JPS5866735U - 半導体開閉装置 - Google Patents

半導体開閉装置

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JPS5866735U
JPS5866735U JP16073281U JP16073281U JPS5866735U JP S5866735 U JPS5866735 U JP S5866735U JP 16073281 U JP16073281 U JP 16073281U JP 16073281 U JP16073281 U JP 16073281U JP S5866735 U JPS5866735 U JP S5866735U
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JP
Japan
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gate
thyristor
current
transistor
base
Prior art date
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Application number
JP16073281U
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JPS623943Y2 (ja
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林　泰英
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Meidensha Corp
Original Assignee
Meidensha Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は増幅ゲート構造のサイリスタ回路図、第２図は
トランジスタによる増幅ゲート構成図、第３図は従来の
サイリスクのゲート制御回路図、第４図は第３図の動作
波形図、第５図はスパイク電圧抑制を施した回路図、第
６図は本考案の一実施例を示す回路図、第７図、第８図
及び第９図は第６図の動作を説明するための各部波形図
、第１０図は本考案の他の実施例を示す回路図、第１１
図は第１０図におけるスパイク電圧変化を示す波形図で
ある。 ＴＨ・・・ＧＴＯサイリスタ、Ｑ・・・トランジスタ、
Ｇｏｎ・・・オンゲート回路、ＧＯｆｆ・・・オフゲー
ト回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 主スィッチになるゲートターンオフサイリスタと、コレ
    クタが上記サイリスタのアノードに接続されベースがベ
    ース電流の順方向になるダイオードを介して該サイリス
    タのゲートに接続されエミッタがオンゲート電流の順方
    向になるダイオードを介して該サイリスクのゲートに接
    続されるトランジスタと、上記サイリスタのカソードに
    対して上記トランジスタのベースに正極性のオンゲート
    電流を供給するオンゲート回路と、上記サイリスタのカ
    ソードに対して上記トランジスタのエミッタに負極性の
    オフゲート電流を供給するオフゲート回路とを備えたこ
    とを特徴とする半導体開閉装置。
JP16073281U 1981-10-28 1981-10-28 半導体開閉装置 Granted JPS5866735U (ja)

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JP16073281U JPS5866735U (ja) 1981-10-28 1981-10-28 半導体開閉装置

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JP16073281U JPS5866735U (ja) 1981-10-28 1981-10-28 半導体開閉装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5866735U true JPS5866735U (ja) 1983-05-06
JPS623943Y2 JPS623943Y2 (ja) 1987-01-29

Family

ID=29953120

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JP16073281U Granted JPS5866735U (ja) 1981-10-28 1981-10-28 半導体開閉装置

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JPS623943Y2 (ja) 1987-01-29

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