JPS5868017A - 画像変換素子 - Google Patents
画像変換素子Info
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- JPS5868017A JPS5868017A JP16637181A JP16637181A JPS5868017A JP S5868017 A JPS5868017 A JP S5868017A JP 16637181 A JP16637181 A JP 16637181A JP 16637181 A JP16637181 A JP 16637181A JP S5868017 A JPS5868017 A JP S5868017A
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- crystal plate
- insulating layer
- refractive index
- crystal
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0338—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect structurally associated with a photoconductive layer or having photo-refractive properties
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
導電効用とを（Ｉｌｌ汀する結晶板を用いた画１象変換
素３ー 子に関する。
素３ー 子に関する。
インコヒーレント光によって画像情報全書みみ。
コヒーレント光を用いて書込んだ画像端・服ケ咬み出す
こトＶＣ．．Ｊ：Ｖ）、インコヒーレント自コヒーレン
ト変換ケ行なう上記形式の画像変換素子は従来より周知
である。
こトＶＣ．．Ｊ：Ｖ）、インコヒーレント自コヒーレン
ト変換ケ行なう上記形式の画像変換素子は従来より周知
である。
こσつ種の画像変換素子（以下，Ｉ’ｌ”Ｃ素子と言う
）においては、主としてスベノクルノイズヲ除去する目
的で、結晶板の各面ケ高稍度に光学研摩し、こｎをλ／
２乃至λ／１０（λは読出−亀の波長）程の平坦度に仕
ヒげるのが普通である。この場合、結晶板の両面が高精
度な平行性を有していると。
）においては、主としてスベノクルノイズヲ除去する目
的で、結晶板の各面ケ高稍度に光学研摩し、こｎをλ／
２乃至λ／１０（λは読出−亀の波長）程の平坦度に仕
ヒげるのが普通である。この場合、結晶板の両面が高精
度な平行性を有していると。
画像情報の読出しを行なう際、Ｉ ’］” Ｃ素子内で
読出光の一部が反射全繰返し、しかもこの読出光がコヒ
ーシンｌ−光であるｔめ，干渉縞が発生して１′１゛Ｃ
素子に書込捷れた画像情報を忠′欠に読出丁ことが困難
となる。
読出光の一部が反射全繰返し、しかもこの読出光がコヒ
ーシンｌ−光であるｔめ，干渉縞が発生して１′１゛Ｃ
素子に書込捷れた画像情報を忠′欠に読出丁ことが困難
となる。
本発明は上記招識に基きなさｆ＋−たものであり。
簡単な構成Ｖｒ：．．Ｊ：って干渉縞の発生金抑えるこ
との可能なＩ ’Ｊ’ Ｃ素子を提供することを目的と
する。
との可能なＩ ’Ｊ’ Ｃ素子を提供することを目的と
する。
４−
以下、従来の１’ＩＩ” Ｃ素子との比較において本発
明の有利な実施例を図面に従って説明する。
明の有利な実施例を図面に従って説明する。
第１図は本発明に係るＴ ’］” Ｃ素子の一例全示す
説明図であり，このＴ ’ｌ” Ｃ素子は、結晶板１と
。
説明図であり，このＴ ’ｌ” Ｃ素子は、結晶板１と
。
この結晶板ｌにおける互いに平行な各面２．３の外側（
Ｃ位置する絶縁層４，５と、該絶縁層４．５の外１１１
１１に設けら扛た透明電極６、７とを有している。結晶
板１としては、電気光学効果と，波長に依存する光導電
効果と全併有する結晶が用いられ，。
Ｃ位置する絶縁層４，５と、該絶縁層４．５の外１１１
