JPS5872071A - 薄膜磁気センサ - Google Patents
薄膜磁気センサInfo
- Publication number
- JPS5872071A JPS5872071A JP56172310A JP17231081A JPS5872071A JP S5872071 A JPS5872071 A JP S5872071A JP 56172310 A JP56172310 A JP 56172310A JP 17231081 A JP17231081 A JP 17231081A JP S5872071 A JPS5872071 A JP S5872071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- magnetic
- deposited
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空蒸着、電子線蒸着あるいはスパッタリン
グ蒸着により、保磁力の異なる２種類の磁性薄膜を重ね
て形成し、これにピックアップ用コイルを巻線、あるい
は薄膜のフ〕トリソ技術を用いて作成したコイルを設け
てなる薄膜磁気センサに関するものである。
グ蒸着により、保磁力の異なる２種類の磁性薄膜を重ね
て形成し、これにピックアップ用コイルを巻線、あるい
は薄膜のフ〕トリソ技術を用いて作成したコイルを設け
てなる薄膜磁気センサに関するものである。
すなわち、ガラス、磁器、あるいは表面に非磁性の酸化
膜を設けたたとえばシリコン（Ｓｌ）ウェハの上に、Ｆ
ｅ−Ｇｏ−Ｖの組成からなり２層の磁性薄膜を、成分比
を変えて重ねて形成し、その上に絶縁膜を介してピック
アップ用コイルを巻線、あるいは、薄膜のフォトリソ技
術を用いて作成したコイルを設けてのち、モールドして
構成した薄膜磁気センサである。
膜を設けたたとえばシリコン（Ｓｌ）ウェハの上に、Ｆ
ｅ−Ｇｏ−Ｖの組成からなり２層の磁性薄膜を、成分比
を変えて重ねて形成し、その上に絶縁膜を介してピック
アップ用コイルを巻線、あるいは、薄膜のフォトリソ技
術を用いて作成したコイルを設けてのち、モールドして
構成した薄膜磁気センサである。
従来、外部磁場の変化量、あるいは変化を検出する磁気
センサには、半導体材料、磁性材料などを用いた多くの
センサが開発され、実用化されている。たとえば、半導
体材料を用いたものでは、ホール素子、ＦＩＴ素子があ
る。これらはＩｎ５ｌ） 。
センサには、半導体材料、磁性材料などを用いた多くの
センサが開発され、実用化されている。たとえば、半導
体材料を用いたものでは、ホール素子、ＦＩＴ素子があ
る。これらはＩｎ５ｌ） 。
ＣＴ２ＬＡｓ等のｍ−ｖ化合物、 ＳｉあるいはｃＴｅ
などが主に使用されている。磁性材料を用いたものでは
メモリ素子、磁気抵抗素子、磁気ヘッドなどがあり、パ
ーマロイ、センダスト、Ｎｉ−ＺｎやＭｎ−Ｚｎｎフチ
イトなどが使用されている。
などが主に使用されている。磁性材料を用いたものでは
メモリ素子、磁気抵抗素子、磁気ヘッドなどがあり、パ
ーマロイ、センダスト、Ｎｉ−ＺｎやＭｎ−Ｚｎｎフチ
イトなどが使用されている。
また、特開昭５３−１３７６４１号公報には線状の磁性
体を機械的、熱的処理を加え、磁性線の表面近くの層（
第２の磁気的部分）の磁気的特性を変え、内部（第１の
磁気的部分）の磁気特性より保磁力を太きくシ、これに
巻線してなる磁気デバイスが開示されている。これは第
２の磁気的部分の保磁力が、第１の磁気的部分の保磁力
より大きくなっている。すなわち、保磁力の小さい磁気
的部分が保磁力の大きい磁気的部分によって、円周方向
におおわれている構造である。
体を機械的、熱的処理を加え、磁性線の表面近くの層（
第２の磁気的部分）の磁気的特性を変え、内部（第１の
磁気的部分）の磁気特性より保磁力を太きくシ、これに
巻線してなる磁気デバイスが開示されている。これは第
２の磁気的部分の保磁力が、第１の磁気的部分の保磁力
より大きくなっている。すなわち、保磁力の小さい磁気
的部分が保磁力の大きい磁気的部分によって、円周方向
におおわれている構造である。
この磁気デバイスはたとえば外部磁場の大きさ。
方向を線の長手方向において変えるとき、保磁力の大き
い部分は、保磁力の小さい部分と磁気的に相互作用が働
いているから、両者の磁化方向が同一方向で外部磁場と
逆方向をとっている場合、保磁力の小さい部分が磁化反
