａｍ３ＢＴＰ／１１ｎフルオロアル中ルアクリレー
トＷｄｌＬ １．５ｓｏＪ８τＬ／−４ｎテトフ
メチル錫流置 ０．Ｑ５ｏｍ３ｆｆｉ５ａｉ
臘接触時間 ｇｏ仕分 間厚をタリステップで測定した。膜厚は、１．６μｍで
あった。
実施例１
参考例１と同じ条件でガラス板上のりｐムメツキ層上に
形成した被膜に電子線描画を行なって、種々の照射線量
に対する膜厚の減少量を測定した。電子線描画は、１０
−’〜１０−’ ）−ル下に加速電圧２０ｋＶおよびラ
インアンドスペース４μ重で電子線を１〜２μ０１０−
で照射し、膜厚の減少量をタリステップで測定した。そ
れらの結果は、つぎのとおりであった。
形成した被膜に電子線描画を行なって、種々の照射線量
に対する膜厚の減少量を測定した。電子線描画は、１０
−’〜１０−’ ）−ル下に加速電圧２０ｋＶおよびラ
インアンドスペース４μ重で電子線を１〜２μ０１０−
で照射し、膜厚の減少量をタリステップで測定した。そ
れらの結果は、つぎのとおりであった。
照射線量 膜厚の減少量
（μＯ／ａｍ”） （μｍ）１
０．０４ １．５ ０．１２ ２ ０．２５ 実施例２ 参考例１と同じ条件でガラス板上のりｐムメツキ上に被
覆した被膜に、実施例１と同様に種々の照射線量で電子
線照射を行なった。ついで、１０−３〜１０トールの減
圧下に１７０ｏＯで４分間熱処理を行なった。その結果
をつぎに示す。
０．０４ １．５ ０．１２ ２ ０．２５ 実施例２ 参考例１と同じ条件でガラス板上のりｐムメツキ上に被
覆した被膜に、実施例１と同様に種々の照射線量で電子
線照射を行なった。ついで、１０−３〜１０トールの減
圧下に１７０ｏＯで４分間熱処理を行なった。その結果
をつぎに示す。
照射線量 総膜厚減少量
（μＯ／ａｍ”） （μｍ）１
０．０ａ １．５ ０．２３ ２ ０．４８実施例３ 参考例１と同じ条件でガラス板上のり四ムメツキ層上に
形成した被膜に、比較例１と同様にして種々の照射線量
で電子線照射を行なった。
０．０ａ １．５ ０．２３ ２ ０．４８実施例３ 参考例１と同じ条件でガラス板上のり四ムメツキ層上に
形成した被膜に、比較例１と同様にして種々の照射線量
で電子線照射を行なった。
ついで、水素プラズマでこれらの被膜を処理した。水素
プラズマ処理は、平行円盤電極（直径１００ｍｍ、間隔
５０ｍｍ ）の下方の極板上に被膜が上側になるように
試料を置き、水素を流しながら周波数１２＄ −５６Ｍ
Ｈｚの高周波電圧をかけて行なった。
プラズマ処理は、平行円盤電極（直径１００ｍｍ、間隔
５０ｍｍ ）の下方の極板上に被膜が上側になるように
試料を置き、水素を流しながら周波数１２＄ −５６Ｍ
Ｈｚの高周波電圧をかけて行なった。
水素プラズマ処理の条件は、つぎのとおりであった。
放電電力 １００Ｗ
水素圧力 ２ミリトール
水素流量 １〜１００ ｍｍ’ ８ ＴＰ／ｉａ
ｉ ｎ放電時間 １分間 それらの結果をつぎに示す。
ｉ ｎ放電時間 １分間 それらの結果をつぎに示す。
照射線量 総膜厚減少量
（μＯ／ａｍ”） （μ！１Ｉ）１
０．０６ １．５ ０．２１２
０．４５参考例２ 参考例１と同様にして基板上にフルオ豐アルキルアクリ
レートの重合体被膜を形成した。
０．０６ １．５ ０．２１２
０．４５参考例２ 参考例１と同様にして基板上にフルオ豐アルキルアクリ
レートの重合体被膜を形成した。
被膜の形成条件は、つぎのとおりであった。
基 板 クロム蒸着したガラス板
装置の周囲の温度 室 温 真空容器内ガス圧 ０．７トールグロー放１１
ＩＬ電力 １０Ｗアルゴン流ＩＩｂ＆、５ａ
ｒｎ３ＳＴＰ／ｍ１ｘｒフルオロアクリレー−２，５ａ
ｍ３８ＴＰ／１１ｍテトラメチル錫流１ ０
．１ｏｍ３ＢＴＰ／ａｉｍ接触時間 ６０分
間 膜厚をタリステップで測定した。膜厚は、１・９μｍで
あった。
装置の周囲の温度 室 温 真空容器内ガス圧 ０．７トールグロー放１１
ＩＬ電力 １０Ｗアルゴン流ＩＩｂ＆、５ａ
ｒｎ３ＳＴＰ／ｍ１ｘｒフルオロアクリレー−２，５ａ
ｍ３８ＴＰ／１１ｍテトラメチル錫流１ ０
．１ｏｍ３ＢＴＰ／ａｉｍ接触時間 ６０分
間 膜厚をタリステップで測定した。膜厚は、１・９μｍで
あった。
実施例４
参、考例２と同じ条件でガラス板上のりｐムメツキ層上
に形成した被膜に電子線描画を行なって、種々の照射線
量に対する膜厚の減少量を測定した。電子線描画は、１
０ 〜１０”−’ ）−ル下にラインアンドスペース４
μｍで１１１１１〜２μ０１０−を照射し、膜厚の減少
量なタリステップで測定した。それらの結果は、りぎの
とおりであった。
に形成した被膜に電子線描画を行なって、種々の照射線
量に対する膜厚の減少量を測定した。電子線描画は、１
０ 〜１０”−’ ）−ル下にラインアンドスペース４
μｍで１１１１１〜２μ０１０−を照射し、膜厚の減少
量なタリステップで測定した。それらの結果は、りぎの
とおりであった。
照射Ｓ量 膜厚の減少量
（１ｏ／。、、）（声＋！１）
１ ０．０４
Ｌ、Ｓ Ｏ，１０
２０，２２
第１図は本発明の方法を実施するためのプラズマ重合装
置の一例を示す概略説明図である。 （図面の符号） （１）：真空容器 （２）：アルゴン容器 （８）：マクロード真空計 （４） ： ＩＩＩ電コイル （６）！インピーダンスｍｕ回路 （６）！ 電 力 計 （７）ｇ ラジオ波発生機 （ａ） 富ｙルオａアル午ルアタ゛ツレートとテトラ
