JPS586793B2 - 光沢パラジウム電気メツキ浴 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパラジウムを電気メッキする技術に関する、こ
の目的には、多数のメッキ浴が提案された。

代表的浴は、たとえば米国特許第３５８０８２０号、第
３９３３６０２号、および第３９７２７８７号に開示さ
れている。

前記の特許は、たとえば、パラジウム ジーまたはテト
ラーアミン ハロゲン化物、パラジウムー尿素 亜硫酸
塩錯化物、パラジウム ジ亜硝酸塩錯化物、パラジウム
テトラミン亜硝酸塩または硫酸塩錯化物またはパラジウ
ムアミン亜硫酸塩錯化物を含む系が述べられている。

望ましいことは、パラジウムの光沢を改良することであ
る。

ｍた望ましくは、通常アルカリ性条件下で通常受動化さ
れている鉄、コバルトまたはニッケル基質上の光沢メッ
キに使用できるパラジウム電気メッキ浴を技術的に利用
することである。

今回、浴の田値を４．５〜１２に調節すれば、可溶性パ
ラジウム塩としての形態のパラジウム、第１種光沢剤お
よび第２種有機光沢剤を含む水性浴から、パラジウムの
光沢メッキ層が得られることが発見されたのである。

パラジウムは、本発明の電気メッキ浴になんらかの電着
可能の形で供給される。

浴の安定性は、尿素またはアミン錯化物のような２価パ
ラジウム錯化物を使用すれば改善される。

適当な実例は、塩化物、亜硝酸塩または亜硫酸塩を有す
るパラジウム アミン錯化物である。

メッキ浴のパラジウム含有量は０．１〜５ ０ｇ／ｌの
範囲内にある。

ストライクメッキを得るためには、１〜５ｇ／ｌの濃度
が好１しくは約１０ｇ／ｌである。

第１種と第２種ニッケル光沢剤とは、Ｆ．Ａ．Ｌｏｗｅ
ｎｈｅｉｍ著：Ｍｏｄｅｒｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔ
ｉｎｇ第２版、１９６３年発行、２７２ページおよびＭ
ｅｔａｌ Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ Ｇｕｉｄｅｂｏｏｋ＆
Ｄｉｒｅｃｔｏｒｙ４２版１９７４年発行、３５８ペー
ジに述べられている。

この第１種光沢剤は、不飽和結合がスルホン基に関して
α−またはβ一位置にある一般的に不飽和スルホン化化
合物である。

これら化合物は式： Ａ．−ＳＯ３−Ｂ を有し、式中のＡ４は置換普たは非置換アリルまたはア
ルキル基で、Ｂは、アルカリ金属、アンモニウムまたは
アミンであるＭまたは炭素原子６個以下のアルキル基で
あるＲを有する−ＯＨ，−ＯＲ、−ＯＭ、−ＮＨ２、＞
ＮＨ、−Ｈ、−Ｒである。