１１に設けら扛た透明電極６、７とを有している。結晶
板１としては、電気光学効果と，波長に依存する光導電
効果と全併有する結晶が用いられ，。
特ニビスマスシリコンオキサイド（ Ｂｉ，、、 Ｓｉ
ｎ，、。）単結晶又げビスマスゲルマニウムオキサイド
（Ｂ’ Ｉ ２ Ｇｅ ０２ ｏ ）単結晶全有利に用
いることができる。
ｎ，、。）単結晶又げビスマスゲルマニウムオキサイド
（Ｂ’ Ｉ ２ Ｇｅ ０２ ｏ ）単結晶全有利に用
いることができる。
ｉ １ｃ各透明電極６．７は１例えば■ｎ２０３，Ｓｎ
Ｏ３，又はこ扛らの複合体等から成る薄膜から構成ζ几
る。
Ｏ３，又はこ扛らの複合体等から成る薄膜から構成ζ几
る。
第１図に示した絶縁ＩＰＪ４．５は、連結部８，９によ
って互いに一体的Ｃτ連結さ几ているが、公知の如く、
結晶板１の各面２、３の外（Ｉｌｌに位置する別個の絶
縁層を用いることもできる。本例における絶縁１＼り・
１，５は，光の透過全許容する透明物質、例えばポリパ
ラキンリレン等から構成さ几ている。
って互いに一体的Ｃτ連結さ几ているが、公知の如く、
結晶板１の各面２、３の外（Ｉｌｌに位置する別個の絶
縁層を用いることもできる。本例における絶縁１＼り・
１，５は，光の透過全許容する透明物質、例えばポリパ
ラキンリレン等から構成さ几ている。
第１図１における右側１の結晶板面３と、これに対向す
る絶縁層５との間には，本発明により、反射防止膜とし
ての用をな１第１の層１０が設けられ。
る絶縁層５との間には，本発明により、反射防止膜とし
ての用をな１第１の層１０が設けられ。
しかもその右方に位置する透明電極７の外（Ｉｌｌ而に
は、第２の層ｌ１が設けられている。本例における第１
層１０及び第２層１ｌも透明物質から構成され、その有
利な物質名は後（で例示する。
は、第２の層ｌ１が設けられている。本例における第１
層１０及び第２層１ｌも透明物質から構成され、その有
利な物質名は後（で例示する。
図示した結晶板ｌの各面２．３は互いに平行に形成さ几
、第１層１０、絶縁層５，透明電極７及び第２層１１も
互いに平行に延在する。
、第１層１０、絶縁層５，透明電極７及び第２層１１も
互いに平行に延在する。
上述の如く構成されたＴ Ｔ Ｃ素子全使用するには，
先ず電源＋２によって画策ｊｉ６，７に電圧を印加し，
結晶板１に電位勾配音生せしめる。次いで第１図におけ
る右側から（勿論左側からでもよい）、図示していない
結像光学系全通して，画像情報源からの書込み光”＋を
照射する。曹込み光１・。
先ず電源＋２によって画策ｊｉ６，７に電圧を印加し，
結晶板１に電位勾配音生せしめる。次いで第１図におけ
る右側から（勿論左側からでもよい）、図示していない
結像光学系全通して，画像情報源からの書込み光”＋を
照射する。曹込み光１・。
としては、結晶板が光導電効果を示す波長のインコヒー
レント光が用いられる。このように書込み光全照射丁れ
ば，画像情報の形態に応じて書込み光の当てらｎ，た結
晶板部分では間述の電位勾配は減少−［ろものσ）１先
の当てら才１．ないち６分では、電ｆｓ’を勾１？、
ＩＩ元の状態ケ維持するため、ＩＴＣ素子に所定の画像
昂’ｔ’ｆｔがＩ’Ｆム捷ｆＬる。尚、光伝導効果に工
り結晶板［りに′セフ１°したキャリヤが透明電極へ流
出１ろ（−とは、絶縁層・１．５によって阻ｌにさ才］
、ろ。
レント光が用いられる。このように書込み光全照射丁れ
ば，画像情報の形態に応じて書込み光の当てらｎ，た結
晶板部分では間述の電位勾配は減少−［ろものσ）１先
の当てら才１．ないち６分では、電ｆｓ’を勾１？、
ＩＩ元の状態ケ維持するため、ＩＴＣ素子に所定の画像
昂’ｔ’ｆｔがＩ’Ｆム捷ｆＬる。尚、光伝導効果に工
り結晶板［りに′セフ１°したキャリヤが透明電極へ流
出１ろ（−とは、絶縁層・１．５によって阻ｌにさ才］
、ろ。
：ＸＦ 込ｉ ｎ ；／ｊ １１４ｉ （’ｌ情’４１
ｉ ｋ ａ 出Ｔ ＩＣｉｊ 、偏光子（図示せず）を
曲した読出光１・２な・、ｒ ’ｒ Ｃ素子の例えげ左
（ｕｌｌがら、結晶板■の而２ｖこ垂１■に人射烙せ。
ｉ ｋ ａ 出Ｔ ＩＣｉｊ 、偏光子（図示せず）を
