JPS6041222A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6041222A JPS6041222A JP58149826A JP14982683A JPS6041222A JP S6041222 A JPS6041222 A JP S6041222A JP 58149826 A JP58149826 A JP 58149826A JP 14982683 A JP14982683 A JP 14982683A JP S6041222 A JPS6041222 A JP S6041222A
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- JP
- Japan
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- pattern
- electron beam
- exposure
- patterns
- beam exposure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は、電子ビーム露光方法に関し、特に所謂、近接
効果を補正して、高精度の電子ビーム露光パターンを形
成する方法に関するものである。
効果を補正して、高精度の電子ビーム露光パターンを形
成する方法に関するものである。
（ｂｌ 技術の背景
電子ビーム露光によるパターン形成技術においテハ、パ
ターン精度の向上のためには、所謂、近接効果の補正が
不可欠である。
ターン精度の向上のためには、所謂、近接効果の補正が
不可欠である。
良く知られているように、近接効果は被露光物に塗布形
成されたレジスト層中での電子ビーム散乱（前方散乱）
及び被露光物である基板からの電子ビーム散乱（後方散
乱）によって描画後のレジストパターンが、電子ビーム
照射パターンより、大きく拡がるという現象であり、特
にパターン間、の間隔が２μｍ以下になると、結果的に
パターン形状の著しい歪をもたらし、精度を低下させる
悪影響が顕著になる。
成されたレジスト層中での電子ビーム散乱（前方散乱）
及び被露光物である基板からの電子ビーム散乱（後方散
乱）によって描画後のレジストパターンが、電子ビーム
照射パターンより、大きく拡がるという現象であり、特
にパターン間、の間隔が２μｍ以下になると、結果的に
パターン形状の著しい歪をもたらし、精度を低下させる
悪影響が顕著になる。
この散乱によるレジスト中での電子ビーム露光強度分布
は、外部から照射するビーム中心からので表わされ、第
１項目は、前方散乱、第２項目は後方散乱によって与え
られるものであることが知られている。なお＋１．１式
中、Ａ、 １３． Ｃはそれぞれレジストの厚みや基板
材＊：１等の条件によって定まる定数である。
は、外部から照射するビーム中心からので表わされ、第
１項目は、前方散乱、第２項目は後方散乱によって与え
られるものであることが知られている。なお＋１．１式
中、Ａ、 １３． Ｃはそれぞれレジストの厚みや基板
材＊：１等の条件によって定まる定数である。
（Ｃ）従来技術と問題点
従来、近接すＪ果を補正するための最も一；１う的な方
法は、各パターン毎に、電子ビーム散乱強度分布（１１
と、パターン形状及び隣接パターンからの距離を考慮し
て、最適な照射量をあらかじめ各パターン毎に設定した
り、あるいは描画パターンのパターン寸法を補正（縮少
）する方法であり、いずれもあらかじめパターンデータ
作成の時点で補正量を決定するものである。
法は、各パターン毎に、電子ビーム散乱強度分布（１１
と、パターン形状及び隣接パターンからの距離を考慮し
て、最適な照射量をあらかじめ各パターン毎に設定した
り、あるいは描画パターンのパターン寸法を補正（縮少
）する方法であり、いずれもあらかじめパターンデータ
作成の時点で補正量を決定するものである。
そこで、第１図に見られるように、例えばパターンＰ１
の辺−ににサンプル点ＳＰＩを設定して、他の全パター
ン、例えば、パターンＰ２．Ｐ３からの影響分を式（１
）によりめ、これを各パターン毎に行なって、各サンプ
ル点での露光強度が一定になるように連立方程式に依り
、寸法及び照射量に対する補正用をめることが行なわれ
ている。
の辺−ににサンプル点ＳＰＩを設定して、他の全パター
ン、例えば、パターンＰ２．Ｐ３からの影響分を式（１
）によりめ、これを各パターン毎に行なって、各サンプ
ル点での露光強度が一定になるように連立方程式に依り
、寸法及び照射量に対する補正用をめることが行なわれ
ている。
しかしながら、式（１）で示されるように、電子ビーム
散乱強度分布は、距離の増加に対して指数関数的に減少
するため非線型性が強い方程式となる。
散乱強度分布は、距離の増加に対して指数関数的に減少
するため非線型性が強い方程式となる。
このため、任意の大きさを有する集積回路パターン、特
に第２図に見られる如く、形成すべきパターンを矩形に
分割した後の露光パターンにおいて、パターンＰｔｒと