転するのはその保磁力Ｈｃ１より大きく保磁力の大きい
部分の保磁力■ｃ２より小さい外部磁場でおこる。まだ
、外部磁場と保磁力の大きい部分の磁化方向が同じで、
保磁力の小さい部分の磁化方向のみがそれらと逆方向を
とっている場合は、保磁力の小さい部分の磁化反転を保
磁力の大きい部分が助けることに、なり、Ｈｃ１程度の
磁場で、より急しゅんに保磁力の小さい部分の磁化反転
を生じる。これら保磁力の小さい部分の外部磁場の影響
による磁化反転により電磁誘導現象が生じ、線に巻いで
あるピックアップ用コイルに電流が発生し、コイル両端
に、前者の場合は小さいパルス電圧、後者の場合は、大
きいパルス電圧が得られる。このパルス電圧の大きさ、
急峻さは単一磁性体よりなるものよりはるかに優れてい
る。また単一磁性体からなるものは、ピックアップコイ
ルに発生するパルスの幅は外部磁場の変化の速度に依存
し、遅ければ広く、速ければ狭くなるという様に一定し
たパルス電圧が得られない。
い部分は、保磁力の小さい部分と磁気的に相互作用が働
いているから、両者の磁化方向が同一方向で外部磁場と
逆方向をとっている場合、保磁力の小さい部分が磁化反
転するのはその保磁力Ｈｃ１より大きく保磁力の大きい
部分の保磁力■ｃ２より小さい外部磁場でおこる。まだ
、外部磁場と保磁力の大きい部分の磁化方向が同じで、
保磁力の小さい部分の磁化方向のみがそれらと逆方向を
とっている場合は、保磁力の小さい部分の磁化反転を保
磁力の大きい部分が助けることに、なり、Ｈｃ１程度の
磁場で、より急しゅんに保磁力の小さい部分の磁化反転
を生じる。これら保磁力の小さい部分の外部磁場の影響
による磁化反転により電磁誘導現象が生じ、線に巻いで
あるピックアップ用コイルに電流が発生し、コイル両端
に、前者の場合は小さいパルス電圧、後者の場合は、大
きいパルス電圧が得られる。このパルス電圧の大きさ、
急峻さは単一磁性体よりなるものよりはるかに優れてい
る。また単一磁性体からなるものは、ピックアップコイ
ルに発生するパルスの幅は外部磁場の変化の速度に依存
し、遅ければ広く、速ければ狭くなるという様に一定し
たパルス電圧が得られない。
このように特開昭５３−１３７６４１号公報のものは、
優れた特性をもった磁気デバイスであるがその製造方法
は複雑なものであり、歩留り良く製造することが困難で
ある。また、直径が２６０ミクロンの細線を用いている
が、より小さいデバイスを作成することは非常に困難で
あるというよりできなくなる。さらには、このようなデ
バイスを多数ならべてマトリックスを作成したり、微小
な磁場を検出するような磁気センサを作成する場合も、
これに適する磁気デバイスを作成することはできない。
優れた特性をもった磁気デバイスであるがその製造方法
は複雑なものであり、歩留り良く製造することが困難で
ある。また、直径が２６０ミクロンの細線を用いている
が、より小さいデバイスを作成することは非常に困難で
あるというよりできなくなる。さらには、このようなデ
バイスを多数ならべてマトリックスを作成したり、微小
な磁場を検出するような磁気センサを作成する場合も、
これに適する磁気デバイスを作成することはできない。
本発明はこれらの諸問題、難点を大幅に解決しようとす
るものである。すなわち、薄膜構造にすることにより、 （１）数ミクロン−数十ぐクロンのような微小な磁気セ
ンサに仕上げることができる。
るものである。すなわち、薄膜構造にすることにより、 （１）数ミクロン−数十ぐクロンのような微小な磁気セ
ンサに仕上げることができる。
？） 集積密度を高くできることから多数のセンサから
なるマトリックスが高密度にできる。
なるマトリックスが高密度にできる。
（３）製造が容易となる。
（４） 量産性に富んでいる。
などの優れた１Ａ甑が得られる。
以下に本発明の一実施例を図面を用いて説明するＯ
第２図、第３図は本発明の一実施例の構成を示すＯ
本実施例の薄膜磁気センサは、Ｆｅ−Ｃ０−■を材料と
し、真空蒸着、電子線蒸着、あるいはスパッタリング蒸
着によって第２図の基板１上に異なる保磁力の磁性薄膜
２，３を２層重ねて析出する。
し、真空蒸着、電子線蒸着、あるいはスパッタリング蒸
着によって第２図の基板１上に異なる保磁力の磁性薄膜
２，３を２層重ねて析出する。
保磁力を異にするには、Ｆ６−ＧＯ−Ｖの組成の成分比
を変えておこなう。Ｆ、 −ｃｏ−ｖ磁性材料の組成と
