JPS586580A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
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- JPS586580A JPS586580A JP56103970A JP10397081A JPS586580A JP S586580 A JPS586580 A JP S586580A JP 56103970 A JP56103970 A JP 56103970A JP 10397081 A JP10397081 A JP 10397081A JP S586580 A JPS586580 A JP S586580A
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- magnetic bubble
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン注入磁気バブルメモリ素子のガードレー
ルに関するものである〇 磁気バブルメモリ素子は半導体集積回路と同様、一枚の
〜バー上に多数のチップを同時に形成しくこれモスクラ
イブあるいはダイシング等により分割チップ化して個々
のメモリ素子として用いられている・しかし、スクライ
ブあるいはダイシング等は物理的分割方法てあり、チッ
プ周辺部に歪が入ることは避けられず、例え無欠陥のチ
ップであってもこの残ｇＩ歪が不均一性として働き、駆
動磁界を加えるこ七によって、チップ周辺部で不必要な
磁気バブル（以下単にバブルと称する）が発生するξ・
とかある。
ルに関するものである〇 磁気バブルメモリ素子は半導体集積回路と同様、一枚の
〜バー上に多数のチップを同時に形成しくこれモスクラ
イブあるいはダイシング等により分割チップ化して個々
のメモリ素子として用いられている・しかし、スクライ
ブあるいはダイシング等は物理的分割方法てあり、チッ
プ周辺部に歪が入ることは避けられず、例え無欠陥のチ
ップであってもこの残ｇＩ歪が不均一性として働き、駆
動磁界を加えるこ七によって、チップ周辺部で不必要な
磁気バブル（以下単にバブルと称する）が発生するξ・
とかある。
このような現魚を湧出１と称する・周辺部で湧出したバ
ブルはやがてバブル蓄積領域に侵入してノアプル列を虱
し、バブルメモリ素子の信頼性を低下暮せる０ 従来のパーマロイ転送パタンを用いたバブルメモリ素子
は、Ｔパーバタン、非対称シ晶ブロンパタン等の転送パ
タンをチップ周辺にバブルが外側へ転送される向きに配
置して、湧出しバブルのメモリ領域への浸入を防いでい
た。しかし、このようなパーマロイ転送パタンを用いた
０バブルメモリ“素子に澹いては、バブル径を２μｍ１
１度以下に小さくすることは１パタンを形成するリング
ラフィ技術や駆動技術の点で大変国難となって舎た０そ
ζて、これ以上の高書度バブルメモリ素子を得る方法と
してイオン注入コンティギ＾アス拳ディスク磁気バブル
メモリ菓子が提案された。
ブルはやがてバブル蓄積領域に侵入してノアプル列を虱
し、バブルメモリ素子の信頼性を低下暮せる０ 従来のパーマロイ転送パタンを用いたバブルメモリ素子
は、Ｔパーバタン、非対称シ晶ブロンパタン等の転送パ
タンをチップ周辺にバブルが外側へ転送される向きに配
置して、湧出しバブルのメモリ領域への浸入を防いでい
た。しかし、このようなパーマロイ転送パタンを用いた
０バブルメモリ“素子に澹いては、バブル径を２μｍ１
１度以下に小さくすることは１パタンを形成するリング
ラフィ技術や駆動技術の点で大変国難となって舎た０そ
ζて、これ以上の高書度バブルメモリ素子を得る方法と
してイオン注入コンティギ＾アス拳ディスク磁気バブル
メモリ菓子が提案された。
イオン注入によるコンティギュアス・ディスク・パタン
を用いたバブルの転送に関しての基本概念は、ニー譬ア
イ・ピー・コンファレンス・ブロシーデインダス（Ａ、
Ｉ、Ｐ、 Ｃｏｎｆｅｒ＠ｎｃｅ ｐｒｏｃｅ −ｅｄ
ｉｍｇ ） ｍｔｏ号第３３９ページ（１９７３年）に
つ畠ルフ鼻らの論文として述べられている◎また、イオ
ン注入バブルメモリ素子の構成に関しては、ＩＢＭのリ
ンらによるアイ・イー・イー・イー・トランザクシ譚ン
ズ・オン・マグネティクス（ＩＨａテｒａｍｓ、 （Ｉ
ＩＩ ＭｓＨｎｅｔｉｃｓ ）第１５巻第１６４２ペー
ジ（１９７９都）やベル研究所のネルリンによるザ・ベ