Ｐ／）のように接触していたり、その上、パターンＰＩ
３のように幅が小さいものであると前記連立方程式の解
がめられないことが多く、又集積回路パターンは、パタ
ーン数カ月０″〜１０あるため、算出に非常に時間を要
すという問題があった。
に第２図に見られる如く、形成すべきパターンを矩形に
分割した後の露光パターンにおいて、パターンＰｔｒと
Ｐ／）のように接触していたり、その上、パターンＰＩ
３のように幅が小さいものであると前記連立方程式の解
がめられないことが多く、又集積回路パターンは、パタ
ーン数カ月０″〜１０あるため、算出に非常に時間を要
すという問題があった。
ｆｄ＋ 発明の目的
本発明は、電子ビーム露光を行なう際し、近似的方法で
はあるが、比較的簡便に、パターン幅が小さく、しかも
他のパターンと接触しているパターンに対して電子ビー
ム照射量に対する補正量をめることができるように、ま
た、高精度のパターンを得ることができるようにするも
のである。
はあるが、比較的簡便に、パターン幅が小さく、しかも
他のパターンと接触しているパターンに対して電子ビー
ム照射量に対する補正量をめることができるように、ま
た、高精度のパターンを得ることができるようにするも
のである。
（ｅｌ 発明の構成
本発明は、電子ビームを被加工物に照射して、多数のパ
ターンを描画する電子ビーム露光方法において、形成す
べきパターンを矩形に分割して得た露光パターンのうり
、所定露光パターンに他の多角形露光パターンが接触し
、該所定露光パターンが補正対象となった場合、該補正
対象パターンの露光強度をｆ、補正対象パターンに接触
している露光パターンの露光強度をＦまた、補正対象パ
ターンの周囲のパターンの影響を考慮しない時の（ｆｌ
実施例 以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
ターンを描画する電子ビーム露光方法において、形成す
べきパターンを矩形に分割して得た露光パターンのうり
、所定露光パターンに他の多角形露光パターンが接触し
、該所定露光パターンが補正対象となった場合、該補正
対象パターンの露光強度をｆ、補正対象パターンに接触
している露光パターンの露光強度をＦまた、補正対象パ
ターンの周囲のパターンの影響を考慮しない時の（ｆｌ
実施例 以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第３図は、実施例を説明するためのパターンであり、こ
の図を参照しつつ補正量算出の手順を説明する。
の図を参照しつつ補正量算出の手順を説明する。
■ 各パターンについて、パターン自体の拡がりを補正
する。
する。
パターン内寸法補正帽Ｓｉと目的のパターン寸法を得る
ための照射１ｉＱｌをめる。
ための照射１ｉＱｌをめる。
その際、第３図のパターンＡが、補正対象の場合、接触
しているパターンＢの影響が大きいので。
しているパターンＢの影響が大きいので。
パターンＡ単独で照射量をめることができない。
そこで、以下の様にして、パターンＡの照射量を算出す
る。
る。
パターンへのサンプル点（照射量算出点）ａとパターン
Ｂのサンプル点すでは、以下の式が成り立つ。
Ｂのサンプル点すでは、以下の式が成り立つ。
ＱＡｆＡ＋Ｑ８ｆＢ ＝Ｅ −ｍ−−−−−−＋２１Ｑ
ＡＦＡ＋Ｑ８Ｆ、＝Ｅ −−−−〜−−−１３１ここで
、ＱＡ、ＱＢは、パターンＡ、Ｂの照射量であり、ｆＡ
、ｆ、はパターンＡ、Ｂがサンプル点ａに及ぼす影響強
度、ＦＡ、Ｆ９は、パターンＡ、Ｂがサンプル点すに及
ぼす影響強度である。
ＡＦＡ＋Ｑ８Ｆ、＝Ｅ −−−−〜−−−１３１ここで
、ＱＡ、ＱＢは、パターンＡ、Ｂの照射量であり、ｆＡ
、ｆ、はパターンＡ、Ｂがサンプル点ａに及ぼす影響強
度、ＦＡ、Ｆ９は、パターンＡ、Ｂがサンプル点すに及
ぼす影響強度である。
又、Ｅは各パターンのサンプル点での現像エネルギー強
度を表わし影響強度ｆ、 、ｒＢ、Ｆ、。
度を表わし影響強度ｆ、 、ｒＢ、Ｆ、。
ＦＢは＋１１で表わされる電子ビーム散乱強度分布を描
画パターンについて積分することにより得られる。
画パターンについて積分することにより得られる。
パターンＡは微小なので、サンプル点すに及ぼず影響は
ほとんどない。そこでｌ？ 、、 化Ｑと近似できる。
ほとんどない。そこでｌ？ 、、 化Ｑと近似できる。
パターンＡの照射量をｑとするとｑｆＡ＝Ｅであるので
、微小パターンＡの照射量は以下の（５）式で、間寸法
補正１ｓｓをめる。
、微小パターンＡの照射量は以下の（５）式で、間寸法
補正１ｓｓをめる。
第３図のパターンＡのサンプル点ａでは、次の式が成立
する。
する。
ＱＡＦ （ｒＡ、ＳＡ、ＳＳ） ＋
ＱＢＦ （ｒｅ、ｓＢ、０）＋
Ｑｃ Ｆ （ｒ ｃ 、Ｓ ｃ 、Ｏ） −Ｅ−−−−
−−−−−−−（６）この式（６）を満足するようにパ
ターン間寸法補正量ＳＳをめる。
−−−−−−−（６）この式（６）を満足するようにパ
ターン間寸法補正量ＳＳをめる。
ここで、ｒ 、ｑ 、ｒ Ｂ 、ｒ（は、パターンＡ、
Ｂ。
Ｂ。
