JPS5866325A - エピタキシヤル成長用サセプタ− - Google Patents
エピタキシヤル成長用サセプタ−Info
- Publication number
- JPS5866325A JPS5866325A JP16461281A JP16461281A JPS5866325A JP S5866325 A JPS5866325 A JP S5866325A JP 16461281 A JP16461281 A JP 16461281A JP 16461281 A JP16461281 A JP 16461281A JP S5866325 A JPS5866325 A JP S5866325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- core tube
- wafers
- held
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJBCNMFKFZIXHC-UHFFFAOYSA-N azanium;2-(4-methyl-5-oxo-4-propan-2-yl-1h-imidazol-2-yl)quinoline-3-carboxylate Chemical compound N.N1C(=O)C(C(C)C)(C)N=C1C1=NC2=CC=CC=C2C=C1C(O)=O VJBCNMFKFZIXHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発Ｆ！ｉｉＨ半導体として使用されるシリコンエピタ
キシャル成長に際し使用されるサセプターに関するもの
である０ サセプターに炭素基材の表面に炭化珪１Ａｔ−被着した
もの等が使用されているが、その形式からバレルタイプ
、ディスクタイプ、ホリゾンタルタイプに分類されるｏ
バレルタイプは平板を組み合せて多角錐台形とし、その
平板の各外表面の凹凸ｉＢＫウェハーを載置するもの、
ディスクタイプ社円板上向の凹凸部にクエ／％−を載置
するもの、又ホリゾンタルタイプは平板上面の凹凸１１
にサセプターを載置したもので、いずれもランプ加熱又
は誘導加熱によって加熱し、・系内のシリーン系蒸気に
よってウェハーの表面にシリコンＪＩ金生成せしめるも
のである。
キシャル成長に際し使用されるサセプターに関するもの
である０ サセプターに炭素基材の表面に炭化珪１Ａｔ−被着した
もの等が使用されているが、その形式からバレルタイプ
、ディスクタイプ、ホリゾンタルタイプに分類されるｏ
バレルタイプは平板を組み合せて多角錐台形とし、その
平板の各外表面の凹凸ｉＢＫウェハーを載置するもの、
ディスクタイプ社円板上向の凹凸部にクエ／％−を載置
するもの、又ホリゾンタルタイプは平板上面の凹凸１１
にサセプターを載置したもので、いずれもランプ加熱又
は誘導加熱によって加熱し、・系内のシリーン系蒸気に
よってウェハーの表面にシリコンＪＩ金生成せしめるも
のである。
この場合、温度ムラ゛、ガスの流れの偏シ等の゛問題を
克服し、如何托して均質なシリコンエピタキシャル成長
全行なわせるかが長年の課題でめった。更にバレルタイ
プ、ホリゾンタルタイプのものに、その容量が少なく製
造能力の向上が求められていた。
克服し、如何托して均質なシリコンエピタキシャル成長
全行なわせるかが長年の課題でめった。更にバレルタイ
プ、ホリゾンタルタイプのものに、その容量が少なく製
造能力の向上が求められていた。
然し乍、ら、率にディスクタイプ、ホリゾンタルタイプ
の＊ｍｔ−大きくしても均熱ムラ、・ガスの流れの偏シ
も内時に大きくなシ、ウェハー数枚１１度の処理が限度
であった。
の＊ｍｔ−大きくしても均熱ムラ、・ガスの流れの偏シ
も内時に大きくなシ、ウェハー数枚１１度の処理が限度
であった。
不発＠はホ１Ｊシンタルタイプにおいて゛、その熟思【
多くする場合に生ずる加熱ムラ、ガスの流れの偏シ等を
抑制し、均質なエピタキシャル生成が可能なサセプター
に関するもので一両儒にウェハーを保持するための凹凸
部！−有するすセプターを、炉芯管底面に対しほぼ！ｉ
ｉ［な支柱によ゛って保持させ、且つ該サセプターの凹
凸部門のウェハーの傾斜角度ｔ−垂直に対し５″以内と
するものである。
多くする場合に生ずる加熱ムラ、ガスの流れの偏シ等を
抑制し、均質なエピタキシャル生成が可能なサセプター
に関するもので一両儒にウェハーを保持するための凹凸
部！−有するすセプターを、炉芯管底面に対しほぼ！ｉ
ｉ［な支柱によ゛って保持させ、且つ該サセプターの凹
凸部門のウェハーの傾斜角度ｔ−垂直に対し５″以内と
するものである。
即ち、従来のホリゾンタルタイプは前述のように平板を
炉芯管底１１に水平に置き、この水平板表面の凹凸部内
にウェハーを載置し、これにシリコン系蒸気を供給しつ
つ加熱するものである。従って、その処理量を多くする
ためＫは長尺の処理炉とするか、或いは多段式その他の
方法を採用しなければならない。
炉芯管底１１に水平に置き、この水平板表面の凹凸部内
にウェハーを載置し、これにシリコン系蒸気を供給しつ
つ加熱するものである。従って、その処理量を多くする
