JPS6332945A

JPS6332945A - 電子デバイスの試験装置

Info

Publication number: JPS6332945A
Application number: JP61175250A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yoshizawa; 吉沢　正浩; Yasushi Wada; 康和田; Nobuo Shimazu; 信生島津; Akira Kikuchi; 章菊池; Akihira Fujinami; 藤波　明平
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1986-07-25
Filing date: 1986-07-25
Publication date: 1988-02-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ＶＬＳ　Ｉ等の電子デバイスに荷電ビームを
照射し、これにより発止した二次電子をエネルギー分析
し、検出された二次電子（以下「検出二次電子」という
）信号量と設定された基準二次電子信号量とをエネルギ
ー分析に基づき比較し、この比較により電子デバイス上
の照射位置の電位を測定して電子デバイスの試験を行な
う試験装置に関するものである。

〔従来の技術〕

電子ビームテスタ等の電子デバイスの試験装置では、エ
ネルギー分析器を用いてビーム照射点電位を測定する。

従来のエネルギー分析器および電位測定方法については
、例えば、イー・メンツェル、イー・クバレク著「定量
的電位測定用二次電予検出システム」、スキャニング第
１巻、１５１〜１７１＋１９８３　（Ｅ、Ｍｅｎｚｅｌ
　ａｎｄ　ｕ、Ｋｕｂａｌｅｋ、　ｒｓｅｃｏｎｄａｒ
ｙＥｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　　Ｓｙｓ
ｔｅｍｓ　　ｆｏｒ　　ＱｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅＶｏ
ｌｔａｇｅ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ　Ｊ　、５ＣＡ
ＮＮＩＮＧ　ｖｏｌ、　５　＋１５１−１７１　（１９
８３）　）に示されている。

次に、上記文献記載の内容について説明する。

荷電ビームの照射によりある試料から放出される二次電
子は、その材質に応じて第７図に示すようなエネルギー
分布を持っている。

第７図において、１は試料電圧ｖｓｐが＋５Ｖの場合、
２は試料電圧ＶＳＦがＯＶの場合、３は試料電圧Ｖ３Ｐ
が一５■の場合を示す。このように、エネルギー分布は
、試料に電圧Ｖ、Ｐを加えると、その電圧骨だけ低エネ
ルギー側ヘシフトする。従って、このエネルギー分布の
シフト量から試料電位が測定できる。

このことを第８図、第９図に示す装置５グラフを用いて
説明する。第８図において、４は電子ビーム、５は試料
、６は試料電位ｖｓｒを与えるための電源、７は電子ビ
ーム４の照射により発生した二次電子ＳＥを検出する二
次電子検出器、８はエネルギーを分析するために試料５
と二次電子検出器７の間に設けられた減速グリッド、９
は減速グリッド８に電位ＶＧを与えるための電源である
。

減速グリッド８に負の電圧−■、を加えると、試料５か
ら出た二次電子ＳＥは減速され、エネルギーが■、より
も高い二次電子のみが減速グリッド８を通過して二次電
子検出器７に到達する。この減速電圧ｖＧを変化させて
減速グリッド８を通過する二次電子を検出すると、第９
図に示すような積分型のエネルギー分布曲線（Ｓカーブ
）１１゜１２．１３が得られる。Ｓカーブ１１．１２お
よび１３は試料電位ｖ、２が＋５Ｖ、ＯＶおよび一５■
の場合を示す。第９図に示すように、Ｓカーブは、試料
電位ＶＳＦが変化すると、第７図の場合と同様にシフト
する。従って、減速グリッド８に一定の電圧ＶＧＩを印
加すると、試料電位ｖｓｐＯ値に応じて検出される二次
電子信号量Ｉ。、が変化する。逆に、減速グリッド８に
電圧Ｖ３Ｆを印加すると、二次電子信号量が試料電位が
０■の時と等しくなる。すなわち、減速グリッド８の電
位が■６□で試料電位ｖｓ−ｐがＯＶの時の二次電子信
号量をｌ５ＥＤＯとした場合、試料電位ｖｓｐが変化し
た時でも二次電子信号量がＩ　３ＥＤＯとなるように減
速グリッド８の電位を制御することにより、試料電位ｖ
ｓｐを減速グリッド８の電位から求めることができる。