ル・システム・テクニカル・ジャーナル（ＴｈｅＢｅｌ
ｌ ８ｙｉｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ）第５ｓ巻第２２９ページ（１９１１０年）などの
論文に詳しく述べられている通りである。
を用いたバブルの転送に関しての基本概念は、ニー譬ア
イ・ピー・コンファレンス・ブロシーデインダス（Ａ、
Ｉ、Ｐ、 Ｃｏｎｆｅｒ＠ｎｃｅ ｐｒｏｃｅ −ｅｄ
ｉｍｇ ） ｍｔｏ号第３３９ページ（１９７３年）に
つ畠ルフ鼻らの論文として述べられている◎また、イオ
ン注入バブルメモリ素子の構成に関しては、ＩＢＭのリ
ンらによるアイ・イー・イー・イー・トランザクシ譚ン
ズ・オン・マグネティクス（ＩＨａテｒａｍｓ、 （Ｉ
ＩＩ ＭｓＨｎｅｔｉｃｓ ）第１５巻第１６４２ペー
ジ（１９７９都）やベル研究所のネルリンによるザ・ベ
ル・システム・テクニカル・ジャーナル（ＴｈｅＢｅｌ
ｌ ８ｙｉｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ）第５ｓ巻第２２９ページ（１９１１０年）などの
論文に詳しく述べられている通りである。
第１図はイオン注入バブルメモリ素子に用いられる転送
パタンの一例である＠バブルメモリ東予に用いられる［
１１１３方崗に育成された磁性ガーネット躾は膜面内に
三重対称の異方性をもつ。イオン注入により転送パタン
を形成したイオン注入バブルメモリ素子では、上記三重
対称性によりバブル転送路の方向と結晶方位の関係によ
りバブル転送特性に差を生じ、特性の喪いものから原に
スーパートラック、グツドトラック、パッドトラックが
存在する。第１図で結晶方位は記号２１で示される。信
号２１において黒丸は磁化困難方向を表わす。一つの磁
化困難方向と垂直な転送パタン１１は左側がスーｌ（−
トラック１３、右側がパッドトラック１４となり、磁化
用１１カ肉に平行な転送バタン戎は上側、下側ともにグ
ツドトラック１５％１６となる。このようにイオン注入
バブルメモリ素子は１転送路の方向によりバブルの転送
特性が異なるため１チップ周辺部に種々の転送パタンを
組合せて配置しても湧出しバブルのバブル蓄積領域への
侵入を完全に防ぐことはできないという欠点を有してい
る◎ 本実−〇−釣は、このような従来の欠点を除去せしめＩ
Ｂ幽しバブルのバブル蓄積領域への侵入を完全Ｅｌｌぼ
、最期信頼性の優れたイオン°注入バブルメモ９素子を
提供することにある。
パタンの一例である＠バブルメモリ東予に用いられる［
１１１３方崗に育成された磁性ガーネット躾は膜面内に
三重対称の異方性をもつ。イオン注入により転送パタン
を形成したイオン注入バブルメモリ素子では、上記三重
対称性によりバブル転送路の方向と結晶方位の関係によ
りバブル転送特性に差を生じ、特性の喪いものから原に
スーパートラック、グツドトラック、パッドトラックが
存在する。第１図で結晶方位は記号２１で示される。信
号２１において黒丸は磁化困難方向を表わす。一つの磁
化困難方向と垂直な転送パタン１１は左側がスーｌ（−
トラック１３、右側がパッドトラック１４となり、磁化
用１１カ肉に平行な転送バタン戎は上側、下側ともにグ
ツドトラック１５％１６となる。このようにイオン注入
バブルメモリ素子は１転送路の方向によりバブルの転送
特性が異なるため１チップ周辺部に種々の転送パタンを
組合せて配置しても湧出しバブルのバブル蓄積領域への
侵入を完全に防ぐことはできないという欠点を有してい
る◎ 本実−〇−釣は、このような従来の欠点を除去せしめＩ
Ｂ幽しバブルのバブル蓄積領域への侵入を完全Ｅｌｌぼ
、最期信頼性の優れたイオン°注入バブルメモ９素子を
提供することにある。
本Ｊｉ＠によれば、磁気バブルを保持し得る単層または
多層の磁性膜にイオン注入により磁気バブルを転送する
手段を形成した磁気バブル蓄積領域と単層または多層の
導体層を配置し磁気バブルの発生、スイッチ、検出、消
去等の機能を行わせる磁気バブル入出力領域を備えた磁
気バブルメモリ素子に珈いて一前Ｅｌｋ気バブル蓄積領
域および磁気バブル入出力領域を取り−み任意の形状１
大会さのＩｉ形を互いに接触させずに多重に配列した帯
状領域を実質的に閉ｔＩＡ−を形成して配置し、前記図
形内は非イオン注入領域であるかまたは前記磁気バブル
転送手段に施したイオン注入とは異ったイオン注入条件
