JPS5868377A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS5868377A JPS5868377A JP56166820A JP16682081A JPS5868377A JP S5868377 A JPS5868377 A JP S5868377A JP 56166820 A JP56166820 A JP 56166820A JP 16682081 A JP16682081 A JP 16682081A JP S5868377 A JPS5868377 A JP S5868377A
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- JP
- Japan
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- layer
- light
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像素子に関するものである。
最近、固体撮像素子の開発がめざましく、ＣＣＤ型のも
の、ＣＰ Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ Ｐｒｉｍｉｎｇ Ｄｅ
ｖｉｃｅ ）型のもの、あるいは１ＶＩＯ８型のもの等
の各種の固体撮像素子が開発されている。
の、ＣＰ Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ Ｐｒｉｍｉｎｇ Ｄｅ
ｖｉｃｅ ）型のもの、あるいは１ＶＩＯ８型のもの等
の各種の固体撮像素子が開発されている。
これらの固体撮像素子を用いて実用機器（たとえばカメ
ラなど）を構成する場合には、感光部以外のところでは
反射率が零であることが望ましい。
ラなど）を構成する場合には、感光部以外のところでは
反射率が零であることが望ましい。
しかし電極としであるいは光じゃへいとして使用される
余情蒸着膜（例えばＡｔ等）は、比較的大きな反射率を
持っている。このためこれらの面と、プリズム、レンズ
等の光学系との間で光がくり返し反射され、入射光に対
して悪影響を及ぼすことが従来から問題とされてきた。
余情蒸着膜（例えばＡｔ等）は、比較的大きな反射率を
持っている。このためこれらの面と、プリズム、レンズ
等の光学系との間で光がくり返し反射され、入射光に対
して悪影響を及ぼすことが従来から問題とされてきた。
以下、従来の欠点を第１図（ハ））、 （Ｂ）をもとに
簡単に説明する。
簡単に説明する。
第１図（５）、（Ｂ）は従来の固体撮像素子の一例とし
てフレームトランスファ方式のｃｃＤイメージ士ンサ１
を示しており、第１図四においてこのＣＯＤイメージセ
ンサ１は、光像を受けるイメージ部１１と、このイメー
ジ部１１からの情報を一時たくわえる蓄積部１２と、こ
の蓄積部１２からの情報を１順次出力端子１４に転送す
るシフトレジスタ１３とから成っている。
てフレームトランスファ方式のｃｃＤイメージ士ンサ１
を示しており、第１図四においてこのＣＯＤイメージセ
ンサ１は、光像を受けるイメージ部１１と、このイメー
ジ部１１からの情報を一時たくわえる蓄積部１２と、こ
の蓄積部１２からの情報を１順次出力端子１４に転送す
るシフトレジスタ１３とから成っている。
第１図（Ｂ）は上記ＣＯＤイメージ＋ンサ１の断面図を
示し、蓄積部１２およびシフトレジスタ１３の表面には
、Ｓ ｉＱ ２絶縁膜１６を介し光じゃへい用Ａｔ層１
６が形成されている。このＡ７層１６表面での反射率は
ほぼ１００％に近く、このままではレンズ等の光学系と
の間でくり返し反射が生じ、入射光に悪影響を与えるこ
とは前述したとおりである。
示し、蓄積部１２およびシフトレジスタ１３の表面には
、Ｓ ｉＱ ２絶縁膜１６を介し光じゃへい用Ａｔ層１
６が形成されている。このＡ７層１６表面での反射率は
ほぼ１００％に近く、このままではレンズ等の光学系と
の間でくり返し反射が生じ、入射光に悪影響を与えるこ
とは前述したとおりである。
本発明は、このような固体撮像素子表面に形成された金
属配線あるいは遮光金楕膜の少なくとも一部分を黒化す
るかまたは黒色層でおおうことにより入射光の反射によ
る悪影響を防止するものである。
属配線あるいは遮光金楕膜の少なくとも一部分を黒化す
るかまたは黒色層でおおうことにより入射光の反射によ
る悪影響を防止するものである。
（実施例１）
第２図は本発明の一実施例における固体撮像素子を示し
ており、従来例企示す第１図（Ａ）、 （Ｂ）と同一箇
所には同一番号をけしている。この固体撮像素子の特徴
は、光じゃへい用のＡｔ層１６の表面に黒染層１７を形
成して、Ａ７層１６の光の反射を防止している点である
。
ており、従来例企示す第１図（Ａ）、 （Ｂ）と同一箇
所には同一番号をけしている。この固体撮像素子の特徴
は、光じゃへい用のＡｔ層１６の表面に黒染層１７を形
成して、Ａ７層１６の光の反射を防止している点である
。
以下上記実施例の固体撮像素子の製造工９ＶＣついて具
体的に説明する。
体的に説明する。
この実施例の固体撮像素子の製造工程において、酸化拡