保磁力の関係を一部調べると、おおむね第１図の通りで
あった。この領域ではＶの添加量が最も保磁力に効果的
に影響する。よって、保磁力の異なる磁性薄膜、すなわ
ち保磁力の小さい磁性薄膜２と大きい磁性薄膜３の２層
の構成となるが、その大きさの差はあまり大きくても、
結果として得られるピックアップコイルに発生するパル
ス電圧が得られにくい。発明者による実験では保磁力の
大きい磁性薄膜（以後この薄膜を・・−ド膜と呼ぶ）の
保磁力は、保磁力の小さい磁性薄膜（以下この薄膜をソ
フト膜と呼ぶ）の保磁力より約６倍〜２゜倍程度の範囲
でパルス特性が得られた。しかし、倍率をさらに大きく
するとパルス電圧はしだいに小さくなる。また倍率をこ
れより小さくして行ってもソフト膜とノ・−ド膜の相互
作用が弱いだめか、パルス電圧は小さくなるとともにパ
ルス幅が広くなる。これは、ハード膜の保磁力が太きす
ぎるとソフト膜の磁化方向が外部磁場がなくてもハード
膜の磁化方向に強制的にむけられてしまいパルス電圧が
得られにくいと考えられる。またハード膜の保磁力がソ
フト膜の保磁力よりは大きいが近い値になると、外部磁
場に対しソフト膜の磁化反転を効果的に抑制あるいは助
けることが出来ず、単一膜に近いパルス電圧が得られる
ことになると思われる。外部磁場に対し、ソフト膜とハ
ード膜の保磁力の相互作用を効果的に生じさせるだめに
は第１図において、ソフト膜、ハード膜の成分比を前述
の比率に選ぶことが好ましい。
を変えておこなう。Ｆ、 −ｃｏ−ｖ磁性材料の組成と
保磁力の関係を一部調べると、おおむね第１図の通りで
あった。この領域ではＶの添加量が最も保磁力に効果的
に影響する。よって、保磁力の異なる磁性薄膜、すなわ
ち保磁力の小さい磁性薄膜２と大きい磁性薄膜３の２層
の構成となるが、その大きさの差はあまり大きくても、
結果として得られるピックアップコイルに発生するパル
ス電圧が得られにくい。発明者による実験では保磁力の
大きい磁性薄膜（以後この薄膜を・・−ド膜と呼ぶ）の
保磁力は、保磁力の小さい磁性薄膜（以下この薄膜をソ
フト膜と呼ぶ）の保磁力より約６倍〜２゜倍程度の範囲
でパルス特性が得られた。しかし、倍率をさらに大きく
するとパルス電圧はしだいに小さくなる。また倍率をこ
れより小さくして行ってもソフト膜とノ・−ド膜の相互
作用が弱いだめか、パルス電圧は小さくなるとともにパ
ルス幅が広くなる。これは、ハード膜の保磁力が太きす
ぎるとソフト膜の磁化方向が外部磁場がなくてもハード
膜の磁化方向に強制的にむけられてしまいパルス電圧が
得られにくいと考えられる。またハード膜の保磁力がソ
フト膜の保磁力よりは大きいが近い値になると、外部磁
場に対しソフト膜の磁化反転を効果的に抑制あるいは助
けることが出来ず、単一膜に近いパルス電圧が得られる
ことになると思われる。外部磁場に対し、ソフト膜とハ
ード膜の保磁力の相互作用を効果的に生じさせるだめに
は第１図において、ソフト膜、ハード膜の成分比を前述
の比率に選ぶことが好ましい。
すなわち、ソフト膜の組成は、Ｆａ：３６〜６２重量％
、Ｃｏ：４１−６３重量％、Ｖ：１〜８重量％の領域
、ハード膜の組成は、Ｆｅ：２６〜５１重量％ 、 Ｇ
ｏ ：４０〜ｅ ３重量％、Ｖ：２〜１５重量％である
。
、Ｃｏ：４１−６３重量％、Ｖ：１〜８重量％の領域
、ハード膜の組成は、Ｆｅ：２６〜５１重量％ 、 Ｇ
ｏ ：４０〜ｅ ３重量％、Ｖ：２〜１５重量％である
。
なお、これらＦｅ−Ｇｏ−Ｖの組成比以外のところでも
磁性材料の保磁力の組合せは適当にとり得るが、後述す
るように基板の熱膨張係数の大きさが磁性膜のそれと大
きく異なると、２層膜として析出したとき見かけの保磁
力は変ってし捷い、ソフト膜２．ハード膜３の組合せが
決めにくく、また作成条件に対し安定につくりにくくな
る。
磁性材料の保磁力の組合せは適当にとり得るが、後述す
るように基板の熱膨張係数の大きさが磁性膜のそれと大
きく異なると、２層膜として析出したとき見かけの保磁
力は変ってし捷い、ソフト膜２．ハード膜３の組合せが
決めにくく、また作成条件に対し安定につくりにくくな
る。
このようなソフト膜２．ハード膜３を前述の方法で基板
１上に蒸着して形成するのであるが、膜の磁化方向が等
方向であると、所望のパルスが得られ々い。両方の膜と
も磁化容易軸を持ち、お互が平行でなければならない。
１上に蒸着して形成するのであるが、膜の磁化方向が等
方向であると、所望のパルスが得られ々い。両方の膜と