曲した読出光１・２な・、ｒ ’ｒ Ｃ素子の例えげ左
（ｕｌｌがら、結晶板■の而２ｖこ垂１■に人射烙せ。
ｆ ｉ” Ｃ素Ｔ−をＪ１ハ過し１ｍ九ケ検光子（１図
示せず）に通せばよい。読出光としては、結晶板２に光
伝導効果を生ぜしめない波長のコヒーレント光が用いら
ｒ、る。このように１画像情報の罫込・一時にはインコ
ヒーレント尤を・使用し、読出し時にげコヒーレント＞
’Ｃ： ｆＬＩ［１いろことにエリ、インコ１つ一しン
ト胃コの画像情態５ケコヒーレント光の１１１１ｉ像情
報（Ｃ変換−４−ることができ、こ几作１ ’ＩＩ’
Ｃ素子による１ンコヒ−レ／１・・コヒーレント変換で
ある。かかるＩ′１゛Ｃ素−ｆ−Ｖｌ、Ｐ’１ｌｉｊ’
７− ＩＪ 工ｉ換’ｌｏ 丸字情報処ｌ′ｉｌ！を
ｒ行うンステＡ ｖＣ有利に用い乙ことかできる。
示せず）に通せばよい。読出光としては、結晶板２に光
伝導効果を生ぜしめない波長のコヒーレント光が用いら
ｒ、る。このように１画像情報の罫込・一時にはインコ
ヒーレント尤を・使用し、読出し時にげコヒーレント＞
’Ｃ： ｆＬＩ［１いろことにエリ、インコ１つ一しン
ト胃コの画像情態５ケコヒーレント光の１１１１ｉ像情
報（Ｃ変換−４−ることができ、こ几作１ ’ＩＩ’
Ｃ素子による１ンコヒ−レ／１・・コヒーレント変換で
ある。かかるＩ′１゛Ｃ素−ｆ−Ｖｌ、Ｐ’１ｌｉｊ’
７− ＩＪ 工ｉ換’ｌｏ 丸字情報処ｌ′ｉｌ！を
ｒ行うンステＡ ｖＣ有利に用い乙ことかできる。
上Ｉｊｌｓした如く結情叛に；）ｌ： ）７＼んだ画１
１：情報を読出７− 丁際、素子内における読出光の反射に起因した干渉縞の
発生は大幅（Ｃ抑制される。こｎ−に反し、第２図に示
す如き従来のＴ ｉ’ Ｃ素子においては先にも説明し
たように干渉縞の発生は避けらＪ′１．ない。
１：情報を読出７− 丁際、素子内における読出光の反射に起因した干渉縞の
発生は大幅（Ｃ抑制される。こｎ−に反し、第２図に示
す如き従来のＴ ｉ’ Ｃ素子においては先にも説明し
たように干渉縞の発生は避けらＪ′１．ない。
即ち、第２図１で示す素子（でおいては、第１図に示す
第１層１０と第２層１１とが設けられておらず、読出光
（コヒーレントｔ ）が結晶板１に入射Ｌ−ｃこれを出
射しようとしたとき、その一部の光が第２図に破線］・
２′で示す如く、結晶板１と絶縁層５との境Ｗ面Ｉ３Ｃ
てて反射し、この反射光１・２′が再度他側Ｃ７つ結晶
板１・絶縁層４間の境５♀而１４で反射しく破線矢印”
３）、これがＪ Ｔ Ｃ素子を出射していたため。
第１層１０と第２層１１とが設けられておらず、読出光
（コヒーレントｔ ）が結晶板１に入射Ｌ−ｃこれを出
射しようとしたとき、その一部の光が第２図に破線］・
２′で示す如く、結晶板１と絶縁層５との境Ｗ面Ｉ３Ｃ
てて反射し、この反射光１・２′が再度他側Ｃ７つ結晶
板１・絶縁層４間の境５♀而１４で反射しく破線矢印”
３）、これがＪ Ｔ Ｃ素子を出射していたため。
結晶板１における両面２，３の平行性が良好であると、
反射を繰越してＴ ’Ｉ” Ｃ素子を出、を光Ｌ３と、
反射することなく ｉ Ｔ Ｃ，素子をそσバヒま出射
した光とによって干渉縞が発生し、こ汎に基いて、先１
で説明した不都合を免′１１．なかつ友。
反射を繰越してＴ ’Ｉ” Ｃ素子を出、を光Ｌ３と、
反射することなく ｉ Ｔ Ｃ，素子をそσバヒま出射
した光とによって干渉縞が発生し、こ汎に基いて、先１
で説明した不都合を免′１１．なかつ友。
第１Ｎに示す構成においては、−上述した如き光の反射
を防止し、これＶｒＣより干渉縞の発生を抑え得るよう
になっており、以下にその具体的な条件８− と、こｎ １一定める際の手法につき詳細に説明する。
を防止し、これＶｒＣより干渉縞の発生を抑え得るよう
になっており、以下にその具体的な条件８− と、こｎ １一定める際の手法につき詳細に説明する。
第３図は結晶板１．第１層１０．絶縁層５、透明電接７
及び第２層１１の１青層状態全模式化して示す説明図で
ある。第：う図に示したｄ４Ｉｄ３・ｄ２・ｄ、ｉｌ−
、、Ｉ。
及び第２層１１の１青層状態全模式化して示す説明図で
ある。第：う図に示したｄ４Ｉｄ３・ｄ２・ｄ、ｉｌ−
