JPS6042197B2 - モリブデン酸鉛単結晶光学素子 - Google Patents
モリブデン酸鉛単結晶光学素子Info
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- JPS6042197B2 JPS6042197B2 JP57190024A JP19002482A JPS6042197B2 JP S6042197 B2 JPS6042197 B2 JP S6042197B2 JP 57190024 A JP57190024 A JP 57190024A JP 19002482 A JP19002482 A JP 19002482A JP S6042197 B2 JPS6042197 B2 JP S6042197B2
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- lead molybdate
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- molybdate single
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 31
- XJUNRGGMKUAPAP-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)molybdenum;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O XJUNRGGMKUAPAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 17
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はモリブデン酸鉛単結晶からなる光学素子に関す
るものである。
るものである。
モリブデン酸鉛単結晶は超音波光変調媒体として、レー
ザーを利用した応用機器例えばレーザープリンター等に
用いられている。
ザーを利用した応用機器例えばレーザープリンター等に
用いられている。
モリブデン酸鉛単結晶からなる超音波光変調媒体の特徴
としては、（１）回折効率が大きく（２）光透過効率が
良く（３）超音波吸収が少なく（４）屈折率が大きく（
５）温度特性が良く（６）光学的に均一である等があげ
られる。
としては、（１）回折効率が大きく（２）光透過効率が
良く（３）超音波吸収が少なく（４）屈折率が大きく（
５）温度特性が良く（６）光学的に均一である等があげ
られる。
また、モリブデン酸鉛単結晶は、このような超音波光変
調媒体として優れた特性を有するばかりでなく、光学的
に均質な大型結晶が得やすく、比較的安価である等の利
点を持つ優れた材料である。
調媒体として優れた特性を有するばかりでなく、光学的
に均質な大型結晶が得やすく、比較的安価である等の利
点を持つ優れた材料である。
モリブデン酸鉛単結晶を光変調媒体として超音波光変調
器に組込んで使用する場合、光変調器で用いられるレー
ザーとしては、現在は、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（波長６３
３ｎ７Ｔｌ、）が用いられているが、次第に波長の短か
いにレーザー（波長４８８ｎＴｒｉ、）Ｈｅ−Ｃｄレー
ザー（波長４２２ｎ７−ｎ）が使用されるようになつて
来ている。
器に組込んで使用する場合、光変調器で用いられるレー
ザーとしては、現在は、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（波長６３
３ｎ７Ｔｌ、）が用いられているが、次第に波長の短か
いにレーザー（波長４８８ｎＴｒｉ、）Ｈｅ−Ｃｄレー
ザー（波長４２２ｎ７−ｎ）が使用されるようになつて
来ている。
しカル従来より使用されているモリブデン酸鉛単結晶は
、一般に淡黄色であり、場合によつては黄色あるいは褐
色を呈する場合がある。
、一般に淡黄色であり、場合によつては黄色あるいは褐
色を呈する場合がある。
従つて、吸収端に近い４４２ｎ７−ｒｌ、に近い短波長
側での光透過効率は、非常に悪いためＨｅ−Ｃｄレーザ
ー用光変調媒体の材料としてモリブデン酸鉛単結晶を用
いることは無理であると考えられていた。本発明の目的
は、従来の欠点を除去し、レーザー光の光吸収が小さく
、特にＡｒレーザーやＨｅ一Ｃｄレーザー等の短波長側
での光透過効率が優れたモリブデン酸鉛単結晶光学素子
を提供することにある。
側での光透過効率は、非常に悪いためＨｅ−Ｃｄレーザ
ー用光変調媒体の材料としてモリブデン酸鉛単結晶を用
いることは無理であると考えられていた。本発明の目的
は、従来の欠点を除去し、レーザー光の光吸収が小さく
、特にＡｒレーザーやＨｅ一Ｃｄレーザー等の短波長側
での光透過効率が優れたモリブデン酸鉛単結晶光学素子
を提供することにある。
本発明は、モリブデン酸鉛単結晶中のＭｏＯ３のモル比
が５０、Ｉｍｏｌ％から５１、ｌｍｏｌ％であることを
特徴とするモリブデン酸鉛単結晶光学素子であり、これ
により光学的に均質で、レーザー光の吸収が小さく、特
にＮレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー等の短波長側レーザ
ー光の光透過率が優れた光学素子Ｊを提供するものであ
る。