も磁化容易軸を持ち、お互が平行でなければならない。
このように磁化容易軸を膜に持たせ、しかも方向をお互
に平行にするには、磁場中蒸着力との手法をとり膜形成
することである。
に平行にするには、磁場中蒸着力との手法をとり膜形成
することである。
また、基板１上へソフト膜２．ハード膜３を形成する場
合、真空槽内で蒸着しておこなうが、このときソフト膜
２とハード膜３の界面に、水分、あるいは他の吸着ガス
などにより生ずる酸化膜、あるいは、歪などによる磁気
特性の犬きく変化した層ができると、両者の膜間の相互
作用が得られなくなる。
合、真空槽内で蒸着しておこなうが、このときソフト膜
２とハード膜３の界面に、水分、あるいは他の吸着ガス
などにより生ずる酸化膜、あるいは、歪などによる磁気
特性の犬きく変化した層ができると、両者の膜間の相互
作用が得られなくなる。
これを防ぐのに、ソフト膜２．ハード膜３を同一槽の中
で真空を破らず、つづけて蒸着し形成することが必要で
ある。また、歪は膜自身の磁気特性すらも大きく変えて
しまうので、基板１の物理定数である熱膨張係数を特に
ソフト膜のそれとで１゜ きるだけ合せることが重要である。捷だハード膜３の熱
膨張係数も基板１やソフト膜２ど大きく違わない方が、
パルスの発生する磁場のばらつきが少なくなる。
で真空を破らず、つづけて蒸着し形成することが必要で
ある。また、歪は膜自身の磁気特性すらも大きく変えて
しまうので、基板１の物理定数である熱膨張係数を特に
ソフト膜のそれとで１゜ きるだけ合せることが重要である。捷だハード膜３の熱
膨張係数も基板１やソフト膜２ど大きく違わない方が、
パルスの発生する磁場のばらつきが少なくなる。
ハード膜３を基板上に形成したのち、ソフト膜２を重ね
て形成した場合、あらかじめ基板１の熱膨張係数をソフ
ト膜２の値とできるだけ合せておいても、ハード膜３の
影響を直接受けて、ソフト膜２に歪が多く加わり磁気特
性が変動してし甘う。
て形成した場合、あらかじめ基板１の熱膨張係数をソフ
ト膜２の値とできるだけ合せておいても、ハード膜３の
影響を直接受けて、ソフト膜２に歪が多く加わり磁気特
性が変動してし甘う。
これはハード膜３の厚さにも敏感である。しかしソフト
膜２を基板１上に析出したのち、・・−ド膜３をソフト
膜２に重ねて形成すると、これらの影響は改良される。
膜２を基板１上に析出したのち、・・−ド膜３をソフト
膜２に重ねて形成すると、これらの影響は改良される。
このように基板１上に重ねて形成された２枚の磁性薄膜
２，３を、たとえば、適当な大きさのんんざく状にする
には、フォトリソ技術を用いておこなえば容易にできる
。本実施例ではフォートレジストにシプレー社のＡＺ１
３５０Ｊを用い、４００ミフロン×２５ミクロンのたん
ざく状のものを作成した。磁性膜の工、チングは塩化鉄
の水溶液を用いた。
２，３を、たとえば、適当な大きさのんんざく状にする
には、フォトリソ技術を用いておこなえば容易にできる
。本実施例ではフォートレジストにシプレー社のＡＺ１
３５０Ｊを用い、４００ミフロン×２５ミクロンのたん
ざく状のものを作成した。磁性膜の工、チングは塩化鉄
の水溶液を用いた。
たんざく状の２層よりなる磁性薄膜２，３の上に、電気
的絶縁をおこなうため、スパッタリング蒸着で５１０２
膜４を全面に形成する。このＳｉ、０２膜４の膜厚は６
０００人程度にしだ。つぎに、５ｉ０２膜４上にピック
アップコイル形成するだめのＡＰ膜を全面に蒸着したの
ち、フォ） ＩＪソ技術でたんざく状の磁性薄膜２，３
上にピックアップ用コイル５を形成した。なお第２図中
の６，６′は電極用パッドである。
的絶縁をおこなうため、スパッタリング蒸着で５１０２
膜４を全面に形成する。このＳｉ、０２膜４の膜厚は６
０００人程度にしだ。つぎに、５ｉ０２膜４上にピック
アップコイル形成するだめのＡＰ膜を全面に蒸着したの
ち、フォ） ＩＪソ技術でたんざく状の磁性薄膜２，３
上にピックアップ用コイル５を形成した。なお第２図中
の６，６′は電極用パッドである。
以下に本発明の実施例を具体的に説明する。
〔実施例１］
ソフト膜用磁性材料としてＦｅ：Ｃｏ：Ｖ＝３５〜５２
：４１〜６３：１〜８（重量比）の組成比のものを、ハ
ード膜用磁性材料としてＦｅ ：Ｃｏ ：Ｖ ＝２５〜
５１：４０〜６３：２〜５（重量％）の組成比のものを
用いた。基板１には、ボロシリケートガラスを用いた。
