JPS5871542A - 二次電子スペクトロメ−タ - Google Patents
二次電子スペクトロメ−タInfo
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- JPS5871542A JPS5871542A JP57168239A JP16823982A JPS5871542A JP S5871542 A JPS5871542 A JP S5871542A JP 57168239 A JP57168239 A JP 57168239A JP 16823982 A JP16823982 A JP 16823982A JP S5871542 A JPS5871542 A JP S5871542A
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- JP
- Japan
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- secondary electron
- secondary electrons
- electron spectrometer
- sample
- spectrometer
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 210000001550 testis Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/08—Electron sources, e.g. for generating photo-electrons, secondary electrons or Auger electrons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は二次電子スペクトロメータに関する。
軍学ゾンデを用いた試料の電位測定は二次電子エネルギ
ーの測定のために使用されるスペクトロメータを必要と
する。
ーの測定のために使用されるスペクトロメータを必要と
する。
従来使用されていたスペクトロメータ装置は文献、
Ｈ，Ｐ、Ｆｅｕｅｒｂａｕｍ著”ＶＬＳＩ Ｔｅｓｔｉ
ｎｇＵｓｉｎｇ Ｔｈｅ Ｆ！１ｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏ
ｂｅ ’、 ＳＫＭ／１９７９゜ＳＥＭ工ｎｃ、 Ａ
ＭＦ Ｏ’ＨＡＲＫ工Ｌ８０６６６、第２８５ないし２
９６ページに述べられている。このスペクトロメータ装
置においては、試料から放出された二次電子は吸引電界
を通過し、その接物−な逆電界内で殖速される。この公
知の逆電界型スペクトロメータは積分型エネルギー分布
を提供する。しかしながら、その際ｔ・で、二次電子の
角度分布が考慮されていない。この角度分布は試料表面
の静電的な微小電界によって変えられる、すなわち、測
定点の電位が変化すると、試料表面の局部的な微小電界
も、従って二次電子の角度分布も変化する。二次電子ス
ペクトロメータは二次電子の角度分布の変化を感知しな
いので、この公知のスペクトロメータ装置においては約
５〜１０％の７ｉｊｉｌ定誤差が生しる。
Ｈ，Ｐ、Ｆｅｕｅｒｂａｕｍ著”ＶＬＳＩ Ｔｅｓｔｉ
ｎｇＵｓｉｎｇ Ｔｈｅ Ｆ！１ｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏ
ｂｅ ’、 ＳＫＭ／１９７９゜ＳＥＭ工ｎｃ、 Ａ
ＭＦ Ｏ’ＨＡＲＫ工Ｌ８０６６６、第２８５ないし２
９６ページに述べられている。このスペクトロメータ装
置においては、試料から放出された二次電子は吸引電界
を通過し、その接物−な逆電界内で殖速される。この公
知の逆電界型スペクトロメータは積分型エネルギー分布
を提供する。しかしながら、その際ｔ・で、二次電子の
角度分布が考慮されていない。この角度分布は試料表面
の静電的な微小電界によって変えられる、すなわち、測
定点の電位が変化すると、試料表面の局部的な微小電界
も、従って二次電子の角度分布も変化する。二次電子ス
ペクトロメータは二次電子の角度分布の変化を感知しな
いので、この公知のスペクトロメータ装置においては約
５〜１０％の７ｉｊｉｌ定誤差が生しる。
木兄ＢＡは、冒頭で述べた種類の二次電子スペクトロメ
ータを測定精度に関して改良することを目的とする。
ータを測定精度に関して改良することを目的とする。
この目的（は本発明によれ（ゲ、試料上のｉｈ］＋定点
の二次電子の角１１分布１′こ′異存せずに二次電子の
エネルギー分布を測定する装置を設けるこ七によって達
成される。
の二次電子の角１１分布１′こ′異存せずに二次電子の
エネルギー分布を測定する装置を設けるこ七によって達
成される。
本発明による二次電子スペクトロメータによれは、測定
精度が高められるとともに、測定感度も改善される。
精度が高められるとともに、測定感度も改善される。
本発明の有利な寿施四様１・てよｎば、吸引覗侍と抑市
１ｊ電極と、二次電子をその方向に関係なく（すなわち
等方性に）減速するための球対称形電極装崇とが設けら
れる。
１ｊ電極と、二次電子をその方向に関係なく（すなわち
等方性に）減速するための球対称形電極装崇とが設けら
れる。
本発明による二次電子スペクトロメータの他の有利な実
ＩＮ 性ｒｌによれば、検出器に向がって二次電子会加
速するための電極装置が設けられる。
ＩＮ 性ｒｌによれば、検出器に向がって二次電子会加
速するための電極装置が設けられる。
次１Ｃ本光す１をし１面に示したー実施例ｉＣ基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
図面に示した本発明による二次電子スペクトロメータは
二次電子の角度分布を考事（ｃ入れて１ハる。
二次電子の角度分布を考事（ｃ入れて１ハる。
