JPS5863135A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
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- JPS5863135A JPS5863135A JP56162494A JP16249481A JPS5863135A JP S5863135 A JPS5863135 A JP S5863135A JP 56162494 A JP56162494 A JP 56162494A JP 16249481 A JP16249481 A JP 16249481A JP S5863135 A JPS5863135 A JP S5863135A
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- JP
- Japan
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- pattern
- electron beam
- resist
- residual film
- resist layer
- Prior art date
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- Granted
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
形成する方法に関するものである〇
電子ビーム露光によるパターン形成技術においては、パ
ターン精度の向上のためには所謂近接効果の補正が不可
決である。良く知られているように、近接効果は被露光
物に塗布形成されたレジスト層中での電子ビーム散乱（
前方散乱）、及び被露光物である基板からの電子ビーム
散乱（後方散乱）によって、描画後のレジストパターン
が電子ビーム照射パターンより大きく拡がるという現象
であり、特にパターン間の間隔が２μｍ以下になると、
結果的にパターン形状の著しい歪ケもたらし、精度？低
下させる悪影響が顕著になる。
ターン精度の向上のためには所謂近接効果の補正が不可
決である。良く知られているように、近接効果は被露光
物に塗布形成されたレジスト層中での電子ビーム散乱（
前方散乱）、及び被露光物である基板からの電子ビーム
散乱（後方散乱）によって、描画後のレジストパターン
が電子ビーム照射パターンより大きく拡がるという現象
であり、特にパターン間の間隔が２μｍ以下になると、
結果的にパターン形状の著しい歪ケもたらし、精度？低
下させる悪影響が顕著になる。
この散乱によるレジスト中での電子ビームｈａ掲度分布
は、外部から照射するビーム中心からの距離ｒの関数と
して１次式 ％式％（１） で表わされ、第１項目は前方散乱、第２項目は後方散乱
によって与えられるものであることが知られている。な
お、（１）式中Ａ、Ｂ、Ｏはそれぞれレジストの厚みや
基板材料等の条件によって定まる定数である。
は、外部から照射するビーム中心からの距離ｒの関数と
して１次式 ％式％（１） で表わされ、第１項目は前方散乱、第２項目は後方散乱
によって与えられるものであることが知られている。な
お、（１）式中Ａ、Ｂ、Ｏはそれぞれレジストの厚みや
基板材料等の条件によって定まる定数である。
近接効果によるパターンが拡がりには、他のパターンの
影響によって生じる拡がり（パターン間近接効果）と、
自分自身のパターン描画から生じる拡がＶ（パターン内
近接効果）がある、本発明は、自分自身のパターン描画
から生じる拡がり全補正するものでおる。
影響によって生じる拡がり（パターン間近接効果）と、
自分自身のパターン描画から生じる拡がＶ（パターン内
近接効果）がある、本発明は、自分自身のパターン描画
から生じる拡がり全補正するものでおる。
従来、自分自身のパターン描画から生じる拡がり全補正
する方法として、単位矩形パターンの大きさに関係なく
一律にパターン寸法全縮少した補正パターン寸法で、描
画？行ない拡がｔ）全補正していた。しかしながら、ネ