：４１〜６３：１〜８（重量比）の組成比のものを、ハ
ード膜用磁性材料としてＦｅ ：Ｃｏ ：Ｖ ＝２５〜
５１：４０〜６３：２〜５（重量％）の組成比のものを
用いた。基板１には、ボロシリケートガラスを用いた。
この基板１の熱膨張係数は、主としてホー酸とシリカの
成分比を変えることによ秒、約６５×１Ｏ−７７Ｃ〜８
ｏ×１０〜７１０Ｃ程度まで変化しうる。電子線蒸着で
基板１−ににソフト膜２を３０００人の厚みに析出し、
つづけて２５００人の膜厚のハード膜３をソフト膜２に
重ねて析出した。ソフト膜２とハード膜３０組合せは第
１表に示しだ通りにいろいろと変えて析出した。この２
層膜を４００ミフロン×２６ミクロンのたんざく状に、
フォ） ＩＪソ技術をもちいて形成した。エツチングは
塩化第２鉄の水溶性をもちいておこなった。
成分比を変えることによ秒、約６５×１Ｏ−７７Ｃ〜８
ｏ×１０〜７１０Ｃ程度まで変化しうる。電子線蒸着で
基板１−ににソフト膜２を３０００人の厚みに析出し、
つづけて２５００人の膜厚のハード膜３をソフト膜２に
重ねて析出した。ソフト膜２とハード膜３０組合せは第
１表に示しだ通りにいろいろと変えて析出した。この２
層膜を４００ミフロン×２６ミクロンのたんざく状に、
フォ） ＩＪソ技術をもちいて形成した。エツチングは
塩化第２鉄の水溶性をもちいておこなった。
つぎに５ｉ０２膜４をスパッタリング方法で、たんざく
状にした磁性薄膜上全面に析出した。この５１０２膜４
は５０００人程度とした。
状にした磁性薄膜上全面に析出した。この５１０２膜４
は５０００人程度とした。
コイル５の形成はムｅを基板の全面に真空蒸着で析出さ
せることにより行った。Ａ／の膜厚はｏ、８ミクロン、
巻数は８ターンであった。
せることにより行った。Ａ／の膜厚はｏ、８ミクロン、
巻数は８ターンであった。
つぎにダイシング機械をもちいて切断し、デツプ化した
のち、リードフレーム−１−にマウンドし、２５ミクロ
ンのＡ、線をコイルの電極パッド６゜６′とリードフレ
ーム上にワイヤボンドして結線し最後にモールドした。
のち、リードフレーム−１−にマウンドし、２５ミクロ
ンのＡ、線をコイルの電極パッド６゜６′とリードフレ
ーム上にワイヤボンドして結線し最後にモールドした。
３
このようにできたデバイスを、ソレノイド中に入れて外
部磁場を印加し、ピックアップ用コイルの両端に発生す
る前述のパルスの電圧を測定した。
部磁場を印加し、ピックアップ用コイルの両端に発生す
る前述のパルスの電圧を測定した。
なお外部磁場用にもちいたンレノイドコイルにはＩＫＨ
ｚの正弦波電流を流して外部磁場を発生させた。測定結
果を第１表に示した。
ｚの正弦波電流を流して外部磁場を発生させた。測定結
果を第１表に示した。
（以下余 白）
４
１５
〔実施例２〕
実施例１において、Ｎ１１１２の試料に用いたソフト膜
用磁性材料とハード膜用磁性材料を用い、電子線蒸着法
により、ボロ・シリケートガラス基板１上にソフト膜を
先に析出したのちノ・−ド膜をこれに重ねて析出して２
層の磁性薄膜を形成した場合と、ハード膜を先に析出し
たのちソフト膜をこれに重ねて析出して２層の磁性薄膜
を形成した場合について比較した。磁性薄膜をだんざく
状に形成する工程以後の方法は実施例１と同様にしだ。
用磁性材料とハード膜用磁性材料を用い、電子線蒸着法
により、ボロ・シリケートガラス基板１上にソフト膜を
先に析出したのちノ・−ド膜をこれに重ねて析出して２
層の磁性薄膜を形成した場合と、ハード膜を先に析出し
たのちソフト膜をこれに重ねて析出して２層の磁性薄膜
を形成した場合について比較した。磁性薄膜をだんざく
状に形成する工程以後の方法は実施例１と同様にしだ。
なおソフト膜、ハード膜の厚みは、それぞれ、３０ｏＯ
人、２５００人とした。その結果ハード膜を先に析出し
た場合では、外部磁場を・・−ド膜の保磁力より犬きく
しても大きな、しかも急峻なパルス特性は得られなくて
２５μＶ程度の小さいパルスしか得られなかった。ソフ
ト膜を先に形成した場合では、パルス電圧が１．７５ミ
ＩＪボルトと太きく、シかもパルス幅が０．１マイクロ
セカンド以下のものが得られた。外部磁場に対するパル
ス′−耳圧の関係を第３図に示す。外部磁場の小さい領
域では２種類の大きさの異なるパルスが得られた。
人、２５００人とした。その結果ハード膜を先に析出し
た場合では、外部磁場を・・−ド膜の保磁力より犬きく
しても大きな、しかも急峻なパルス特性は得られなくて