例えば、試料電位ＶＳＰがＯＶから＋５ｖへ変化した場
合、減速グリッド８の電位をＰ点の電位ＶａＳとすれば
、二次電子信号量はＩ　！ＥＤＯのままである。

従ッテ、ｖｃｓ　　ＶＧ＋から、試料電位Ｖ、、＝＋５
Ｖを求めることができる。

エネルギー分析器は、半球あるいは平面状のメツシュ電
極（グリッド）を測定電子デバイスの上方に設置したも
のである。このようなエネルギー分析器を用いた電位測
定系としては、例えば、イー・メンツェル、エム・ブル
ナー著「二次を子ｆｆｌ出器の特性と性能の改良」、ジ
ェイ・バンク・サイエンス・チクノロシイ・Ｂ　１　、
１３４８．１９８３年（Ｅ、Ｍｅｎｚｅｌ　ａｎｄ　Ｍ
、Ｂｒｕｎｎｅｒ＋　ｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉ
ｏｎａｎｄ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｉｍｐｒｏｖｅ
ｍｅｎｔ　ｏｆ　５ｅｃｏｎｄａｒｙ　ｅｌ−ｅｃｔｒ
ｏｎ　ａｎａｌｙｚｅｒｓＪ　、　　Ｊ＋Ｖａｃ、Ｓｃ
ｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、Ｂ１＋１３４８（１９８３））に
記載されているものがある。

上記測定系を第１０図および第１１図に示す。

第１０図はエネルギー分析器の斜視図、第１１図は電位
測定系の構成を示す系統図である。第１Ｏ図および第１
１図において、１４〜１６はエネルギー分析器を構成す
る３枚のグリッドであり、グリッド１４は測定したい配
線の周辺の電位の影響（局所電界効果）を緩和するため
に正の電圧を印加して二次電子を引き出すための引出グ
リッド、グリッド１５はエネルギー分析グリッド、グリ
ッド１６はサブレソショングリソドで二次電子検出器７
の方へ二次電子ＳＥが行きやすいように電界を加えてい
る。また、１７は検出二次電子信号量が基準値に等しく
なるようにフィードバックをかけるためのリニアライゼ
ーションユニフトであり、前述したように、検出二次電
子信号量が基準の二次電子信号量に等しくなるようにエ
ネルギー分析グリッドの電圧を制御し、その電圧から試
料の電位を測定する。第１Ｏ図および第１１図において
第８図と同一部分又は相当部分には同一符号が付しであ
る。

一方、外部から接触式に接続した端子から電子デバイス
に駆動電圧を供給して動作させ、その時の論理状態、任
意の配線の電位の時間変化を測定するストロボＳＥＭを
用いた電子ビームテスタが実用化されている。この種の
装置で測定するデバイスは、完成品もしくはパ・７シベ
ーシヨン膜を付着する前の半完成品である。この場合に
は、遅延時間の測定等のために電位の時間変化を測定す
るビーム照射位置は、通常、最上層の配線であり、複数
の測定位置に対して同一材料であることが多い。また、
駆動電圧は外部から供給し、電位測定にのみ電子ビーム
を用いており、測定途中でビーム電流を変化させること
は行なっていない。従って、上記の基準二次電子信号量
は測定中は一定に保たれている。

これに対して、電子ビームを電圧供給にも用いて電子デ
バイスの電気特性を製造途中で非接触に測定する試験装
置が特願昭６０−１２９９３７号に提案されている。こ
の種の装置では、照射点の電位を目的値に設定するため
に、電位の測定結果をもとにしてビーム電流を変化させ
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、製造途中の測定では、ある照射点では電
極材料がポリシリコンであり、他の照射点ではアルミニ
ウムであるというようなことが生じる場合があり、この
ような状況では、上述の電位測定を行なう場合、基準に
なる二次電子信号量は材質や加速電圧、ビーム電流によ
って異なってくる。このため、照射位置を変えた場合、
あるいは、加速電圧、ビーム電流を変えた場合に電位測
定に誤差が生じるという問題があった。

本発明の目的は、従来技術での諸問題を解決し、複数の
照射位置の電位を高精度で測定でき、また加速電圧、ビ
ーム電流が変化した場合でも高精度に電位測定ができる
電子デバイスの試験装置を得ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

このような目的を達成するために本発明は、荷電ビーム
の照射により発生した二次電子のエネルギーを分析し、
検出された二次電子信号量と設定された基準二次電子信
号量とをエネルギー分析に基づいて比較し、この比較に
よりビーム照射位置の電位を測定して電子デバイスの試
験を行なう試験装置において、ビーム照射位置の電位を
測定するための基準二次電子信号量を１つ又は２つ以上
の信号量決定要因の値に応じて設定する設定手段を設け
るようにしたものである。