、、Ｉ。
各層（＋０ 、５ 、７ 、 ＩＩ ）の厚み全そ扛ぞ
れ表わＬ、ｎ、、 ｎ４ 、 ｎ、 、 ＋１．、 、
ｎ、 、及びｎ。ば、結晶板ｌ、各層（ｔｏ、５，７
．ＩＩ）、及び空気１５の、読出光波長（こ才王をλと
する）に対する屈折率をそ几ぞｎ表わしている。そして
本発明に係る構成においては。
れ表わＬ、ｎ、、 ｎ４ 、 ｎ、 、 ＋１．、 、
ｎ、 、及びｎ。ば、結晶板ｌ、各層（ｔｏ、５，７
．ＩＩ）、及び空気１５の、読出光波長（こ才王をλと
する）に対する屈折率をそ几ぞｎ表わしている。そして
本発明に係る構成においては。
上記各層（Ｔｏ、 ５ 、７ 、１１）の屈折率に所定
の関係全もたせることによって、結晶板ｌを通過した読
出光の１１ぼ全てが、各層（＋０．５，７．＋１）をそ
のま壕透過して［ＴＣＣ壬子全出射るよつに構成されて
いる。この場合、上記の如く読出光が各層（＋０ 、５
、７ 、１１ ）を透過するように構成するための１
つの条件を、絶縁層５の光学膜厚ｄ、・ｎ。
の関係全もたせることによって、結晶板ｌを通過した読
出光の１１ぼ全てが、各層（＋０．５，７．＋１）をそ
のま壕透過して［ＴＣＣ壬子全出射るよつに構成されて
いる。この場合、上記の如く読出光が各層（＋０ 、５
、７ 、１１ ）を透過するように構成するための１
つの条件を、絶縁層５の光学膜厚ｄ、・ｎ。
を極く小なる所定の大きさに設定することによって、定
めることも可能である。ところが絶縁層５に、結晶板ｌ
への印ＩＪｎ電圧に対し充分耐え得るよりな１１−；ノ
ド、即ち＋＋１’！縁破壊ケ生じないような厚みに設定
する必要があり、この厚みｄ３は通常数／ＺＩＴＩ乃至
数十μｍ程度に定めｃ−）ｆ′Ｌる。従って、このＡｔ
考慮すると、絶縁層５の光学膜厚ｄ３・ｎ３ｔｉ極く小
なる所定の大きさに設定することば困難である。
めることも可能である。ところが絶縁層５に、結晶板ｌ
への印ＩＪｎ電圧に対し充分耐え得るよりな１１−；ノ
ド、即ち＋＋１’！縁破壊ケ生じないような厚みに設定
する必要があり、この厚みｄ３は通常数／ＺＩＴＩ乃至
数十μｍ程度に定めｃ−）ｆ′Ｌる。従って、このＡｔ
考慮すると、絶縁層５の光学膜厚ｄ３・ｎ３ｔｉ極く小
なる所定の大きさに設定することば困難である。
本発明ではこの点に看目し、第１層１０と第２層１］の
光学膜型ｎ４・ｄ、、、ｎ、・ｄ、と、透明電極７の光
学膜）早ｎ２・ｄ２を次の如く、即ち ｎ、−ｄ、＝ ｎ、 ｅ ｄ４−λ／４
（ｔ）ｎ２＊ ｄ、、−λ／４ 又は（２）ｎ
、、 ＊ ｄ、、−λ／２
（３）に定め、絶縁層５の厚みｄ３にいかなる大きさ
に定めたときにも、はとんど全ての読出光を、各層（５
、１０、７、１１）にて反射婆せｔ″にこ几を透過させ
ることができるように構成しである。以下１．ｒ。
光学膜型ｎ４・ｄ、、、ｎ、・ｄ、と、透明電極７の光
学膜）早ｎ２・ｄ２を次の如く、即ち ｎ、−ｄ、＝ ｎ、 ｅ ｄ４−λ／４
（ｔ）ｎ２＊ ｄ、、−λ／４ 又は（２）ｎ
、、 ＊ ｄ、、−λ／２
（３）に定め、絶縁層５の厚みｄ３にいかなる大きさ
に定めたときにも、はとんど全ての読出光を、各層（５
、１０、７、１１）にて反射婆せｔ″にこ几を透過させ
ることができるように構成しである。以下１．ｒ。
り具体的に説明しよう。
（１）一般に、第３図に示した４つの層（＋０．５゜７
．１１）ｉ、波長λの光が入射角αで透過する場合を考
えると、こｎ７に対応するマトリクスは次のように表わ
丁ことができる。
．１１）ｉ、波長λの光が入射角αで透過する場合を考
えると、こｎ７に対応するマトリクスは次のように表わ
丁ことができる。
である。
ぞして、・１つの層（Ｈｌ 、 ５ 、７ 、１１ ）
な、屈折率ｌ］。の″と気と、 Ｉｒｔ！町率＋１３の
結晶板１の間に存するがら、マトリクスを（４）式の如
く表わせば、４つの層全体の光の反射率Ｒは次の如く表
わすことができる。
な、屈折率ｌ］。の″と気と、 Ｉｒｔ！町率＋１３の
結晶板１の間に存するがら、マトリクスを（４）式の如
く表わせば、４つの層全体の光の反射率Ｒは次の如く表
わすことができる。