散工程終了後、コンタクト窓開けを行ない、デバイス内
配線形成用へｔを全面に蒸着し、その後ホトエノナング
工程ｆｆ：経て、形成されたＡｔ蒸着腓パターンの表面
を全面黒染する。例えば、第２図に示すように、蓄積部
１２およびシフトレジスタ１３上のＡｔ表面を、トビカ
ブラツギ−Ａ（商品名；東美化学（株））あるいはＡｔ
プラック（商品名；（株）オーディツク）等に浸漬して
Ａｔ蒸着膜１６表面に黒染層１７を形成する。
散工程終了後、コンタクト窓開けを行ない、デバイス内
配線形成用へｔを全面に蒸着し、その後ホトエノナング
工程ｆｆ：経て、形成されたＡｔ蒸着腓パターンの表面
を全面黒染する。例えば、第２図に示すように、蓄積部
１２およびシフトレジスタ１３上のＡｔ表面を、トビカ
ブラツギ−Ａ（商品名；東美化学（株））あるいはＡｔ
プラック（商品名；（株）オーディツク）等に浸漬して
Ａｔ蒸着膜１６表面に黒染層１７を形成する。
このとき、Ａｔ蒸着膜の厚みを１．２μｍとすると黒染
層の厚さは０．２〜０．３μｍであった。またこの黒染
層の分光正反射率は、Ａｔを基板とした試料では、直接
光に対して約４％の正反射率であった（反射角１０°、
４６°）。
層の厚さは０．２〜０．３μｍであった。またこの黒染
層の分光正反射率は、Ａｔを基板とした試料では、直接
光に対して約４％の正反射率であった（反射角１０°、
４６°）。
（実姉例２）
本発明の実施例２における固体撮像素子のイメージ部１
１は第３図および第４図に示すような構造を有している
。ｔなわち一導奄型（たとえばｐ型）のＳｔ基板２１上
にはＳｉＯ２絶縁層２２を介して多結晶Ｓｉ甫極２３お
よびＡｔ電極２４が形成されている。これら電極２３．
２４により覆われない部分２６が光入射部であり、この
光入射部２６上部のＳｉ基板２１内に光入射に応じて電
荷が蓄積される。またＳｉ基板２１内（表面に臨んで）
Ｋは他導電型（たとえばｎ型）のチャネルストッパ２６
が形成されている。このチャネルストッパ２６は他のラ
インへ電荷が入りこまないようにするため設けられるも
のである。このようなイメージ部１１でも、Ａｔ電極２
４表面が反射面となり、前述した不具合が生ずることに
なるが、本実施例ではこのＡｔ電極２４表面が前記と同
工程で第４図の如く、黒染層２７を形成することにより
、光反射を防止できる。
１は第３図および第４図に示すような構造を有している
。ｔなわち一導奄型（たとえばｐ型）のＳｔ基板２１上
にはＳｉＯ２絶縁層２２を介して多結晶Ｓｉ甫極２３お
よびＡｔ電極２４が形成されている。これら電極２３．
２４により覆われない部分２６が光入射部であり、この
光入射部２６上部のＳｉ基板２１内に光入射に応じて電
荷が蓄積される。またＳｉ基板２１内（表面に臨んで）
Ｋは他導電型（たとえばｎ型）のチャネルストッパ２６
が形成されている。このチャネルストッパ２６は他のラ
インへ電荷が入りこまないようにするため設けられるも
のである。このようなイメージ部１１でも、Ａｔ電極２
４表面が反射面となり、前述した不具合が生ずることに
なるが、本実施例ではこのＡｔ電極２４表面が前記と同
工程で第４図の如く、黒染層２７を形成することにより
、光反射を防止できる。
（実施例３）
第６図はインターライン方式のＣＣＬ）イメージ七ンザ
３０を示す模式図であり、光が入射される感光部３１に
蓄積された情報電荷を転送部３２に移行して転送し、出
力レジスタ３３を介して出力端子３４に送るものである
。このインターライン方式のＣＯＤイメージセンサ３ｏ
の場合ＶＣは、第５図斜線で示す転送部３２および出力
レジスタ３３上のＡｔパターンを黒染しておけば良い。
３０を示す模式図であり、光が入射される感光部３１に
蓄積された情報電荷を転送部３２に移行して転送し、出
力レジスタ３３を介して出力端子３４に送るものである
。このインターライン方式のＣＯＤイメージセンサ３ｏ
の場合ＶＣは、第５図斜線で示す転送部３２および出力
レジスタ３３上のＡｔパターンを黒染しておけば良い。
以上の実施例の説明より明らかなように、た々１００％
近い反射率を持つＡｔ電極等の表１川でも、黒染してや
れば、約数係の反射率に抑えることが可能となる。
近い反射率を持つＡｔ電極等の表１川でも、黒染してや
れば、約数係の反射率に抑えることが可能となる。
一方 実施例２はＡｔ配線パターン形成工程後、Ａｔ配
線パターンを黒染するものである（この方、法ではＡｔ
パターン側面も黒染できる）が、Ａｔ蒸着を行った後、
すぐ黒染工程を行なえば、Ａｔパターン形成時のホトリ
ソ工程で、ホトレジストパターンの切れが良くなる。す
なわち、従来、蒸着したままのＡｔ表面に直接レジスト
をコートした場合には、マスクを重ねて露光する際、Ａ
ＩＵＩｉｉでの反射を無視できず、レジストパターンの
かぶりが大きく、切れが良くな−、た。この方法は、通
常の集積半導体回路の製造の金楓配線工Ｎｖこも利用で
きる。
線パターンを黒染するものである（この方、法ではＡｔ
パターン側面も黒染できる）が、Ａｔ蒸着を行った後、
すぐ黒染工程を行なえば、Ａｔパターン形成時のホトリ
ソ工程で、ホトレジストパターンの切れが良くなる。す
