JPS5870542A - 集積回路の不良解析装置 - Google Patents
集積回路の不良解析装置Info
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- JPS5870542A JPS5870542A JP56168841A JP16884181A JPS5870542A JP S5870542 A JPS5870542 A JP S5870542A JP 56168841 A JP56168841 A JP 56168841A JP 16884181 A JP16884181 A JP 16884181A JP S5870542 A JPS5870542 A JP S5870542A
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- integrated circuit
- circuit
- stage
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/22—Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
- G06F11/26—Functional testing
- G06F11/273—Tester hardware, i.e. output processing circuits
-
- G—PHYSICS
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/30—Monitoring
- G06F11/32—Monitoring with visual or acoustical indication of the functioning of the machine
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
X発#4は良品の集積回路(以下本明細書において集積
回路をICと略記する)と豪検XCとな比較しながら、
xaの設計者でなく工も良否判定のできる解析9!に置
に関する。
回路をICと略記する)と豪検XCとな比較しながら、
xaの設計者でなく工も良否判定のできる解析9!に置
に関する。
従来XOKついて良品か否かを解析するとき光字顕微−
によりチェックすることの次に、a凍電位ケ与え動作状
態としたXCjlIC細く絞った電子ビームを当て、二
次電子を検知して得られる電位′fkによりICの良否
判定を行yzつた。そのときIOの回路やパターン構造
に高度の知鍼がないと即ちIOの設計者でないと電子ビ
ームをXOの何の慨分[111射して検査をしたのか判
然としない欠点があった・大規模T工0K7jると昼々
判断が1確となり、多数のxCv解析するには極めて置
時間を勢した。
によりチェックすることの次に、a凍電位ケ与え動作状
態としたXCjlIC細く絞った電子ビームを当て、二
次電子を検知して得られる電位′fkによりICの良否
判定を行yzつた。そのときIOの回路やパターン構造
に高度の知鍼がないと即ちIOの設計者でないと電子ビ
ームをXOの何の慨分[111射して検査をしたのか判
然としない欠点があった・大規模T工0K7jると昼々
判断が1確となり、多数のxCv解析するには極めて置
時間を勢した。
X発明の目的は前述の欠点を改善し、良品を苫む複数の
IOなwr−したステージな便用して9品と豪検工Cと
について電位曽を比較することにより高If−率な解析
を行なうg7に置を提供することKある。そのため本発
明の畳上とする所は複数のxav**t、駆動すること
のできるステ−ジと、検知した二次電子信号l谷IC毎
に配憶!!不するーgII記憶装−を具備することにト
る。
IOなwr−したステージな便用して9品と豪検工Cと
について電位曽を比較することにより高If−率な解析
を行なうg7に置を提供することKある。そのため本発
明の畳上とする所は複数のxav**t、駆動すること
のできるステ−ジと、検知した二次電子信号l谷IC毎
に配憶!!不するーgII記憶装−を具備することにト
る。
以下本発明の5j!11&例につい″C説明する。図面
におい”t li+は甲央匍J−装置、■はIOのファ
ンクV w 7デ一タ記*gk鉦*<s−1><s−s
>はビデオ信号記憶用RAM、(番−1)(4−2)は
m健表示装置。
におい”t li+は甲央匍J−装置、■はIOのファ
ンクV w 7デ一タ記*gk鉦*<s−1><s−s
>はビデオ信号記憶用RAM、(番−1)(4−2)は
m健表示装置。
(!5−1) (5−1りはマーカ、寄はスキャンゼふ
レータ、 +71はフレームメモリ、■は偏向補正回路
。
レータ、 +71はフレームメモリ、■は偏向補正回路
。
(91t;! 11位の“Il″″“L”利足回路、鐘
は全体的に示す電子大学系、tU+6電子ビーム、O汀
集束しンx 、 asFXs物レンズ、Uは一同器、鋳
に二次電子検知器、 (14$−1)(l6−りfi良
品xCと1検xo。
は全体的に示す電子大学系、tU+6電子ビーム、O汀
集束しンx 、 asFXs物レンズ、Uは一同器、鋳
に二次電子検知器、 (14$−1)(l6−りfi良
品xCと1検xo。
fnFxxC′IIA動回路、−FIX−1ステージ、
卯ハブランキングsIPm、−はビー為ブツンキング駆
動回路、alはステージ駆動回路、@はステージ位置指
示キーボードV示す。今良品I O(16−1)と被検
y a (16−g)の8個のxCv所定位微に七フト
し、10間の所足距lIFは予め甲央溜匂−装置亀11
に記憶さゼておく。良品工0 (16−1) Kつtl
て解析する位!#をキーボード@により指示してIUV
