JPH0822019A - 液晶ライトバルブ - Google Patents
液晶ライトバルブInfo
- Publication number
- JPH0822019A JPH0822019A JP15619094A JP15619094A JPH0822019A JP H0822019 A JPH0822019 A JP H0822019A JP 15619094 A JP15619094 A JP 15619094A JP 15619094 A JP15619094 A JP 15619094A JP H0822019 A JPH0822019 A JP H0822019A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- transparent electrode
- light valve
- film
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 強度の大きい読み出し光を用いても、特性変
化が少なく、信頼性が高い液晶ライトバルブを提供する
ことにある。 【構成】 本発明の液晶ライトバルブは、透明電極上に
光導電層及びミラー層が形成されないガラス基板の透明
電極の形成されていない面上、透明電極とガラス基板の
間または透明電極上に、赤外線反射膜、または紫外線反
射膜、あるいは赤外線反射膜及び紫外線反射膜が形成さ
れている。 【効果】 本発明の方法に依れば、強力な読み出し光を
用いても、赤外線による素子の温度上昇による特性変化
や、紫外線による液晶の分解等による劣化が少なく、信
頼性の高い液晶ライトバルブが提供される。
化が少なく、信頼性が高い液晶ライトバルブを提供する
ことにある。 【構成】 本発明の液晶ライトバルブは、透明電極上に
光導電層及びミラー層が形成されないガラス基板の透明
電極の形成されていない面上、透明電極とガラス基板の
間または透明電極上に、赤外線反射膜、または紫外線反
射膜、あるいは赤外線反射膜及び紫外線反射膜が形成さ
れている。 【効果】 本発明の方法に依れば、強力な読み出し光を
用いても、赤外線による素子の温度上昇による特性変化
や、紫外線による液晶の分解等による劣化が少なく、信
頼性の高い液晶ライトバルブが提供される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像投影装置、ビデオ
プロジェクター等に用いられる液晶ライトバルブに関す
るものである。
プロジェクター等に用いられる液晶ライトバルブに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】液晶ライトバルブは、米国特許3592
527等に開示されているように、典型的に光導電層、
光反射層、液晶層を組み合わせた形態のデバイスであ
る。近年、液晶ライトバルブを光増幅のために用いた高
輝度画像投影装置が製品化されている。
527等に開示されているように、典型的に光導電層、
光反射層、液晶層を組み合わせた形態のデバイスであ
る。近年、液晶ライトバルブを光増幅のために用いた高
輝度画像投影装置が製品化されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】液晶ライトバルブを高
輝度画像投影装置へ応用する場合等に於いては、強力な
読み出し光を液晶ライトバルブに照射する必要がある。
そのため、用いられる光源は、メタルハライドランプや
キセノンランプ等、赤外光や紫外光を多く含むものであ
ることが多い。強い赤外光が液晶ライトバルブに入射し
た場合、素子内で吸収によって温度上昇が生じ、特性が
変化する。また、紫外光が入射すると、液晶分子の分解
等の問題が発生して、信頼性を損ねるといった問題があ
った。
輝度画像投影装置へ応用する場合等に於いては、強力な
読み出し光を液晶ライトバルブに照射する必要がある。
そのため、用いられる光源は、メタルハライドランプや
キセノンランプ等、赤外光や紫外光を多く含むものであ
ることが多い。強い赤外光が液晶ライトバルブに入射し
た場合、素子内で吸収によって温度上昇が生じ、特性が
変化する。また、紫外光が入射すると、液晶分子の分解
等の問題が発生して、信頼性を損ねるといった問題があ
った。
【0004】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明は、透
明電極上に光導電層及びミラー層が形成されないガラス
基板の透明電極の形成されていない面、透明電極とガラ
ス基板の間または透明電極上に赤外線反射膜または紫外
線反射膜、あるいは赤外線反射膜及び紫外線反射膜を形
成した。
明電極上に光導電層及びミラー層が形成されないガラス
基板の透明電極の形成されていない面、透明電極とガラ
ス基板の間または透明電極上に赤外線反射膜または紫外
線反射膜、あるいは赤外線反射膜及び紫外線反射膜を形
成した。
【0005】
【作用】上記の方法を用いることにより、可視域外の光
量を格段に減少せしめることができ、その結果強力な読
み出し光を用いても、赤外線による素子の温度上昇によ
る特性変化や、紫外線による液晶の分解等による劣化が