が５０、Ｉｍｏｌ％から５１、ｌｍｏｌ％であることを
特徴とするモリブデン酸鉛単結晶光学素子であり、これ
により光学的に均質で、レーザー光の吸収が小さく、特
にＮレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー等の短波長側レーザ
ー光の光透過率が優れた光学素子Ｊを提供するものであ
る。
以下、本発明を実施例にもとつき詳細に説明する。
モリブデン酸鉛単結晶（ＰｂＭｏＯ、）の原料である一
酸化鉛（ＰｂＯ）と三酸化モリブデン（ＭｏＯ０）秤量
混合し、ＰｂＭｏＯ。中のＭｏＯ３がｉ５０、ｌｍｏｌ
％から５１、ｌｍｏｌ％の組成となるようにする。混合
した原料粉末を融解し、チョクラルスキー法によつて２
５ｗｆｔφＸ６『ｅ程度の単結晶を育成する。
酸化鉛（ＰｂＯ）と三酸化モリブデン（ＭｏＯ０）秤量
混合し、ＰｂＭｏＯ。中のＭｏＯ３がｉ５０、ｌｍｏｌ
％から５１、ｌｍｏｌ％の組成となるようにする。混合
した原料粉末を融解し、チョクラルスキー法によつて２
５ｗｆｔφＸ６『ｅ程度の単結晶を育成する。
育成された単結晶について組成分析を行なつた結果、測
定誤差範囲内で秤量組成と一致している。このようにし
て育成された本発明に係るモリブデン酸鉛単結晶は、一
酸化鉛と三酸化モリブデンのモル比が１：１である、通
常育成されるモリブデン酸鉛単結晶に比べ、着色が薄く
、白色に近い色を呈し、透過効率を阻害する結晶内部の
白もやの発生を防ぐことに効果がある。育成された本発
明に係る単結晶を、Ｘ線回折法を用いて、方位切断を行
ない、１０ｗ０ｎ×１ｈ×１ｈのサイコロ状の単結晶ブ
ロックに加工する。
定誤差範囲内で秤量組成と一致している。このようにし
て育成された本発明に係るモリブデン酸鉛単結晶は、一
酸化鉛と三酸化モリブデンのモル比が１：１である、通
常育成されるモリブデン酸鉛単結晶に比べ、着色が薄く
、白色に近い色を呈し、透過効率を阻害する結晶内部の
白もやの発生を防ぐことに効果がある。育成された本発
明に係る単結晶を、Ｘ線回折法を用いて、方位切断を行
ない、１０ｗ０ｎ×１ｈ×１ｈのサイコロ状の単結晶ブ
ロックに加工する。
このサイコロ状単結晶ブロックのレーザー透過面を鏡面
研磨し、分光光度計を用いて光透過効率を測定した結果
が、第１図である。第１図において、曲線ａはＭＯＯ３
が５０．０ｍ０１％のモリブデン酸鉛単結晶について、
透過させるレーザー光の波長の違いによる、光透過効率
の変化を示したものである。同様に、曲線Ｂ，ｃ，ｄお
よびｅはＭＯＯ３の組成比がそれぞれ５０．１、５０．
巳５１．０および５１．４ｍ０１％であるものについて
示したものである。レーザー光の波長が６３３ｒ１７Ｔ
Ｌの場合、光透過率は組成の違いにより大きな差は認め
られないが、波長が４８８ｒ１ｍおよび４４２ｒ１７ｎ
．の場合、光透過率は６６３ｎＴｎ．に比比べ下がつて
はいるが、ＭＯＯ３が５０．１ｍ０１％から５１．０ｒ
Ｔ１０１％のものについては５０．０ｒＴ１０１％およ
び５１．４ｍ０１％のものに比べ下がり方が少なく、特
に４４２ｎＴｎの波長に対して光透過率が６０％以上を
維持している。第２図は第１図をもとにして、透過光の
波長が４４２ｒ１７ＴＬの場合、即ちＨｅ−Ｃｄレーザ
ーを用いる場合について、モリブデン酸鉛単結晶媒体の
結晶組成と光透過効率の関係を示したものてある。
研磨し、分光光度計を用いて光透過効率を測定した結果
が、第１図である。第１図において、曲線ａはＭＯＯ３
が５０．０ｍ０１％のモリブデン酸鉛単結晶について、
透過させるレーザー光の波長の違いによる、光透過効率
の変化を示したものである。同様に、曲線Ｂ，ｃ，ｄお
よびｅはＭＯＯ３の組成比がそれぞれ５０．１、５０．
巳５１．０および５１．４ｍ０１％であるものについて
示したものである。レーザー光の波長が６３３ｒ１７Ｔ
Ｌの場合、光透過率は組成の違いにより大きな差は認め
られないが、波長が４８８ｒ１ｍおよび４４２ｒ１７ｎ
．の場合、光透過率は６６３ｎＴｎ．に比比べ下がつて
はいるが、ＭＯＯ３が５０．１ｍ０１％から５１．０ｒ
Ｔ１０１％のものについては５０．０ｒＴ１０１％およ
び５１．４ｍ０１％のものに比べ下がり方が少なく、特
に４４２ｎＴｎの波長に対して光透過率が６０％以上を
維持している。第２図は第１図をもとにして、透過光の
波長が４４２ｒ１７ＴＬの場合、即ちＨｅ−Ｃｄレーザ
ーを用いる場合について、モリブデン酸鉛単結晶媒体の
結晶組成と光透過効率の関係を示したものてある。
この図から明らかなように、ＭＯＯ３が５０．１から５
１．１ｍ０１％の組成のモリブデン酸鉛単結晶光学素子
は、波長の短いＨｅ−Ｃｄレーザーを用いる場合、光透
過効率が６０％以上であり、他の組成のものに比べすぐ
れている。尚、ここで示した光透過効率は、実際に、超
音波光変調器として使用する場合に比べ、低い値を示し
ているが、これは精度の良い光学研磨を行ない適正な反
射防止膜を施した場合の光波長一光透過効率の関係とほ
ぼ同じであり、第１図および第２図の関係は光変調器に
組込んだ場合の特性と同様であると考えて良い。
１．１ｍ０１％の組成のモリブデン酸鉛単結晶光学素子
は、波長の短いＨｅ−Ｃｄレーザーを用いる場合、光透
過効率が６０％以上であり、他の組成のものに比べすぐ
れている。尚、ここで示した光透過効率は、実際に、超
音波光変調器として使用する場合に比べ、低い値を示し
ているが、これは精度の良い光学研磨を行ない適正な反