でイオン注入した領域であることをｑ＃黴とする磁気バ
ブルメモリ素子が得られるＯ以下本実９１１について爽
施例を示す図面を参照してｌ！明する〇 第２ｒｌＪは一実施例を示す平間図であり、メモリチッ
プ１はイオン注入により形成したバブル蓄積領域？、導
体層４を含むバブル入出力領域３右よびボンディングパ
ット部５を備え、バブル蓄積領域２ぶよびバブル入出力
領域３を取り囲んで任意の形状、犬舎さの図形を配列し
た帯状領域すなわちガードレール６が閉ｌｌｌ１ｉｌを
形成して配置されている・第３図は第２図において６で
示すガードレールの拡大図と動作原理Ｗ１明図であるＯ
第５ｖａｂ’＋においてチップ１を構成するｉｌｌ性層
は単層膜であり７．８および６０円形パタンの外側の部
分にイオン注゛大して転送パタン３およびガードレール
６を形成する。チップ１は直＠１．８μｍのノイブルを
保持してあり、転送パタン２は直ｌｌａｓｔｓの円形パ
タンを連ねて構成される０ガードレール６は転送パタン
２と同じ直１１８Ｊｌ＋ａ・、のガードレール構成ｌ！
素図形である円形バタン加を４ｊ鵬の間隔でハチの巣状
に三重に配列して構成されている０第３図（ｂ）はバブ
ル転送パタンの単純転送特性てあり、縦軸はバイアス磁
界てあり横軸は駆Ｓ＊昇である◎ｇｓｍ−）において、
―線口％ １４．１５は第１５！！ｌで述べた３つのト
ラックに対応する単純転送特性であり、口はスーパート
ラック、１４はバッドトラ、夕、１５はグツドトラック
である〇−纏１６は第３図（―）の加で示す円形パタン
の転送ｅ牲であり、他の３つの転送トラックに比較して
非常に広いバイアスマージンをもっているｏしたがって
通常の動作状態にある限り、籐ａｍｌ（−のチップ周辺
部７で湧出したバブルはガードレール６を構成する円形
バタン加に補えられその周囲を回転し続けるＯ万−最も
外側の円形パタン列の間を通り抜けた湧出しバブルがあ
ったとしても第２列、第３列の円形パタンに捕えられ、
バブル蓄積領域２への湧出しバブルの侵入を完全に防止
することがで会るＯ熟４ａｌｌは他の実施例を示す平面
図怠よび部分拡大図である。
多層の磁性膜にイオン注入により磁気バブルを転送する
手段を形成した磁気バブル蓄積領域と単層または多層の
導体層を配置し磁気バブルの発生、スイッチ、検出、消
去等の機能を行わせる磁気バブル入出力領域を備えた磁
気バブルメモリ素子に珈いて一前Ｅｌｋ気バブル蓄積領
域および磁気バブル入出力領域を取り−み任意の形状１
大会さのＩｉ形を互いに接触させずに多重に配列した帯
状領域を実質的に閉ｔＩＡ−を形成して配置し、前記図
形内は非イオン注入領域であるかまたは前記磁気バブル
転送手段に施したイオン注入とは異ったイオン注入条件
でイオン注入した領域であることをｑ＃黴とする磁気バ
ブルメモリ素子が得られるＯ以下本実９１１について爽
施例を示す図面を参照してｌ！明する〇 第２ｒｌＪは一実施例を示す平間図であり、メモリチッ
プ１はイオン注入により形成したバブル蓄積領域？、導
体層４を含むバブル入出力領域３右よびボンディングパ
ット部５を備え、バブル蓄積領域２ぶよびバブル入出力
領域３を取り囲んで任意の形状、犬舎さの図形を配列し
た帯状領域すなわちガードレール６が閉ｌｌｌ１ｉｌを
形成して配置されている・第３図は第２図において６で
示すガードレールの拡大図と動作原理Ｗ１明図であるＯ
第５ｖａｂ’＋においてチップ１を構成するｉｌｌ性層
は単層膜であり７．８および６０円形パタンの外側の部
分にイオン注゛大して転送パタン３およびガードレール
６を形成する。チップ１は直＠１．８μｍのノイブルを
保持してあり、転送パタン２は直ｌｌａｓｔｓの円形パ
タンを連ねて構成される０ガードレール６は転送パタン
２と同じ直１１８Ｊｌ＋ａ・、のガードレール構成ｌ！
素図形である円形バタン加を４ｊ鵬の間隔でハチの巣状
に三重に配列して構成されている０第３図（ｂ）はバブ
ル転送パタンの単純転送特性てあり、縦軸はバイアス磁
界てあり横軸は駆Ｓ＊昇である◎ｇｓｍ−）において、
―線口％ １４．１５は第１５！！ｌで述べた３つのト
ラックに対応する単純転送特性であり、口はスーパート
ラック、１４はバッドトラ、夕、１５はグツドトラック
である〇−纏１６は第３図（―）の加で示す円形パタン
の転送ｅ牲であり、他の３つの転送トラックに比較して
非常に広いバイアスマージンをもっているｏしたがって
通常の動作状態にある限り、籐ａｍｌ（−のチップ周辺
