JPS585735A - 基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法 - Google Patents
基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法Info
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- JPS585735A JPS585735A JP56084093A JP8409381A JPS585735A JP S585735 A JPS585735 A JP S585735A JP 56084093 A JP56084093 A JP 56084093A JP 8409381 A JP8409381 A JP 8409381A JP S585735 A JPS585735 A JP S585735A
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上にフルオロアルキルアクリレートから
なるパターンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
に関する。
なるパターンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
に関する。
本発明者らは、さきにプラズマ重合方法により基板上に
フルオロアルキルアクリレートおよび必要に応じそれ以
外の重合性物質を重合させて重合体被膜を彫成し、高エ
ネルギー線を該被膜に照射して潜像パターンを描画し、
ついで現像する、とくに酸素プテズ！で現像することを
特徴とする基板上にフルオロアルキルアクリレートから
なるパターンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
を発明し、特許出願を行なった。
フルオロアルキルアクリレートおよび必要に応じそれ以
外の重合性物質を重合させて重合体被膜を彫成し、高エ
ネルギー線を該被膜に照射して潜像パターンを描画し、
ついで現像する、とくに酸素プテズ！で現像することを
特徴とする基板上にフルオロアルキルアクリレートから
なるパターンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
を発明し、特許出願を行なった。
その後、鋭意研究をした結果、前記発明における潜像パ
ターンを描画したレジスト被膜は、電子線照射だけで現
像されていることを発見し、さらに研究を重ねた結果、
電子線照射後レジスジ被膜をその重合体のガラス転移点
以上の温度で減圧下に加熱するか、または電子線照射線
量素または不活性気体プラズマで処理することにより、
電子線照射だけによる現像が増幅されていることを見出
し、本発明を完成した。
ターンを描画したレジスト被膜は、電子線照射だけで現
像されていることを発見し、さらに研究を重ねた結果、
電子線照射後レジスジ被膜をその重合体のガラス転移点
以上の温度で減圧下に加熱するか、または電子線照射線
量素または不活性気体プラズマで処理することにより、
電子線照射だけによる現像が増幅されていることを見出
し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
（Ａ）基板上にプラズマ重合方法により（−一般式客
Ｒｆ−ω叩−＝Ｏ１ｌａ
（式中、Ｒｆは炭素数１〜１５箇の直鎖状または分岐鎖
状のバーフルオ豐アルキル基またはそれらのフッ素原子
１箇以上が水素原子によって置換されかつ少なくともフ
ッ素原子１箇を有する基、Ｒ″番１水嵩原子、メチル基
、エチル基または＾冒ゲン原子、１２は２価の炭化水素
残基な示す）で示されるフルオロアルキルアクリレート
の少なくとも１種と （す必要に応じ（＆：Ｊ以外の重合性物質とを重合させ
て、フルオロアルキルアクリレートの単ａ重合体もしく
は共重合体またはフルオロアルキルアクリレートの単独
重合体と他の重合性物質の単独重合体との混合物の重合
体被膜を形成し、（２）蒙被膜に電子線を照射し、 （０）ついで、該被膜を構成する重合体のガラス転移点
以上の温度に減圧下で加熱するか、または水素または不
活性気体プラズマで該被膜を処理すること を特徴とする基板上にパターンが形成されたレジスト被
膜を製造する方法に関する。
状のバーフルオ豐アルキル基またはそれらのフッ素原子
１箇以上が水素原子によって置換されかつ少なくともフ
ッ素原子１箇を有する基、Ｒ″番１水嵩原子、メチル基
、エチル基または＾冒ゲン原子、１２は２価の炭化水素
残基な示す）で示されるフルオロアルキルアクリレート
の少なくとも１種と （す必要に応じ（＆：Ｊ以外の重合性物質とを重合させ
て、フルオロアルキルアクリレートの単ａ重合体もしく
は共重合体またはフルオロアルキルアクリレートの単独
重合体と他の重合性物質の単独重合体との混合物の重合
体被膜を形成し、（２）蒙被膜に電子線を照射し、 （０）ついで、該被膜を構成する重合体のガラス転移点
以上の温度に減圧下で加熱するか、または水素または不
活性気体プラズマで該被膜を処理すること を特徴とする基板上にパターンが形成されたレジスト被
膜を製造する方法に関する。
電子ＩＩＷＡ射についで酸素プラズマ処理によって基板
上にパターンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
においては電子線が照射されていない部分も多少エツチ
ングされるのに対し、本発明の方法を用いるときはその
ような現象がはるかに少なく、見られる像が鮮明である