少なく、信頼性の高い液晶ライトバルブが提供される。
量を格段に減少せしめることができ、その結果強力な読
み出し光を用いても、赤外線による素子の温度上昇によ
る特性変化や、紫外線による液晶の分解等による劣化が
少なく、信頼性の高い液晶ライトバルブが提供される。
【0006】また、反射膜が素子内に存在する場合は、
素子作製工程中に膜が損傷することがなく、歩留まりも
向上する。
素子作製工程中に膜が損傷することがなく、歩留まりも
向上する。
【0007】
【実施例】以下に図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。 (実施例1)図1は、本発明に係る液晶ライトバルブの
構造を示す模式図である。
る。 (実施例1)図1は、本発明に係る液晶ライトバルブの
構造を示す模式図である。
【0008】液晶分子を挟持するための基板11a、1
1bとして、両面をHe−Neレーザー波長に於いて平
行平面度λ/5以下に研磨した厚さ5mmの透明ガラス
基板を用いた。両基板の表面にはITO透明電極層12
a、12bを設けた。光による書き込み側の透明電極層
12a上には3.0μmの厚さの水素化アモルファスシ
リコン(a−Si:H)光導電層15を形成した。光導
電層上には、ミラー層として誘電体多層膜ミラー16を
形成した。ただし、ミラー層は互いに絶縁された金属膜
が配列された構造等であっても問題ない。
1bとして、両面をHe−Neレーザー波長に於いて平
行平面度λ/5以下に研磨した厚さ5mmの透明ガラス
基板を用いた。両基板の表面にはITO透明電極層12
a、12bを設けた。光による書き込み側の透明電極層
12a上には3.0μmの厚さの水素化アモルファスシ
リコン(a−Si:H)光導電層15を形成した。光導
電層上には、ミラー層として誘電体多層膜ミラー16を
形成した。ただし、ミラー層は互いに絶縁された金属膜
が配列された構造等であっても問題ない。
【0009】さらに、透明電極上に光導電層及びミラー
層が形成されないガラス基板の透明電極の形成されてい
ない面上に、赤外及び紫外光反射膜17として、誘電体
多層膜を形成した。前記誘電体多層膜はTiO2 とSi
O2 の交互積層膜を用いた。なお、反射波長帯域は、主
に近赤外に設定し、700nmから1500nmに対し
て透過率を1%以下とした。紫外光に対しては、近紫外
を反射するようにしたが、TiO2層は紫外光に対して
吸収が大きいため、赤外に対してよりも層数は少なく設
定してある。
層が形成されないガラス基板の透明電極の形成されてい
ない面上に、赤外及び紫外光反射膜17として、誘電体
多層膜を形成した。前記誘電体多層膜はTiO2 とSi
O2 の交互積層膜を用いた。なお、反射波長帯域は、主
に近赤外に設定し、700nmから1500nmに対し
て透過率を1%以下とした。紫外光に対しては、近紫外
を反射するようにしたが、TiO2層は紫外光に対して
吸収が大きいため、赤外に対してよりも層数は少なく設
定してある。
【0010】これらの基板は、透明電極12a上及びミ
ラー層16上に配向膜13a、13bを形成した後、ス
ペーサーを介して貼り合わせ、間隙に液晶層14を挟持
した。上記したように、本発明に係る液晶ライトバルブ
に於いては、反射膜17の存在によって、赤外線による
素子の温度上昇による特性変化や、紫外線による液晶の
分解等による劣化が少なく、信頼性の高い液晶ライトバ
ルブが提供された。
ラー層16上に配向膜13a、13bを形成した後、ス
ペーサーを介して貼り合わせ、間隙に液晶層14を挟持
した。上記したように、本発明に係る液晶ライトバルブ
に於いては、反射膜17の存在によって、赤外線による
素子の温度上昇による特性変化や、紫外線による液晶の
分解等による劣化が少なく、信頼性の高い液晶ライトバ
ルブが提供された。
【0011】(実施例2)図2は、本発明に係る液晶ラ
イトバルブの構造を示す模式図である。液晶分子を挟持
するための基板11a、11bとして、両面をHe−N
eレーザー波長に於いて平行平面度λ/5以下に研磨し
た厚さ5mmの透明ガラス基板を用いた。両基板の表面
にはITO透明電極層12a、12bを設けた。光によ
る書き込み側の透明電極層12a上には3.0μmの厚
さの水素化アモルファスシリコン(a−Si:H)光導
電層15を形成した。光導電層上には、ミラー層として
誘電体多層膜ミラー16を形成した。ただし、ミラー層
は互いに絶縁された金属膜が配列された構造等であって
も問題ない。
イトバルブの構造を示す模式図である。液晶分子を挟持
するための基板11a、11bとして、両面をHe−N
eレーザー波長に於いて平行平面度λ/5以下に研磨し
た厚さ5mmの透明ガラス基板を用いた。両基板の表面
にはITO透明電極層12a、12bを設けた。光によ
る書き込み側の透明電極層12a上には3.0μmの厚
さの水素化アモルファスシリコン(a−Si:H)光導
電層15を形成した。光導電層上には、ミラー層として
誘電体多層膜ミラー16を形成した。ただし、ミラー層
は互いに絶縁された金属膜が配列された構造等であって
も問題ない。
【0012】さらに、透明電極上に光導電層及びミラー