Ｃの中心からサンプル点ａまでの距離である。またＦ
（１，ｍ、ｎ）は描画パターンの露光強度であり、ｆｉ
１式を描画パターンについて積分することにより得られ
る。又１．ｍ、ｎは、未知数であることを示している。
（１，ｍ、ｎ）は描画パターンの露光強度であり、ｆｉ
１式を描画パターンについて積分することにより得られ
る。又１．ｍ、ｎは、未知数であることを示している。
前記のようにして、寸法及び電子ビーム照射密度に対す
る補正量をパターンデータ作成時に決定しておくもので
ある。
る補正量をパターンデータ作成時に決定しておくもので
ある。
そのデータは、第４図の如き装置なら、電子計算機６に
格納され、電子計算機６によってＸＹ偏向器４を駆動し
、ビームスポットを歩進させ、所定のパターンを塗り潰
すように照射して、描画を行なう。第４図は、典型的な
電子ビーム露光装置の基本構成の概念図である。
格納され、電子計算機６によってＸＹ偏向器４を駆動し
、ビームスポットを歩進させ、所定のパターンを塗り潰
すように照射して、描画を行なう。第４図は、典型的な
電子ビーム露光装置の基本構成の概念図である。
電子ビーム露光装置本体１は、電子銃２．収束電子レン
ズ系３．ＸＹ偏向器４を有し、細く絞られた電子ビーム
をレジストが塗布された基板試料５に照射するもので、
その試料５上の電子ビームスポットの位置は、電子計算
機６からのパターンデータで、ＤＡ変換器７．増幅器８
を介して、ＸＹ偏向器４を駆動することによって制御さ
れる。
ズ系３．ＸＹ偏向器４を有し、細く絞られた電子ビーム
をレジストが塗布された基板試料５に照射するもので、
その試料５上の電子ビームスポットの位置は、電子計算
機６からのパターンデータで、ＤＡ変換器７．増幅器８
を介して、ＸＹ偏向器４を駆動することによって制御さ
れる。
電子ビームは、計算機６からの信号に応じてブランキン
グ装置によって試料５上へ照射されるものである。
グ装置によって試料５上へ照射されるものである。
（ｇｌ 発明の効果
以上の様に、本発明によれば、電子ビーム露光を行なう
に際し、近似的方法ではあるが、比較的簡便にパターン
幅が小さく、しかも他のパターンと接触しているパター
ンに対して電子ビーム照射量に対する補正量をめること
ができ、しかも高精度のパターンを得ることができる。
に際し、近似的方法ではあるが、比較的簡便にパターン
幅が小さく、しかも他のパターンと接触しているパター
ンに対して電子ビーム照射量に対する補正量をめること
ができ、しかも高精度のパターンを得ることができる。
第１図と第２図は従来の手法及び問題点を説明するため
のパターン図、第３図は本発明の詳細な説明するための
図、第４図は電子ビーム露光システムの基本的構成の例
を示すブロック図である。 図中、１は電子ビーム露光装置本体、２は電子銃、３は
収束電子レンズ系、４はＸＹ偏向器、５は試料、６は電
子計算機、７はＤＡ変換器、８は増幅器を示す。
のパターン図、第３図は本発明の詳細な説明するための
図、第４図は電子ビーム露光システムの基本的構成の例
を示すブロック図である。 図中、１は電子ビーム露光装置本体、２は電子銃、３は
収束電子レンズ系、４はＸＹ偏向器、５は試料、６は電
子計算機、７はＤＡ変換器、８は増幅器を示す。
Claims (1)
- 電子ビームを被加工物上のレジストに照射して、多数の
パターンを描画する電子ビーム露光方法において、形成
すべきパターンを矩形に分割して得た露光パターンのう
ち、所定露光パターンに他の多角形露光パターンが接触
する当該所定露光パターンに対し、該補正対象パターン
の露光強度をｆ、補正対象パターンに接触している露光
パターンの露光強度をＦ、また補正対象パターンの周囲
のバる電子ビーム露光方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149826A JPS6041222A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149826A JPS6041222A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041222A true JPS6041222A (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=15483528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149826A Pending JPS6041222A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041222A (ja) |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP58149826A patent/JPS6041222A/ja active Pending
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