部７で湧出したバブルはガードレール６を構成する円形
バタン加に補えられその周囲を回転し続けるＯ万−最も
外側の円形パタン列の間を通り抜けた湧出しバブルがあ
ったとしても第２列、第３列の円形パタンに捕えられ、
バブル蓄積領域２への湧出しバブルの侵入を完全に防止
することがで会るＯ熟４ａｌｌは他の実施例を示す平面
図怠よび部分拡大図である。
第４ Ｅ （ａ）において、メモリチップ１はイオン注
入により形成したバブル蓄積領域２、バブル入出力領域
３およびポンディングパッド部５を備え、バブル蓄積領
域２およびバブル入出力領域３を取り囲んてガードレー
ル６が実質的に閉１ｕｌｌ’を形成して配置されている
。第４１伽）は軸）のガードレール６の拡大図であり、
？、８ｔｉ５よび６の正方形パタンの外側の部分にイオ
ン注入して転送パタンおよびガードレール６を形成する
０チツプ１は直径１．８ｊｍのバブルを保持しており、
転送パタンは対角線の長さが１０μｍの正方形パタンを
対角線をチップの一辺に平行にして８ＪＩＥ１周期で繰
り返し配列して構成される。ガードレール６は転送バタ
ンと同じ対角線の長さがｌＯμｌのガードレール 構成
要素図形である正方形バタン加をチップｌの辺と正方形
図形パタゾ加の辺を平行にして５μｍの間隔てハチの巣
状に四重ｌこ配列して構成されている。転送バタンと正
方形図形パタンのバブルの単純転送特性は第３図（６）
と同様であり、スーパートラック、グツドトラック、バ
ッドトラックの転送特性より、正方形パタンの転送特性
が充分に広い。したがって通常の動作状級にある限り、
第４図も）のチップ周辺部フで湧出したバブルはガード
レール６を構成する正方形バタン加に補えられその周囲
を回転し続け、バブル蓄積領域へ侵入することができな
いＯ 以上説明してきたように本発明を適用するならば、不４
ｂ要に発住した湧出しバブルのバブル蓄積領域やバブル
入出力領域への侵入を防止する効果が得られる０さらに
本発明は、実施例化示した単層膜に限らず多層膜に対し
ても、さらにチップ形状が四角形に眠らず他の形状のバ
ブルメモリ素子に対しても有効である０又ガードレール
構成賛素ＩｉＩ形は円形、正方形にかぎらず長方形、三
角形その他の形状であっても有効である０
入により形成したバブル蓄積領域２、バブル入出力領域
３およびポンディングパッド部５を備え、バブル蓄積領
域２およびバブル入出力領域３を取り囲んてガードレー
ル６が実質的に閉１ｕｌｌ’を形成して配置されている
。第４１伽）は軸）のガードレール６の拡大図であり、
？、８ｔｉ５よび６の正方形パタンの外側の部分にイオ
ン注入して転送パタンおよびガードレール６を形成する
０チツプ１は直径１．８ｊｍのバブルを保持しており、
転送パタンは対角線の長さが１０μｍの正方形パタンを
対角線をチップの一辺に平行にして８ＪＩＥ１周期で繰
り返し配列して構成される。ガードレール６は転送バタ
ンと同じ対角線の長さがｌＯμｌのガードレール 構成
要素図形である正方形バタン加をチップｌの辺と正方形
図形パタゾ加の辺を平行にして５μｍの間隔てハチの巣
状に四重ｌこ配列して構成されている。転送バタンと正
方形図形パタンのバブルの単純転送特性は第３図（６）
と同様であり、スーパートラック、グツドトラック、バ
ッドトラックの転送特性より、正方形パタンの転送特性
が充分に広い。したがって通常の動作状級にある限り、
第４図も）のチップ周辺部フで湧出したバブルはガード
レール６を構成する正方形バタン加に補えられその周囲
を回転し続け、バブル蓄積領域へ侵入することができな
いＯ 以上説明してきたように本発明を適用するならば、不４
ｂ要に発住した湧出しバブルのバブル蓄積領域やバブル
入出力領域への侵入を防止する効果が得られる０さらに
本発明は、実施例化示した単層膜に限らず多層膜に対し
ても、さらにチップ形状が四角形に眠らず他の形状のバ
ブルメモリ素子に対しても有効である０又ガードレール
構成賛素ＩｉＩ形は円形、正方形にかぎらず長方形、三
角形その他の形状であっても有効である０
第１図はイオン注入磁気バブルメモリ素子の転送パタン
の例を示すパタン図、第２図は本発明の一実施例を示す
平面図、第３図はその拡大図およびバイアスマージン特
性図、第４図は本発明の他の実施例を示す平面図および
拡大図である０図において、１はメモリチップ、２はバ
ブル蓄積領域、３はバブル入出力領域、４は導体層、５
はポンディングパッド部、６はガードレール、１３ｓ