第２種有機光沢剤は、一般に不飽和またはカルボニル有
機化合物である。

実例は＞Ｃ＝Ｏ、＞Ｃ＝Ｃ＜、一Ｃ≡Ｎ，＞Ｃ＝Ｎ−、
一Ｃ≡Ｃ一、＞Ｎ−Ｃ＝Ｓ、−Ｎ＝Ｎ一を含む化合物で
ある。

この種化合物は、上記のＭｅｔａｌ Ｆｉｎｉｓｈｉｎ
ｇＧｎｉｎｄｅｂｏｏｋの３６０ページに表示してある
。

個々の光沢剤濃度は０．００１〜２５ｇ／ｌの範囲にあ
る。

いくつかの化合物が第１種および第２種光沢剤両者の記
述中にみとめられる。

これら化合物は、単独でも使用できるが、どちらかの種
類の第２の異種化合物を使用するとき、特に改良された
成果が得られる。

電気メッキ溶液のｐＨは、安定性の問題を回避するため
に、４．５〜１２の値を保持しなければならぬ。

特に約６．５の値が望ましいストライクメッキには、約
４．５〜７．０の値が選ばれる。

通常の電気メッキ用には約７〜１０が好ましく、約８．
０〜９．０の値が現在は最適である。

ＰＨ値の調節には、水酸化アンモニウムまた塩酸のよう
にこの目的に通常用いられる非反応性の酸または塩基を
加えて行なう。

水酸化アンモニウムを使用すると、バラジウム アミン
錯化物の安定性促進を助け、一方塩酸は溶液電導度を高
め、それによって陰極における水素発生を極少化する。

他の通常使用される無害ｐＨ調節剤もまた利用できるが
、前者のほうが、その二重機能の故に望ましいものであ
る。

陰極の水素形成見込をさらに減少させるために、一般に
電導性塩の附加量を含１せることか望ましい。

パラジウム電気メッキに正規に用いる通常使用されると
の電導性塩類でも、本発明の浴に使用できるが、現在好
ましい電導塩は、塩化アンモニウムである。

また、塩化物陰イオンは、溶液の電導度を改善するのに
、アンモニウムの存在はパラジウム アミン錯化物の安
定性を高める。

附加化合物として、部分中和リン酸塩化合物のようなも
のが、それらの電導性と緩衝性のために使用できる。

特別に有効と判明した一つの化合物はアンモニウム １
水素リン酸塩である。

本発明の浴は、また金属光沢剤およびキレート要素のよ
うな添加剤を含１せて改造できる。

適肖な金属光沢剤は、カドミウム、銅、ガリウム、イン
ジウム、テルリウム、ヒ素、および亜鉛である。

適当なキレート剤または封鎖剤には、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ
．およびこはく酸のようなカルボン酸キレート剤とリン
酸キレート剤とが含まれる。

ジエチレン トリアミンのようなポリアルキル ポリア
ミンは同様に添加できる。

パラジウム浴の温度は室温から約１６０°Ｆ（約７１．
７℃）の間に保持されねばならぬ。

好ましい温度は正規には、過剰アンモニアが溶液から放
出するのをさけるために、１３０’Ｆ（５４．４℃）で
あろう。

電流密度は０．１〜５０アンペア／平方フート（０．０
１〜５．３７Ａ／ｄｍ２）が適当である。

引掛けメッキには、５〜１５アンペア／平方フート（約
０．５５〜１．６５Ａ／ｄｍ２）好ましくは１０アンペ
ア／平方フート（約１．１Ａ．／ｄｍ２）の電流密度が
使用できる。

バレルメッキには、適当範囲は０．５〜３アンペア／平
方フート（約０．０５〜０，３３Ａ／ｄｍ２）である。

応力の小さいメッキ層を望むならば、スルファム酸、そ
の塩類または誘導体のような通常の応力減少剤が使用で
きる。

１００ｇ／ｌまでの濃度が適しているが、好１しい濃度
は２５〜７５ｇ／１である。

次の実施例が本発明の利点をさらに十分に例証するに役
立つであろう。

実施例 １ パラジウム電気メッキ浴は次のように調製される。

成 分 濃度（ｇ／ｌ）ＥＤＴＡ．
２０（ＮＨ４）２ＨＰ
Ｏ４ｓ ｏ Ｎａ２Ｓ０３ ２８Ｐｄ，
Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃ１２として １０第１種光沢
剤 ０００５→２第２種 １／
０．００５→２浴の世は８．５〜９の間に
保持し、メッキは黄銅パネル上に温度１２０下（約４８
．９℃）、電流密度５アンペア／平方フート（約０．５
５Ａ．／ｄｍ２）にて行なった。

光沢剤がどちらも不在の場合、僅かにかすみのかかった
メッキ層しか得られなかった。

使用した第１種光沢剤はメチレンービス（ナフタリン、
ナトリウム スルホン酸塩）であり、第２種光沢剤はベ
ンズアルデヒド−Ｏ−ナトリウム スルホン酸塩であっ
た。

第１種光沢剤は最初に加えられ、２ｇ／ｌまでの濃度で
はずっと効果がなかった。

２ｇ／ｌの第１種光沢剤によって、半光沢性状の改良さ
れたメッキ層が第２光沢剤０．０２ｇ／ｌの共存で得ら
れ、かつ光沢メッキ層が０．３７〜２．０ｇ／ｌの間で
得られた。