。また電子線照射だけによるものと比べると、電子線照
射線量なより少なくすることができ、したがって電子−
照射時間を短縮することができる。
上にパターンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
においては電子線が照射されていない部分も多少エツチ
ングされるのに対し、本発明の方法を用いるときはその
ような現象がはるかに少なく、見られる像が鮮明である
。また電子線照射だけによるものと比べると、電子線照
射線量なより少なくすることができ、したがって電子−
照射時間を短縮することができる。
本発明において用いるフルオロアルキルアクリレートは
、前記一般式で示されるものである。
、前記一般式で示されるものである。
Ｒｆ基は、炭素原子数が１〜１５箇好ましくは１〜１０
箇であり、フッ素原子歌が少なくとも１箇、好會しくは
、〜基の炭素原子数と一基の炭素原子数との和の少なく
とも１４のものである。−基は、アクリレージ基會たは
メタクリレート基と（ｇ七を連結するためのものであり
、その炭素原子数は、１〜１０箇、なかんづく１〜５箇
が好重しいが、臨界的なものではない。好ましいフルオ
璽アルキルアクリレートは、沸点カ大ａ圧で４００町以
下または４０トールで７０〜以下のものである。
箇であり、フッ素原子歌が少なくとも１箇、好會しくは
、〜基の炭素原子数と一基の炭素原子数との和の少なく
とも１４のものである。−基は、アクリレージ基會たは
メタクリレート基と（ｇ七を連結するためのものであり
、その炭素原子数は、１〜１０箇、なかんづく１〜５箇
が好重しいが、臨界的なものではない。好ましいフルオ
璽アルキルアクリレートは、沸点カ大ａ圧で４００町以
下または４０トールで７０〜以下のものである。
本発明において用いられるフルオ豐アルキルアタリレー
トを例示すると、 Ｇｌｆ、２ Ｗ Ｏ（（！１１３）ＯＯＯｃｌ［ｆｉ（
０７ｇ）、＠ＱＨ！！ｙｍ Ｏ（ＯＨ３）００ｏＯ（Ｏ
Ｈ３）２（０７ｇ）、１４６Ｍｍ −０（ＯＨｓ）（９
）ＯＨ５ＢＧ［ＦＯＦ３ζ■０（Ｏｌｌｓ）可暉１（ｆ
ｆｇ（ｎＯＦＯＦ３（ＩＩ、２ ｗ Ｏ（ＯＨ３）ＯＯ
ＯＯＨ（ＯＨ３）（ｆｆ２ｍｓ可２−Ｏ（佃３）ω聞（
Ｏ−δ）訪２［Ｆ］豐３０１２ ＝ ０（ＯＨａ）ｏｏ
ｏａｎ（Ｏ西）Ｏ］Ｆ２■１３ＣＭ２ ｚ Ｏ（０１３
）００００（３１ｓ）２ＯＦｇＱＩｆｆ（１Ｆ３ＣＨＩ
＠ −０（０１３）００００（ａＨ３）（０，ＩＪＩ６
）Ｏ？ｇ■豐３ζ−０（０ｋ１３ ）００００（ＯＨ
３）ｇ（０％ＢＯＦｇ）、Ｈｌは２〜５ （Ｍｌ鳳ｘ−０（０Ｈ３）００００ （３１３）ＰｚＱ
Ｈ（（ｆｆ３ ）２である。
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０７ｇ）、＠ＱＨ！！ｙｍ Ｏ（ＯＨ３）００ｏＯ（Ｏ
Ｈ３）２（０７ｇ）、１４６Ｍｍ −０（ＯＨｓ）（９
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ｆｇ（ｎＯＦＯＦ３（ＩＩ、２ ｗ Ｏ（ＯＨ３）ＯＯ
ＯＯＨ（ＯＨ３）（ｆｆ２ｍｓ可２−Ｏ（佃３）ω聞（
Ｏ−δ）訪２［Ｆ］豐３０１２ ＝ ０（ＯＨａ）ｏｏ
ｏａｎ（Ｏ西）Ｏ］Ｆ２■１３ＣＭ２ ｚ Ｏ（０１３
）００００（３１ｓ）２ＯＦｇＱＩｆｆ（１Ｆ３ＣＨＩ
＠ −０（０１３）００００（ａＨ３）（０，ＩＪＩ６
）Ｏ？ｇ■豐３ζ−０（０ｋ１３ ）００００（ＯＨ
３）ｇ（０％ＢＯＦｇ）、Ｈｌは２〜５ （Ｍｌ鳳ｘ−０（０Ｈ３）００００ （３１３）ＰｚＱ
Ｈ（（ｆｆ３ ）２である。
本発明において必要に応じて用いる（→以外の重合性物
質は、二重結合を有するビニル系単量体である。
質は、二重結合を有するビニル系単量体である。
験ビ晶ル系単量体としては、たとえばエチレン、プ田ピ
レン、ブチレン、インブチレン、ブタジェンなどのエチ
レン系不飽和オレフィン＠募スチレン、１−メチルスチ
レン、ｐ−夕田ルスチレンなどのスチレン類；アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、！レイン酸、無水！レ
イン酸などの不飽和カルメン＠＠ｊアクリル酸メチル、
アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸
イソブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸ｎ−オク
チル、アクリル１１２−タロ讐エチル、アクリル酸フェ
ニル、ｄ−りＷＷアクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ル、メタクリル陵エチル、メタクリル酸ブチル、Ｃ−エ
チルアタリル酸エチルなどのａ−メチレン脂肪族令ノヵ
ルポン贈のエステルＩｉ；ビニルメチルエーテル、ビニ
ルエチルエーテル、ビ晶ルイソプチ“ルエーテルなどの
ビニルエーテルｆｌｉｔ塩化ビニルへ酢酸ビニル、プロ
ピオン層ビニル、酪酸ビニル、安、＊香ｍビ恩ルなどの
ビニルエステル＠１１−メチル−１１−メトキシエチレ
ン、１，１′−ジメトキシエチレン１１．２−ジメトキ
シエチレン、ｌ＊１’−ジメトキシカルボニルエチレン
、１−メチル−１′−エト冒エチレンなどのエチレン誘
導体１トピエルビ四−ル、ｙ−ビニルヵンバゾール、夏
−ビニルインドール、１−ビニルビ賀すジン、夏−ビ晶
ルビ冒リドンなどの夏−ビニル化金物纂そのほかアクリ
ロニトリル、メタクリ田ニトリル、アクリルアセト、メ
タクリルアミド、α−エチルアクリルア電ド、アクリル
