JPS5873203A - 厚膜形フイルタの製造方法 - Google Patents
厚膜形フイルタの製造方法Info
- Publication number
- JPS5873203A JPS5873203A JP17141781A JP17141781A JPS5873203A JP S5873203 A JPS5873203 A JP S5873203A JP 17141781 A JP17141781 A JP 17141781A JP 17141781 A JP17141781 A JP 17141781A JP S5873203 A JPS5873203 A JP S5873203A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- thick
- manufacturing
- film filter
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/007—Manufacturing frequency-selective devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、厚膜形マイクロストリップ構造の高周波フィ
ルタの製造方法に関するものである。
ルタの製造方法に関するものである。
第１図は厚膜形マイクロストリップ構造の高周波フィル
タの１例として１／２波長共振器帯域通過型フィルタを
示すもので、第２図はＡ−Ａ断面図である０即ち、アル
ミナ基板１の裏面にＣｕ、Ａｕなどの厚膜接地層２が印
刷焼成によシ形成される。また表面には１７２波長の共
振器３および厚膜配線４が同時印刷焼成され、マイクロ
ストリップ構造の共振器を形成する０この／２波長の共
振器の長さはフィルタの中心周波数を決定するものであ
る。
タの１例として１／２波長共振器帯域通過型フィルタを
示すもので、第２図はＡ−Ａ断面図である０即ち、アル
ミナ基板１の裏面にＣｕ、Ａｕなどの厚膜接地層２が印
刷焼成によシ形成される。また表面には１７２波長の共
振器３および厚膜配線４が同時印刷焼成され、マイクロ
ストリップ構造の共振器を形成する０この／２波長の共
振器の長さはフィルタの中心周波数を決定するものであ
る。
厚膜技術は印刷により容易にパターンを形成できる利点
をもっているがパターンの精度が±２０μｍと悪く、従
来技術では次に述べる欠点を有している。すなわち３Ｇ
Ｈｚの帯域通過型フィルタの精度を±ＩＭＨｚで実現す
る場合にｈ＝ｗ＝１．５Ｍ１１．アルミナ基板１の比誘
電率ε１＝９にだλ いして−（波長） ＝ １６．５ ｘ＊またその精度は
±５μｍが要求される。したがって単に印刷法によりパ
ターン形成するだけでは、高周波帯域のフィルタを実現
できない。
をもっているがパターンの精度が±２０μｍと悪く、従
来技術では次に述べる欠点を有している。すなわち３Ｇ
Ｈｚの帯域通過型フィルタの精度を±ＩＭＨｚで実現す
る場合にｈ＝ｗ＝１．５Ｍ１１．アルミナ基板１の比誘
電率ε１＝９にだλ いして−（波長） ＝ １６．５ ｘ＊またその精度は
±５μｍが要求される。したがって単に印刷法によりパ
ターン形成するだけでは、高周波帯域のフィルタを実現
できない。
また従来技術のもうひとつの欠点は、厚膜配線４と共振
器３との結合度を調整する場合に、それらの間のギャッ
プｇ５を変えると中心周波数そのものが変動するという
欠点をもっていた。
器３との結合度を調整する場合に、それらの間のギャッ
プｇ５を変えると中心周波数そのものが変動するという
欠点をもっていた。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくシ、マた
厚膜本来の利点であるパターン化の容易さを生かして、
高精度の高周波フィルタを製造する方法を提供するにあ
る。
厚膜本来の利点であるパターン化の容易さを生かして、
高精度の高周波フィルタを製造する方法を提供するにあ
る。
本発明においては第１図および第２図に示す接地層２お
よび共振器３、厚膜配線４を印刷焼成により形成し、寸
法的精度を要求されるギャップ部５のみを伝送線路と直
角方向に一定則み巾でレーザトリミングすることにより
、加工調整するものである。
よび共振器３、厚膜配線４を印刷焼成により形成し、寸
法的精度を要求されるギャップ部５のみを伝送線路と直
角方向に一定則み巾でレーザトリミングすることにより
、加工調整するものである。
また共振器３と厚膜配線４の間の結合度を調整する方法
としてアルミナ基板内部にレーザによシ深さｄの溝を形
成する。この方法によれば中心周波数を変えずに結合度
の調整を達成できる０ 本発明のひとつの実施例は第２図において、まずアルミ
ナ基板１に接地層２と共振器３．厚膜配線４が印刷によ
りパターン形成される。この場合の寸法精度は±１５〜
２０μｍである。次に共振器３のギャップ部５を伝送線
路と直角方向にレーザトリミングすることにより±５μ
ｍ以下に加工調整され、周波数特性が調整される。
としてアルミナ基板内部にレーザによシ深さｄの溝を形
成する。この方法によれば中心周波数を変えずに結合度
の調整を達成できる０ 本発明のひとつの実施例は第２図において、まずアルミ
ナ基板１に接地層２と共振器３．厚膜配線４が印刷によ
りパターン形成される。この場合の寸法精度は±１５〜
２０μｍである。次に共振器３のギャップ部５を伝送線
路と直角方向にレーザトリミングすることにより±５μ
ｍ以下に加工調整され、周波数特性が調整される。
厚膜導体材料としてＣｕ （厚さ１５μ）を用いた場合
、使用するレーザ条件としては、たとえばＹＡＧレーザ
でパワー７００ｍｗ、繰返し周波数２ＫＨｚスポツト径
２０μｍ、スポット間隔４μｍ／５ｐｏｔ加工送り刻み