ｆｉｌ） ４つの層（５、］、０．７．１．１．）に
対応するマトリクス及びその反射率は一般に（４）式及
び（５）式で表わさイする。そこて先す、ｎ２・ｄ２−
λ／４ ［２１式沖場合について考えてみよう。
対応するマトリクス及びその反射率は一般に（４）式及
び（５）式で表わさイする。そこて先す、ｎ２・ｄ２−
λ／４ ［２１式沖場合について考えてみよう。
既述のように読出光はコヒーレント平行光であり、■Ｔ
Ｃ素子への入射角は実質的に００であるから、この条件
と（１）式及び（２）式の条件を考慮に入れる譜、（４
）式から次の７トリクスが得られる。
Ｃ素子への入射角は実質的に００であるから、この条件
と（１）式及び（２）式の条件を考慮に入れる譜、（４
）式から次の７トリクスが得られる。
ここでＩｔ −（ｌであれば、結晶板ｌを通過した読出
光ばそのま捷４つの層（１０、５、７、ＩＩ ）を透過
し、干渉縞≠；発生することはない。そこで１％ ＝０
なる条件に工す（７）式からｎ＋−ｎ＋ｆｆｉ求めると
。
光ばそのま捷４つの層（１０、５、７、ＩＩ ）を透過
し、干渉縞≠；発生することはない。そこで１％ ＝０
なる条件に工す（７）式からｎ＋−ｎ＋ｆｆｉ求めると
。
ｎ４＝５７漬ζ （８）ｎｌ
−ｎ２／Ｆ（９） か得られる。この場合、ｎｓ、ｎ、、及び１３は、使用
する結晶板ｌ、絶縁層５及び透明電極７の材質し・こま
って一義的（て定捷る。従ってこｎら１（応じて（８）
式及び（９）式をほぼ満足するように第１層】０と第２
層１１の（」質を選択丁ｎ、ば、’Ｆ’Ｌ２はぼ零にし
、干渉縞の発′）只ヲ大幅に抑えることができる。
−ｎ２／Ｆ（９） か得られる。この場合、ｎｓ、ｎ、、及び１３は、使用
する結晶板ｌ、絶縁層５及び透明電極７の材質し・こま
って一義的（て定捷る。従ってこｎら１（応じて（８）
式及び（９）式をほぼ満足するように第１層】０と第２
層１１の（」質を選択丁ｎ、ば、’Ｆ’Ｌ２はぼ零にし
、干渉縞の発′）只ヲ大幅に抑えることができる。
例えば、結晶板ｌとしてＢｉ、、、 ５ｉｎ２ｏ（以下
、単に１１ Ｓ Ｏという）ｔｌＭ−結晶ケ用い、読出
光としてＨｅ−Ｎｃレーザ尤（その波しλ全６３３ｎｍ
とする）全使用すると共ｌで、透明電極７を、Ｉｎ、、
（Ｊ３とＳ ｎ０３との複合体に３［り構成し、絶縁層
５としてポリパラキノリレノ膜を用い、ｔとすると、結
晶板］（＋３８０単結晶）の屈折率ｎｓ ｕ ２．５３
であり、同様［ｎ２＝２゜０、ｎ３伊１．６３となるか
ら、（８）式及び（９）式により。
、単に１１ Ｓ Ｏという）ｔｌＭ−結晶ケ用い、読出
光としてＨｅ−Ｎｃレーザ尤（その波しλ全６３３ｎｍ
とする）全使用すると共ｌで、透明電極７を、Ｉｎ、、
（Ｊ３とＳ ｎ０３との複合体に３［り構成し、絶縁層
５としてポリパラキノリレノ膜を用い、ｔとすると、結
晶板］（＋３８０単結晶）の屈折率ｎｓ ｕ ２．５３
であり、同様［ｎ２＝２゜０、ｎ３伊１．６３となるか
ら、（８）式及び（９）式により。
ｎ、り２．０３
（１０ｎ１ り１．．５７
（１◇が得られる。かかる
場合には、第１層］０として例えばジルコニア（ｎ４
”２１） ｔ 第２層１１としては例えばフン化セリウ
ム（ｎ＋”１．６）を、００式及び０］）式をほぼａた
丁ものとして用いることができる。
（１０ｎ１ り１．．５７
（１◇が得られる。かかる
場合には、第１層］０として例えばジルコニア（ｎ４
”２１） ｔ 第２層１１としては例えばフン化セリウ
ム（ｎ＋”１．６）を、００式及び０］）式をほぼａた
丁ものとして用いることができる。
そして、こ扛らの数値を（５）式に代入して反射率Ｒを
求めると、このｆ（ば０５％以下となり、４つの層（１
０，５，７，ＩＩ）における読出光の反射を極く僅かに
抑え干渉縞の発生を有効に抑制することかできる。伺、
第１層１０（グ、絶縁層５と共に結晶板１に発生したキ
ャリヤが透明電極へ流出することを防止工べく、高い絶
縁性を有していることが望まＬいが、上述したジルコニ
アは高い体積固有抵抗率を有しているため、この要求を
支障なく満た丁ことができる、捷た絶縁層５として、ポ
リバラキシリレンの如き耐熱１１“の低い物質を用いる