ためＫは長尺の処理炉とするか、或いは多段式その他の
方法を採用しなければならない。
然し乍ら、長尺のものはそれだけ均熱帯を大きくとらな
ければならず、又、単なる多段式のものでにガスの流れ
が不均一となって均質なエピタキシャル成長を得にくい
。このため本発明者等はガスの流れとウェハーの向きそ
の他につ、いて検討を加えサセプターの方位をできるだ
け垂直に近い状態で処理すれば比較的均質なエピタキシ
ャル成長上行なうこと金兄い出したものでろる０その結
果、ウニノー−１−載置したサセプターを左右両面に並
べて処理することが可能とな）処理量の増大金はかるこ
とができたものである〇 以下に本発明の実施例を図によって説明する０票１図に
おいて、１は炭素基材の表面に炭化珪素を被覆してなる
サセプターで、サセプター保持具２によってその両端を
保持されている０３にシリコンウェハーでサセプター１
の両側の表面に設けられた凹凸ｓ４円に載置されている
。
ければならず、又、単なる多段式のものでにガスの流れ
が不均一となって均質なエピタキシャル成長を得にくい
。このため本発明者等はガスの流れとウェハーの向きそ
の他につ、いて検討を加えサセプターの方位をできるだ
け垂直に近い状態で処理すれば比較的均質なエピタキシ
ャル成長上行なうこと金兄い出したものでろる０その結
果、ウニノー−１−載置したサセプターを左右両面に並
べて処理することが可能とな）処理量の増大金はかるこ
とができたものである〇 以下に本発明の実施例を図によって説明する０票１図に
おいて、１は炭素基材の表面に炭化珪素を被覆してなる
サセプターで、サセプター保持具２によってその両端を
保持されている０３にシリコンウェハーでサセプター１
の両側の表面に設けられた凹凸ｓ４円に載置されている
。
この構成体を炉芯管５円に挿入し、誘導加熱装置６によ
ってサセプター１を加熱しエピタキシャル成長せしめる
ものである０その際、シリコンウェハー３の傾きθは垂
直に対して５＠以内、好ましくは１１〜２″である。こ
の傾きが５″以上になるとシＩＪ ｊン系蒸気の流れが
炉芯管５の径方向に対して有為差が生じ、エピタキシャ
ル生成層の厚さに影響を与える。
ってサセプター１を加熱しエピタキシャル成長せしめる
ものである０その際、シリコンウェハー３の傾きθは垂
直に対して５＠以内、好ましくは１１〜２″である。こ
の傾きが５″以上になるとシＩＪ ｊン系蒸気の流れが
炉芯管５の径方向に対して有為差が生じ、エピタキシャ
ル生成層の厚さに影響を与える。
この場合、５６以上の傾きを与えることは載置すべきサ
セプター１の凹凸部４の深さがサセプター自体の肉厚に
差が出て来るため、均熱加熱が困■になるという不都合
も合せ生ずることになる。
セプター１の凹凸部４の深さがサセプター自体の肉厚に
差が出て来るため、均熱加熱が困■になるという不都合
も合せ生ずることになる。
１！２図に二枚のサセプター１を支持具２によって叉え
るよう托したもので、その両側＊ｉｔｉにウェハー３ｔ
−載置するための可凸１１４會有するものである０この
場合もウェハー３の垂直に対する傾き０は５″以内とす
ることが必要である。
るよう托したもので、その両側＊ｉｔｉにウェハー３ｔ
−載置するための可凸１１４會有するものである０この
場合もウェハー３の垂直に対する傾き０は５″以内とす
ることが必要である。
仁の第２図の場合にサセプター自体を傾けるものでめる
から、その表面上の凹凸部の深さは向−深さとすること
ができる０従って加熱に際し温度ムラの調節が行ないや
すいという効果も有する。
から、その表面上の凹凸部の深さは向−深さとすること
ができる０従って加熱に際し温度ムラの調節が行ないや
すいという効果も有する。
本発明は、上述のように構成さ江て鱒るので、従来のホ
リゾンタルタイプのものと比較して、その処理容量金入
きくする仁とができ、しかもその結果は従来の方式の場
合と何等異なることのないエピタキシャル区長を形成さ
せることができる−０ ′
リゾンタルタイプのものと比較して、その処理容量金入
きくする仁とができ、しかもその結果は従来の方式の場
合と何等異なることのないエピタキシャル区長を形成さ
せることができる−０ ′
＠１図に本発明のサセプターにつ、二ノー−を載置し保
持＾と共に炉芯管内に挿置した組立俸の断面図、第２図
にサセプターの他の実施例を使用した場合の断面図であ
る。 １・・・サセプター ２・・・保持具 ３・・・シ
リコンウェハー ４・・・凹凸部 ５・・・炉芯管
６・・・誘導加熱装置 発明者 保科膀見 発明者 山崎 拓 出願人 東芝セラミ、ツクス休式会社手続補正書（自
発） ９和５７年 ４月 ９日 特許庁長官島田春樹殿 ｌ、事件の表示 昭和５６年特 許原第１６４６１２号 ２発明の名称 エピタキシャル成長用サセプター ３６ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号氏
名（名称）東芝セラミックス株式会社４・代理人 〒
１０３ ６、 補正により増加する発明の数 １４１許請求の範囲を別紙の通９補正する。 ２ 明細書側２１１２行０中「単にディスクタイプ」と