２５μＶ程度の小さいパルスしか得られなかった。ソフ
ト膜を先に形成した場合では、パルス電圧が１．７５ミ
ＩＪボルトと太きく、シかもパルス幅が０．１マイクロ
セカンド以下のものが得られた。外部磁場に対するパル
ス′−耳圧の関係を第３図に示す。外部磁場の小さい領
域では２種類の大きさの異なるパルスが得られた。
〔実施例３〕
実施例１の１！］、１２の試料において、その磁性薄膜
の形成方法を次の通りにおこなった。すなわち基板上に
ソフト膜を先に析出したのち、真空槽の真空を破り、一
度常圧の空気中に出し、これを再度真空中に入れてハー
ド膜をソフト膜に重ねて析出した。この２層をたんざく
状にする工程以後は実施例１と同じ方法でおこ々つだ。
の形成方法を次の通りにおこなった。すなわち基板上に
ソフト膜を先に析出したのち、真空槽の真空を破り、一
度常圧の空気中に出し、これを再度真空中に入れてハー
ド膜をソフト膜に重ねて析出した。この２層をたんざく
状にする工程以後は実施例１と同じ方法でおこ々つだ。
このようにして作成した薄膜磁気センナを外部磁場中に
入れ駆動させた。その結果ノ・−ド膜の保磁力以上の磁
場を印加しても、大きな、しかも急峻なパルスは得られ
なかった。
入れ駆動させた。その結果ノ・−ド膜の保磁力以上の磁
場を印加しても、大きな、しかも急峻なパルスは得られ
なかった。
以上実施例でも示した如く、本発明においてはソフト嘆
、ハード膜を、Ｆａ、Ｇｏ、Ｖの組成比を変えることに
より、まだ基板の熱膨張係数を適当に選び、ソフト膜を
先に析出し、つづけてハード膜をソフト膜に重ねて析出
することによって、外部磁場の大きさ、方向の変化に対
し、ピックアップＮルに大きくてしかも急峻外パルス電
圧を１；Ｉる。
、ハード膜を、Ｆａ、Ｇｏ、Ｖの組成比を変えることに
より、まだ基板の熱膨張係数を適当に選び、ソフト膜を
先に析出し、つづけてハード膜をソフト膜に重ねて析出
することによって、外部磁場の大きさ、方向の変化に対
し、ピックアップＮルに大きくてしかも急峻外パルス電
圧を１；Ｉる。
７
このような特性を持つ薄膜磁気センサは、磁気抵抗特性
を利用した薄膜磁気センサ、あるいはホール効果を利用
したホール素子などにくらべ、無負荷でしかも出力電圧
も太きい。またパルス状に出力が得られることからディ
ジタル信号などを得るセンサとして有用である。さらに
は、薄膜化することにより微少化でき、ＩＣなどの集積
回路にも有用である。
を利用した薄膜磁気センサ、あるいはホール効果を利用
したホール素子などにくらべ、無負荷でしかも出力電圧
も太きい。またパルス状に出力が得られることからディ
ジタル信号などを得るセンサとして有用である。さらに
は、薄膜化することにより微少化でき、ＩＣなどの集積
回路にも有用である。
第１図はＦａ −Ｃｏ−Ｖ系の組成比と保磁力ならびに
飽和磁化の関係を示す図、第２図Ａは本発明の一実施例
における薄膜磁気センサの構成を示す断面図、同Ｂは同
平面図、第３図は本発明により作成した薄膜磁気センサ
の外部磁場とパルス電圧の関係を示す図である。 １・・・・・・基板、２，３・・・・・・磁性薄膜、４
・・・・・５１０２膜、６・・・・・・コイル。 代理人の氏名 弁理士 中尾 敏 男ほか１多筒 １
図 席 Ｃｏ（ｗｔ淘
飽和磁化の関係を示す図、第２図Ａは本発明の一実施例
における薄膜磁気センサの構成を示す断面図、同Ｂは同
平面図、第３図は本発明により作成した薄膜磁気センサ
の外部磁場とパルス電圧の関係を示す図である。 １・・・・・・基板、２，３・・・・・・磁性薄膜、４
・・・・・５１０２膜、６・・・・・・コイル。 代理人の氏名 弁理士 中尾 敏 男ほか１多筒 １
図 席 Ｃｏ（ｗｔ淘
Claims (6)
- （１）基板上に保磁力の異なる二層構造のたんざく状磁
性薄膜を有するとともに、その上部に電気的絶縁体の非
磁性膜を介してピックアップ用コイルを有し、上記磁性
薄膜がＦｅ−Ｇｏ−Ｖ合金よりなることを特徴とする薄
膜磁気センサ。 - （２）保磁力を異にする２層の磁性薄膜は両者とも同じ
Ｆｅ −ｃｏ−ｖ合金よりなり、その組成比が異るもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜磁気センサ。 - （３）２層の保磁力の異なる磁性薄膜は、保磁力が小さ
い薄膜と、保磁力の大きい磁性薄膜との組合せよりなり
