JPS5861274A - 金属箔の表面に太陽熱選拓吸収皮膜を形成する方法 - Google Patents
金属箔の表面に太陽熱選拓吸収皮膜を形成する方法Info
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- JPS5861274A JPS5861274A JP56158159A JP15815981A JPS5861274A JP S5861274 A JPS5861274 A JP S5861274A JP 56158159 A JP56158159 A JP 56158159A JP 15815981 A JP15815981 A JP 15815981A JP S5861274 A JPS5861274 A JP S5861274A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、箔の表面に複数の蒸着層からなる皮膜を形
成する方法に関し、さらに詳しくい・えば、箔の表面に
、たとえば複数の蒸着層からなる太陽熱選択吸収膜、ま
たは太陽光を適度に透過させるとともに大部分を吸収し
、しかも吸収した熱を反対側に放射する複数の蒸着層か
らなる皮膜を形成する方法に関する。
成する方法に関し、さらに詳しくい・えば、箔の表面に
、たとえば複数の蒸着層からなる太陽熱選択吸収膜、ま
たは太陽光を適度に透過させるとともに大部分を吸収し
、しかも吸収した熱を反対側に放射する複数の蒸着層か
らなる皮膜を形成する方法に関する。
例えば、アルミニウム箔、、プラスチックフィルルム
等の表面に太陽熱選択吸収膜処理を施す場合、箔の表面
に、熱吸収の働きをする金属または半導体からなる層お
よび太陽光の反射防止の表面に複数の蒸着層からなる皮
膜を形成する 着箔（４）ことができ、しかも各蒸着
層どうしの密着性の 各蒸発およびプラスチ・ツタフ
ィルムを含む意味で用い しないられる。
着させこの発明を、
以下図面を参照して説明する。 蒸発源＋６１
＋７１間に仕切り板ＯＱを配置し、真空雰おいて、被蒸
着箔（４）を巻取りリール（５）になから、仕切り板０
０）により被蒸着箔（４）に隣り合う蒸着物質＋８）
＋９１の蒸着範囲が重復ように、被蒸着箔（４）に蒸着
物質＋８１ ＋９１を蒸ることを特徴とするものである
。
等の表面に太陽熱選択吸収膜処理を施す場合、箔の表面
に、熱吸収の働きをする金属または半導体からなる層お
よび太陽光の反射防止の表面に複数の蒸着層からなる皮
膜を形成する 着箔（４）ことができ、しかも各蒸着
層どうしの密着性の 各蒸発およびプラスチ・ツタフ
ィルムを含む意味で用い しないられる。
着させこの発明を、
以下図面を参照して説明する。 蒸発源＋６１
＋７１間に仕切り板ＯＱを配置し、真空雰おいて、被蒸
着箔（４）を巻取りリール（５）になから、仕切り板０
０）により被蒸着箔（４）に隣り合う蒸着物質＋８）
＋９１の蒸着範囲が重復ように、被蒸着箔（４）に蒸着
物質＋８１ ＋９１を蒸ることを特徴とするものである
。
いては、蒸発源の数は２つであるが、蒸散は箔の表面に
形成すべき蒸着層の数にせるべきであり、蒸着層の数を
３層板上場合には、蒸発源の数も３以上とする。
形成すべき蒸着層の数にせるべきであり、蒸着層の数を
３層板上場合には、蒸発源の数も３以上とする。
■蒸着物質という）および巻取リリール（５）側の蒸発
源（７）（以下第２蒸発源という〕の蒸着物質（９）（
以下第２蒸着物質という）の被蒸着箔（４）における蒸
着範囲が重複することを防止するためのものである。
源（７）（以下第２蒸発源という〕の蒸着物質（９）（
以下第２蒸着物質という）の被蒸着箔（４）における蒸
着範囲が重複することを防止するためのものである。
第１蒸着物質（８）から蒸発した物質は、上方に向って
広がりながら進むが、第２蒸発源（７）側に菖被蒸着箔
（４）に蒸着する。他方、第２Ｍ着物１（９）から蒸発
した物質も、上方に向って広がりながら進むが、第１蒸
発源（６）側に広がりながら進られる被蒸着箔（４）に
は、まず範囲（ａ＋にて第１蒸着物質（８）が蒸着し、
ついで範囲ｔｂ）にて第２蒸着物質（９）が蒸着する。
広がりながら進むが、第２蒸発源（７）側に菖被蒸着箔
（４）に蒸着する。他方、第２Ｍ着物１（９）から蒸発
した物質も、上方に向って広がりながら進むが、第１蒸
発源（６）側に広がりながら進られる被蒸着箔（４）に
は、まず範囲（ａ＋にて第１蒸着物質（８）が蒸着し、