ガレジストにおいて初期膜厚が厚くなった場合、第２図
に示す様に矩形の大きさが大きいときには特に自分自身
の拡がりが顕著になり、この傾向は膜厚がＪ’ｌｌいほ
どより顕著になる。第２図はレジスト）−厚ケパラメー
タとし、描画矩形の大きさく面積）とパターンの拡がり
との関係全表わしたグラフである。
する方法として、単位矩形パターンの大きさに関係なく
一律にパターン寸法全縮少した補正パターン寸法で、描
画？行ない拡がｔ）全補正していた。しかしながら、ネ
ガレジストにおいて初期膜厚が厚くなった場合、第２図
に示す様に矩形の大きさが大きいときには特に自分自身
の拡がりが顕著になり、この傾向は膜厚がＪ’ｌｌいほ
どより顕著になる。第２図はレジスト）−厚ケパラメー
タとし、描画矩形の大きさく面積）とパターンの拡がり
との関係全表わしたグラフである。
一方、電子ビーム露光でフォト・マスク？作成する場合
はレジスト膜厚は薄くても良いが、電子ビームをウェノ
・−に直接描画してパターンサイズする（直接露光）場
合、加工プロセス上、露光現像後のレジスト膜厚を厚く
保つ必要がある。この場合、レジスト残膜厚全確保すべ
く電子ビーム照射密度を補正すると、パターン内近接効
果によるパターンの拡がりもそれに応じて変わってくる
。
はレジスト膜厚は薄くても良いが、電子ビームをウェノ
・−に直接描画してパターンサイズする（直接露光）場
合、加工プロセス上、露光現像後のレジスト膜厚を厚く
保つ必要がある。この場合、レジスト残膜厚全確保すべ
く電子ビーム照射密度を補正すると、パターン内近接効
果によるパターンの拡がりもそれに応じて変わってくる
。
従って、特に直接露光方式の場合は、従来のような一律
の寸法縮小補正では高精度パターンは実用上得られず、
電子ビーム照射量補正とパターンサイズに応じた寸法補
正が不可決になってくる。
の寸法縮小補正では高精度パターンは実用上得られず、
電子ビーム照射量補正とパターンサイズに応じた寸法補
正が不可決になってくる。
本発明は以上の点に鑑み、形成すべきレジスト層パター
ンに対し、寸法補正した描画パターン寸法と所要残膜厚
會得るに必要な電子ビーム照射密度との両方全容易に決
定し、高精度パターンを形成できる方法全提供すること
を目的とする。
ンに対し、寸法補正した描画パターン寸法と所要残膜厚
會得るに必要な電子ビーム照射密度との両方全容易に決
定し、高精度パターンを形成できる方法全提供すること
を目的とする。
本発明による電子ビーム露光方法は、電子ビームをネガ
型レジスト層が塗布形成された基板上に照射して所定パ
ターンを描画し、現像工程後には所要のネガ型レジスト
層パターンが残置されるような露光パターンを前記ネガ
型レジスト層に形成する方法であって、任意の１つの描
画パターンに対し、該描画パターンと同一寸法のレジス
ト層パターンが現像後に残置されるような電子ビーム照
射密度と所要のレジスＩ・残膜Ｊνがａｈられるような
電子ビーム照射密度との比率４予め求めておき、所要の
残置すべきレジスト層パターンに対する描画パターン及
びその電子ビーム照射密度全決定するに当って、該残置
すべきパターン寸法と前記比率とに基づいて前記所要レ
ジスト残膜厚が得られる電子ビーム照射密度と描画パタ
ーン寸法とを求め、かくして決定した′成子ビーム照射
密度と描画パターン寸法でもって電子ビーム描画するこ
と？特徴とするものである。即ち本発明は、任意の矩形
描画パターンに対し、現像後に描画パターンと全く同一
寸法のレジスト層パターンを残し得るような電子ビーム
照射密度と、該矩形描画パターンにおいて所要の一定残
膜厚を得るのに必要な電子ビーム照射密度との比は、レ
ジストの種類及び塗ターンの寸法には依存せずほぼ一定
である、とい友 いう事実グ実験的に見出し、この比率一定の関係るＯ 以下とれを図面により詳細に説明する。
型レジスト層が塗布形成された基板上に照射して所定パ
ターンを描画し、現像工程後には所要のネガ型レジスト
層パターンが残置されるような露光パターンを前記ネガ
型レジスト層に形成する方法であって、任意の１つの描