、両者の保磁力の大きさの比は、６〜２０倍であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気セン
サ。 - （４）保磁力の小さい磁性薄膜の組成の成分比は、Ｆｅ
：Ｃｏ：ｖ−３６〜５２：４１〜６３：１〜８（重量％
）であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
薄膜磁気センサ。 - （５）保磁力の大きい磁性薄膜の組成の成分比は、Ｆｅ
：ＣＯ：ｖ−２５〜５１：４ｏ〜６３：２〜１５（重量
係）であることを特徴とする特π１請求の範囲第２項記
載の薄膜磁気センサ。 - （６）保磁力の異なる磁性薄膜は、２層の容易軸方向が
揃っていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の薄膜磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172310A JPS5872071A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 薄膜磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172310A JPS5872071A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 薄膜磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5872071A true JPS5872071A (ja) | 1983-04-28 |
| JPH0372949B2 JPH0372949B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=15939541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172310A Granted JPS5872071A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | 薄膜磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5872071A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3420709A1 (de) * | 1984-06-02 | 1985-12-05 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Magnetfeldsensor zur messung der feldstaerke eines magnetfeldes und verfahren zu seiner herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450372A (en) * | 1977-09-28 | 1979-04-20 | Akira Matsushita | Magnetismmsensitive element |
| JPS54128775A (en) * | 1978-03-27 | 1979-10-05 | Philips Nv | Thin layer magnetic field sensor |
-
1981
- 1981-10-27 JP JP56172310A patent/JPS5872071A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450372A (en) * | 1977-09-28 | 1979-04-20 | Akira Matsushita | Magnetismmsensitive element |