アニリド、ｐ−クロ讐アタリルアエリド、馳−エト讐ア
クリルアニリド、臘−メトキシアクリルアニリド、ビエ
リデンタ冒ライド、ビ凰すデンシアナイドなどがあげら
れる。
レン、ブチレン、インブチレン、ブタジェンなどのエチ
レン系不飽和オレフィン＠募スチレン、１−メチルスチ
レン、ｐ−夕田ルスチレンなどのスチレン類；アクリル
酸、メタクリル酸、イタコン酸、！レイン酸、無水！レ
イン酸などの不飽和カルメン＠＠ｊアクリル酸メチル、
アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸
イソブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸ｎ−オク
チル、アクリル１１２−タロ讐エチル、アクリル酸フェ
ニル、ｄ−りＷＷアクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ル、メタクリル陵エチル、メタクリル酸ブチル、Ｃ−エ
チルアタリル酸エチルなどのａ−メチレン脂肪族令ノヵ
ルポン贈のエステルＩｉ；ビニルメチルエーテル、ビニ
ルエチルエーテル、ビ晶ルイソプチ“ルエーテルなどの
ビニルエーテルｆｌｉｔ塩化ビニルへ酢酸ビニル、プロ
ピオン層ビニル、酪酸ビニル、安、＊香ｍビ恩ルなどの
ビニルエステル＠１１−メチル−１１−メトキシエチレ
ン、１，１′−ジメトキシエチレン１１．２−ジメトキ
シエチレン、ｌ＊１’−ジメトキシカルボニルエチレン
、１−メチル−１′−エト冒エチレンなどのエチレン誘
導体１トピエルビ四−ル、ｙ−ビニルヵンバゾール、夏
−ビニルインドール、１−ビニルビ賀すジン、夏−ビ晶
ルビ冒リドンなどの夏−ビニル化金物纂そのほかアクリ
ロニトリル、メタクリ田ニトリル、アクリルアセト、メ
タクリルアミド、α−エチルアクリルア電ド、アクリル
アニリド、ｐ−クロ讐アタリルアエリド、馳−エト讐ア
クリルアニリド、臘−メトキシアクリルアニリド、ビエ
リデンタ冒ライド、ビ凰すデンシアナイドなどがあげら
れる。
フルオ宵アルキルアタリレートのＩｌｌには、公知の方
法を採用することができる。
法を採用することができる。
たとえばフルオロアルコールとアクリル酸型たはメタク
リル酸またはそれらの誘導体とを反応させてうることが
できる。
リル酸またはそれらの誘導体とを反応させてうることが
できる。
ＧＨｇ ＝ ＧＲｌｏｏｏＨ＋ Ｒ＄”ＯＨ−ｍ−Ｎ−
ｘ ＯＲ罹鵡す、十￥ ｃ式中、Ｎ、ｍ”およびｋは前記と同じ）具体的には、
たとえばメタクリル酸クロッイドに２＠２．Ｓ＃４＊４
ｅ４−へ中すフルオリブチルアルコールを加え、さらに
重金禁止剤、たとえｄハイド四キノンジメチルエーテル
を少量加え、６ｏ〜１２０°Ｏに加熱して２＊２ｅＳ＊
４＊４ｅ４−ヘキナフルオープチルメタタリレートを製
造することができる。
ｘ ＯＲ罹鵡す、十￥ ｃ式中、Ｎ、ｍ”およびｋは前記と同じ）具体的には、
たとえばメタクリル酸クロッイドに２＠２．Ｓ＃４＊４
ｅ４−へ中すフルオリブチルアルコールを加え、さらに
重金禁止剤、たとえｄハイド四キノンジメチルエーテル
を少量加え、６ｏ〜１２０°Ｏに加熱して２＊２ｅＳ＊
４＊４ｅ４−ヘキナフルオープチルメタタリレートを製
造することができる。
本発明に用いる基板はとくに限定されるものではなく、
食塩の結晶、り冒ムマスタしたガラス板、シリコンウェ
ハーにシリコン酸化膜、リン珪化ガラス膜、リン硼素珪
化ガラス膜あるいは硼素造化ガラス膜を設けたものなど
を例示することができる・ 基板上でフルオリアル午ルアタ９レーＹまたはフルオシ
アル中ルアクリレートと他の重合性物質とをプラス！重
合するには、たとえばそれらと不活性気体との低圧混合
気体の気流中に基板を置きその周囲でグー−放電するか
、またはグ冒−歓電により励起された不活性気体とアル
キルアクリレートまたはフルオ璽アル中ルアクリレート
との低圧混合気体の気流中に基板を置く（アフターグ蓼
−決）かすることにより行なえばよい。
食塩の結晶、り冒ムマスタしたガラス板、シリコンウェ
ハーにシリコン酸化膜、リン珪化ガラス膜、リン硼素珪
化ガラス膜あるいは硼素造化ガラス膜を設けたものなど
を例示することができる・ 基板上でフルオリアル午ルアタ９レーＹまたはフルオシ
アル中ルアクリレートと他の重合性物質とをプラス！重
合するには、たとえばそれらと不活性気体との低圧混合
気体の気流中に基板を置きその周囲でグー−放電するか
、またはグ冒−歓電により励起された不活性気体とアル
キルアクリレートまたはフルオ璽アル中ルアクリレート
との低圧混合気体の気流中に基板を置く（アフターグ蓼
−決）かすることにより行なえばよい。
不活性ガスには、ヘリウム、ネオン、アルゴン、タリブ
トン、キ令ノンを使用することができ、好ましくはアル
ゴンおよびクリプシンである。
トン、キ令ノンを使用することができ、好ましくはアル
ゴンおよびクリプシンである。
ダ冒−放電を行なうには、反応管内に２枚の平行平板電
極を設けるかまたは反応管内に誘導コイルを設けて、高
層−電圧または高周波電流をかけて行なう。いずれの手
段で行なうにしても、また放電域内にｉ板を置くかアフ
ターグロー決で行なうにしても、温度０〜２００’Ｏ１
圧力１０〜１０４）−ル、好ましく１！１〜１０ ）
−ルで行な１１、不活性ガスの流量は、たとえば容器１
１あたり０．１〜２００ｍ”ｌ’ｆｆｉいムで、アルキ
ルアクリレートなどのモノ！−の流量は不活性ガス流量
の０．５〜５０憾の割合で、とくに１〜２０％の割合で
供給するのが好ましい。またグ田−放電は、０．１〜１
００１１１ｍの高周波電界下１〜５００Ｗの放電電力で
