JPS587395A - ヒ−トモ−ド記録材料 - Google Patents

ヒ−トモ−ド記録材料

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JPS587395A
JPS587395A JP56105310A JP10531081A JPS587395A JP S587395 A JPS587395 A JP S587395A JP 56105310 A JP56105310 A JP 56105310A JP 10531081 A JP10531081 A JP 10531081A JP S587395 A JPS587395 A JP S587395A
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JP
Japan
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recording
recording material
layer
metal
recording layer
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Pending
Application number
JP56105310A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Wada
実 和田
Masatoshi Tabei
田部井 雅利
Satoshi Yoshida
敏 吉田
Yoichi Murayama
洋一 村山
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication of JPS587395A publication Critical patent/JPS587395A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/24—Ablative recording, e.g. by burning marks; Spark recording

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高エネルギー密度の光ビーム奮用いて情報を記
録するためのヒートモード記録材料に関するものである
。
従来よりレーザ等の高エネルギー密度の光ビーム音用い
る記録材料としては、銀塩等の感光材料の他に次のよう
な熱的記録材料がある。この熱的記録材料に於い【は、
記録層は高い光学濃度馨有し、照射される高エネルギー
密度の光ビームを吸収し局所的な温度上昇を生じ、融解
、蒸発、凝集等の熱的変形をして、その光照射された部
分が除去されるととKよって、非照射部分に対して光学
的濃度差を生じることにより情報が記録されるものであ
る。このような熱的記録材料は一般に現像。
定着等の処理χ必要としないこと1通常の室内光では記
録されないため暗室操作が不要であること、高コントラ
ストの画儂が得られること、情報の追加記録(アドオン
)が可能であること等の利点l有する。
一般にこのような熱的記録材料への記録方法は、記録す
べき情報Y電気的な時系列信号に変換し、その信号に応
じ【強度変調されたレーザビームでその記録材料上ン走
査させて行な5項合が多い。
この場合、リアルタイムで記録画像が得られ□るという
利点を有する。
このような熱的記録材料の記録層とし【は、金属、染料
、プラスチック等が適し【おり、一般に安価な材料Y用
いることが出来る。このような記鎌材料は1例えばM、
 L、 Leveηe らの著による”Electro
n、 Ion and La5er Beam Tec
hnology”第11回シンポジウムの記録(196
9年)1、 Kiectronica誌(19<S8年
3月18日)第50頁、D、 Maydan 4I”T
he Be1l SystmTechnical Jo
urnal“誌第50巻(1971年)第1761頁、
O,O,CarlBon IF ”5cienc+s”
誌第154巻(1966年)第15501j等[e載さ
れ【いる。それらのうち記録層に金属を用゛(またもの
としてはたとえば支持体上にBi、 Sn、In、等の
金属薄膜を用いたものがあり、それらは高層偉力の画像
が記録出来ること、高ツントッストであること郷のため
熱的記録材料として優れた性質を有している。しかしな
がら一般に金属薄1!IY用いた記碌材料では記録に用