〔作用〕

本発明においては、材質の異なる測定点ごとに別々の基
準二次電子信号量を設定する。また、加速電圧、ビーム
電流の照射条件の変化に伴って、基準二次電子信号量を
変化させる。電位測定は、上記基準二次電子信号量と検
出二次電子信号量を比較することにより行なう。

〔実施例〕

第１図は、本発明に係わる電子デバイスの試験装置の一
実施例を示す系統図である。鏡筒から出た電子ビーム２
３をステージ３５の上の電子デバイス３４に照射し、こ
の時に発生する二次電子をエネルギー分析器３６でエネ
ルギー分析し、二次電子検出器３７で検出する。この二
次電子検出器３７の出力を増幅器３８で増幅する。１８
は電位を測定する電位測定回路であり、差分増幅器１８
１、エネルギー分析電圧制御回路１８２２乗算回路１８
３．マルチプレクサ１８４．電圧源１８５から構成され
ている。２４は電子ビームを加速する加速電圧源、２５
はアライナである。２６はコンデンサレンズ、２７はレ
ンズ電源である。レンズ電源２７を制御することにより
ビーム電流を変化させる。２８はビームをオン・オフす
るためのブランカ、２９はブランキング電源、３０はブ
ランキングアパーチャである。３１はビームを偏向する
ための偏向器、３２は偏向電源である。

第１図では１組の偏向器とアライナしか図示していない
が、ｘ、ｙ方向の２組の偏向器、アライナを有している
。３３は対物レンズであり、図示していない対物レンズ
電源の電圧を変えて焦点を調整する。

２０は照射位置制御回路であり、ビームの照射位置に応
じて偏向量を偏向制御回路１９に指定する。偏向制御回
路１９では、偏向量に応じて偏向電源３２に加える電圧
を変化させることにより、照射位置を変える。また、照
射位置制御回路２０では、それぞれの照射位置の材質を
設計データ等を参照してテーブル化しである。即ち、各
照射位置に対して偏向量と表面材質をセットにしたテー
ブルを用意しておき、偏向量を偏向制御回路１９に指定
すると同時に、電位測定回路１８に材質指定の信号を送
る。この材質指定の信号ａは、例えば、アルミニウムは
１．ポリシリコンは２というようにコード化しである。

この材質指定信号ａは、電位測定回路１８内のマルチプ
レクサ１８４に人力され、その中のチャネルを指定する
ために用いられる。マルチプレクサ１８４内の各チャネ
ルには、アルミニウム、ポリシリコン等の材質に応じた
基準電圧を発生する電圧源１８５が接続されており、チ
ャネルを選択することにより、その値を基準二次電子信
号量として差分増幅器１８１に入力し、この基準二次電
子信号量と検出二次電子信号量とが一致するようにエネ
ルギー分析電圧を制御した後に電位を測定する。また、
照射位置が同じ材質でも、二次電子信号量はビーム電流
に比例して増加する。このため、基準二次電子信号量も
ビーム電流に比例して変化させる必要がある。第１図の
装置では、電流アンプ３９によりビーム電流を電流に比
例した電圧に変換して電位測定回路１８内の乗算回路１
８３に入力し、この電流に比例した電圧とマルチプレク
サ１８４から入力される材質によって異なる基準電圧と
の積を基準電圧として差分増幅器１８１に入力している
。

ここでは、ビーム電流を電流アンプ３９で測定している
が、電子デバイス３４の上の反射電子を検出し、その量
に比例した電圧を乗算回路１８３に入力してもよい。ま
た、鏡筒内の途中でビーム電流を測定して、その値を用
いてもよい。第１図の装置において、電流アンプ３９１
乗算回路１８３、マルチプレクサ１８４．電圧源１８５
は、基準二次電子信号量を信号量決定要因に応じて設定
する設定手段を構成する。

第１図の装置では、照射位置に応じた別々の基準二次電
子信号量に基づいて電位測定を行なうことができるので
、材質が異なりＳカーブが違う場合でも、精度よく電位
を測定することができる。

また、基準二次電子信号量をビーム電流に比例して変化
させているので、ビーム電流を変化させて電位を設定す
るような場合でも、電位測定は精度よく行なえる。

第１図の装置では乗算回路１８３を用いているが、電流
アンプ３９によりビーム電流を電流に比例した電圧に変
換した値を増幅器を介して基準二次電子信号量として差
分増幅器１８１に入力してもよい。この場合には、その
増幅器のゲインを材質によって変えるため、ゲイン調整
の抵抗を材質指定信号ａによりマルチプレクサで切り替
えて用いる。