画パターンに対し、該描画パターンと同一寸法のレジス
ト層パターンが現像後に残置されるような電子ビーム照
射密度と所要のレジスＩ・残膜Ｊνがａｈられるような
電子ビーム照射密度との比率４予め求めておき、所要の
残置すべきレジスト層パターンに対する描画パターン及
びその電子ビーム照射密度全決定するに当って、該残置
すべきパターン寸法と前記比率とに基づいて前記所要レ
ジスト残膜厚が得られる電子ビーム照射密度と描画パタ
ーン寸法とを求め、かくして決定した′成子ビーム照射
密度と描画パターン寸法でもって電子ビーム描画するこ
と？特徴とするものである。即ち本発明は、任意の矩形
描画パターンに対し、現像後に描画パターンと全く同一
寸法のレジスト層パターンを残し得るような電子ビーム
照射密度と、該矩形描画パターンにおいて所要の一定残
膜厚を得るのに必要な電子ビーム照射密度との比は、レ
ジストの種類及び塗ターンの寸法には依存せずほぼ一定
である、とい友 いう事実グ実験的に見出し、この比率一定の関係るＯ 以下とれを図面により詳細に説明する。
先ず、上記した比率一定という関係について説明するこ
ととする。第２図は描画矩形の大きさく正方形の一辺の
長さ、μｍ）全パラメータとし、描画時の単位面積当り
の電子ビーム照射量（０／ｌ：ｗ’ ）即ち電子ビーム
照射密度（以下では慣用に従い単に照射量と称する）と
、現像処理後のネガ型レジスト残膜パターン幅との関係
を表わしたグラフである０曲線ａ、ｂ、ｃは夫々電子ビ
ーム描画パターンが一辺の長さが各々１μｍ、２μｍ及
び５μｍの正方形であるときの、描画時の照射量と生成
パターン幅との関係を表わしている。各々の描画矩形に
対し特定の照射量で描画したときに、描画パターンと同
一サイズのレジスト残膜パターンが得られ、その照射量
は第２図において点へ〇 ＋ ＢＯ＋Ｃｏで示す通り
であって、描画矩形が小さい程より大きな照射量が必要
なこと金示している。このような照射量下では、レジス
タ残膜厚は一般的には不十分であって、要求残膜厚（例
えば初期レジスト膜厚の９０％）？確保するにはより大
きな照射量が必要である。要求される一定の残膜率（例
乏 えば９０％）９得るに必要な照射縫ヲ各描画矩形に対す
る曲線ａ、ｂ、ｃ上にプロットした点がＡ、。
ととする。第２図は描画矩形の大きさく正方形の一辺の
長さ、μｍ）全パラメータとし、描画時の単位面積当り
の電子ビーム照射量（０／ｌ：ｗ’ ）即ち電子ビーム
照射密度（以下では慣用に従い単に照射量と称する）と
、現像処理後のネガ型レジスト残膜パターン幅との関係
を表わしたグラフである０曲線ａ、ｂ、ｃは夫々電子ビ
ーム描画パターンが一辺の長さが各々１μｍ、２μｍ及
び５μｍの正方形であるときの、描画時の照射量と生成
パターン幅との関係を表わしている。各々の描画矩形に
対し特定の照射量で描画したときに、描画パターンと同
一サイズのレジスト残膜パターンが得られ、その照射量
は第２図において点へ〇 ＋ ＢＯ＋Ｃｏで示す通り
であって、描画矩形が小さい程より大きな照射量が必要
なこと金示している。このような照射量下では、レジス
タ残膜厚は一般的には不十分であって、要求残膜厚（例
えば初期レジスト膜厚の９０％）？確保するにはより大
きな照射量が必要である。要求される一定の残膜率（例
乏 えば９０％）９得るに必要な照射縫ヲ各描画矩形に対す
る曲線ａ、ｂ、ｃ上にプロットした点がＡ、。
Ｂ１＋ ＣＩであり、これらを結ぶのが曲線ｄである。
そして、このような照射Ｉｋヲもって描画全行なった場
合には、レジスト残膜パターン幅はｗＪ２図に見られる
通り描画パターンより拡大してしまう。従って第２図に
示される関係からネガ型レジストに対する電子ビーム霧
光では、寸法補正と照射量補正と？相互に関連付けて矩
形の大きさに応じて行なうことが高精度パターン作成に
は必要となることが判る。
合には、レジスト残膜パターン幅はｗＪ２図に見られる
通り描画パターンより拡大してしまう。従って第２図に
示される関係からネガ型レジストに対する電子ビーム霧
光では、寸法補正と照射量補正と？相互に関連付けて矩
形の大きさに応じて行なうことが高精度パターン作成に