いるレーザ光に対する光反射率が51層以上のものが多
く、レーザ光のエネルギーを有効に利用することが出来
ないため記JIK要する光エネルギーが大きく、従って
高速走査で記録するには大出力のレーザ光源が必要とな
り、そのため記録装置が大型且つ高価なものKなるとい
う欠点を有している。そこで記録感度の高い記録材料が
いくつか探究されている。たとえば特公昭46−404
79号公報ise、 Bt、 Cze から成る構成の
記録材料が記載されている。ここでGOの層はB1の層
の照射光に対する反射率l低下させるものであり、 S
o層は蒸発し易い層であり、いずれもB1 単層の場合
よりも少ないエネルギーによって主なる記録層である8
1層の熱的な変形を促進させる。さらに反射減少ないし
反射防止をするための層は特開昭50−151151号
公報や特公昭51−14262号公報にも記載されてい
る。また記録層とその支持体との間の熱伝導を減少させ
る層を設けたものは特開昭50−12637号公報や特
開1!l5l−16026号公報に記載されている。ま
た特開昭51−78256号公報および特開昭52−2
0821号公報には金属硫化物、全率、ふつ化物あるい
は金属酸化物を金属と重層あるいは混合した記録層が記
載されている。また本出願の発明者の一部な含む発明者
らの出願による特開昭54−5742号公報には、無機
物質と有機物質とを混合した記録層が記載されている0
本発明者はさらに鋭意研究を重ねた結果上述の各記録材
料より同等以上の高感度の新しい記録材料を見出し、本
発明に結びついたものである。
本発明の目的は高感度の熱的記録材料を提供するととに
ある。また本発明の目的は記録画質のすぐれた高感度の
熱的記録材料を提供するととKある。また本発明の目的
は公害発生の危険のない高感度の記録材料な提供するこ
とKある。さらに本発明の目的は安価でしかむ製造工程
の少ない高感度の記録材料な提供することにある。
本発明は支持体上に硫化水素の分圧下で金属、半金属又
は半導体を、蒸着、スパッタリング、OVD  あるい
はイオンプレーティンメン行なうことにより設けられた
記録層を有することを特徴とするヒートモード記録材料
である。
本発明により感度が上昇する理由は現在のところ不明確
である。然しなから敢え【その理由を推察するに、硫化
水素の分圧下で薄膜形成するに際し、金属等と硫化水素
とが化学反応奮起こし、硫化物音形成し、光反射率、低
下等の性質変化ンひきおこすことがその原因の一つとし
て予想される。
以下1本発F!Ijな詳細に説明する。
本発明。K用いられる支持体とし【は、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、アクリル樹脂等のプ
ラスチックフィルム、ガラス板1紙。
板状又は箔状の金属等の一般の記録材料の支持体が用い
られる。
本発明に用いられる金属としては、例えば、Mg。
Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Wb、Ta、Or、
Mo、W、Mn。
R@、Fe、Go、Ni、Rn、Rh、Pa*Ir、P
t、Cu、Ag。
Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、T1.Pb、P
o、Sn、So。
Te尋があり、半金属としては、 Bi、As、Sb 
等、半導体としてはGe、S、i 等がある。これらは
単独で用いても二つ以上の合金又は組み合せとして用い
てもよい。本発明に用いられるこれらの物質として特に
望ましい条件は、毒性が少ないこと、融解又は蒸発に要
するエネ4グーが小さいこと、保存時の光学濃度の低下
等の経時劣化が少ないこと。
膜の製造が容易であること等である。以下、上記の金属
、半金属、半導体を金属等と称する。本発明を最も有効
に実施しさる金属等とし【はZn。
In、8n、Ge、Al、Gu、Ag、Pb、Gaが好
ましい。
更に合金の場合はHa、に、Oa Y含むものであり(
もよい。
二種以上の金属等から成る層Y形成する方法としては、
合金を真空蒸着してもよいし、また二種以上の金属等を
別々の蒸発源を用いて同時或いは別々に蒸着してもよい
、二種以上の金属等Y積層する場合その少な(とも一層
は硫化水素の分圧下で蒸着CYD、スパッタリングある
いはイオンブレーティングにより層な形成する必要があ
る。
金属等の層の膜厚は1画像として必要な光学濃度を与え
る厚さであればよ(、例えば透過濃度2層を必要とする
