JPH01313925A - 縦型エピタキシャル装置用サセプター - Google Patents
縦型エピタキシャル装置用サセプターInfo
- Publication number
- JPH01313925A JPH01313925A JP14602288A JP14602288A JPH01313925A JP H01313925 A JPH01313925 A JP H01313925A JP 14602288 A JP14602288 A JP 14602288A JP 14602288 A JP14602288 A JP 14602288A JP H01313925 A JPH01313925 A JP H01313925A
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- Japan
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- upper layer
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェーハ上にエピタキシャル成長を施
す縦型エピタキシャル装置に用いられるサセプターに関
する。
す縦型エピタキシャル装置に用いられるサセプターに関
する。
（従来の技術）
縦型エピタキシャル装置は、通常、第３図に示すように
、半導体クエーへ１を載置する円板状のサセプター２を
ペルジャー３内に水平に納置し、かつサセプター２をそ
の下方に配置した渦巻き状の高周波コイル４により誘導
加熱し、サセプター２の中央部を挿通したガス管５の上
端から反応ガスを半導体ウェーハ１に供給する構造に設
けられている。
、半導体クエーへ１を載置する円板状のサセプター２を
ペルジャー３内に水平に納置し、かつサセプター２をそ
の下方に配置した渦巻き状の高周波コイル４により誘導
加熱し、サセプター２の中央部を挿通したガス管５の上
端から反応ガスを半導体ウェーハ１に供給する構造に設
けられている。
従来、上記サセプター２は、黒鉛を基材にしＣＶＤ法に
よりＳＩＣを被覆したものが一般的で、中央にガス管５
を挿通する孔６を備えた円板状に設けられている。
よりＳＩＣを被覆したものが一般的で、中央にガス管５
を挿通する孔６を備えた円板状に設けられている。
〔発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来のサセプター２によれば、高温
時に温度が均一になるよう高周波コイル４の調整がなさ
れるが、この場合、昇温時にサセプタ−２外周部が中央
部に比して加熱され過ぎる問題があった。
時に温度が均一になるよう高周波コイル４の調整がなさ
れるが、この場合、昇温時にサセプタ−２外周部が中央
部に比して加熱され過ぎる問題があった。
そこで、本発明は、昇温時における周辺部の加熱過ぎを
防止し得る縦型エピタキシャル装置用サセプターの提供
を目的とする。
防止し得る縦型エピタキシャル装置用サセプターの提供
を目的とする。
（課題を解決するための手段）
前記課題を解決するため、本発明は、上層側の熱膨張率
を下層側より大きくした複数構造とし、高温で平面をな
すよう常温において上層側に湾曲させたものである。
を下層側より大きくした複数構造とし、高温で平面をな
すよう常温において上層側に湾曲させたものである。
上記手段によれば、昇温時に高周波コイルと周辺部との
距離が高周波コイルと中央部との距離より大きくなり、
周辺部の加熱過ぎが防止される。
距離が高周波コイルと中央部との距離より大きくなり、
周辺部の加熱過ぎが防止される。
高温安定加熱時には、周辺部及び中央部と高周波・コイ
ルとの距離が適正になり、各部の表面温度が均一となる
。
ルとの距離が適正になり、各部の表面温度が均一となる
。
以下、本発明の一実施例を′ｓ１図、第２図と共に説明
する。
する。
図中１０は黒鉛を基材とする２暦構造の縦型エピタキシ
ャル装置用サセプターで、半導体クエーへ１１が載置さ
れる上部層１０ａの熱膨張係数を、渦巻き状の高周波コ
イル１２側の下部層ｔａｂの熱膨張係数より大きくし、
かつ高温安定加熱時（第２図参照）で平面をなすよう常
温及び昇温時（第１図参照）において上部層１０ａ側に
湾曲させた円板状に設けられている。サセプター１０の
中央には、ガス管（図示せず）を挿通する孔１３が設け
られており、かつサセプター１０の表面は、ＣＶＤ法に
よるＳｔＣの被膜（図示せず）で覆われている。
ャル装置用サセプターで、半導体クエーへ１１が載置さ
れる上部層１０ａの熱膨張係数を、渦巻き状の高周波コ
イル１２側の下部層ｔａｂの熱膨張係数より大きくし、
かつ高温安定加熱時（第２図参照）で平面をなすよう常
温及び昇温時（第１図参照）において上部層１０ａ側に
湾曲させた円板状に設けられている。サセプター１０の
中央には、ガス管（図示せず）を挿通する孔１３が設け
られており、かつサセプター１０の表面は、ＣＶＤ法に
よるＳｔＣの被膜（図示せず）で覆われている。
ここで、直径７０５ｍｍ、上部層を熱膨張率５、ＯＸ
１０−’／ｌ：の黒鉛により厚さ８ＩＩＩＩ＋１下部層
を熱膨張率４．８Ｘ １０−’／’ｅの黒鉛により厚さ
１０ｍａ＋とじた２層構造とし、かつ常温において最外
側が中心より２ｍｍ高くなるように湾曲したサセプター
を１２００℃まで昇温（昇温速度３℃／５ｅＣ）シたと
ころ、中央が９００℃の際、周辺が９１０℃で、中央と
周辺の温度差が１０℃であった。
１０−’／ｌ：の黒鉛により厚さ８ＩＩＩＩ＋１下部層
を熱膨張率４．８Ｘ １０−’／’ｅの黒鉛により厚さ
１０ｍａ＋とじた２層構造とし、かつ常温において最外
側が中心より２ｍｍ高くなるように湾曲したサセプター
を１２００℃まで昇温（昇温速度３℃／５ｅＣ）シたと
ころ、中央が９００℃の際、周辺が９１０℃で、中央と
周辺の温度差が１０℃であった。
従来のサセプターを使用した場合、同一条件で中央と周
辺の温度差が３００℃以上であったから、上記サセプタ
ーによれば、昇温時における周辺部の加熱過ぎを大幅に
低減できることがわかる。
辺の温度差が３００℃以上であったから、上記サセプタ
ーによれば、昇温時における周辺部の加熱過ぎを大幅に
低減できることがわかる。
なお、上記実施例では、２層構造とした場合について述
べたが、これに限らず上層側の熱膨張率が大きくなるよ
うにした３層以上の構造としてもよい。
べたが、これに限らず上層側の熱膨張率が大きくなるよ
うにした３層以上の構造としてもよい。
以上のように本発明によれば、昇温時に高周波コイルと
周辺部との距離が高周波コイルと中央部との距離より大
きくなるので、周辺部の加熱過ぎを防止することができ
、高温安定加熱時には、周辺部及び中央部と高周波コイ
ルとの距離が適正になり、各部の表面温度が均一となる
。
周辺部との距離が高周波コイルと中央部との距離より大
きくなるので、周辺部の加熱過ぎを防止することができ
、高温安定加熱時には、周辺部及び中央部と高周波コイ
ルとの距離が適正になり、各部の表面温度が均一となる
。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す縦型エピタ
キシャル装置用サセプターの常温時及び高温安定加熱時
