JPS5873180A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （蜀　＠明の技術分野 不発＃ｉは半導俸妬元狭直、袴に千尋捧レーザ？〔閣下
ゐ。

（２）技術の背京 半導体レーザの低−厘化、′ｔＩ：足な慎一本七一ドの
発振を竹なわせ心９歩貿回上寺の爪から従来。

第１図に示すような＃ＩＩ遺り半導体レーザが提案さ扛
ていゐ。

（３）従米孜何と間組点 図は促米の牛４捧Ｖ−ザの断圓図であり１回申上は′−
極、　　２ｉ”ＪＰｆｉ（）ａＡｓ　＆板、３ｉＪｊＧ
ａＡ上Ａｅ層　４　［Ｐ　型ＵａＡＩＡＩ３タクッドｊ
曽、８はｎｔＪ、ＵａＡｓ　＃＋　ツブｊ曽、９は１１
１憔、１（Ｊは基板２に遊子４）！！釦（Ｚｎ）拡散１
−（ＰＩ−ンである。図に示す工うなに米の半導体レー
ザにおいては矢印ｌＩＶこ示す往路でｌＩＬ九が流ル、
ノープ鈍元饋域１２においてノーサ九が出射する〇 この↓）な促米の牛尋捧ノーザにおいては、レーザ兄元
諷城か１つの享でめったため、レーザ発几姐Ｘｄ１．２
ｉｆ傍で４曹が生じると、このナツプが竺く小成となっ
−（Ｌまう欠点があった０ （４）　　発明の１円 本発明の目的は１促米のこＱ工うな入点を解（内し、ナ
ツプとして匍租莢の＾い午導坏Ｖ−ザを提供下＠ことに
めΦ０ （５）発明の栴成 このような口重１本発明によれは、４板上ｖＣ１ｔｔＩ
Ｌ阻止層及びレーザ発振を起こ丁活注層と、ム偵性１−
より大きい禁制ｆｖ１ｍｋＭし且つ該活注目１１’ｔｆ
んだ第１及び第２のクツラドｊ−と４４４するダグルヘ
アロ接合の半導坏１１ｍ　ｋ　ｌＩＫ欠配直し１級千尋
坏ノーの中央を横切り且つ前記４根に遅する床さの一匁
路を一定するストフイフ゛形状の小祠物狽城ｔぺけ。

前記ダブルへテロｗ！曾牛４捧ノーよにｍ１Ｊｉ己不祠
吻源域を弁して２つの４億を設け、かつ該ｆ６注１−と
該不純智狐域にニジ形成されゐ２つのレーザ兄光禎域を
備えることにより達成式ルゐ。

（６ン　発明の実施ガ 以下１図を用いｔ１本発明１に総明する０図に１本発明
による午２１１坏レーザの一実施例の町圓図であり、第
１図と同じ査号は従来と同じものを示す。図に明らかな
ように、季先明では虱ｍｌ仏１１！Ｌ惧域２０が谷午尋
俸層の中火を慎切った悟埴とし、かつ２つのＩＩＬ惚ｙ
＋ｙ’に亜釦仏畝狐域に０の両側に設けた○これにより
、′４訛２３は２つの亀憾ソ、ソ′に同って訛几るので
、２つりレーザ発光撫械ｂｈ、ｚｚが存在丁ゐことにな
る。この友め。

’ＮＬｉｌ１Ｍｆおよびｖ、９′に同時に電圧を印カロ
してシー１１完元−＠賊ｋｉｌ、　　にｋから２つυレ
ーザビームを侍Φことができる地に、′＃を億１と９に
電圧を印〃口しでレーザ発光電域に１からＶ−ザ元を侍
、−害兄Ｖ＋ＬＶＣ工９レーザ発九執城２１からレーザ
が侍盾くなった時には、゛−他ソ′　に切管て電圧を印
〃口することにより、ノーｆ兜充狽域２２からレーザ元
を侍◇よりに丁りことによって千４杯）−ザの夷貞的な
寿節ｒ処ば丁ことができる。

（７）托四の幼木 以よ続開したように、不兄例によれば、牛４坏Ｖ−ザの
１チツプｋｉ＜１ｊＥ用することができ、ｔた１′りの
テップから２つのＶ−ザ元を侍ることもＣ′＠るので、
殖東上のオリ用ｉｌＩｌｌｔｍμ大きい。

−殻間の間亭−々祝明 第１図は、ｖＥ米の牛尋坏ノーサｔボす萌囲図。

第２図は本元明の一実施例を示す耐閣図でめる。

０・ｒ５注庸、にＯ：亜蛤仏散填戚（不軸吻狽域）第　
２　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基似上に１１Ｌ流阻止層及びレーザ祐振ｒ匙こす活性１
   −と、＃Ａ活性層より大きい県制帝暢全有し且つ該活性
   層を法んだ第１及び第２のクラッド層とｔ市するダブル
   へテロ接合の半導体１１１１’に虜仄配直し。 該半導体層の甲夫′Ｉｋｙ４切り且つ制記基板に廐する
   深さの′ＷＩＬ流路を幽足すリスドライプル状の不細切
   領域を設け、前記ダブルヘデロ毅曾午尋捧ｊ１１主に前
   記不純榔領域を介して２つの蝋惚を奴け、力・つ該范性
   層と該不純＠領域により形成さ扛る２′ノリレ一ザ発元
   慣域を備えたことｔ狩値と丁ゐ千尋捧発光裂直。