行なうのが好ましい。
極を設けるかまたは反応管内に誘導コイルを設けて、高
層−電圧または高周波電流をかけて行なう。いずれの手
段で行なうにしても、また放電域内にｉ板を置くかアフ
ターグロー決で行なうにしても、温度０〜２００’Ｏ１
圧力１０〜１０４）−ル、好ましく１！１〜１０ ）
−ルで行な１１、不活性ガスの流量は、たとえば容器１
１あたり０．１〜２００ｍ”ｌ’ｆｆｉいムで、アルキ
ルアクリレートなどのモノ！−の流量は不活性ガス流量
の０．５〜５０憾の割合で、とくに１〜２０％の割合で
供給するのが好ましい。またグ田−放電は、０．１〜１
００１１１ｍの高周波電界下１〜５００Ｗの放電電力で
行なうのが好ましい。
このようにして形成された重合体の被膜は基板とともに
７０〜２００°０でプリベークを必要に応じて行なう。
７０〜２００°０でプリベークを必要に応じて行なう。
重合体の被膜を形成した基板は、プリベータをせずにま
たはプリベータ後、高エネルギー線たとえば電子線、Ｘ
線などを照射するだけで被膜にパターンを形成すること
ができる。
たはプリベータ後、高エネルギー線たとえば電子線、Ｘ
線などを照射するだけで被膜にパターンを形成すること
ができる。
電子線照射は、１０−４〜１０′）−ル、好ましくは１
０′〜１０′シールの真空度で行なう。
０′〜１０′シールの真空度で行なう。
照射量は、高エネルギー纏の種■、被膜を構成する重合
体の種類および被膜の厚さに応じて遣宣遣訳すればよい
。
体の種類および被膜の厚さに応じて遣宣遣訳すればよい
。
本発明においては現像を増幅するため”電子線照射後、
重合体被膜を加熱するかあるいは水素または不活性気体
プラス！処理を行なう。
重合体被膜を加熱するかあるいは水素または不活性気体
プラス！処理を行なう。
加熱は１〜１０）−ル、好ましくは１０４〜１０−シー
ルの減圧下に重合体のガフス転移点以上で熱分解を起さ
ない温度、一般に８０〜２５０〜で行なうのがよい。
ルの減圧下に重合体のガフス転移点以上で熱分解を起さ
ない温度、一般に８０〜２５０〜で行なうのがよい。
水素または不活性気体プラス！処理は、１０″〜１０′
シール、好ましくは１０′〜１０″トールのガス圧で温
度０〜１００°Ｏに維持された水素または不活性気体プ
ラズマ中に、基板上に形成された重合体被膜を置くこと
によって行なえばよい。不活性ガスとしては、たとえば
アルゴン、ヘリウム、チッ素など終用いられうる。具体
的には平行電極の一方の極板上に、重合体被膜が他方の
極板と前面するように被膜が形成された基板を載置する
。必要なら、基板と極板とを絶縁してもよい。水素また
は不活性気体の流量は、通常容器容積＆！あたり０．１
〜１００ｍ３ｓＴ１／＆組であり、放電は電極間容積１
０−あたり０．０Ｓ〜１Ｗの放電電力で行なえばよい。
シール、好ましくは１０′〜１０″トールのガス圧で温
度０〜１００°Ｏに維持された水素または不活性気体プ
ラズマ中に、基板上に形成された重合体被膜を置くこと
によって行なえばよい。不活性ガスとしては、たとえば
アルゴン、ヘリウム、チッ素など終用いられうる。具体
的には平行電極の一方の極板上に、重合体被膜が他方の
極板と前面するように被膜が形成された基板を載置する
。必要なら、基板と極板とを絶縁してもよい。水素また
は不活性気体の流量は、通常容器容積＆！あたり０．１
〜１００ｍ３ｓＴ１／＆組であり、放電は電極間容積１
０−あたり０．０Ｓ〜１Ｗの放電電力で行なえばよい。
放電時間は遣宜遣訳すればよい。
このようにして形成したレジスジパターン被膜は、半導
体素子１磁気パルプ素子、光応用部品、ビデオディスク
の製造に応用することができる。
体素子１磁気パルプ素子、光応用部品、ビデオディスク
の製造に応用することができる。
つぎに実施例をあげて、本発明の詳細な説明する。
参考例１
第１ｗｉに示すプラズマ重合装置を用−て、基ｔｈにフ
ルオロアルキルアクリレートの重合体の被膜を形成した
。
ルオロアルキルアクリレートの重合体の被膜を形成した
。
装置の主体である真空容４１（１）は全容積が１１であ
り、蒙真空容器（１）内の圧力社真空ｌンブ０１とマク
ロード真空針（８）で０．７トールに調整され、真空容
器内のガスは液体チッ素トラップに）を介して排気され
る。先端のアルゴン容ａｌｌ （ｇ）よりアルゴンを６
５．５ａｍ３１！Ｉ？Ｆ／ｗｉｎで供給し、ラジオ波発
生機（７）より電力計（６）およびインピーダンス調Ｓ
ａ路（５）を経て誘電プイル（荀で発生した１５．５６
ＭＩＫのグロー放電域を通過させてアルゴンを励起させ
良。一方、フルオロアルキルアクリレ−）１１４１（８
）！りフルオロアルキルアクリレートを１．６ｔｓｍ”
ＢＴＰ／ｖｍＬｎの流量で真空容１１（１）内に供給し
、前記軸励起されたアルゴンと合流させて冷却水で冷却
された試料設置台（９）上に置かれた基板（［示されて
一′＆−）と接触させ、真空ｌンブａカで排気した〇 被膜の形成条件はつぎのとお鰺であった。
り、蒙真空容器（１）内の圧力社真空ｌンブ０１とマク
ロード真空針（８）で０．７トールに調整され、真空容
器内のガスは液体チッ素トラップに）を介して排気され
る。先端のアルゴン容ａｌｌ （ｇ）よりアルゴンを６
５．５ａｍ３１！Ｉ？Ｆ／ｗｉｎで供給し、ラジオ波発
生機（７）より電力計（６）およびインピーダンス調Ｓ
ａ路（５）を経て誘電プイル（荀で発生した１５．５６
ＭＩＫのグロー放電域を通過させてアルゴンを励起させ
良。一方、フルオロアルキルアクリレ−）１１４１（８
）！りフルオロアルキルアクリレートを１．６ｔｓｍ”
ＢＴＰ／ｖｍＬｎの流量で真空容１１（１）内に供給し