あるのを、「単にバレルタイプ」と補正する０ ３、明細書第２１１第１６行乃至第１７行を削除し。 次の文を加入する。 「本発明は、ウェハーの処理枚数を多くする場合に生ず
為加熱ムラ、ガスの」 ４ 明韻書１ｉ１１２−第１９行及び第２（１行目中の
「両側に」を削除する。 ５、 明細書ＩＥ３ｍｌ第２行目中、「によって・・・
」を「の両側Ｋ」と補正する。 ６、 明細書第３酉第４行目を削除し、「シた支柱タイ
プとも言うべきものである。」を加入する。 ７、 明細書第３ｗ第５行目中、「即ち」を削除し、「
たとえば」を加入する。 ＆ 明細書筒４ ”＄１１第１行目中、「ターを左右両
面」とあるのを「ターを支柱の左右両面」と補正する０ ９、 明細書’ｊｍ４１ｉｔｌＬ１（Ｓ行目中、「誘導
」をＰＡ除する０ １０．明細書第５−第３行目中、「第２図は」とあるの
を、ｒｇ２図及び第３図杜」と補正する。 １１、明細書第５１１ｇ１４行０中、「ホリゾンタルタ
イプ”の」を削除する。 １２、、明細書第６ｗ第２行目中、「第２図はサセプタ
ーの他の実施例を」とあるのを、［第２図表び第３図は
サセプターを他の実施例で」と補正する。 １３、明細書第６１１第６行目中、「誘導」を特徴する 特許請求の範囲 炉芯管底面に対しほぼ垂直な支柱の両側にサセプターを
保持させ、且つ該サセプターの凹凸部内のウェハーの傾
斜角度全垂直に対し５°以内とすることを特徴とするエ
ピタキシャル成長用サセプター〇 第１因 第２図
持＾と共に炉芯管内に挿置した組立俸の断面図、第２図
にサセプターの他の実施例を使用した場合の断面図であ
る。 １・・・サセプター ２・・・保持具 ３・・・シ
リコンウェハー ４・・・凹凸部 ５・・・炉芯管
６・・・誘導加熱装置 発明者 保科膀見 発明者 山崎 拓 出願人 東芝セラミ、ツクス休式会社手続補正書（自
発） ９和５７年 ４月 ９日 特許庁長官島田春樹殿 ｌ、事件の表示 昭和５６年特 許原第１６４６１２号 ２発明の名称 エピタキシャル成長用サセプター ３６ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号氏
名（名称）東芝セラミックス株式会社４・代理人 〒
１０３ ６、 補正により増加する発明の数 １４１許請求の範囲を別紙の通９補正する。 ２ 明細書側２１１２行０中「単にディスクタイプ」と
あるのを、「単にバレルタイプ」と補正する０ ３、明細書第２１１第１６行乃至第１７行を削除し。 次の文を加入する。 「本発明は、ウェハーの処理枚数を多くする場合に生ず
為加熱ムラ、ガスの」 ４ 明韻書１ｉ１１２−第１９行及び第２（１行目中の
「両側に」を削除する。 ５、 明細書ＩＥ３ｍｌ第２行目中、「によって・・・
」を「の両側Ｋ」と補正する。 ６、 明細書第３酉第４行目を削除し、「シた支柱タイ
プとも言うべきものである。」を加入する。 ７、 明細書第３ｗ第５行目中、「即ち」を削除し、「
たとえば」を加入する。 ＆ 明細書筒４ ”＄１１第１行目中、「ターを左右両
面」とあるのを「ターを支柱の左右両面」と補正する０ ９、 明細書’ｊｍ４１ｉｔｌＬ１（Ｓ行目中、「誘導
」をＰＡ除する０ １０．明細書第５−第３行目中、「第２図は」とあるの
を、ｒｇ２図及び第３図杜」と補正する。 １１、明細書第５１１ｇ１４行０中、「ホリゾンタルタ
イプ”の」を削除する。 １２、、明細書第６ｗ第２行目中、「第２図はサセプタ
ーの他の実施例を」とあるのを、［第２図表び第３図は
サセプターを他の実施例で」と補正する。 １３、明細書第６１１第６行目中、「誘導」を特徴する 特許請求の範囲 炉芯管底面に対しほぼ垂直な支柱の両側にサセプターを
保持させ、且つ該サセプターの凹凸部内のウェハーの傾
斜角度全垂直に対し５°以内とすることを特徴とするエ
ピタキシャル成長用サセプター〇 第１因 第２図
Claims (1)
- 両側にクエ・バーを炉芯管底面に対しほぼ！ｉｉ［な支
柱によりて保持させ、且つ該サセプターの凹凸部内のウ
ェハーの傾斜角度を垂直に対し５＠以内とすることを特
徴とするエピタキシャル成長用サセプター０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16461281A JPS5866325A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | エピタキシヤル成長用サセプタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16461281A JPS5866325A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | エピタキシヤル成長用サセプタ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866325A true JPS5866325A (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=15796492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16461281A Pending