類似した結果が、第２光沢剤として２−ブテンー１，４
−ジオールを使用するとき得られた。

実施例 ２ 次のパラジウムメッキ浴は、次のとおりつくられた。

成 分 濃度（ｇ／ｌ）ＥＤＴＡ．
３０Ｐｄ，Ｐｄ（ＮＨ
３）２Ｃｌ２として １０第１種光沢剤
０．０５第２種光沢剤 ０
．０００５〜０．０４実施例１の条件下にて、光沢メッ
キ層は再び両光沢剤を添加することによって得られた。

第１種光沢剤は、実施例１の場合と同一物であったが、
第２種光沢剤は２−ブチンー１，４ジオールが使用され
た。

類似した結果が、アリルスルホン酸塩とエトキシ化ブチ
ンジオールを２−ブチンー１，４−ジオールに置換えた
ときに得られた。

実施例 ３ 別のパラジウムメッキ浴が次のように調製された。

成 分 濃度（ｇ／ｌ）ＥＤＴＡ
３０（ＮＨ４）２ＨＰＯ４
７５Ｐｄ，Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃ
１２として １０第１種光沢剤
０．０５第２種ｔｔ ０．００
０４〜０．０５第１種光沢剤は実施例１の場合と同一で
、第２種光沢剤は２−ブテンー１，４−ジオールであっ
た。

実施例１の条件下で、光沢メッキ層が得られたが、光沢
剤なしではかすみのあるメッキ層が得られた。

これ以上の実施例中で、ナトリウム ベンゼンスルホン
酸塩、ベンゼン スルファミドおよびフェノールスルホ
ン酸のような第１種光沢剤が使用され、一般に類似した
結果を生じた。

前記実施例１，２および３において、ＥＤＴＡ．を加え
ないそれぞれのパラジウムメッキ浴についても、実験が
行なわれた。

ＥＤＴＡ．以外の成分および実験方法はそれぞれの実施
例と同じにした。

これら実験の結果は、ＥＤＴＡ．を加えた前記実施例１
，２および３と同様に光沢メッキ層が得られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 可溶性パラジウム塩としてのパラジウムの０．１〜
   ５０ｇ／ｌと、メチレンビス（ナフタリンナトリウム
   スルホン酸塩）、ナトリウム ベンゼン スルホン酸塩
   、ベンゼン スルホンアミド、およびフェノールースル
   ホン酸からなる群から選ばれた第１種光沢剤の０．００
   ０１〜２５ｇ／ｌと、ベンズアルデヒド−Ｏ−ナトリウ
   ム スルホン酸塩、２ブチンー１，４−ジオール、２ブ
   テンー１，４−ジオールおよびアリルスルホン酸塩から
   なる群から選ばれた第２種有機光沢剤の０．０００１〜
   ２５ｇ／ｌとから本質的になり、かつ４．５〜１２のｐ
   Ｈ値を示す安定な水性電気メッキ浴。 ２ 可溶性パラジウム塩としてのパラジウムの０．１〜
   ５０ｇ／ｌと、メチレンビス（ナフタリンナトリウム
   スルホン酸塩）、ナトリウム ベンゼン スルホン酸塩
   、ベンゼン スルホンアミド、およびフェノールースル
   ホン酸からなる群から選ばれた第１種光沢剤の０．００
   ０１〜２５ｇ／ｌと、ベンズアルデヒド−Ｏ−ナトリウ
   ム スルホン酸塩、２ブチンー１，４−ジオール、２ブ
   テンー１，４−ジオールおよびアリルスルホン酸塩から
   なる群から選ばれた第２種有機光沢剤の０．０００１〜
   ２５ｇ／ｌとから本質的になり、かつ４．５〜１２のｐ
   Ｈ値を示す安定な水性電気メッキ浴であって、浴中に、
   ５ｇ／ｌから溶液の溶解限度量までの間存在するカルボ
   ン酸またはリン酸キレート剤からなる群から選ばれた少
   なくとも１種のキレート化剤または錯化剤が存在する電
   気メッキ浴。 ３ 少なくとも１種の導電性塩または緩衝塩を含む特許
   請求の範囲１に記載する電気メッキ浴。 ４ 可溶性パラジウム塩としてのパラジウムが塩化物、
   臭化物、亜硝酸塩または亜硫酸塩錯化物から選ばれたア
   ミン錯化物として２価の形で存在する特許請求の範囲１
   に記載する電気メッキ浴。