巾５μｍが適当である。
、使用するレーザ条件としては、たとえばＹＡＧレーザ
でパワー７００ｍｗ、繰返し周波数２ＫＨｚスポツト径
２０μｍ、スポット間隔４μｍ／５ｐｏｔ加工送り刻み
巾５μｍが適当である。
また本発明のもうひとつの実施ｒは、第３図においてギ
ャップ部５のアルミナ内部に深さｄ≦、９＝０．５ｉｎ
の・範囲で溝を設は結合度を約２ｏ％の範囲で調整する
ものである。この場合レーザ条件としてパワー１０００
ｍｗ、繰返周波数ＩＫＨｚスポット径２ｏβｍ、スポッ
ト間隔４μｍ／５ｐｏｔが適当である。
ャップ部５のアルミナ内部に深さｄ≦、９＝０．５ｉｎ
の・範囲で溝を設は結合度を約２ｏ％の範囲で調整する
ものである。この場合レーザ条件としてパワー１０００
ｍｗ、繰返周波数ＩＫＨｚスポット径２ｏβｍ、スポッ
ト間隔４μｍ／５ｐｏｔが適当である。
以上述べたごとく本発明によれば、従来厚膜印刷法で実
現できなかった高周波域のマイクロストリップ構造型フ
ィルタが実現できるようになった。
現できなかった高周波域のマイクロストリップ構造型フ
ィルタが実現できるようになった。
また結合度調整が中心周波数を変えることなく容易に行
なえるようになった。なお本発明は薄膜形のフィルタに
おいて十分な加工精度が得られない場合にも有効な手段
である。
なえるようになった。なお本発明は薄膜形のフィルタに
おいて十分な加工精度が得られない場合にも有効な手段
である。
第１図−は厚膜形マイクロストリップ構造の高周波フィ
ルタを示す図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第５図
は本発明によるひとつの実施例を示す図である。 ３・・・共振器 ４・・・厚膜配線 ５・・・ギャップ 第 １区
ルタを示す図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第５図
は本発明によるひとつの実施例を示す図である。 ３・・・共振器 ４・・・厚膜配線 ５・・・ギャップ 第 １区
Claims (1)
- アルミナ基板の両面に印刷および焼成により形成された
マイクロストリップ構造の厚膜導体を用いて構成した高
周波フィルタにおいて、共振部厚膜導体をレーザにより
伝送線路と直角方向に一定刻み巾でトリミングすること
を特徴とする厚膜形フィルタの製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17141781A JPS5873203A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 厚膜形フイルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17141781A JPS5873203A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 厚膜形フイルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873203A true JPS5873203A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15922744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17141781A Pending JPS5873203A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 厚膜形フイルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873203A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219821A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波信号接続装置 |
| EP1154511A3 (en) * | 2000-05-11 | 2003-05-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Adjusting method for electrical characteristics of microstrip line filter, duplexer, communication device, and microstrip line type resonator |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP17141781A patent/JPS5873203A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219821A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波信号接続装置 |
| EP1154511A3 (en) * | 2000-05-11 | 2003-05-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Adjusting method for electrical characteristics of microstrip line filter, duplexer, communication device, and microstrip line type resonator |
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