JPS5866325A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | エピタキシヤル成長用サセプタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866325A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61116822A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-06-04 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS62500624A (ja) * | 1984-10-19 | 1987-03-12 | テトロン・インコ−ポレ−テッド | 半導体ウェ−ハ処理のためのリアクタ−装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4854868A (ja) * | 1971-11-10 | 1973-08-01 |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP16461281A patent/JPS5866325A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4854868A (ja) * | 1971-11-10 | 1973-08-01 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61116822A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-06-04 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS62500624A (ja) * | 1984-10-19 | 1987-03-12 | テトロン・インコ−ポレ−テッド | 半導体ウェ−ハ処理のためのリアクタ−装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102715683B1 (ko) | 에피택셜 성장 장치를 위한 챔버 컴포넌트들 | |
| JP5386046B1 (ja) | サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置 | |
| CN100594261C (zh) | 气相生长装置用基座 | |
| JP3336897B2 (ja) | 気相成長装置用サセプター | |
| JP5602903B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
| JP4592849B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| CN105063746A (zh) | 通过晶片承载器温度偏置来改变晶片表面温度的系统和方法 | |
| US20160068996A1 (en) | Susceptor and pre-heat ring for thermal processing of substrates | |
| US20030075274A1 (en) | Wafer support system | |
| CN106463453A (zh) | 在化学气相沉积反应器中的基座的设计 | |
| JP2023025016A (ja) | サセプタ支持体 | |
| JPH0758039A (ja) | サセプタ | |
| TWI812377B (zh) | 一種用於矽片的外延生長的基座支撐架、裝置及方法 | |
| JP3004846B2 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
| JP6115445B2 (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JPS5866325A (ja) | エピタキシヤル成長用サセプタ− | |
| JP6749295B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
| CN109881186A (zh) | 一种用于cvd设备中对衬底进行高温加热的装置 | |
| JP6198584B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
| JP6309252B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
| JP3853453B2 (ja) | 気相成長用縦型サセプター | |
| TWM632542U (zh) | 晶圓托盤及化學氣相沉積設備 | |
| JPH01313925A (ja) | 縦型エピタキシャル装置用サセプター | |
| JPH0268922A (ja) | 気相成長用サセプタ | |
| JPH03246931A (ja) | サセプタ |