が、用いる金属等の種類によって異なるのは当然である
。
また真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング
、GVD等の方法で支持体上に金属等の層を形成する場
合、支持体の種類、i1度、真空度、蒸着速度等によっ
て金属等の層の膜構造が変化するため所望の光学濃度を
得るために必要な膜厚も当然異なることは明らかである
。
本発1jlkおける硫化水素の適正な分圧は、薄膜形成
材料の種類、イオンブレーティング、スパッタリング等
の薄膜形成方法等に依存するため一般的な範囲を決める
ことは困難であるが、一般には圧力範囲は10− ”〜
10−5Torr 、好ましくは。
10−2〜1O−4Torr  である。
本発明の高感度記録材料においては、支持体上に設けら
れた前記記録層上に無機物質又は有機物質からなる反射
防止層及び/又は保護層を設けてもよい。
記録層上に反射層及び/又は保護層を設けることは、記
録材料としての感度、耐久性1機械的強度、経時安定性
の改善等に有効であって1本発明としては好ましい態様
であることは勿論である。
保護層としては無機物質又は有機物質のいずれでもよい
が、使用する高エネルギー密度の光ビー五に対し【透過
性であること、機械的強度が大であること、記録層と反
応しKくいこと、被膜性の良いこと、製造が容易なこと
等が要求される。
本発明に用いられる反射防止層及び/又は保護層として
は、無機物質又は有機物質のいづれでもよいが、例えば
無機の反射防止層としては8nS。
Gas、Se、ZnS、5blS3. In!S3.P
bX2.GuX。
AgX、KX、CaX2,5nX2.FeX:+ (コ
tLうf)Xハハロダン元素″4を表わす)等が用いら
れ、一方無機の保護層としてはAixOs、5ioz、
SiO*MgO*ZnO*Ti01 、 ZrO2、M
gF@ 、 CuF 2等の透明な物質が望ましい。こ
れらは真空蒸着、ス/でツタリング、イオンブレーティ
ング等で形成される。
また有機物質を保護層として用いることは優れた方法で
ある。かかる保護層として用いられる樹脂は穏々のもの
が可能であるが例え暎−リスチレン、スチレン−無水マ
レイン酸樹脂のごときスチレン系樹脂、ポリ酢酸ビニル
、ポリビニルアルコール、フチラール、ホリビエルホル
實−ルの如き酢噂ビニル系樹脂、$リメタクリル酸イノ
ブチル、ポリメタクリル醗メチルの如きメタクリル酸エ
ネテル系樹脂、ポリダイア七トンアクリルアミド。
ポリアクリルアミドのごときアミド系樹脂、エチルセル
田−ス、酢酸ツタ酸セル田−ス、硝酸セル四−ス、ジア
セチルセルロースのごときセルロース系樹脂、ポリ塩化
ビニル、塩素化ポリエチレンのごときIリハロメン化オ
レフィン、フェノール樹脂、可溶性ポリエステル、可溶
性ナイロン、ゼラチン等及びこれらの共重合物等から選
ばれる。
これらの樹脂は種々の溶剤に溶かし【既知の塗布方法に
より塗布することが出来る。
用いられる溶剤としては各種の溶剤があるが、例えばア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイツゾチルケトン
、メチルセロノルフ、エチル七四ソルプ、メチルセロソ
ルゾ、メチルセロソルメアセ?−)、エチルセロソルブ
アセテート、ゾチルセpソ〃プアセテー)、ヘキサン、
シクロヘキサン、メチクロ、メチクロ、ベンゼン、り四
ルインイン、メタノール、エタノール、メタノール、石
油エーテル、S)メチルホ羨ムア電ド、シンナー等の中
から、使用する樹脂に応じて選べば良い。
これらの樹脂の中には、顔料、マット化剤、可履剤、滑
剤などの各種添加物を目的に応じて添加することが可能
であ、す、特に炭素原子数が11以上の高級脂肪酸、或
いは酸アミrvα1〜10vtチ 種度添加することは
記録材料の膜面強度を陶土させる点で効果がある。
またこれらの高級脂肪酸或いは酸アミ「のごとき滑剤は
保護層上に通常の方法で0.001〜1μの厚さに塗布
することも可能である。本発明に用いられる保護層の膜
厚は記録材料として要望される膜面強度、経時安定性、
記録感度等から最適の厚さに選ばれるが1%KO,01
μ〜200μの膜厚が好ましい。
保護層の別な形態として記録層と保護層間に空気ギャッ
プを設ける形に保護層を形成する事も可能である。
本発明の記録材料の用途としては印刷用リスフィルムの
代用、ファクシ電す用記録材料、光学ディスク、IO用
フォトマスク、マイクロフィルム用記録材料など多くの
方面に用いる事ができる。