本発明は１、上述のＨ，Ｐ、 Ｆｅｕｅｒｂａｕｍによ
る出版物で述べられているような電子線測定装置の二次
電子スペクトロメータの改良に適用することができる。
る出版物で述べられているような電子線測定装置の二次
電子スペクトロメータの改良に適用することができる。
二次電子は本発明にょる二次電子スペクトロメータにお
りては、高電界強度の吸引電界Ａ１によって試料ＰＲか
ら吸引される。この吸引電界Ａ１は格子装置Ｇ１と試料
ＰＲとの間に存在している。試料ＰＲ上の測定点は非動
作状態では通常１ 零電位にあシ、一方、同様に上記
文献から公知であるように、格子装置Ｇ１は高電位たと
えば６ＯＵＶＫある。吸引電界ＡＩを通過後、二次電子
は格子装置Ｇ１と０２との間の、二次電子を減速させる
逆電界ＢＦを通る。格子装（ｍＧ２は、同様に上記文献
から公知であるように、非動作状態の試料ＰＲ上の測定
点とほぼ同じ電位にある。格子装置Ｇ１と０２との間の
減速逆電界ＢＦは、吸引′ｉｆｆ界ＡＩの前述の加速度
を若干減速させるよう（で作用する。すべての二次電子
ＳＥはしたがって格子長：ｔ Ｇ ２を通］ｌＡＩ、、
その後、試料表面における二次電子ＳＥの角度分布と等
しい角度分布を有する。
りては、高電界強度の吸引電界Ａ１によって試料ＰＲか
ら吸引される。この吸引電界Ａ１は格子装置Ｇ１と試料
ＰＲとの間に存在している。試料ＰＲ上の測定点は非動
作状態では通常１ 零電位にあシ、一方、同様に上記
文献から公知であるように、格子装置Ｇ１は高電位たと
えば６ＯＵＶＫある。吸引電界ＡＩを通過後、二次電子
は格子装置Ｇ１と０２との間の、二次電子を減速させる
逆電界ＢＦを通る。格子装（ｍＧ２は、同様に上記文献
から公知であるように、非動作状態の試料ＰＲ上の測定
点とほぼ同じ電位にある。格子装置Ｇ１と０２との間の
減速逆電界ＢＦは、吸引′ｉｆｆ界ＡＩの前述の加速度
を若干減速させるよう（で作用する。すべての二次電子
ＳＥはしたがって格子長：ｔ Ｇ ２を通］ｌＡＩ、、
その後、試料表面における二次電子ＳＥの角度分布と等
しい角度分布を有する。
二次電子ＳＥのエネルギー分布はその場合ｔで球対称形
（等方性）格子装置Ｇ３によって誤差なく、つ″！９角
度分布を電極して、測定することができる。球対称形格
子装置〜゛Ｇ３は図面に示した本発明の実施例におし６
ては約−７ｖにある。別の格子装置Ｑ４を介して、吸引
電界Ａ２内の二次電子ＧＥはその稜倹ＩＢ器へ向ってカ
Ｕ速される。この格子装置０４は上記の文献にお込で述
べられている二次電子スペクトロメータとほぼ同じ電圧
で枢動される。この二次電子スペクトロメータにはさら
に遮触体ＡＢが設けられている。−次電子？ｆＭＰ Ｅ
は試羊１ＰＲＫ突き当たジ、そして、試料表ＴｊｊＪ、
ｔの側だ（’ａの屯］前で依存して決まる角度分布を有
する二次ｒｔ子ＳＦを発生させる。二次電子スペクトロ
メータ・裟１４の内部の等電位線ｘＬは点線で示されて
−る。
（等方性）格子装置Ｇ３によって誤差なく、つ″！９角
度分布を電極して、測定することができる。球対称形格
子装置〜゛Ｇ３は図面に示した本発明の実施例におし６
ては約−７ｖにある。別の格子装置Ｑ４を介して、吸引
電界Ａ２内の二次電子ＧＥはその稜倹ＩＢ器へ向ってカ
Ｕ速される。この格子装置０４は上記の文献にお込で述
べられている二次電子スペクトロメータとほぼ同じ電圧
で枢動される。この二次電子スペクトロメータにはさら
に遮触体ＡＢが設けられている。−次電子？ｆＭＰ Ｅ
は試羊１ＰＲＫ突き当たジ、そして、試料表ＴｊｊＪ、
ｔの側だ（’ａの屯］前で依存して決まる角度分布を有
する二次ｒｔ子ＳＦを発生させる。二次電子スペクトロ
メータ・裟１４の内部の等電位線ｘＬは点線で示されて
−る。
本発明は電子ゾンデを用いて集積回路の電位を定量的に
測定するのに特に適している。
測定するのに特に適している。
本発明にとって重要なことは、捷ず、図面に示された本
発明の実施例においては、試料表面の測定点電位Ｉτ依
存してその試料表面に現われる二次電子ＳＥの角度分布
の格子装置Ｇ２の平面上への投影であり、その場合、二
次電子ＳＥは、基本的には、−次電子線ＰＫによって二
次電子Ｇ Ｅが発生される時の試料表面の測定点におけ
ると同じ三次元のインパルス分布を有する。本発明にと
って同様に重要なことは、この三次元のインパルス分布
を有する二次電子ＳＥは格子装置Ｇ２を通過後に加速さ
れるので、試料表面における測定点の電位変化シてより
角度分布が変化１−でも検出器において二次電子ＳＲの
エネルギー分布の源］定に誤りを生じないことである。
発明の実施例においては、試料表面の測定点電位Ｉτ依
存してその試料表面に現われる二次電子ＳＥの角度分布
の格子装置Ｇ２の平面上への投影であり、その場合、二
次電子ＳＥは、基本的には、−次電子線ＰＫによって二
次電子Ｇ Ｅが発生される時の試料表面の測定点におけ
ると同じ三次元のインパルス分布を有する。本発明にと
って同様に重要なことは、この三次元のインパルス分布
を有する二次電子ＳＥは格子装置Ｇ２を通過後に加速さ
れるので、試料表面における測定点の電位変化シてより
角度分布が変化１−でも検出器において二次電子ＳＲの
エネルギー分布の源］定に誤りを生じないことである。
格子装置Ｇ２と球刈祢形りを方性格子装置Ｇ３との間の
逆電界ＯＦにおいて。
逆電界ＯＦにおいて。
二次電子ＳＦはその速度方向に依存せずにその工ネルギ
ーのみに依イｆして減速される。球ｉ１祢ＩＮ、等方性
格子装置Ｇ：３の約−７Ｖの電圧は、試料ＰＲ上て存在
する６ｊ１１定点（導体路）の電圧Ｖｐが動作状態にお
いて約８ｖの場合（測定点は非動作状態においては電位
零）、このような動作中の測定点から到来する二次電子
ＧＥがその速度方向には関係せずシこ真直ぐに吸引電界
Ａ２に達し、その債別の格子装置Ｇ４を経て最後に検出
器（で達することができるように選定されている。
ーのみに依イｆして減速される。球ｉ１祢ＩＮ、等方性