層が形成されないガラス基板の透明電極とガラス基板の
間に、赤外及び紫外光反射膜17として、誘電体多層膜
を形成した。前記誘電体多層膜はTiO2 とSiO2 の
交互積層膜を用いた。なお、反射波長帯域は、主に近赤
外に設定し、700nmから1500nmに対して透過
率を1%以下とした。紫外光に対しては、近紫外を反射
するようにしたが、TiO2層は紫外光に対して吸収が
大きいため、赤外に対してよりも層数は少なく設定して
ある。
層が形成されないガラス基板の透明電極とガラス基板の
間に、赤外及び紫外光反射膜17として、誘電体多層膜
を形成した。前記誘電体多層膜はTiO2 とSiO2 の
交互積層膜を用いた。なお、反射波長帯域は、主に近赤
外に設定し、700nmから1500nmに対して透過
率を1%以下とした。紫外光に対しては、近紫外を反射
するようにしたが、TiO2層は紫外光に対して吸収が
大きいため、赤外に対してよりも層数は少なく設定して
ある。
【0013】これらの基板は、透明電極12a上及びミ
ラー層16上に配向膜13a、13bを形成した後、ス
ペーサーを介して貼り合わせ、間隙に液晶層14を挟持
した。上記したように、本発明に係る液晶ライトバルブ
に於いては、反射膜17の存在によって、赤外線による
素子の温度上昇による特性変化や、紫外線による液晶の
分解等による劣化が少なく、信頼性の高い液晶ライトバ
ルブが提供された。
ラー層16上に配向膜13a、13bを形成した後、ス
ペーサーを介して貼り合わせ、間隙に液晶層14を挟持
した。上記したように、本発明に係る液晶ライトバルブ
に於いては、反射膜17の存在によって、赤外線による
素子の温度上昇による特性変化や、紫外線による液晶の
分解等による劣化が少なく、信頼性の高い液晶ライトバ
ルブが提供された。
【0014】また、反射膜が素子内に存在するため、素
子作製工程中に膜が損傷することがなく、歩留まりも向
上した。 (実施例3)図3は、本発明に係る液晶ライトバルブの
構造を示す模式図である。
子作製工程中に膜が損傷することがなく、歩留まりも向
上した。 (実施例3)図3は、本発明に係る液晶ライトバルブの
構造を示す模式図である。
【0015】液晶分子を挟持するための基板11a、1
1bとして、両面をHe−Neレーザー波長に於いて平
行平面度λ/5以下に研磨した厚さ5mmの透明ガラス
基板を用いた。両基板の表面にはITO透明電極層12
a、12bを設けた。光による書き込み側の透明電極層
12a上には3.0μmの厚さの水素化アモルファスシ
リコン(a−Si:H)光導電層15を形成した。光導
電層上には、ミラー層として誘電体多層膜ミラー16を
形成した。ただし、ミラー層は互いに絶縁された金属膜
が配列された構造等であっても問題ない。
1bとして、両面をHe−Neレーザー波長に於いて平
行平面度λ/5以下に研磨した厚さ5mmの透明ガラス
基板を用いた。両基板の表面にはITO透明電極層12
a、12bを設けた。光による書き込み側の透明電極層
12a上には3.0μmの厚さの水素化アモルファスシ
リコン(a−Si:H)光導電層15を形成した。光導
電層上には、ミラー層として誘電体多層膜ミラー16を
形成した。ただし、ミラー層は互いに絶縁された金属膜
が配列された構造等であっても問題ない。
【0016】さらに、透明電極上に光導電層及びミラー
層が形成されないガラス基板の透明電極上に、赤外及び
紫外光反射膜17として、誘電体多層膜を形成した。こ
れらの基板は、透明電極12a上及びミラー層16上に
配向膜13a、13bを形成した後、スペーサーを介し
て貼り合わせ、間隙に液晶層14を挟持した。
層が形成されないガラス基板の透明電極上に、赤外及び
紫外光反射膜17として、誘電体多層膜を形成した。こ
れらの基板は、透明電極12a上及びミラー層16上に
配向膜13a、13bを形成した後、スペーサーを介し
て貼り合わせ、間隙に液晶層14を挟持した。
【0017】前記誘電体多層膜はTiO2 とSiO2 の
交互積層膜を用いた。なお、反射波長帯域は、主に近赤
外に設定し、700nmから1500nmに対して透過
率を1%以下とした。紫外光に対しては、近紫外を反射
するようにしたが、TiO2層は紫外光に対して吸収が
大きいため、赤外に対してよりも層数は少なく設定して
ある。
交互積層膜を用いた。なお、反射波長帯域は、主に近赤
外に設定し、700nmから1500nmに対して透過
率を1%以下とした。紫外光に対しては、近紫外を反射
するようにしたが、TiO2層は紫外光に対して吸収が
大きいため、赤外に対してよりも層数は少なく設定して
ある。
【0018】上記したように、本発明に係る液晶ライト
バルブに於いては、反射膜17の存在によって、赤外線
による素子の温度上昇による特性変化や、紫外線による
液晶の分解等による劣化が少なく、信頼性の高い液晶ラ
イトバルブが提供された。また、反射膜が素子内に存在
するため、素子作製工程中に膜が損傷することがなく、
歩留まりも向上した。
バルブに於いては、反射膜17の存在によって、赤外線
による素子の温度上昇による特性変化や、紫外線による
液晶の分解等による劣化が少なく、信頼性の高い液晶ラ