なわち、従来、蒸着したままのＡｔ表面に直接レジスト
をコートした場合には、マスクを重ねて露光する際、Ａ
ＩＵＩｉｉでの反射を無視できず、レジストパターンの
かぶりが大きく、切れが良くな−、た。この方法は、通
常の集積半導体回路の製造の金楓配線工Ｎｖこも利用で
きる。
以ト述べてきたように、本発明の固体撮像素子は、固体
撮像素子表面で最も大きな反射を持つＡｔ電極や連光膜
表面に、容易ｖｃ ｔｘ射防止効果を持たすことができ
、素子の特性を大幅に向トできるもので、工業上の利用
価値が畠い。
撮像素子表面で最も大きな反射を持つＡｔ電極や連光膜
表面に、容易ｖｃ ｔｘ射防止効果を持たすことができ
、素子の特性を大幅に向トできるもので、工業上の利用
価値が畠い。
第１図（Ａ）、 （Ｂ）ｆｄそれぞれ従来の固体撮像素
子の・Ｆ面図およびＩＥ而面！ｊ而面図第２図は本発明
の第１の実施り１］における固体撮像素子の正面断面図
、第３図は本発明の第２の実施例における固体撮像素子
の正面図、第４図は同素子の正面断面図、第５図は本発
明の第３の実施例における固体撮１象素子の要部平面図
である。 １ ・・・・フレームトランスファ方式ＣＯＤイメージ
十ンザ、１１−・・・・イメージ部、１２ ・・・・・
蓄積部、１３・・−・・シフトレジスタ、１６・・・・
・ＳｉＯ絶縁層、１６・・・・・Ａ７層、１７．２７・
・・・・セラテン膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図
子の・Ｆ面図およびＩＥ而面！ｊ而面図第２図は本発明
の第１の実施り１］における固体撮像素子の正面断面図
、第３図は本発明の第２の実施例における固体撮像素子
の正面図、第４図は同素子の正面断面図、第５図は本発
明の第３の実施例における固体撮１象素子の要部平面図
である。 １ ・・・・フレームトランスファ方式ＣＯＤイメージ
十ンザ、１１−・・・・イメージ部、１２ ・・・・・
蓄積部、１３・・−・・シフトレジスタ、１６・・・・
・ＳｉＯ絶縁層、１６・・・・・Ａ７層、１７．２７・
・・・・セラテン膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図
Claims (1)
- 光重変換部で光電変換された信号を蓄積部または、転送
部を介して読み出す固体撮像素子であって、前記各部の
うち光の照射される領域に形成された配線用金属または
遮光用金槁の少なくとも一部を黒化するかまたは黒色層
で憶うことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166820A JPS5868377A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166820A JPS5868377A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868377A true JPS5868377A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15838265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166820A Pending JPS5868377A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868377A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147567A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH02134993A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2001036057A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-02-09 | Hewlett Packard Co <Hp> | 非反射コーティングを施した電荷結合素子 |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56166820A patent/JPS5868377A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147567A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH02134993A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2001036057A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-02-09 | Hewlett Packard Co <Hp> | 非反射コーティングを施した電荷結合素子 |
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