と。
求めると、このｆ（ば０５％以下となり、４つの層（１
０，５，７，ＩＩ）における読出光の反射を極く僅かに
抑え干渉縞の発生を有効に抑制することかできる。伺、
第１層１０（グ、絶縁層５と共に結晶板１に発生したキ
ャリヤが透明電極へ流出することを防止工べく、高い絶
縁性を有していることが望まＬいが、上述したジルコニ
アは高い体積固有抵抗率を有しているため、この要求を
支障なく満た丁ことができる、捷た絶縁層５として、ポ
リバラキシリレンの如き耐熱１１“の低い物質を用いる
と。
［ＴＣ素子の製作１埒に絶Ｒ層を熱によって劣化させて
し捷う恐れも考えら扛る。即ち、第１層１０及び透明電
極７を蒸青によって形成すると、その際結晶板ｌも加熱
さ詐るため、絶縁層５が劣化してしまうことが考えらｎ
る訳である。ところが１例えばジルコニア薄膜から成る
第１層１０を蒸着によって形成する際ＶＣは、未だ絶縁
層５は形成さ汎ていないので、これが劣化する恐れは全
くないし、絶縁層５に透明電ノボ７を蒸着する際には、
イオンブレーティング法全採用丁れば、絶縁層５が劣化
する程、こ几を加熱する必要はない。捷た、例えばフッ
化セリウムから成る第２層１１ば、こ扛ヲンフトコート
丁れは絶縁層の劣化全防止できる。
し捷う恐れも考えら扛る。即ち、第１層１０及び透明電
極７を蒸青によって形成すると、その際結晶板ｌも加熱
さ詐るため、絶縁層５が劣化してしまうことが考えらｎ
る訳である。ところが１例えばジルコニア薄膜から成る
第１層１０を蒸着によって形成する際ＶＣは、未だ絶縁
層５は形成さ汎ていないので、これが劣化する恐れは全
くないし、絶縁層５に透明電ノボ７を蒸着する際には、
イオンブレーティング法全採用丁れば、絶縁層５が劣化
する程、こ几を加熱する必要はない。捷た、例えばフッ
化セリウムから成る第２層１１ば、こ扛ヲンフトコート
丁れは絶縁層の劣化全防止できる。
ただ、第２［※１１をこのようにソフトコートした場合
には、その剥１＋＋ｌ ｋ防止する目的で１反射防市膜
を施した透明ガラス基板で上述の如く構成した■ＴＣ素
子を、挾み封じ込むようにすることが望ましい。このよ
うに対処することによって、ポリパラキシリレン膜の如
きＭ機絶縁物の熱劣化を防１にし、捷たこの絶縁層が水
分を吸収してその絶縁特性が低下することも防止でき、
結晶板へ高電圧全印加したときの安全性も保Ｌｎる。
には、その剥１＋＋ｌ ｋ防止する目的で１反射防市膜
を施した透明ガラス基板で上述の如く構成した■ＴＣ素
子を、挾み封じ込むようにすることが望ましい。このよ
うに対処することによって、ポリパラキシリレン膜の如
きＭ機絶縁物の熱劣化を防１にし、捷たこの絶縁層が水
分を吸収してその絶縁特性が低下することも防止でき、
結晶板へ高電圧全印加したときの安全性も保Ｌｎる。
（ｉｌ［ｌ 次ＩＦ、、ｎ２＠ｄ２−λ／２［（３）
式〕に設定シタ場合につき考える。この場合にもｎ２・
ｄ２−λ／４であるときに行った既述の手法を全く同じ
手法によって。
式〕に設定シタ場合につき考える。この場合にもｎ２・
ｄ２−λ／４であるときに行った既述の手法を全く同じ
手法によって。
Ｒ−０を満た丁ｎ、 、 ｎ、を求めてみると、ｎ、−
「遅 ０ａｎ４＝、１
１１３・ｎａ Ｈが得らｎる。
「遅 ０ａｎ４＝、１
１１３・ｎａ Ｈが得らｎる。
そこで、結晶板１．読出光、透明電極７．絶縁層５とし
て、（ｉ［Ｃ例示したものと全く同じものを用いたとす
ると、 ｎ２”’２．５３． ｎ２５２．０． ｎ３
−＝ｆ１．６３であるから、（１９式及び０３式から、
馬”１．２８．。４２２．０３が得られる。従ってこの
場合にも第１層１０として、例えばシ゛ルコニア（ｎ４
”２．１ ）？用い、第２層１１としては例えばフッ
化マグネシウム（馬Ａ／１．３８）を用いることができ
、その際の反射率もやばり０．５以下に抑えることがで
きる。同、この場合も絶縁層５の熱による劣化全防止す
るために、 （１ｉ）に述べた方法によりＩ ’Ｉ’
Ｃ素子全製作することか有利である０その際第２層１】
のフッ化マグネシウム膜もソフトコートとすることが望
ましいが、この場合も、ＴＴＣ素子全反吋防止膜を施し