ついで範囲ｔｂ）にて第２蒸着物質（９）が蒸着する。
その結果、被蒸着箔（４）の表面には、第２図に示され
ているように、第１蒸着物質（８）からなる蒸着層（１
１）および＄２２蒸物質熱吸収の働きをするＣｒ、Ｎｉ
、 ａ、Ｃｏ。
ているように、第１蒸着物質（８）からなる蒸着層（１
１）および＄２２蒸物質熱吸収の働きをするＣｒ、Ｎｉ
、 ａ、Ｃｏ。
Ａｊ等の金属または＄１、Ｇｅ等の半導体が用いられる
。第２蒸着物質（９）としては、得られる蒸着層が反射
防止効果を有する誘電体層となるＣｒ２Ｏ３、Ｎ ｉ
２０３、Ａ／２０３．５ｉ０２、ＳｉＯ等の金属酸化物
が用いられる。また、両また、この発明による方法を、
太陽光を適度に透過させるとともに大部分を吸収し、し
かも吸収した熱を裏面側に放射する皮膜を形成するさい
に適用する場合には、被蒸着箔（４）としては透光性を
有するプラスチックフィルムを用いる。
。第２蒸着物質（９）としては、得られる蒸着層が反射
防止効果を有する誘電体層となるＣｒ２Ｏ３、Ｎ ｉ
２０３、Ａ／２０３．５ｉ０２、ＳｉＯ等の金属酸化物
が用いられる。また、両また、この発明による方法を、
太陽光を適度に透過させるとともに大部分を吸収し、し
かも吸収した熱を裏面側に放射する皮膜を形成するさい
に適用する場合には、被蒸着箔（４）としては透光性を
有するプラスチックフィルムを用いる。
７・
−ｇ。の発明による方法を太陽熱選択吸収膜処理に適用
する場合には、得られた皮膜０国の厚さは０．０５〜０
．２Ａの範囲内にあることが好ましく、特に０．１μ程
度であることが望ましい。皮膜Ｑ３１の厚さを０．０５
〜０２μの範囲内にする理由は。
する場合には、得られた皮膜０国の厚さは０．０５〜０
．２Ａの範囲内にあることが好ましく、特に０．１μ程
度であることが望ましい。皮膜Ｑ３１の厚さを０．０５
〜０２μの範囲内にする理由は。
０．０５μ未満では熱吸収率が十分ではなく、０２μを
越えると放射率が大きくなって、皮膜αＪが太陽熱選択
吸収膜としては十分な性能をもたまた、アルミニウム箔
（４）の巻取り面と第１蒸発らなる第２蒸着物質（９）
をそれぞれ具備せしめておく。そして、巻取りリール（
５）でコイル状アルミニウム箔（２）からアルミニウム
箔（４）を０．３ ｍ ／ｍｉｎの速度で巻取りながら
、真空蒸着法番こよって、３０λ／６ｅｃ の速度で
、アルミニウム箔（４）にＣｒおよびＣｒ２Ｏ３を蒸着
した。このようにして厚さＯ１μ程度に形成された皮膜
はの太陽エネルギー吸収率は０９２％放射率は０．０６
皮膜を形成することができるので、従来の方法で上記皮
膜を形成する場合に比べて処理時間が大幅に短縮される
。また、この発明によれば、１来のように各蒸着層を形
成する毎に真空槽内（ の真空状態を解除する必要がないので、各蒸着層の表面
が酸化したり汚染したりすることはな
越えると放射率が大きくなって、皮膜αＪが太陽熱選択
吸収膜としては十分な性能をもたまた、アルミニウム箔
（４）の巻取り面と第１蒸発らなる第２蒸着物質（９）
をそれぞれ具備せしめておく。そして、巻取りリール（
５）でコイル状アルミニウム箔（２）からアルミニウム
箔（４）を０．３ ｍ ／ｍｉｎの速度で巻取りながら
、真空蒸着法番こよって、３０λ／６ｅｃ の速度で
、アルミニウム箔（４）にＣｒおよびＣｒ２Ｏ３を蒸着
した。このようにして厚さＯ１μ程度に形成された皮膜
はの太陽エネルギー吸収率は０９２％放射率は０．０６
皮膜を形成することができるので、従来の方法で上記皮
膜を形成する場合に比べて処理時間が大幅に短縮される
。また、この発明によれば、１来のように各蒸着層を形
成する毎に真空槽内（ の真空状態を解除する必要がないので、各蒸着層の表面
が酸化したり汚染したりすることはな
第１図はこの発明の方法を示す説明図、第２図はこの発
明による方法で形成された皮膜の構造を示す断面図であ
る。 （１）・ａｓ真空槽、（２）・・・コイル状被蒸着箔、
（３）−・・巻戻しリール、（４）・・・被蒸着箔。（
５）・・・巻取りリール、＋６１ （７１・・・蒸発源
、＋８１＋９１ψ・・蒸着物質、（］０）・・・仕切板
。 以 上 特許出願人 工業技術院長石板誠−
明による方法で形成された皮膜の構造を示す断面図であ
る。 （１）・ａｓ真空槽、（２）・・・コイル状被蒸着箔、
（３）−・・巻戻しリール、（４）・・・被蒸着箔。（
５）・・・巻取りリール、＋６１ （７１・・・蒸発源
、＋８１＋９１ψ・・蒸着物質、（］０）・・・仕切板