１４１１スーパー・バッドトラック、１５．１６はグツ
ドトラック、加はガードレール構成要素図形である。 Ｍ１図 １１ 第２図 第３図 （Ｑ”） 梨動４界（Ｏｅ） 第４図
の例を示すパタン図、第２図は本発明の一実施例を示す
平面図、第３図はその拡大図およびバイアスマージン特
性図、第４図は本発明の他の実施例を示す平面図および
拡大図である０図において、１はメモリチップ、２はバ
ブル蓄積領域、３はバブル入出力領域、４は導体層、５
はポンディングパッド部、６はガードレール、１３ｓ
１４１１スーパー・バッドトラック、１５．１６はグツ
ドトラック、加はガードレール構成要素図形である。 Ｍ１図 １１ 第２図 第３図 （Ｑ”） 梨動４界（Ｏｅ） 第４図
Claims (1)
- 磁気バブルを保持し得る単層または多層の磁性膜にイオ
ン注入により磁気バブルを転送する手段を形成した磁気
バブル蓄積領域上単層または多層の導体層を配置し磁気
バブルの発生、スイマチ、検出、消去等の機能を行わせ
□る磁気バブル入出力領域を備えた磁気バブルメモリ素
子において、前記磁気バブル蓄積領域および磁気バブル
入出力領域を取り圃み任意の形状、大きさの図形を互い
に接触させずに多重に配列した□帯状領域を実質的に閉
―纏を形成して配置し、前□記図形内は非イオン注入領
域であるかまたは前記磁気バブル転送手段に施したイオ
ン注入とは異ったイオン注入条件でイオン注入した領域
であることを特徴とする磁気バブルメモリ素子〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103970A JPS586580A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103970A JPS586580A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586580A true JPS586580A (ja) | 1983-01-14 |
Family
ID=14368197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56103970A Pending JPS586580A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586580A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59157890A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS59157889A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリチツプ |
| US6330024B1 (en) | 1996-09-05 | 2001-12-11 | The Goodyear Tire & Rubber Company | System and method for controlling the size of material banks in calenders, mills, and feed mills |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP56103970A patent/JPS586580A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59157890A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS59157889A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリチツプ |
| US6330024B1 (en) | 1996-09-05 | 2001-12-11 | The Goodyear Tire & Rubber Company | System and method for controlling the size of material banks in calenders, mills, and feed mills |
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