第２図は、本発明の第２の実施例であり、第１図と同一
部分又は相当部分には同一符号が付しである。第２図の
装置構成が第１図の装置構成と異なる点を述べる。ビー
ム電流制御回路４０は、ビーム電流を変化させるレンズ
電源２７の電圧（以下「レンズ電圧」という）の値を制
御するものである。これは、必要なビーム電流に対して
レンズ電圧を何■に設定したらよいかのテーブルを用意
しておき、その値に基づいてレンズ電圧を設定する。こ
の時、同時にビーム電流の値を電位測定回路１８の基準
電圧制御回路１８６に入力する。また、加速電圧の値は
、加速電圧制御回路４１で加速電圧源２４を制御して行
なう。この時、加速電圧の値を基準電圧制御回路１８６
に送る。また、基準電圧制御回路１８６には、照射位置
制御回路２０から照射位置の材質をコード化したデータ
が送られる。基準電圧制御回路１８６は、これらのデー
タにより、加速電圧と材質によって異なり且つビーム電
流に比例する基準二次電子信号量の値になるように、基
準電圧発生源１８７の出力電圧を設定する。第２図の装
置において、基準電圧制御回路１８６と基準電圧発生Ｒ
１８７は設定手段を構成する。

第３図は本発明の第３の実施例である。第３図において
、５０は制御計算機、５１はＡＤコンバータ、５２〜５
５はＤＡコンバータである。第３図において第１図と同
一部分又は相当部分には同一符号が付しである。この装
置は、電位測定回路１８の基準二次電子信号量に対応す
る電圧を、加速電圧・ビーム電流の変化、照射位置の変
更に伴って、制御計算機５０からＤＡコンバータ５５に
より直接設定する構成をとっている。制御計算機５０か
らは、この他に、ビーム電流を変化させるレンズ電源２
７の電圧値をＤＡコンバータ５３で、照射位置を変える
偏向電源の電圧値をＤＡコンバータ５２で、加速電圧源
２４の電圧値をＤＡコンバータ５４でそれぞれ設定する
。また、電位測定回路１８の基準電圧ＶｒはＤＡコンバ
ータ５５で設定する。この時の基準電圧ＶｒＯ値はｋｌ
ｐの形になる。ここで、Ｉｐはビーム電流、ｋは加速電
圧・材質によって決まる定数である。ｋの値は、アルミ
ニウム・ポリシリコン等の材質、加速電圧に対していく
らにすればよいかを予めテーブル化してお（。あるいは
、ＬＳＩの金属配線に用いられているような材質では、
通常、二次電子放出比は加速電圧が数百ボルトのところ
でピークをもち、それ以上の加速電圧では加速電圧とと
もに減少してくる。この関数形からｋの値を設定しても
よい。

制御計算機５０の上には、ビーム電流をある値に設定す
るにはレンズ電圧を何■にすればよいかのテーブルがあ
り、これによって、必要なビーム電流値に対応したレン
ズ電圧をＤＡコンバータ５３で設定する。また、ビーム
の照射位置は、ＤＡコンバータ５２で設定するが、その
部分の材質は設計データから既知である。したがって、
ＤＡコンバータで照射位置、加速電圧を設定する時点に
ｋの値が決まる。また、ビーム電流もレンズ電圧を設定
する時に決まり、この両者の積を計算し、その値をＤＡ
コンバータ５５で設定する。第３図の装置において、制
御計算機５０とＤＡコンバータ５５は設定手段を構成す
る。

第４図は本発明の第４の実施例であり、２本の鏡筒を持
つ試験装置の例である。第４図において第３図と同一部
分又は相当部分には同一符号が付しである。電子ビーム
２１を発生する鏡筒は電子ビーム２２を発生する鏡筒と
同じ構造になっているが、必ずしも同じ鏡筒でなくても
よい。電子ビーム２１．２２をステージ３５の上の電子
デバイス３４に照射し、この時に発生する二次電子をエ
ネルギー分析器３６でエネルギー分析し、二次電子検出
器３７で検出する。次に、二次電子検出器３７の出力を
増幅器３８で増幅する。電位測定回路１８の出力電位は
ＡＤコンバータ５１により制御計算機５０に読み込まれ
ている。制御計算機５０からは、ＤＡコンバータ５２，
５３により、それぞれのビームの偏向量とビーム電流を
制御している。また、電位測定回路１８の基準電圧もＤ
Ａコンバータ５５で設定している。