、前記軸励起されたアルゴンと合流させて冷却水で冷却
された試料設置台（９）上に置かれた基板（［示されて
一′＆−）と接触させ、真空ｌンブａカで排気した〇 被膜の形成条件はつぎのとお鰺であった。
基 板 り讐ム蒸着したガラス板
装置の肩■の温度 室 温真空容器内ガス
圧 ０．７トールグ田−放電電力
１ｏｗ アルゴン流量 ６５．５ａｗａ ８？Ｐ／ｗｉｍ
フルオロア臭今ルアクリレージ流量 １−６ＣＨａ
ＢＴＰ１ｗ１ｍ接触時間 １時間 Ｍ厚をタリステップで測定した。膜厚は、２．７μｍで
あった。
装置の肩■の温度 室 温真空容器内ガス
圧 ０．７トールグ田−放電電力
１ｏｗ アルゴン流量 ６５．５ａｗａ ８？Ｐ／ｗｉｍ
フルオロア臭今ルアクリレージ流量 １−６ＣＨａ
ＢＴＰ１ｗ１ｍ接触時間 １時間 Ｍ厚をタリステップで測定した。膜厚は、２．７μｍで
あった。
比較例１
参考例１と同じ条件でガラス板上のクロムメツΦ層上に
形成した被膜に電子線描画を行なって、種々の照射線量
に対する膜厚の減少量を測定した。電子線描画は、１０
−５〜１０−’）−ル下に一辺が４μ閣の正方形の電子
線束をＯ，Ｓμ朧の間隔をあけてゴバン目状に照射する
ことによって行なった。それらの結果は、つぎのとおり
であった。
形成した被膜に電子線描画を行なって、種々の照射線量
に対する膜厚の減少量を測定した。電子線描画は、１０
−５〜１０−’）−ル下に一辺が４μ閣の正方形の電子
線束をＯ，Ｓμ朧の間隔をあけてゴバン目状に照射する
ことによって行なった。それらの結果は、つぎのとおり
であった。
照射線量 膜厚の減少量
（μＯ／ａｍ ） （μｍ）１０
０．００８２０
０．０６５０
０．１１４０
０．１６５０ ０
．２４実施例１ 参考例１と同じ条件でガラス板上のクロムメツ中上に被
覆した被ｌ！Ｉに、比較例１と同様に種々の照射線量で
電子−照射を行なった。つ−で、１０−３〜１Ｇ ’）
−ｋｆ）減圧下Ｋ １７０’ＯテＳｏ分子［熱処理を
行なった。その結果をつぎに示す。
０．００８２０
０．０６５０
０．１１４０
０．１６５０ ０
．２４実施例１ 参考例１と同じ条件でガラス板上のクロムメツ中上に被
覆した被ｌ！Ｉに、比較例１と同様に種々の照射線量で
電子−照射を行なった。つ−で、１０−３〜１Ｇ ’）
−ｋｆ）減圧下Ｋ １７０’ＯテＳｏ分子［熱処理を
行なった。その結果をつぎに示す。
照射線量 総膜厚減少量
（ｐｏ／ａｍ ） （μｍ）１０
０．０２２００．１５ ５０ ０．２５４０
０．５７５０
０．５６実施例２ 参考例１と同じ条件でガラス板上のりｐムメッキ層上に
形成した被膜に、比較例１と同様にして種々の照射線量
で電子線照射を行なった。
０．０２２００．１５ ５０ ０．２５４０
０．５７５０
０．５６実施例２ 参考例１と同じ条件でガラス板上のりｐムメッキ層上に
形成した被膜に、比較例１と同様にして種々の照射線量
で電子線照射を行なった。
つ−で、水素プラズマでこれらの被膜を処理した。水素
プラズマ処理社、平行円盤電極（直径１００ｍ墓、間隔
３０議ｍ）の下方の極板上に被膜が上側になるように試
料を置き、水素を流しながら周波数１５ 、５６ＭＨｚ
の高周波電圧をかけて行なった。水素プラズマ処理の条
件社、つぎのとお抄であった。
プラズマ処理社、平行円盤電極（直径１００ｍ墓、間隔
３０議ｍ）の下方の極板上に被膜が上側になるように試
料を置き、水素を流しながら周波数１５ 、５６ＭＨｚ
の高周波電圧をかけて行なった。水素プラズマ処理の条
件社、つぎのとお抄であった。
放電電力 １００Ｗ
水素圧力 ２ミツトール
水素流量 １〜１０ｏｍ８テＰ／ｗｉｎ放電一時間
１０分間 ′−１ それらの゛結果をつぎに示す。
１０分間 ′−１ それらの゛結果をつぎに示す。
照射線量 総膜厚減少量
（μａ／ａｗｒ ） （μｍ
）１０ ０．０２２
０ ０．１４５０
０．２４４０
０．５５５０
０．５３参考例２ 参考例１と同様にして基板上にフルオロアルキルアクリ
レートの重合体被膜を形成した。
）１０ ０．０２２
０ ０．１４５０
０．２４４０
０．５５５０
０．５３参考例２ 参考例１と同様にして基板上にフルオロアルキルアクリ
レートの重合体被膜を形成した。
被膜の形成条件状、つぎのとおりであった。
基 板 り霞ム蒸着したガラス板
装置のｊＩＩＩＩＩＯ温度 室 温真空容
器内ガス圧 ０．７トールグリー放電電力
１０Ｗ アルゴン流量 ６５．５ａｗａ ８チル／ｗ＊ｉ
ｎフルオロアクリレート流量 ２．４Ｃ■
Ｓ〒Ｐ／ｗｉｎ接触時間 １時間 膜厚をタリステップで測定した。膜厚社、４．１μｍで
あった。
装置のｊＩＩＩＩＩＯ温度 室 温真空容
器内ガス圧 ０．７トールグリー放電電力
１０Ｗ アルゴン流量 ６５．５ａｗａ ８チル／ｗ＊ｉ
ｎフルオロアクリレート流量 ２．４Ｃ■
Ｓ〒Ｐ／ｗｉｎ接触時間 １時間 膜厚をタリステップで測定した。膜厚社、４．１μｍで
あった。
比較例２
参考例２と同じ条件でガラス板上のクロムメッキ層上に
形成した被膜に電子線描画を行なって、種々の照射線量
に対する膜厚の減少量を測定した。電子Ｓ描画は、１０
−５〜１０−’ ）−ル下に一辺が４μ腸の正方形の電
子線束を０．５μ−の間隔をあけてゴパン目状に照射す
る仁とによって行なった。それらの結果は、つぎのとお
りであったＯ 臓射ｓｔ ｍ厚の減少量 （μｏ／ａｍ ） （μｍ
）ｆ ０ ０．００Ｂ
２０ ０．０５５０
０．０９４０
０．１３５０
０．２０夾施例３ 参考例２と同じ条件でガラス板上のりａ本メッキ上に＠
櫃した′被膜１に、比較Ｈ１と同じ〈種々の照射線量で
電子線照射を行なっ友。っ−で、１０−３〜１０−’