は必要となることが判る。
第２図に示した関係は、レジストのｗｉ類やレジスト塗
布形成厚（初期膜厚）、或いは現像処理の条件等全一定
とすれば一義的に定められるものである。そこで従来一
般的には、これら条件全定め各種の大きさの矩形を種々
の照射量で描画し、現像してレジスト層パターン？試験
的に作成して第２図の如き関係をあらゆる大きさの矩形
パターンに対して求めておき、実際の露光パターンに対
してはその中の単位矩形パターン毎に寸法補正量及び照
射補正量を定めるという経験的手法が採られている。し
かしながら、この方法は上記関係？求めるための実験に
膨大な工数を要し、これをレジスト塗布厚や現像条件上
置える都度実施するのは多大の時間と手間を要すること
になる。
布形成厚（初期膜厚）、或いは現像処理の条件等全一定
とすれば一義的に定められるものである。そこで従来一
般的には、これら条件全定め各種の大きさの矩形を種々
の照射量で描画し、現像してレジスト層パターン？試験
的に作成して第２図の如き関係をあらゆる大きさの矩形
パターンに対して求めておき、実際の露光パターンに対
してはその中の単位矩形パターン毎に寸法補正量及び照
射補正量を定めるという経験的手法が採られている。し
かしながら、この方法は上記関係？求めるための実験に
膨大な工数を要し、これをレジスト塗布厚や現像条件上
置える都度実施するのは多大の時間と手間を要すること
になる。
これに対し本発明者は、第２図の関係會求めるための実
験全多数繰り返すうちに、ある描画パターンに対してそ
れと同一寸法のレジスト残膜パターンを生成する照射量
（第２図のＡ。＋ ＢＯ或いはＯｏの照射量）と任意の
一定の残膜率を生ずる照射量（第２図のＡ、、Ｂ、、Ｏ
，の照射量）との比が常にほぼ一定となる関係が存在す
ることを見出した。即ち第２図において点Ａ。＋ ＢＯ
＋ Ｃ０の照射値を夫々ｌ；Ｌ Ａｏ、 ＱＢｏ・ｑ・
ｏｏとし・点ＡＩ。
験全多数繰り返すうちに、ある描画パターンに対してそ
れと同一寸法のレジスト残膜パターンを生成する照射量
（第２図のＡ。＋ ＢＯ或いはＯｏの照射量）と任意の
一定の残膜率を生ずる照射量（第２図のＡ、、Ｂ、、Ｏ
，の照射量）との比が常にほぼ一定となる関係が存在す
ることを見出した。即ち第２図において点Ａ。＋ ＢＯ
＋ Ｃ０の照射値を夫々ｌ；Ｌ Ａｏ、 ＱＢｏ・ｑ・
ｏｏとし・点ＡＩ。
Ｂ、、Ｏ，の照射廿會夫々ＱＡＩ＋ ＱＢｔ ＊ Ｑ
Ｏｌとすると、 ＱＡ、／ＱＡ０中ＱＢ１／Ｑ、Ｂｏ＋ Ｑ、Ｏ，／Ｑｃ
ｏ＋ Ｄ・・・図（但しＤは定数）なる関係がある。定
数りの値はレジストの種類や厚み、現像条件や所要の残
膜率（従って残膜厚）を定めれば決定されるものであり
、この定数り全定めるための実験のみなら、既述したよ
うな全パターンに対する照射址−パターン幅関係を求め
る実験と比べて、遥かに短い工数しか必要ではない。従
って、この定数Ｄ（ｒ用いることにより、任意の大きさ
の矩形パターンに対して寸法及び照射値の補正飴？数値
計算で定めることができれば、予め必要な実験工数は大
幅に削減されるものであり１本発明はその方法を提供す
るものである。
Ｏｌとすると、 ＱＡ、／ＱＡ０中ＱＢ１／Ｑ、Ｂｏ＋ Ｑ、Ｏ，／Ｑｃ
ｏ＋ Ｄ・・・図（但しＤは定数）なる関係がある。定
数りの値はレジストの種類や厚み、現像条件や所要の残
膜率（従って残膜厚）を定めれば決定されるものであり
、この定数り全定めるための実験のみなら、既述したよ
うな全パターンに対する照射址−パターン幅関係を求め
る実験と比べて、遥かに短い工数しか必要ではない。従
って、この定数Ｄ（ｒ用いることにより、任意の大きさ
の矩形パターンに対して寸法及び照射値の補正飴？数値
計算で定めることができれば、予め必要な実験工数は大
幅に削減されるものであり１本発明はその方法を提供す
るものである。
いま第３図に示す如く、幅２Ｌのレジスト残膜パターン
Ｐｉ所要の残膜率（例えば９０％）？もって、つまり所
要の残膜厚をもって作成する場合を考えることとし、日
だけ寸法補正された幅２Ｍの描画パターンＰ′ヲ照射量