以下実施例により本発明1さらに詳しく説明する。
実施例1 高周波イオンブレーティング装置内1’ 10−1〜1
0−’Torrの真空度まで排気し、その後、硫化水素
ガスv鋏装置内に導入し、装置内の真空度Y2X10−
4Torrm度に設定シタ* コf) ヨ5 FK−L
。
た後、高周波電源を高周波電力200Wで動作させs 
an Y加熱蒸発させることにより、厚さ100μのポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に。
厚さ600Aの記録層を形成した。この時この膜の白色
光に対する光学濃度は2.0であった。次にアルノンイ
オンレーザの波長5145^のビームtレンズで約25
11のビーム径に集光させて。
19m/s・Cの走査速度で走査させて記録1行なった
。該記録層に照射するレーザパワーン変化させて照射し
た。この様にして、200mvのレーザパフ−大照射し
た時、@10μの記録線が記録できた。これに対し、真
空蒸着によりポリエチレンテレフタレート上に形成され
た厚さ60OAのSn #)膜を同様に記録するKは4
00 myのレーザパワーが必要であり、感度が上昇し
【いることが確認された。
実施例2 実施例1と同様の方法により、工n Y加熱蒸発させ、
厚さ100Jのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、厚さ300Aの記録5を形成した。この時、この膜
の白色光に対する光学濃度はa56.であった。実施例
1と同様の方法でレーザ記録を行ない、300mvのレ
ーザパワーで記録できゞ・こ昧対し・真空蒸着71す7
りでチ′ンテレ7タレート上に形成した厚さ300Aの
Inの膜は同様に記録するKは400 myのレーザパ
ワーが必要であり、感度が上昇していることが確認でき
た。
代理人 弁理士(8107)佐々木清 隆(はか5名) 手続補正書 昭和56年特許願第 105110+32、発明の名称 ヒートモード記録材料 3、補正をする者 事件との関係:特許出願人 名称 (52G)富士写真フィルム株式会社霞が関ビル
内郵便局 私書箱第49号 2)〔発明の詳細な説明〕の欄を下記の如く補正する。
t 明細書第6頁第2行 「光反射率、低下等の」を「光反射率の低下等の」K訂
正する。
2、明細書第6頁第2行 「で蒸着」と「CVD」の間に「、」を挿入する。
〔特許請求の範囲〕
(1)  支持体上に、硫化水素の分圧下f、金属半金
属又は半導体を蒸着、スフツタリング、CVDあるいは
イオン!レーテインダを行な5ことにより設けられた記
録層を有することを特徴とすると一ト毫−P記録材料。
(2)硫化水素の分圧が10−2〜10→Torr  
である特許請求の範囲第(1)項に記載のヒートモード
記録材料。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  支持体上に、iI化水素の分圧下で、金属、
    半金属又は牛導体を蒸着、スパッタリング、SVDある
    いはイオンブレーティングを行なうことkより設けられ
    た記録層を有することt特徴とするヒートモード記録材
    料。
  2. (2)硫化水素の分圧が10−2〜1[]−4Torr
    である特許請求の範囲第(0項に記載のヒートモード記
    録材料。
JP56105310A 1981-07-06 1981-07-06 ヒ−トモ−ド記録材料 Pending JPS587395A (ja)

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JP56105310A JPS587395A (ja) 1981-07-06 1981-07-06 ヒ−トモ−ド記録材料

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JP56105310A JPS587395A (ja) 1981-07-06 1981-07-06 ヒ−トモ−ド記録材料

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5516781A (en) * 1978-07-24 1980-02-05 Toshiba Corp Method of monitoring waveform in electric welding

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