、S釦する。IOに直流電位!与えない状態で電子ビー
ムOv照射し二次電子検知器(至)の出力は−L’″H
”判定119」を経ないでフレームメモリI’71 K
入力させる。次[II検I O(1g−1り K ツい
て対応する所定位−の状態ナフレームメモQ1〕1に入
力し、ビ、デオ信号RA M (!5−1) と(a
−g)に切替入力し9表゛示装置f (4−1) (4
−g)に表示させる。このようにして直流電圧をIO#
c印加しない状態で肉xOを比較する。次いで両XOに
駆動回路節を介しIiL流電圧電圧加して電子ビームO
を照射する。二次電子検知S−の出力はこの場合はII
′″−11”判定回路(91を介してフレームメモ2月
71に入力させる。“XJ”B”の判Tは検知!!i$
−の出力の大小による0次にビデオ信号L1(s−x)
(s−z)を使用し、前述と同機に両10の状態を比
較する。このようKして動作状態にある被検工aV良&
xaの状態と比較して良品か否か解析できる。
卯ハブランキングsIPm、−はビー為ブツンキング駆
動回路、alはステージ駆動回路、@はステージ位置指
示キーボードV示す。今良品I O(16−1)と被検
y a (16−g)の8個のxCv所定位微に七フト
し、10間の所足距lIFは予め甲央溜匂−装置亀11
に記憶さゼておく。良品工0 (16−1) Kつtl
て解析する位!#をキーボード@により指示してIUV
、S釦する。IOに直流電位!与えない状態で電子ビー
ムOv照射し二次電子検知器(至)の出力は−L’″H
”判定119」を経ないでフレームメモリI’71 K
入力させる。次[II検I O(1g−1り K ツい
て対応する所定位−の状態ナフレームメモQ1〕1に入
力し、ビ、デオ信号RA M (!5−1) と(a
−g)に切替入力し9表゛示装置f (4−1) (4
−g)に表示させる。このようにして直流電圧をIO#
c印加しない状態で肉xOを比較する。次いで両XOに
駆動回路節を介しIiL流電圧電圧加して電子ビームO
を照射する。二次電子検知S−の出力はこの場合はII
′″−11”判定回路(91を介してフレームメモ2月
71に入力させる。“XJ”B”の判Tは検知!!i$
−の出力の大小による0次にビデオ信号L1(s−x)
(s−z)を使用し、前述と同機に両10の状態を比
較する。このようKして動作状態にある被検工aV良&
xaの状態と比較して良品か否か解析できる。
被検ICのチップ上パターン位敏が良&bXOの対応位
−′と比較し若干ずれ1いる場合があり、そのためI・
!ステージを所定を桜勧さゼたとき9両xOの対応する
部分に正―に電子ビームが照射するとに限らない、その
ため1LtIL電圧を印mしない伏型で両IOk*1M
L、、ながら、偏aS正−wI@を使用し例えば普検I
Oの場合について偏向量vWa贅する量をセツティング
しておく、taaw、FEv印加Lmとき良品xcvc
つい′Cは補正回路■を使用せず例えはスイッチを開い
1#き、被検xCIIcついてはスイッチを閉じ、前述
したセツティング量により偏向を補正する・ また二次電子検知器の出力につい工“LI″1”判定な
行なうとぎ電圧比較11CLり判定する力;。
−′と比較し若干ずれ1いる場合があり、そのためI・
!ステージを所定を桜勧さゼたとき9両xOの対応する
部分に正―に電子ビームが照射するとに限らない、その
ため1LtIL電圧を印mしない伏型で両IOk*1M
L、、ながら、偏aS正−wI@を使用し例えば普検I
Oの場合について偏向量vWa贅する量をセツティング
しておく、taaw、FEv印加Lmとき良品xcvc
つい′Cは補正回路■を使用せず例えはスイッチを開い
1#き、被検xCIIcついてはスイッチを閉じ、前述
したセツティング量により偏向を補正する・ また二次電子検知器の出力につい工“LI″1”判定な
行なうとぎ電圧比較11CLり判定する力;。
エネルギー分析器l用いると判だの精度がより同上する
。
。
更にSi1以上の工Cv胸−ステージ#C舟畝すると解
析の効率により同上する。そのとき勘数−のik會デー
タについてビーム伽同系の補正を打なうときのデータ差
分を中央処m**で演算し′C走分画悔な表示すると艮
否判足が明確化する。
析の効率により同上する。そのとき勘数−のik會デー
タについてビーム伽同系の補正を打なうときのデータ差
分を中央処m**で演算し′C走分画悔な表示すると艮
否判足が明確化する。
このようKして本発I’lによると予め良品と判ってい
る工0についての電位体V11検xCと比較するため#
C画像データを記憶し表示する抽−を使用し比較するた
め、NOの回路構造について十分な知識を持っていない
肴でも速やかに適確な解析な行なうことができる。多数
のxOv解析するときに極めて有効である・
る工0についての電位体V11検xCと比較するため#
C画像データを記憶し表示する抽−を使用し比較するた
め、NOの回路構造について十分な知識を持っていない
肴でも速やかに適確な解析な行なうことができる。多数
のxOv解析するときに極めて有効である・
図面は本発明の実施例1示すブ【ずり構成図である・
111・・・中央1!11@装歇
(21−−−ファンクシ冒ンデータ記憚装置(S−1)
(31)・・・ビデオ信号記憶用Rム輩(4−工)(
4−1!、)・−ii+体表示5W(B−1)(5−2
)・−マーカ 鴎)・φ・スキャンゼネレータ 171…フレームメモリ L81拳a−匍同視正回路
+91・−“H”L”判定回・路 [相]・・・電
子光字糸tU+−z子ビーム ロ争−集束レンズO
・一対物レンズ (至)・・・伽laJ器−・・・
二次電子検知器 (16−1)(16−2)−一艮品工Oと被検X0e−
io&動回路 (1−4−Yステージ(至)・−・ブ