）−ルの減圧下に１９０００で３０分間熱処瑠を行なっ
た。それらの結果をつぎに示す。
形成した被膜に電子線描画を行なって、種々の照射線量
に対する膜厚の減少量を測定した。電子Ｓ描画は、１０
−５〜１０−’ ）−ル下に一辺が４μ腸の正方形の電
子線束を０．５μ−の間隔をあけてゴパン目状に照射す
る仁とによって行なった。それらの結果は、つぎのとお
りであったＯ 臓射ｓｔ ｍ厚の減少量 （μｏ／ａｍ ） （μｍ
）ｆ ０ ０．００Ｂ
２０ ０．０５５０
０．０９４０
０．１３５０
０．２０夾施例３ 参考例２と同じ条件でガラス板上のりａ本メッキ上に＠
櫃した′被膜１に、比較Ｈ１と同じ〈種々の照射線量で
電子線照射を行なっ友。っ−で、１０−３〜１０−’
）−ルの減圧下に１９０００で３０分間熱処瑠を行なっ
た。それらの結果をつぎに示す。
照射線量 総膜厚減少量
（μａ／ａｍ ） （μｍ）１００．
０２ ２０ ０．１５５
０ ０．２４４
０ ０．５５５０
０．５７実施
例４ 参考例２と同じ条件でガラス板上のクロムメッキ上に被
覆した被膜に、比較例２と同じく種々の照射線量で電子
線照射を行なった。ついで、水素プラズマでこれらの被
膜を処理した。水素プラズマ処理は、平行円盤電極（直
径１１００ａ、間隔５０ｍｍ）の下方の極板上に被膜が
上側になるように試料を置き、水素を流しながら肩波数
１５．５６ＭＨｓ の高周波電圧をかけて行なった。
０２ ２０ ０．１５５
０ ０．２４４
０ ０．５５５０
０．５７実施
例４ 参考例２と同じ条件でガラス板上のクロムメッキ上に被
覆した被膜に、比較例２と同じく種々の照射線量で電子
線照射を行なった。ついで、水素プラズマでこれらの被
膜を処理した。水素プラズマ処理は、平行円盤電極（直
径１１００ａ、間隔５０ｍｍ）の下方の極板上に被膜が
上側になるように試料を置き、水素を流しながら肩波数
１５．５６ＭＨｓ の高周波電圧をかけて行なった。
水素プラズマ処理の条件はつぎのとおりであった。
放電電力 １００ｆ
水素圧力 ２シリトール
水素流量 １〜１０６１１１３ＴＰ／ｒａｉｍ放
電時間 １０分間 それらの結果をつぎに示す。
電時間 １０分間 それらの結果をつぎに示す。
照射ａｍ 総膜厚減少量
（μＱ１０膳 ） （μｍ）１０
０．０２２０
０．１４３０ ０．２
５４０ ０．３４５０
０．５５
０．０２２０
０．１４３０ ０．２
５４０ ０．３４５０
０．５５
第１図は本発明の方法を実施するためのプラズマ重合装
置の一例を示す概略説明図である。 （ｌＩｌｉ面の符号） （１）８真空容器 （２）：アルゴン容器 （Ｓ）：マクロード真空計 （４）：誘電コイル （５）：インピーダンス調ａ回路 （６）：電力計 （テ）ニラジオ波発生機 （ｓ） ： ７Ａ／オ四アルキルアクリレート容器（９
）：試料設置台 ６１に液体窒素トラップ Ｏｌ：真空プンプ 手続補正書（自発） 昭和５７年８月１０日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １事件の表示 昭和５６年特許願第８４０９５ 号２発明の名称 基板上にパターンが形成されたレジスト被膜を製造する
方法 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４代理人〒５４０ ５補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６補正の内容 （１）明細書６頁４行の「電子線照射」を「高エネルギ
ー線照射」と補正する。 （２）同６頁６行の「電子線」を「電子線などの高エネ
ルギー線」と補正する。 ・（３）同６頁下から２〜１行の［アクリレート基また
はメタクリレート基とＲ基Ｊｔｒｃｎｉ２−ｃｍ１ｏｏ
ｏ基とλ、基］と補正する。 （４） 同１０頁下から３行〜１１頁１行の［食塩の
結晶・・−・設けたちの」を［たとえば、食塩の結晶、
クロムマスクしたガラス板、シリコン、ゲルマニウムな
どの半導体フィルム、クロム、アルミ、チタン、金など
の導体フィルム、および酸化珪素、窒化ケイ素、ホスネ
ジリケードガラス、アレゼノシリケートガラス、ｌロシ
リケートガラスなどの絶縁体フィルム」と補正する。 （５）同１２頁９行の「高周波電界下」のつぎに「容器
１１あたり」を挿入する。 （６） 同１２頁１５〜１６行の「高エネルギー線た
とえば電子線、Ｘ−など」を「電子線」と補正するＯ （テ） 同１２頁末行の「高エネルギー線の種類、」を
削除する。 （８） 同１４頁６行の［磁気パルプ素子］を「磁気
バフル素子」と補正する。 以 上
置の一例を示す概略説明図である。 （ｌＩｌｉ面の符号） （１）８真空容器 （２）：アルゴン容器 （Ｓ）：マクロード真空計 （４）：誘電コイル （５）：インピーダンス調ａ回路 （６）：電力計 （テ）ニラジオ波発生機 （ｓ） ： ７Ａ／オ四アルキルアクリレート容器（９
）：試料設置台 ６１に液体窒素トラップ Ｏｌ：真空プンプ 手続補正書（自発） 昭和５７年８月１０日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １事件の表示 昭和５６年特許願第８４０９５ 号２発明の名称 基板上にパターンが形成されたレジスト被膜を製造する
方法 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４代理人〒５４０ ５補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６補正の内容 （１）明細書６頁４行の「電子線照射」を「高エネルギ
