JPS5866372A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
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- JPS5866372A JPS5866372A JP56165024A JP16502481A JPS5866372A JP S5866372 A JPS5866372 A JP S5866372A JP 56165024 A JP56165024 A JP 56165024A JP 16502481 A JP16502481 A JP 16502481A JP S5866372 A JPS5866372 A JP S5866372A
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- JP
- Japan
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- pellet
- reflector
- lead
- light emitting
- emitting diode
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
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- H—ELECTRICITY
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- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高輝度化を計ることができる。@光ダイオー
ドに関する。
ドに関する。
従来、GmP、θ暑ムsr、Gsムs P/G a P
などの化合物半導体よりなるLIDランプの構造の代表
的な例を第1図に示す。図において、11はリードフレ
ームである。このリードフレーム11はCu系や、re
系の金属板をプレス加工などC二よりリードフレーム状
としムgメッキなどにより表面被鏝を行なっている。上
記リードフレームJ1の先端部の凹部、つまり反射皿部
12に上記化合物半導体よりなる発光ダイオードペレッ
ト1′I導電1性エポキシやろう材14などで固着(マ
クント)する。そして、上記ベレットJ3の電極とリー
ドフレーム(アノード側)を20〜30μφ程度のムU
やムjなどの金−細@15でボンディングする。そして
、上記半蜆品をエポキシなどの透明、もしくは半透明の
樹l@1g−T成麿封止し、ペレッ)1j及び金属線@
15を保護すると共電=用途に応じた形状(例えば先端
がV−ム状のレンズ、O角、Δ臘。
などの化合物半導体よりなるLIDランプの構造の代表
的な例を第1図に示す。図において、11はリードフレ
ームである。このリードフレーム11はCu系や、re
系の金属板をプレス加工などC二よりリードフレーム状
としムgメッキなどにより表面被鏝を行なっている。上
記リードフレームJ1の先端部の凹部、つまり反射皿部
12に上記化合物半導体よりなる発光ダイオードペレッ
ト1′I導電1性エポキシやろう材14などで固着(マ
クント)する。そして、上記ベレットJ3の電極とリー
ドフレーム(アノード側)を20〜30μφ程度のムU
やムjなどの金−細@15でボンディングする。そして
、上記半蜆品をエポキシなどの透明、もしくは半透明の
樹l@1g−T成麿封止し、ペレッ)1j及び金属線@
15を保護すると共電=用途に応じた形状(例えば先端
がV−ム状のレンズ、O角、Δ臘。
6置−など)を形づ(る、さらに、リードの半田付き性
を同上させたり防錆の目的で半田浸漬や、半田系の金属
のメッキ(錫メツ4キも含む)などの方法でリードフレ
ーム11に金属一種層17を形成していた。また、s2
図は第1i23に示した発光ダイオードの斜視図である
。
を同上させたり防錆の目的で半田浸漬や、半田系の金属
のメッキ(錫メツ4キも含む)などの方法でリードフレ
ーム11に金属一種層17を形成していた。また、s2
図は第1i23に示した発光ダイオードの斜視図である
。
しかし、従来の発光ダイオ−、ドの反射体は小さいため
、さらに高輝度の発光ダイオードとするためにはさらに
大きな反射体を設ける必要が生じている。
、さらに高輝度の発光ダイオードとするためにはさらに
大きな反射体を設ける必要が生じている。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、高輝度化
を針ることかできる発光ダイオードを提供することにあ
る。
を針ることかできる発光ダイオードを提供することにあ
る。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第3図において、11m、21bはリードフレームであ
る。そして、リードフレーム21aの先端部C二Li1
lDペレット22が4鴫性エポキシ23などでマクント
され、Li!Dベレット22の電極とリードフレームj
fbの先端とを20〜30μ襲φのAMなどの金属細繊
24でボンディングされている。そして、このLgDベ
レット22″Ik:含むリード先端部を囲むようシ;反
射体25を装置させ、リードフシーム111m、21b
、反射体25を一体化させるように、また、LWDベレ
ット22、曽鵬#4A繊24などを保護するように、光
透過性樹脂26で封止成証された構造となっている。こ
こで、反射体25は白色樹脂例えばPBTやムC8、シ
リコーン樹脂などの比較的耐熱性の高い樹脂などが良い
、また、樹脂に限らず放熱、機械的強度を強化する場合
は金属反射体でも良い。このように発光部であるLID
ベレット12を包囲して反射壁を形成することにより、
発光効率を同上させることができ高輝度化が可能となる
。