第４図において、４２はホールド回路、４３は差分増幅
器であり、２つの照射位置から発生する二次電子を切り
分けて、それぞれの照射位置の電位を測定するために用
いる。複数のビームを用いた場合、複数の照射位置から
同時に二次電子が発生するので、これを切り分けて、そ
れぞれの点の電位を検出する必要がある。第１のビーム
による二次電子と第２のビームによる二次電子との切り
分けを行なう方法を次に述べる。まず、第１のビームを
オン状態にし、第２のビームをオフ状態にした時、増幅
器３８の出力をスイッチＳ１によりホールド回路４２に
入力し、この時の検出二次電子信号量Ｓａをホールドし
ておく。次に、第１のビームをオン状態にしたまま第２
のビームを照射すると、第１．第２のビームによる二次
電子が同時に二次電子検出器３７で検出される。この時
、二次電子検出器３７は切替スイッチＳ１により差分増
幅器４３に接続されている。二次電子検出器３７から出
力された検出二次電子信号量を増幅器３８で増幅器した
後、差分増幅器４３に入力し、ホールド回路４２にホー
ルドしてあった第１のビームによる二次電子信号量Ｓａ
との差を求め、この差を電位測定回路１８に入力して電
位を測定する。これによって、複数の照射位置から発生
する複数の二次電子を切り分けて、各照射位置の電位を
測定することができる。この時、電位測定回路１８の基
準電圧はＤ　、Ａコンバータ５５により設定される。こ
の値は、第１のビームの照射位置の材’ｆｆ、　加速１
！圧のｋの値に第１のビームのビーム電流を掛けた値に
設定される。第１のビームと第２のビームを入れ替えた
時には、基準電圧は第２のビームの照射位置の材質、加
速電圧のｋの値に第２のビームのビーム電流を掛けた値
に設定する。

第４図の装置において、制御計算機５０とＤＡコンバー
タ５５は設定手段を構成する。

第４図の装置は、デバイスのトランジスタ特性等を測定
するために使用できる装置である。この装置の使用例に
ついて、ＭＯ３Ｉ−ランジスタのＩｔ＋−■。特性・閾
値電圧等の測定方法を例に第５図および第６図を用いて
説明する。第５図および第６図において、２１．２２は
電子ビーム、Ｇはゲート部、Ｄはドレイン部、Ｓはソー
ス部、６０はＳｉＯ，の酸化膜、６１はシリコン基板で
ある。

まず、電子ビーム２１をトランジスタのゲート部Ｇに照
射し、この部分の電位を測定しながら、電位が設定した
い値になるように、レンズ電圧をＤＡコンバータ５３で
変化させてビーム電流を調整する。この時、ビーム電流
の変化に伴って電位測定回路１８の基準電圧をＤＡコン
バータ５５で変化させて電位測定を行なう。一般に電位
は、ビーム電流１ｐ、二次電子放出比δ、リーク電流を
■。

とすると、Ｉ、＝　（δ−１）Ｉｐが成り立つ電位で飽
和する。リーク電流ＩＬは電位の関数であるので、ビー
ム電流を変化させることによって、飽和する電位を変化
させることができる。はじめ、トランジスタがオフ状態
になるようなゲート電圧に設定する。この設定は、電位
を測定しながらビーム電流を変化させることによって可
能である。

次に、１１子ビーム２２をトランジスタのドレイン部り
に照射する。この時、ＤＡコンバータ５５により、ドレ
イン部りの材質のｋの値に電子ビーム２２のビーム電流
を掛けた値に電位測定の基準電圧を設定する。このビー
ム照射により、ドレイン部りの電位が徐々に上昇する。