ー線照射」と補正する。 （２）同６頁６行の「電子線」を「電子線などの高エネ
ルギー線」と補正する。 ・（３）同６頁下から２〜１行の［アクリレート基また
はメタクリレート基とＲ基Ｊｔｒｃｎｉ２−ｃｍ１ｏｏ
ｏ基とλ、基］と補正する。 （４） 同１０頁下から３行〜１１頁１行の［食塩の
結晶・・−・設けたちの」を［たとえば、食塩の結晶、
クロムマスクしたガラス板、シリコン、ゲルマニウムな
どの半導体フィルム、クロム、アルミ、チタン、金など
の導体フィルム、および酸化珪素、窒化ケイ素、ホスネ
ジリケードガラス、アレゼノシリケートガラス、ｌロシ
リケートガラスなどの絶縁体フィルム」と補正する。 （５）同１２頁９行の「高周波電界下」のつぎに「容器
１１あたり」を挿入する。 （６） 同１２頁１５〜１６行の「高エネルギー線た
とえば電子線、Ｘ−など」を「電子線」と補正するＯ （テ） 同１２頁末行の「高エネルギー線の種類、」を
削除する。 （８） 同１４頁６行の［磁気パルプ素子］を「磁気
バフル素子」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （４基板上にプラズマ重金方法により（−一般式８ ％式％ （式中、ｋは炭素数１〜１ｓ箇の直鎖状または分岐鎖状
のパーフルオ冒アル中ル基またはそれらのフッ素原子１
−以上が水素原子によって置換されかつ少なくとも７ツ
嵩原千１箇を有する基、−は水嵩原子、メチル基、エチ
ル１會たは＾四ゲン原子、−は２価の炭化水素残基を示
す） で示されるフルオリアルキルアタリレージの少なくとも
１職と （１！必要に応じ（→以外の重金−性物質とを重合させ
て、フルオ冒アル中ルアタリレートの単独重合体もしく
は共重合体またはアルオＷアル午ルアタリレートの単独
重金体と他の重合性物質の単独重金体との混金物の重合
体被膜を形成し、 （６）該被膜に電子線を照射し、 （切ついで、該被膜をＩ１１處する重合体のガラス転移
点以上の温度に減圧下で加熱することを特徴とする基板
上にパターンが溶成されたレジスト被膜を製造する方法
。 ２ （４基板上にプラズマ重金方法によりｃ＆）一般式
； ％式％ （式中、〜は炭素１ｋｌ〜ＩＳ箇の直鎖状または分岐鎖
状のパーアルオリアルキル基またはそれらのフッ素原子
１箇以上が水素原子によって置換されかつ少なくともフ
ッ素原子１箇を有する基１．１Ｒ″は水素原子、メチル
基、エチル基またはへ嘗ゲン原子、Ｒ８は２価の炭化水
素残基を示す） で示されるフルオリアルキルアタリレー）の少なくとも
１種と （２）必要に応じ（＆）以外の重合性物質とを重合させ
て、フルオロアルキルアクリレートの単独重金体もしく
は共重合体またはフルオロアルキルアクリレートの単独
重金体と他の重合性物質の単独重合体との重合体被膜を
形成し、（４）該被膜に電子線を照射し、 （切ついで、水素型たは不活性気体プラズマで該被膜を
処理すること を特徴とする基板上にパターンが形成されたレジスト被
膜を製造する方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56084093A JPS585735A (ja) | 1981-06-01 | 1981-06-01 | 基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法 |
| US06/310,407 US4382985A (en) | 1980-10-11 | 1981-10-09 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
| EP81108158A EP0049884B1 (en) | 1980-10-11 | 1981-10-10 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
| DE8181108158T DE3173516D1 (en) | 1980-10-11 | 1981-10-10 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
| US06/455,910 US4421843A (en) | 1980-10-11 | 1983-01-06 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
| US06/455,909 US4421842A (en) | 1980-10-11 | 1983-01-06 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56084093A JPS585735A (ja) | 1981-06-01 | 1981-06-01 | 基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585735A true JPS585735A (ja) | 1983-01-13 |
| JPH0222371B2 JPH0222371B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=13820889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56084093A Granted JPS585735A (ja) | 1980-10-11 | 1981-06-01 | 基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585735A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60210334A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-22 | Aida Eng Ltd | ダンパ付積層式剪断加工のプツシヤ装置 |