メチ化銅との混合物容器 （９）８試料設置台 ａ呻；液体窒素シラツブ ０υ：真空ポンプ
置の一例を示す概略説明図である。 （図面の符号） （１）：真空容器 （２）：アルゴン容器 （８）：マクロード真空計 （４） ： ＩＩＩ電コイル （６）！インピーダンスｍｕ回路 （６）！ 電 力 計 （７）ｇ ラジオ波発生機 （ａ） 富ｙルオａアル午ルアタ゛ツレートとテトラ
メチ化銅との混合物容器 （９）８試料設置台 ａ呻；液体窒素シラツブ ０υ：真空ポンプ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ グリ−放電によって励起された不活性気体により、 （→式Ｉ ＲｆＲ２０ＧＯＧＲ１＝ ０ＲＢ（式中、
Ｒｆは炭素数１〜１５ａＩ［ｌの直鎖状または分鼓状の
パーフルオリアル中ル基またはこれのフッ素原子１１１
以上が水素原子によって置換されかつ少なくともフッ素
原子１１１を有する基、Ｒ１は水素原子、メチル基、エ
チル基またはハロゲン原子およびＲ２は２価の炭化水嵩
残基を示す。） で示されるフルオリアルキルアクリレートおよび （ｂ）必要に応じ（婦以外の重合性物質を（０）テトラ
メチル錫とともに 重合させることを特徴とする基板上にフルオリアルキル
アクリレ−Ｆの重合体の被膜を形成する方法。 ２ （萄グ田−放電によって励起された不活性気体によ
り、 （ｓＪ 式： ＲｆＲ”０ＯＯＯＲ１＝ｓ ＣＩＨ２
（式中、七は炭素数１〜１５ＷＩの直鎖状または分絃状
のパーフルオ田アルキル基またはこれのフッ素原子１箇
以上が水素原子によって置換されかつ少なくともフッ素
原子１箇を有する基、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチ
ル基またはハロゲン原子およびＲ２は２価の軟化水素残
基を示す。） で示されるフルオシアルキル７クリレートおよび （ｂ）必要に応じ（荀以外の重合性物質を（０）テトラ
メチル錫とともに 重合させて基板上に重合体被膜を形成させ、（鵬ついで
、高エネルギー線を被膜に照射して潜像パターンを描画
し、 （０）必要に応じて最後に、現像する ことを特徴とするレジストパターン被膜を有する基体を
製造する方法。 ６ 現像の方法が加熱またはプラズマエツチングである
特許請求の範囲第２項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159762A JPS5861106A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 基板上にフルオロアルキルアクリレ−トの重合体の被膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159762A JPS5861106A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 基板上にフルオロアルキルアクリレ−トの重合体の被膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861106A true JPS5861106A (ja) | 1983-04-12 |
| JPH0212244B2 JPH0212244B2 (ja) | 1990-03-19 |
Family
ID=15700706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56159762A Granted JPS5861106A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 基板上にフルオロアルキルアクリレ−トの重合体の被膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861106A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4784646B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2011-10-05 | 旭硝子株式会社 | 親水性領域と撥水性領域を有する処理基材およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04124056U (ja) * | 1991-01-31 | 1992-11-11 | 株式会社スズテツク | マルチバーナのゲージ |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56159762A patent/JPS5861106A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4784646B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2011-10-05 | 旭硝子株式会社 | 親水性領域と撥水性領域を有する処理基材およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0212244B2 (ja) | 1990-03-19 |
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