る。そして、リードフレーム21aの先端部C二Li1
lDペレット22が4鴫性エポキシ23などでマクント
され、Li!Dベレット22の電極とリードフレームj
fbの先端とを20〜30μ襲φのAMなどの金属細繊
24でボンディングされている。そして、このLgDベ
レット22″Ik:含むリード先端部を囲むようシ;反
射体25を装置させ、リードフシーム111m、21b
、反射体25を一体化させるように、また、LWDベレ
ット22、曽鵬#4A繊24などを保護するように、光
透過性樹脂26で封止成証された構造となっている。こ
こで、反射体25は白色樹脂例えばPBTやムC8、シ
リコーン樹脂などの比較的耐熱性の高い樹脂などが良い
、また、樹脂に限らず放熱、機械的強度を強化する場合
は金属反射体でも良い。このように発光部であるLID
ベレット12を包囲して反射壁を形成することにより、
発光効率を同上させることができ高輝度化が可能となる
。
また、反射体z5は第3図に示したように側面部の下部
を突出しており、フランジ部11状にすること書−より
収り付けなどの簡便化にも役立つことができる。上記フ
ランジ部11は反射体J5の位置決め(二重要な役割を
もつ。
を突出しており、フランジ部11状にすること書−より
収り付けなどの簡便化にも役立つことができる。上記フ
ランジ部11は反射体J5の位置決め(二重要な役割を
もつ。
つまり、この反射体25の樹脂26内への封入は第5図
のように成形[JJの中に反射体25を差し込む。そし
て、反射体25を含む成形gllの内部にailjiJ
zを注入し、リードフレーム11を挿入し、鵬処通晶;
より樹脂Jk硬化させることによりLjilDが製造さ
れる。
のように成形[JJの中に反射体25を差し込む。そし
て、反射体25を含む成形gllの内部にailjiJ
zを注入し、リードフレーム11を挿入し、鵬処通晶;
より樹脂Jk硬化させることによりLjilDが製造さ
れる。
また、上記反射体25を成形11iJJに差し込む際フ
ランジs22は成形型3,1の上部で止まり反射体の位
置決めのために重要である。
ランジs22は成形型3,1の上部で止まり反射体の位
置決めのために重要である。
このようなフランジVの凸部により再現性の良い製品を
提供することが可・能となる。
提供することが可・能となる。
以上詳−述したようにこの発明によれば、反射体を従来
より大きくできるため高輝開化を計れる発光ダイオード
を提供することができる。
より大きくできるため高輝開化を計れる発光ダイオード
を提供することができる。
第1図は従来の発光ダイオードの断面図、第一ドの断面
図、第◆図は製造方法を示す図である。 :t1m、21b・・・リードフレーム、22・・・L
IADf&レット、23・・・−#電性エポキシ、24
・・・金属a繊、27・・・フランジ部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図
図、第◆図は製造方法を示す図である。 :t1m、21b・・・リードフレーム、22・・・L
IADf&レット、23・・・−#電性エポキシ、24
・・・金属a繊、27・・・フランジ部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 0) 発光ダイオードベレット、をマクントしたリード
と、゛リードの先端部を包囲する球状の光透過性樹脂外
囲器と、リードの先端部近傍の外囲器側面に被着され、
且つ内面球状の一部を形成する反射体とを具備したこと
を特徴とする発光ダイオード。 伐) 上記反射体の少なくと°も一部が外S!の胴体部
より突出したフランジ部であることv4I黴とする特許
請求の範囲第1項記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165024A JPS5866372A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165024A JPS5866372A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866372A true JPS5866372A (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=15804390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165024A Pending JPS5866372A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866372A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234478A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2005215220A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 光モジュール |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP56165024A patent/JPS5866372A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234478A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2005215220A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 光モジュール |
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