| JPS6224625A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成方法 |
| US5157091A (en) * | 1987-10-07 | 1992-10-20 | Murahara Masataka | Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52155531A (en) * | 1976-06-17 | 1977-12-24 | Motorola Inc | Dry photo resist developing method |
| JPS53135336A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Toppan Printing Co Ltd | Pattern forming method |
| JPS5461531A (en) * | 1977-10-25 | 1979-05-17 | Fuji Yakuhin Kogyo Kk | Thermal development of electron beam resist |
| JPS54145127A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern formation material |
| JPS5518638A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
| JPS55129345A (en) * | 1979-03-29 | 1980-10-07 | Ulvac Corp | Electron beam plate making method by vapor phase film formation and vapor phase development |
| JPS5789753A (en) * | 1980-10-11 | 1982-06-04 | Daikin Ind Ltd | Formation of fluoroalkyl acrylate polymer film on substrate |
-
1981
- 1981-06-01 JP JP56084093A patent/JPS585735A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52155531A (en) * | 1976-06-17 | 1977-12-24 | Motorola Inc | Dry photo resist developing method |
| JPS53135336A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Toppan Printing Co Ltd | Pattern forming method |
| JPS5461531A (en) * | 1977-10-25 | 1979-05-17 | Fuji Yakuhin Kogyo Kk | Thermal development of electron beam resist |
| JPS54145127A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern formation material |
| JPS5518638A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
| JPS55129345A (en) * | 1979-03-29 | 1980-10-07 | Ulvac Corp | Electron beam plate making method by vapor phase film formation and vapor phase development |
| JPS5789753A (en) * | 1980-10-11 | 1982-06-04 | Daikin Ind Ltd | Formation of fluoroalkyl acrylate polymer film on substrate |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60210334A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-22 | Aida Eng Ltd | ダンパ付積層式剪断加工のプツシヤ装置 |
| JPS6224625A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成方法 |
| US5157091A (en) * | 1987-10-07 | 1992-10-20 | Murahara Masataka | Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222371B2 (ja) | 1990-05-18 |
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