| JPS54128775A (en) * | 1978-03-27 | 1979-10-05 | Philips Nv | Thin layer magnetic field sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3420709A1 (de) * | 1984-06-02 | 1985-12-05 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Magnetfeldsensor zur messung der feldstaerke eines magnetfeldes und verfahren zu seiner herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372949B2 (ja) | 1991-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4630544B2 (ja) | ブリッジ構造を構成する複数の磁気素子のうち選択された磁気素子の磁性層の磁化方向を他の磁気素子の磁性層の磁化方向と反対方向に配向する方法 | |
| JPH11259822A (ja) | 電磁変換器及びヘッド | |
| JP7207671B2 (ja) | 異常ホール効果を利用する磁気センサ、ホールセンサおよびホールセンサの製造方法 | |
| WO2003008987A1 (en) | Barber pole structure for magnetorestrictive sensors | |
| JP3456204B2 (ja) | 磁気式エンコーダー | |
| EP1536490A1 (en) | Magnetoresistance effect element and production method and application method therefor | |
| JPH0271413A (ja) | 改良した磁気ドメイン構造を有する極片の製造方法 | |
| JPS5872071A (ja) | 薄膜磁気センサ | |
| CN1356559A (zh) | 一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件 | |
| JPH0870149A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| US5928715A (en) | Thin film magnetoresistive device having contiguous magnetoresistive, hard bias and lead layer junctions with each hard bias layer extending outwardly beyond outside edges of each respective lead layer | |
| JP3449160B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及びそれを用いた回転センサ | |
| JP2001006932A (ja) | 磁気抵抗効果膜とこれを用いた磁気読取りセンサ | |
| JPH04275471A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
| JPS5832179A (ja) | 薄膜磁気センサの製造方法 | |
| RU2767593C1 (ru) | Способ изготовления магниторезистивных наноструктур | |
| KR100203612B1 (ko) | 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법 | |
| JP2661068B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2850584B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
| JP3028585B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| KR0180590B1 (ko) | 입상형 자기 저항소자 및 그 제조 방법 | |
| JP3715380B2 (ja) | ホール素子 | |
| JP2504234B2 (ja) | 磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法 | |
| JPH0832141A (ja) | 人工格子薄膜磁気センサ | |
| JPH01152677A (ja) | 磁気低抗効果素子の製造方法 |