格子装置Ｇ：３の約−７Ｖの電圧は、試料ＰＲ上て存在
する６ｊ１１定点（導体路）の電圧Ｖｐが動作状態にお
いて約８ｖの場合（測定点は非動作状態においては電位
零）、このような動作中の測定点から到来する二次電子
ＧＥがその速度方向には関係せずシこ真直ぐに吸引電界
Ａ２に達し、その債別の格子装置Ｇ４を経て最後に検出
器（で達することができるように選定されている。
本発明は勿論図ｎｉｉに示した実施例に限定されるもの
ではない。二次電子ＳＥのエネルギー分布を試料表面に
おけるこの二次電子ＳＥの角度分布に依存せ１’ Ｋ
ｆｆ１ｌｌ定するあらゆる二次電子スペクトロメータは
本発明に含ま八る。たとえば、格子装置ｉＱｌ、Ｇ２．
Ｇ３の作用は特定の法式で形成さ！した２つの格子装置
によっても得ることができ、その場合には、第１の格子
は吸引格子として形成され、第２の格子は抑制格子とし
て形成される。
ではない。二次電子ＳＥのエネルギー分布を試料表面に
おけるこの二次電子ＳＥの角度分布に依存せ１’ Ｋ
ｆｆ１ｌｌ定するあらゆる二次電子スペクトロメータは
本発明に含ま八る。たとえば、格子装置ｉＱｌ、Ｇ２．
Ｇ３の作用は特定の法式で形成さ！した２つの格子装置
によっても得ることができ、その場合には、第１の格子
は吸引格子として形成され、第２の格子は抑制格子とし
て形成される。
図は本発明の一実施例の概略構成図である。
０１、 ０２． （）：鳥 Ｇ４・・格子装置、ＰＲ
・・試料、ＰＥ・・−次電子、ｓｇ・・・二次電子。 、ＳＥ ゝ、７− ・ ｒ ° １ −一一半６（ 一下 τ −Ａ日 ・７ｖ ＯＶ ）ＯＶ 、、、ＡＬ
・・試料、ＰＥ・・−次電子、ｓｇ・・・二次電子。 、ＳＥ ゝ、７− ・ ｒ ° １ −一一半６（ 一下 τ −Ａ日 ・７ｖ ＯＶ ）ＯＶ 、、、ＡＬ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）試料の測定点の二次電子の角度分布に依存せずに二
次電子のエネルギー分布を測定する装置を設けたことを
特徴とする二次電子スペクトロメータ。 ２）吸引電極、抑＋Ｉ＋１」電極および二次電子を七の
方向に関係なく城速するだめの球対称形電極装置が設け
られていることを特徴とする特許請求の範＋７ｔ（第１
項６ピ載の二次電子スペクトロメータ。 ３）検出器に向かって二次電子を加速するための電極製
麹が設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
１頃または第２項記載の二次電子スペクトロメータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3138929.5 | 1981-09-30 | ||
| DE19813138929 DE3138929A1 (de) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Verbessertes sekundaerelektronen-spektrometer fuer die potentialmessung an einer probe mit einer elektronensonde |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871542A true JPS5871542A (ja) | 1983-04-28 |
| JPS6352428B2 JPS6352428B2 (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=6143065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168239A Granted JPS5871542A (ja) | 1981-09-30 | 1982-09-27 | 二次電子スペクトロメ−タ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4514682A (ja) |
| EP (1) | EP0075709B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5871542A (ja) |
| DE (2) | DE3138929A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211953A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Univ Osaka | ２次電子分光装置 |
| JPH01181528A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Seiko Instr & Electron Ltd | イオンビーム加工装置 |
Families Citing this family (9)
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| GB8327737D0 (en) * | 1983-10-17 | 1983-11-16 | Texas Instruments Ltd | Electron detector |
| DE3638682A1 (de) * | 1986-11-13 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik |
| JPS63126148A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-30 | Hiroshi Daimon | 荷電粒子アナライザ− |
| JPH03101041A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-25 | Hitachi Ltd | 電子ビームによる電圧測定装置 |