ランキング装蒙 匈・−ビームブランキングIIA動回路ロトー・ステー
ジ駆動回路 (2)・・・ステージ位wlnI示キーボード特許出動
人 富士通株式会社 代 理 人 弁理土鈴木栄祐
(31)・・・ビデオ信号記憶用Rム輩(4−工)(
4−1!、)・−ii+体表示5W(B−1)(5−2
)・−マーカ 鴎)・φ・スキャンゼネレータ 171…フレームメモリ L81拳a−匍同視正回路
+91・−“H”L”判定回・路 [相]・・・電
子光字糸tU+−z子ビーム ロ争−集束レンズO
・一対物レンズ (至)・・・伽laJ器−・・・
二次電子検知器 (16−1)(16−2)−一艮品工Oと被検X0e−
io&動回路 (1−4−Yステージ(至)・−・ブ
ランキング装蒙 匈・−ビームブランキングIIA動回路ロトー・ステー
ジ駆動回路 (2)・・・ステージ位wlnI示キーボード特許出動
人 富士通株式会社 代 理 人 弁理土鈴木栄祐
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 細く絞った電子ビームの当った集積−回路からの二
次電子を検知して集積回路の不良を解析する装置におい
て、複数個の集積回路を所定距I隔て搭載して移動する
ことのできるステージと、w数個の集積回路な同w#に
釦I作状塾に駆動する島!I11回路と、二次電子を検
知した他号を各集積回路毎に記憶表示するW#g7に記
憶5に随な具便することを特徴とする果檜枦1路の不良
解析91!置。 2 集積回路の!!向に′#L子ビームを定棄さゼる偏
向系において集積回路チップの位置ばらつきを補正する
駕N補\X曳偏向補正製滅を設けたことV弊徴とする特
許請求の範囲881項記軟の集積回路の不良解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168841A JPS5870542A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 集積回路の不良解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168841A JPS5870542A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 集積回路の不良解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870542A true JPS5870542A (ja) | 1983-04-27 |
Family
ID=15875515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56168841A Pending JPS5870542A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 集積回路の不良解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4489477A (en) * | 1984-02-23 | 1984-12-25 | Northern Telecom Limited | Method for screening laser diodes |
| JP2002013559A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nsk Warner Kk | ラチェット型ワンウェイクラッチ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676545A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-24 | Hitachi Ltd | Scanning electron microscope or the like |
| JPS5693339A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Function test device of integrated circuit |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56168841A patent/JPS5870542A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5676545A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-24 | Hitachi Ltd | Scanning electron microscope or the like |
| JPS5693339A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Function test device of integrated circuit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4489477A (en) * | 1984-02-23 | 1984-12-25 | Northern Telecom Limited | Method for screening laser diodes |
| JP2002013559A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nsk Warner Kk | ラチェット型ワンウェイクラッチ |
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