Ｑ１で電子ビーム照射露光することによってこのような
レジスト残膜パターンＰが得られるものとする。レジス
トの種類及び塗布厚や現像条件は実際の製造プロセス奮
考慮して固定されているものとし、予め１つの矩形描画
パターンでの実験で前記定数りが既に求められているも
のとする。これらの関係を、照射量−パターン幅の関係
全表わすグラフ上で表現すると第４図の通りである。即
ち曲線ｔ、ｍは夫々幅２Ｌ、２Ｍの正方形パターン全電
子ビーム描画したときの照射量とレジスト残膜パターン
幅との関係金示す。そして第４図中の点Ｍ、の如く、幅
２Ｍのパターンを照射量Ｑ、＋Ｔｈもって電子ビーム描
画すると、所要の一定の残膜屋上もってレジスト１−パ
ターンが形成されるとするのが上記設定である。
Ｐｉ所要の残膜率（例えば９０％）？もって、つまり所
要の残膜厚をもって作成する場合を考えることとし、日
だけ寸法補正された幅２Ｍの描画パターンＰ′ヲ照射量
Ｑ１で電子ビーム照射露光することによってこのような
レジスト残膜パターンＰが得られるものとする。レジス
トの種類及び塗布厚や現像条件は実際の製造プロセス奮
考慮して固定されているものとし、予め１つの矩形描画
パターンでの実験で前記定数りが既に求められているも
のとする。これらの関係を、照射量−パターン幅の関係
全表わすグラフ上で表現すると第４図の通りである。即
ち曲線ｔ、ｍは夫々幅２Ｌ、２Ｍの正方形パターン全電
子ビーム描画したときの照射量とレジスト残膜パターン
幅との関係金示す。そして第４図中の点Ｍ、の如く、幅
２Ｍのパターンを照射量Ｑ、＋Ｔｈもって電子ビーム描
画すると、所要の一定の残膜屋上もってレジスト１−パ
ターンが形成されるとするのが上記設定である。
ここで第４図の曲線ｍに注目し、点Ｍ。の如く、描画パ
ターン通りの寸法（幅２Ｍ）のレジスト残膜パターンが
得られる照射量Ｑｏ’ｆ−考えると、前述の比率が定数
りに等しくなる関係が存在することから、次式が成立す
る。
ターン通りの寸法（幅２Ｍ）のレジスト残膜パターンが
得られる照射量Ｑｏ’ｆ−考えると、前述の比率が定数
りに等しくなる関係が存在することから、次式が成立す
る。
画したときの、該パターンｙの中心から距離ｒの位置で
の電子ビーム強度ケ考えてみる。この露光強度Ｆ（ｒ）
は（１）式で表わされる散乱強度分布ｆ （ｒ） ’ｅ
描描画パターン全全面亘り積分することにより得られ、
次式が成り立つ これにより得られる露光強度Ｆ （ｒ）は、照射ｔｃ＋
、との積により実際のレジスト膜中におけるパターン辺
上での電子ビーム密度Ｅを与えるものであり、従ってこ
の関係は次のように表わされる。
の電子ビーム強度ケ考えてみる。この露光強度Ｆ（ｒ）
は（１）式で表わされる散乱強度分布ｆ （ｒ） ’ｅ
描描画パターン全全面亘り積分することにより得られ、
次式が成り立つ これにより得られる露光強度Ｆ （ｒ）は、照射ｔｃ＋
、との積により実際のレジスト膜中におけるパターン辺
上での電子ビーム密度Ｅを与えるものであり、従ってこ
の関係は次のように表わされる。
Ｑ、・Ｆ（ｒ）−Ｅ ・・・・
・・（５）ここで再び第４図を参照して点Ｍ。及びＭｌ
に着目すると、電子ビーム強度分布は描画パターン内に
ピークを持ち外方へ向って次第に低下する形を採り、照
射量Ｑ、ｏ及びＱ、のとき矩形パターン中心から距離Ｍ
及びＬの点Ｍｏ＆びＬｏにおけるし １ シスト中での実際の電子ビーム量が所謂現像エネルギＥ
ｏ （レジストが現像後に残るか否かの電子ビーム量
の閾値。）に等しいことを意味しているのが曲線ｍであ
る。従ってこの関係金穴で表わすと次の通りである。
・・（５）ここで再び第４図を参照して点Ｍ。及びＭｌ
に着目すると、電子ビーム強度分布は描画パターン内に
ピークを持ち外方へ向って次第に低下する形を採り、照
射量Ｑ、ｏ及びＱ、のとき矩形パターン中心から距離Ｍ
及びＬの点Ｍｏ＆びＬｏにおけるし １ シスト中での実際の電子ビーム量が所謂現像エネルギＥ
ｏ （レジストが現像後に残るか否かの電子ビーム量
の閾値。）に等しいことを意味しているのが曲線ｍであ
る。従ってこの関係金穴で表わすと次の通りである。