| US6359451B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-03-19 | Image Graphics Incorporated | System for contactless testing of printed circuit boards |
| WO2001058558A2 (en) | 2000-02-14 | 2001-08-16 | Eco 3 Max Inc. | Process for removing volatile organic compounds from an air stream and apparatus therefor |
| RU2171467C1 (ru) * | 2000-06-30 | 2001-07-27 | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет | Микрореактор для химического и генетического тестирования |
| EP3203494B1 (en) * | 2014-09-24 | 2019-12-18 | National Institute for Materials Science | Energy-discrimination electron detector and scanning electron microscope in which same is used |
| EP3330998B1 (en) * | 2016-01-21 | 2021-10-13 | Japan Synchrotron Radiation Research Institute | Retarding potential type energy analyzer |
Citations (1)
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| US4179604A (en) * | 1978-09-29 | 1979-12-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electron collector for forming low-loss electron images |
| JPS55156867A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-06 | Hitachi Ltd | Potential measuring device |
| US4417203A (en) * | 1981-05-26 | 1983-11-22 | International Business Machines Corporation | System for contactless electrical property testing of multi-layer ceramics |
-
1981
- 1981-09-30 DE DE19813138929 patent/DE3138929A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-07-15 US US06/398,542 patent/US4514682A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-08-17 EP EP82107490A patent/EP0075709B1/de not_active Expired
- 1982-08-17 DE DE8282107490T patent/DE3276035D1/de not_active Expired
- 1982-09-27 JP JP57168239A patent/JPS5871542A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS54134569A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-19 | Siemens Ag | Method of and device for measuring nonncontact potential elapse in electronic part |
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| JPS59211953A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Univ Osaka | ２次電子分光装置 |
| JPH01181528A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Seiko Instr & Electron Ltd | イオンビーム加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0075709B1 (de) | 1987-04-08 |
| EP0075709A3 (en) | 1983-06-29 |
| JPS6352428B2 (ja) | 1988-10-19 |
| DE3276035D1 (en) | 1987-05-14 |
| US4514682A (en) | 1985-04-30 |
| DE3138929A1 (de) | 1983-04-14 |
| EP0075709A2 (de) | 1983-04-06 |
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