た透明ガラス基板で挾み込むと有利である。
て、（ｉ［Ｃ例示したものと全く同じものを用いたとす
ると、 ｎ２”’２．５３． ｎ２５２．０． ｎ３
−＝ｆ１．６３であるから、（１９式及び０３式から、
馬”１．２８．。４２２．０３が得られる。従ってこの
場合にも第１層１０として、例えばシ゛ルコニア（ｎ４
”２．１ ）？用い、第２層１１としては例えばフッ
化マグネシウム（馬Ａ／１．３８）を用いることができ
、その際の反射率もやばり０．５以下に抑えることがで
きる。同、この場合も絶縁層５の熱による劣化全防止す
るために、 （１ｉ）に述べた方法によりＩ ’Ｉ’
Ｃ素子全製作することか有利である０その際第２層１】
のフッ化マグネシウム膜もソフトコートとすることが望
ましいが、この場合も、ＴＴＣ素子全反吋防止膜を施し
た透明ガラス基板で挾み込むと有利である。
す、上、（１１）及びＧｉＤにおいて説明した事項をま
とめると。
とめると。
（１） ｉｌ＠Ｉｏ；ｎ４＝７ｅｌＨＹ満足１、好
ましく汀高い体積固有抵抗率を有する物質を、光学膜厚
λ／４の状態で形成して＠１層１０ケ得る。
ましく汀高い体積固有抵抗率を有する物質を、光学膜厚
λ／４の状態で形成して＠１層１０ケ得る。
（２） 第２層＋＋ ； ｎ２−ｄ２＝λ／４全満７
’ｌｌ きｌ’ｃ［。
’ｌｌ きｌ’ｃ［。
ｎ、 ＝ ｎ２／Ｊｎａ ｋはぼ満址し、ｎ、、ａｄ２
がλ／２であるときに、ｎ、 −％丁ｌはぼ満巳する間
近率ｎ１を時った物質を、光学膜厚ｎ１・ｄ、がλ／４
となるように形成して第２層ＩＩを得る。
がλ／２であるときに、ｎ、 −％丁ｌはぼ満巳する間
近率ｎ１を時った物質を、光学膜厚ｎ１・ｄ、がλ／４
となるように形成して第２層ＩＩを得る。
以−ヒの如く構成することによって、Ｉ’ｌ’Ｃ素子内
部でＱ）光の反射を抑え、従って干渉縞の発生を無視で
きる程１（小さくすることができる。
部でＱ）光の反射を抑え、従って干渉縞の発生を無視で
きる程１（小さくすることができる。
を八ｔ 、本発明は第１図に示した実施例に限定ζ庇ず
各種改変することができ２例えば第４図に示すように、
結晶板ｌの両（１１１１Ｉｌて第１（１）層１０と第２
の層１１を設けることも可能である。また結晶板の一方
の面の外側にのみ絶縁層を設けたＩＴＣ素子にも本発明
を有利に適用できる。
各種改変することができ２例えば第４図に示すように、
結晶板ｌの両（１１１１Ｉｌて第１（１）層１０と第２
の層１１を設けることも可能である。また結晶板の一方
の面の外側にのみ絶縁層を設けたＩＴＣ素子にも本発明
を有利に適用できる。
第１図は本発明に係るＩＴＣ素子の一例を示す模式説明
図、第２図は従来のＩＴＣ素子の一例を示す説明（支）
、第３図に第１図に示すＩＴＣ素子の一部を更に模式化
して示す説明図、第４図は他の実癩例を示す第１図と同
様な説明図である。 １・・・結晶板； ４，５・・・絶縁層；６．７・・・
透明電極；１０・・・第１層；１１・・第２層； ｌ
、、ｎ、 、ｎ、、 ＋”３ ”４・・屈折率第１図
図、第２図は従来のＩＴＣ素子の一例を示す説明（支）
、第３図に第１図に示すＩＴＣ素子の一部を更に模式化
して示す説明図、第４図は他の実癩例を示す第１図と同
様な説明図である。 １・・・結晶板； ４，５・・・絶縁層；６．７・・・
透明電極；１０・・・第１層；１１・・第２層； ｌ
、、ｎ、 、ｎ、、 ＋”３ ”４・・屈折率第１図
Claims (4)
- （１） 電気光学効果と、波臣に依存する光導電効果
とを併有する結晶板、該結晶板の少なくとも一方の側（
Ｃ位置する絶縁層、前記結晶板に電圧を印加するための
一対の透明電極ケ含む画像変換素子において。 読出光の反射を防止するための第１層及び第２層を設け
たこと。 前記第１層を、前記結晶板と絶縁層との間に配置すると
共に、第１層と第２層との間（て。 一対の透明電極のうちの一方の透明電極とｉ前記第１一
層に１冑接する絶縁層とが位置するように、第２層ケ配
置したこと、及び 読出）運の波長全λとし、第１層して隣接する＾１１記
絶線層、前記一方の透明電極、及び＾１１記結晶板の、