。 以 上 特許出願人 工業技術院長石板誠−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空槽（１）内の上部に、コイＪし状被蒸着箔（２）を
装着した巻戻しリール（３）と１巻戻しリール（３）に
装着されたコイル状被蒸着箔（２）カリ被蒸着箔（
４）を巻取る巻取りリール（５）とを同一水平面内で力
つ互いに平行に配置し、巻戻しリール（３）および巻取
りリール（５）の下方でかつ両リール（３１＋５１の間
に、蒸着物質＋８１１９１を有する２以上の蒸Ａを被蒸
着箔（４）の巻取り方向に所定間隔を置いて置し、各蒸
発源ｉｌ＋ ＋７＋ −に仕切り板（１Ｇ＋を配置し、
真空雰囲気において、被蒸着箔（４）を巻取りνｌ射ル
（５）に巻取りながら、仕切り板（１０）により被蒸着
箔（４）におけるー；ｂＥ−・−・ 合う蒸着物質＋８１ ＋９１の蒸着範囲が重複しないよ
うに、被蒸着箔（４）に蒸着物質ｆ８） ＋９１を蒸着
させることを特徴とする、箔の表面に複数の蒸着層から
なる皮膜を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158159A JPS5939665B2 (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 金属箔の表面に太陽熱選拓吸収皮膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158159A JPS5939665B2 (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 金属箔の表面に太陽熱選拓吸収皮膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861274A true JPS5861274A (ja) | 1983-04-12 |
| JPS5939665B2 JPS5939665B2 (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=15665554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158159A Expired JPS5939665B2 (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 金属箔の表面に太陽熱選拓吸収皮膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939665B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100104751A1 (en) * | 2007-02-01 | 2010-04-29 | Tokyo Electron Limited | Evaporating apparatus, evaporating method and manufacturing method of evaporating apparatus |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56158159A patent/JPS5939665B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100104751A1 (en) * | 2007-02-01 | 2010-04-29 | Tokyo Electron Limited | Evaporating apparatus, evaporating method and manufacturing method of evaporating apparatus |
| KR101212276B1 (ko) | 2007-02-01 | 2012-12-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 증착 장치, 증착 방법 및 증착 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5939665B2 (ja) | 1984-09-25 |
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