この電位上昇を測定する。ドレイン部りの電位を■。、
この部分の容量を００、この容量に蓄積される電荷量を
ＱＤ。

リーク電流をＩＩ、ｏとすると、以下の式が成り立つ。

ｄＶｏ／ｄｔ＃　（ｄＱｔｉ／ｄｔ）／Ｃｎ＝　（（δ
−１０＋１　　ＩＬＤ　　ＩＪ・　・　・　・（１）トランジスタがオフ状態になるようなゲート電圧におい
てはｉ、＝ｏである。ビーム電流１ｐはレンズ電圧の設
定値から求めるか、ファラデーカップを用いて直接測定
することができる。また、ＣＩｌは電極の面積と絶縁膜
の厚さから求めることができる。更に、二次電子放出比
δは、それぞれの材質に対して予め測定しておいた値を
テーブル化したものから求める。以上の値を用いて、電
位の時間変化ｄＶｎ／ｄｔからリーク電流ＩＬＤを求め
ることができ、■ＬＩ、−■。特性が得られる。次に、
ゲート電圧の設定値をドレイン電流が流れるような電圧
に変化させて同様の測定を行なう。この時、電位測定の
基準電圧の設定については上述したとおりである。この
測定が終わると、同様の計算により、（１）式からＩＬ
Ｄ＋Ｉ。の値が求まる。ここで、ＩＬＤＯ値はＩｔ、ｏ
　　Ｖｏ特性が得られているので、この値を引くことに
よってドレイン電流■。を求めることができる。これか
ら、ＩＤ−Ｖ＋、特性が得られる。また、ゲート電圧を
順次変化させて測定し、ドレイン電圧がある値の時のド
レイン電流をプロットしていけば、あるドレイン電圧Ｖ
Ｄに対するＩＩ、−Ｖ。特性が得られ、トランジスタの
闇値を求めることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、複数のビーム照射位置の
電位測定を行なう場合に、材質の異なる測定点ごとに別
々の基準二次電子信号量を予め設定し、この基準二次電
子信号量と検出二次電子信号量とを比較して電位測定を
行なうことにより、材質による違いがあっても、その違
いを補正することができるので、高精度に複数の点の電
位測定を行なうことができる効果がある。

また、加速電圧、ビーム電流が変化した場合に、加速電
圧の変化に応じて基準二次電子信号量を変化させ、また
ビーム電流に比例して基準二次電子信号量を変化させる
ことにより、照射条件を変化させて照射位置の電位を測
定する場合でも、照射条件の変化の影響を無くすことが
できるので、高精度の電位測定ができる効果がある。

従って、配線工程前にトランジスタのゲート。

ドレインの材質が異なる状態でも、トランジスタの電気
特性をインプロセスで測定できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる電子デバイスの試験装置の一実
施例を示す系統図、第２図は本発明の第２の実施例を示
す系統図、第３図は本発明の第３の実施例を示す系統図
、第４図は本発明の第４の実施例を示す系統図、第５図
および第６図は試験方法を説明するためのトランジスタ
の接続図および断面図、第７図および第９図はエネルギ
ー分析器を用いた電位測定の原理と方法を示すためのグ
ラフ、第８図はその概念図、第１０図および第１１図は
エネルギー分析器の一例を示す斜視図および電位測定系
の構成を示す系統図である。２１〜２３・・・電子ビーム、２４・・・加速電圧源、
２５・・・アライナ、２６・・・コンデンサレンズ、２
７・・・レンズ電源、２８・・・ブランカ、２９・・・
ブランキング電源、３０・・・ブランキングアパーチャ
、３１・・・偏向器、３２・・・偏向電源、３３・・・
対物レンズ、３４・・・電子デバイス、３５・・・ステ
ージ、３６・・・エネルギー分析器、３７・・・二次電
子検出器、３８・・・増幅器、３９・・・電流アンプ、
４０・・・ビーム電流制御回路、４１・・・加速電圧制
御回路、４２・・・ホールド回路、４３，１８１・・・
差分増幅器、５０・・・計算機、５１・・・ＡＤコンバ
ータ、５２〜５５・・・ＤＡコンバータ、６０・・・Ｓ
ｉＯ□酸化膜、６１・・・シリコン基板、１８２・・・
エネルギー分析電圧制御回路、１８３・・・乗算回路、
１８４・・・マルチプレクサ、１８５・・・電圧源、１
８６・・・基準電圧制御回路、１８７・・・基準電圧発
生源。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）荷電ビームの照射により発生した二次電子のエネ
ルギーを分析し、検出された二次電子信号量と設定され
た基準二次電子信号量とを前記エネルギー分析に基づい
て比較し、この比較によりビーム照射位置の電位を測定
して電子デバイスの試験を行なう試験装置において、前
記基準二次電子信号量を１つ又は２つ以上の信号量決定
要因の値に応じて設定する設定手段を備えたことを特徴
とする電子デバイスの試験装置。
（２）信号量決定要因は、照射位置の材質、加速電圧、
ビーム電流の３要因の内の１〜３の要因であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子デバイスの試
験装置。
（３）信号量決定要因は、値がテーブル化されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子デバイ
スの試験装置。
（４）基準二次電子信号量は、二次電子放出比又はビー
ム電流に比例して設定されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子デバイスの試験装置。