射防止膜を施した場合の光波長一光透過効率の関係とほ
ぼ同じであり、第１図および第２図の関係は光変調器に
組込んだ場合の特性と同様であると考えて良い。
第１図および第２図で明かなように、本発明によるＭＯ
Ｏ３が５０．１から５１．１ｍ０１％の組成であること
を特徴とするモリブデン酸鉛単結晶光学素子の光透過効
率は、他の組成のものに比べてすぐれており、特に波長
の短いＨｅ−Ｃｄレーザー付近でその効果が顕著である
。
Ｏ３が５０．１から５１．１ｍ０１％の組成であること
を特徴とするモリブデン酸鉛単結晶光学素子の光透過効
率は、他の組成のものに比べてすぐれており、特に波長
の短いＨｅ−Ｃｄレーザー付近でその効果が顕著である
。
超音波変調器を、レーザープリンター等に用いる場合、
短波長側レーザー光を用いる方が感光特性が良いため、
より短波長のレーザー光が用いられるようになつてきて
おり、本発明はこれらの要求をみたすものであり、４４
２ｒ１ｍ（７）Ｈｅ−Ｃｄレーザー用光変調媒体として
モリブデン酸鉛単結晶を用いることを可能にしたもので
ある。
短波長側レーザー光を用いる方が感光特性が良いため、
より短波長のレーザー光が用いられるようになつてきて
おり、本発明はこれらの要求をみたすものであり、４４
２ｒ１ｍ（７）Ｈｅ−Ｃｄレーザー用光変調媒体として
モリブデン酸鉛単結晶を用いることを可能にしたもので
ある。
上述したように、本発明は、モリブデン酸鉛単結晶にお
いてＭＯＯ３が５０．１ｍ００１から５１．１ｍ０１％
の組成であることを特徴とし、従来のモリブデン酸鉛単
結晶よりも光吸収が小さく特にＨｅ−Ｃｄレーザー等短
波長側での光透過効率が優れ、光学的に均質なモリブデ
ン酸鉛単結晶光学素子を提供するものである。
いてＭＯＯ３が５０．１ｍ００１から５１．１ｍ０１％
の組成であることを特徴とし、従来のモリブデン酸鉛単
結晶よりも光吸収が小さく特にＨｅ−Ｃｄレーザー等短
波長側での光透過効率が優れ、光学的に均質なモリブデ
ン酸鉛単結晶光学素子を提供するものである。
第１図はモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体の透過光波長
の違いによる光透過効率の変化を示したものであり、曲
線のＡ，ｂ，ｃ，ｄおよびｅはそれぞれＰｂＭＯＯ４中
のＭＯＯ３の組成が５０．０ｒＴ１０１％、５０．１ｍ
０１％、５０．６ｎ１０１％、５１．０ｒｒ１０１％お
よび５１．４ｍ０１％について示した図である。
の違いによる光透過効率の変化を示したものであり、曲
線のＡ，ｂ，ｃ，ｄおよびｅはそれぞれＰｂＭＯＯ４中
のＭＯＯ３の組成が５０．０ｒＴ１０１％、５０．１ｍ
０１％、５０．６ｎ１０１％、５１．０ｒｒ１０１％お
よび５１．４ｍ０１％について示した図である。
Claims (1)
- １ ＭｏＯ＿３が５０．１ｍｏｌ％から５１．１ｍｏｌ
％の組成であることを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶
光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190024A JPS6042197B2 (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | モリブデン酸鉛単結晶光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190024A JPS6042197B2 (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | モリブデン酸鉛単結晶光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984000A JPS5984000A (ja) | 1984-05-15 |
| JPS6042197B2 true JPS6042197B2 (ja) | 1985-09-20 |
Family
ID=16251097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190024A Expired JPS6042197B2 (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | モリブデン酸鉛単結晶光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042197B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081525B2 (ja) * | 1984-10-31 | 1996-01-10 | 三田工業株式会社 | 低電位像用二成分系磁性現像剤 |
| JPH081526B2 (ja) * | 1984-11-30 | 1996-01-10 | 三田工業株式会社 | 電子写真用二成分系現像剤 |
-
1982
- 1982-10-30 JP JP57190024A patent/JPS6042197B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5984000A (ja) | 1984-05-15 |
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