読出光波艮に対する屈折率？そ几ぞｎ、ｎ３ ＋ ｎ２
＋ ｎｓとしたとき、第１層及び第２層の光学膜厚を
λ／４に設定すると共に、第１層としてその屈折率がほ
ぼ、「パー１；である物質を使用し、＠記一方の透明電
極の光学膜厚がλ／４であるとき、第２層としてその屈
折率がほぼｎ２／ｒである物質全使用したこと全特徴と
する前記画像変換素子。 - （２） 凸Ｍ８己結晶板が、ビスマスノリコンオキサ
イド単結晶又はビスマスゲルマニウムオキサイド単結晶
から成る特許請求の範囲第１項に記載の画像変換素子。 - （３）電気光学効果と、波間に依存する光導電効果とを
併有する結晶板、該結晶板の少なくとも一方の側に位置
する絶縁層、前記結晶板π電圧に印加するための一対の
透明電極を含む画像変換素子において１ 読出光の反射を防止するための第１層及び第２層を設け
たこと、 ＾１１記第１層金、＠記結晶板と絶縁層との間に配（６
すると共に、第１層と第２層との間に。 一対の透明電極のうちの一方の透明市、極と＾１■記載
１１繍Ｖて隣接−［る絶縁層とブパ泣揮するように、第
２層全配置したこと、及び 、読出光の１皮長をλとし、第１層に隣接する前記絶縁
層、前記一方の透明Ｎ極、及び前記結晶板の、読出光波
長に対−［る屈折率ケそ汎ぞｎ ｎ３ 、 ｎ２．１１
８とし、たとき、第１層及び第２層の尤７膜厚全λ／・
１に設定すると共に１第１層としてその屈（〕〒率がほ
ぼ４ｎ３・ｎＳである物質全便用し、前記一方の透明電
極の丸字膜厚がλ、／２であるとき、第２層としてその
屈折率がほぼ仄てあ葛物質全使用したこと全特徴とする
前記画像変換素子。 - （４） 前記結晶板が、ビスマスンリコンオギザイド
単結晶又（−ｒビスマスゲルマニウムオキサイド小結晶
から成る特許請求の範囲第３項に記載の画像変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16637181A JPS5868017A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 画像変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16637181A JPS5868017A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 画像変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868017A true JPS5868017A (ja) | 1983-04-22 |
Family
ID=15830163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16637181A Pending JPS5868017A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 画像変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868017A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134656A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Picture image transforming element |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP16637181A patent/JPS5868017A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134656A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Picture image transforming element |
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