における半裁断面側面図及び側断面図、第３図は縦型エ
ピタキシャル装置の概念図である。 １０・・・サセプター １０ａ”・上部層１０ｂ−・
・下部層 出 願 人 東芝セラミックス株式会社第１図 第２図 第３図
キシャル装置用サセプターの常温時及び高温安定加熱時
における半裁断面側面図及び側断面図、第３図は縦型エ
ピタキシャル装置の概念図である。 １０・・・サセプター １０ａ”・上部層１０ｂ−・
・下部層 出 願 人 東芝セラミックス株式会社第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）上層側の熱膨張率を下層側より大きくした複数層
構造とし、高温で平面をなすよう常温において上層側に
湾曲させたことを特徴とする縦型エピタキシャル装置用
サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14602288A JPH07118465B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 縦型エピタキシャル装置用サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14602288A JPH07118465B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 縦型エピタキシャル装置用サセプター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313925A true JPH01313925A (ja) | 1989-12-19 |
| JPH07118465B2 JPH07118465B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=15398329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14602288A Expired - Lifetime JPH07118465B2 (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | 縦型エピタキシャル装置用サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118465B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589003A (en) * | 1996-02-09 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Shielded substrate support for processing chamber |
| US5959409A (en) * | 1994-03-15 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method protecting such heated metal surfaces |
| KR100520914B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2005-10-11 | 도시바세라믹스가부시키가이샤 | 웨이퍼처리부재 |
| CN106057724A (zh) * | 2015-04-07 | 2016-10-26 | 胜高股份有限公司 | 基座、气相生长装置、气相生长方法及外延硅晶片 |
| EP3078762A3 (en) * | 2015-04-07 | 2017-03-22 | Sumco Corporation | Susceptor, vapor deposition apparatus, vapor deposition method and epitaxial silicon wafer |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP14602288A patent/JPH07118465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959409A (en) * | 1994-03-15 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method protecting such heated metal surfaces |
| US5589003A (en) * | 1996-02-09 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Shielded substrate support for processing chamber |
| KR100520914B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2005-10-11 | 도시바세라믹스가부시키가이샤 | 웨이퍼처리부재 |
| CN106057724A (zh) * | 2015-04-07 | 2016-10-26 | 胜高股份有限公司 | 基座、气相生长装置、气相生长方法及外延硅晶片 |
| JP2016201528A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 株式会社Sumco | サセプタ、気相成長装置、気相成長方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ |
| EP3078762A3 (en) * | 2015-04-07 | 2017-03-22 | Sumco Corporation | Susceptor, vapor deposition apparatus, vapor deposition method and epitaxial silicon wafer |
| KR20180053628A (ko) * | 2015-04-07 | 2018-05-23 | 가부시키가이샤 사무코 | 서셉터, 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법 |
| CN106057724B (zh) * | 2015-04-07 | 2019-09-27 | 胜高股份有限公司 | 基座、气相生长装置、气相生长方法及外延硅晶片 |
| US10490437B2 (en) | 2015-04-07 | 2019-11-26 | Sumco Corporation | Susceptor, vapor deposition apparatus, vapor deposition method and epitaxial silicon wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118465B2 (ja) | 1995-12-18 |
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