Ｑ、ｏ−Ｆ （Ｍｌ ＝ Ｑｓ ・Ｆ（ＩＪ−Ｅｏ
−−（６）（３）式とこの（６）式とより、次
式が導かれる。
−−（６）（３）式とこの（６）式とより、次
式が導かれる。
Ｆ（躊−Ｄ −Ｆ （Ｌ） ・・
・・・・（７）ここでＬは既知の値であジ、（４）式に
基づき上記（マ）式中の右辺は定数となるので、（７）
弐を成立させるＭは積分方程式の解として一義的に決定
されることになる。この計算自体は電子計算機？用いれ
ば高速になし得種々の寸法りに対応する解Ｍ全迅速に得
ることができる。
・・・・（７）ここでＬは既知の値であジ、（４）式に
基づき上記（マ）式中の右辺は定数となるので、（７）
弐を成立させるＭは積分方程式の解として一義的に決定
されることになる。この計算自体は電子計算機？用いれ
ば高速になし得種々の寸法りに対応する解Ｍ全迅速に得
ることができる。
かくして得られた寸法値Ｍが寸法補正（寸法補正量Ｓ−
Ｌ−Ｍ）されたパターン幅２Ｍ全示しており、この幅２
Ｍのぶターンを照射量Ｑ、Ｉ？もって電子ビーム描画す
れば、現像後には所要残膜厚のネガ型レジスト層パター
ン（幅２Ｌ ）ｋ得ることができるのである。同、照射
量Ｑ１については、 ２ 前記現像エネルギＥ。は現像条件等を定めれば一定で実
験的に容易に定められるので、前記（６）式から決定し
得ることは云うまでもない。
Ｌ−Ｍ）されたパターン幅２Ｍ全示しており、この幅２
Ｍのぶターンを照射量Ｑ、Ｉ？もって電子ビーム描画す
れば、現像後には所要残膜厚のネガ型レジスト層パター
ン（幅２Ｌ ）ｋ得ることができるのである。同、照射
量Ｑ１については、 ２ 前記現像エネルギＥ。は現像条件等を定めれば一定で実
験的に容易に定められるので、前記（６）式から決定し
得ることは云うまでもない。
以上の説明では、簡潔化のため第３図の如き正方形パタ
ーンの補正量金求める場合について述べたが、長方形パ
ターンの場合でも直交する２辺について夫々上記手順で
補正Ｊｉｔ’に求め得ることは明らかであろう。
ーンの補正量金求める場合について述べたが、長方形パ
ターンの場合でも直交する２辺について夫々上記手順で
補正Ｊｉｔ’に求め得ることは明らかであろう。
また、膨大なパターンデータ會電子計算機に与え、計算
機制御によって電子ビーム描画を行なう実際的な電子ビ
ーム露光装置に本発明を適用する場合、上記の如くして
算出する補正量は、Ｃターンデータ作成時に決定してし
まい、そのデータは第５図の如き装置なら電子計算機６
に格納され電子計算機６によって、Ｘ、Ｙ偏向器４全駆
動しビームスポラトラ歩進させ所定のパターン？塗り潰
すように照射して描画を行なう。第５図は典型的な電子
ビーム露光装置の基本構成の概念図である。電子ビーム
露光装置本体１は電子銃２収束電子レンズ系３、ＸＹ偏
向器４を有し細く絞られた電子ビームをレジストが塗布
された基板、試料５に照射するものでその試料５上の電
子ビームスポットの位置は電子計算機６からのパターン
データでＤＡ変換器７．増幅器８全介して、ＸＹ偏向器
４を駆動することによって制御される。電子ビームは計
算機６からの信号に応じて、ブランキング装置によって
試料５上へ照射制御されるものである。
機制御によって電子ビーム描画を行なう実際的な電子ビ
ーム露光装置に本発明を適用する場合、上記の如くして
算出する補正量は、Ｃターンデータ作成時に決定してし
まい、そのデータは第５図の如き装置なら電子計算機６
に格納され電子計算機６によって、Ｘ、Ｙ偏向器４全駆
動しビームスポラトラ歩進させ所定のパターン？塗り潰
すように照射して描画を行なう。第５図は典型的な電子
ビーム露光装置の基本構成の概念図である。電子ビーム
露光装置本体１は電子銃２収束電子レンズ系３、ＸＹ偏
向器４を有し細く絞られた電子ビームをレジストが塗布
された基板、試料５に照射するものでその試料５上の電
子ビームスポットの位置は電子計算機６からのパターン
データでＤＡ変換器７．増幅器８全介して、ＸＹ偏向器
４を駆動することによって制御される。電子ビームは計
算機６からの信号に応じて、ブランキング装置によって