イトバルブが提供された。また、反射膜が素子内に存在
するため、素子作製工程中に膜が損傷することがなく、
歩留まりも向上した。
【0019】
【発明の効果】本発明を用いることにより、液晶ライト
バルブの高輝度画像投影装置への応用範囲を増大させる
ことができる。
バルブの高輝度画像投影装置への応用範囲を増大させる
ことができる。
【図1】本発明に係る液晶ライトバルブの構造を示す模
式図である。
式図である。
【図2】本発明に係る液晶ライトバルブの構造を示す模
式図である。
式図である。
【図3】本発明に係る液晶ライトバルブの構造を示す模
式図である。
式図である。
11a、11b 透明基板 12a、12b 透明電極 13a、13b 配向膜層 14 液晶層 15 光導電層 16 ミラー層 17 赤外線及び/または紫外線反射膜
Claims (2)
- 【請求項1】 光による書き込み手段、光による読み出
し手段及び電圧印加手段を具備し、透明電極上に光導電
層及びミラー層が形成されたガラス基板と、透明電極の
形成されたガラス基板のそれぞれの対向する表面に液晶
配向膜が形成された一組のガラス基板が対向配置され、
その間隙に液晶組成物が封入されてなる液晶ライトバル
ブに於いて、該透明電極上に光導電層及びミラー層が形
成されないガラス基板の透明電極の形成されていない
面、透明電極とガラス基板の間または透明電極上に赤外
線反射膜または紫外線反射膜、あるいは赤外線反射膜及
び紫外線反射膜が形成されてなることを特徴とする液晶
ライトバルブ。 - 【請求項2】 該反射膜は、誘電体多層膜であることを
特徴とする請求項1記載の液晶ライトバルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15619094A JPH0822019A (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | 液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15619094A JPH0822019A (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | 液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822019A true JPH0822019A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15622343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15619094A Pending JPH0822019A (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | 液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822019A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005208216A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板とその製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置 |
| KR100912121B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2009-08-13 | (주)댐코 | 반사형 액정표시소자 |
| CN104035251A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置、显示设备和阵列基板的制作方法 |
-
1994
- 1994-07-07 JP JP15619094A patent/JPH0822019A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005208216A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板とその製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置 |
| KR100912121B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2009-08-13 | (주)댐코 | 반사형 액정표시소자 |
| CN104035251A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置、显示设备和阵列基板的制作方法 |
| CN104035251B (zh) * | 2014-05-21 | 2017-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置、显示设备和阵列基板的制作方法 |
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