試料５上へ照射制御されるものである。
以上のように、本発明によればネガ型Ｖシストを用い電
子ビーム露光によりパターン形成を行なうに当り、所要
の残膜厚を確保して所要のネガ型レジスト残膜パターン
全作成するための描画パターン寸法補正及び照射量補正
を比較的簡単な操作によって達成することができ、高精
度の微細パターン形成會より少ない工数で実現できるの
で、その実用効果は太きい０
子ビーム露光によりパターン形成を行なうに当り、所要
の残膜厚を確保して所要のネガ型レジスト残膜パターン
全作成するための描画パターン寸法補正及び照射量補正
を比較的簡単な操作によって達成することができ、高精
度の微細パターン形成會より少ない工数で実現できるの
で、その実用効果は太きい０
第１図は電子ビームによる描画矩形の面積とパターン内
近接効果によるパターンの拡がり分との関係を示すグラ
フ、第２図は電子ビーム照射量とパターン幅との関係を
示すグラフ、第３図は寸法補正すべき矩形パターンを示
す図、第４図は電子ビーム照射量とパターン幅との関係
を示すグラフ、第５図は電子ビーム露光システムの基本
的構成例 ５
近接効果によるパターンの拡がり分との関係を示すグラ
フ、第２図は電子ビーム照射量とパターン幅との関係を
示すグラフ、第３図は寸法補正すべき矩形パターンを示
す図、第４図は電子ビーム照射量とパターン幅との関係
を示すグラフ、第５図は電子ビーム露光システムの基本
的構成例 ５
Claims (1)
- 電子ビームをネガ型レジスト層が塗布形成された基板上
に照射して所定パターンを描画し、現像工程後には所要
のネガ型レジスト層パターンが残置されるような露光パ
ターン全前記ネガ型レジスト層に形成する方法であって
、任意の１つの描画パターンに対し、該描画パターンと
同一寸法のレジスト層パターンが現像後に残置されるよ
うな電子ビーム照射密度と所要のレジスト残膜厚が得ら
れるような電子ビーム照射密度との比率會予め求めてお
き、所要の残置すべきレジスト層パターンに対する描画
パターン及びその電子ビーム照射密ン寸法と盆求め、か
くして決定した電子ビーム照射密度と描画パターン寸法
でもって電子ビーム描画すること全特徴とする電子ビー
ム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162494A JPS5863135A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162494A JPS5863135A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863135A true JPS5863135A (ja) | 1983-04-14 |
| JPS6246058B2 JPS6246058B2 (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=15755682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56162494A Granted JPS5863135A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6281513B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern forming method |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP56162494A patent/JPS5863135A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6281513B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6246058B2 (ja) | 1987-09-30 |
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