JPS5856892A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS5856892A JPS5856892A JP56154842A JP15484281A JPS5856892A JP S5856892 A JPS5856892 A JP S5856892A JP 56154842 A JP56154842 A JP 56154842A JP 15484281 A JP15484281 A JP 15484281A JP S5856892 A JPS5856892 A JP S5856892A
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- Japan
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- recording
- information recording
- recording medium
- optical information
- metal
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
- C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
- C09B47/045—Special non-pigmentary uses, e.g. catalyst, photosensitisers of phthalocyanine dyes or pigments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
- C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
- C09B47/06—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide
- C09B47/061—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide having halogen atoms linked directly to the Pc skeleton
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/162—Protective or antiabrasion layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良さ九九情報記銀層を有する高密度エネルギ
ービームによって状態変化を生ぜしめることKより記録
再生を行うための光学的情報記録媒体に関する。
ービームによって状態変化を生ぜしめることKより記録
再生を行うための光学的情報記録媒体に関する。
光学的に情報を記録再生する場合、先ず記録の場合を考
えるとレーザ光−が記録層に@、収され、元エネルギー
が熱エネルギーに変換される。
えるとレーザ光−が記録層に@、収され、元エネルギー
が熱エネルギーに変換される。
この変換された熱エネルギーで配録層材料の状態変化を
生じさせて記録ができる。次に反射型の再生の場合を考
えると配録時より弱いレーザー光線を記録部KWR射す
ることによシ紀鎌部と未配録部との反射率の差によって
再生を行なう・以上のような配録再生法を考えると、記
録媒体としてはレーザ光をよ)多く吸収し、しかも反射
率がより大きな材料が高記録再生感電を有することにな
る。さらにレーザー光線として実用化、軽量化と15点
から半導体レーザーが適している。
生じさせて記録ができる。次に反射型の再生の場合を考
えると配録時より弱いレーザー光線を記録部KWR射す
ることによシ紀鎌部と未配録部との反射率の差によって
再生を行なう・以上のような配録再生法を考えると、記
録媒体としてはレーザ光をよ)多く吸収し、しかも反射
率がより大きな材料が高記録再生感電を有することにな
る。さらにレーザー光線として実用化、軽量化と15点
から半導体レーザーが適している。
このような半導体レーザーで記録再生を行なう場合、特
開昭55−97055号公報およびアメリカ特許第42
41455号明細書に霧水されている材料は半導体レー
ザー光(普通780 nmよシ長波長)に対して吸取係
数が小さく従って半導体レーザー光をあま)吸収しな込
ため記録感度が低い、さらに1表面反射率が低いため再
生効率が悪いことから再生効率を陶土させる方法として
反射層を設けている。従って記録感度向上のために高出
力レーザーを使用するので装置として高価なものとなり
一方反射層を設けるために製造工程が*lIKなり高価
なものとなってくる。
開昭55−97055号公報およびアメリカ特許第42
41455号明細書に霧水されている材料は半導体レー
ザー光(普通780 nmよシ長波長)に対して吸取係
数が小さく従って半導体レーザー光をあま)吸収しな込
ため記録感度が低い、さらに1表面反射率が低いため再
生効率が悪いことから再生効率を陶土させる方法として
反射層を設けている。従って記録感度向上のために高出
力レーザーを使用するので装置として高価なものとなり
一方反射層を設けるために製造工程が*lIKなり高価
なものとなってくる。
そこで1本発明者は従来の上記問題点に鎌み種々検討し
た結果、半導体レーザイ高記録再生感度を有ししかもa
tとしてよシ安価になる材料を開発し本発明の完成に至
った。
た結果、半導体レーザイ高記録再生感度を有ししかもa
tとしてよシ安価になる材料を開発し本発明の完成に至
った。
すなわち、本発明によれば基板に、金属を含有しないか
あるbF!金属を念は金属酸化物または金属ハロゲン化
物を含有しかつ700 nmより長い波長帯域において
@、収をもつ弗素置換フタロシアニン化合物からなる情
報記録層を設けた光学的情報記録媒体が提供される。
あるbF!金属を念は金属酸化物または金属ハロゲン化
物を含有しかつ700 nmより長い波長帯域において
@、収をもつ弗素置換フタロシアニン化合物からなる情
報記録層を設けた光学的情報記録媒体が提供される。
本発明による光学的情報記録媒体の2例の断面図を添付
図IiK示す、jII図は基板1と情報記録層2だけか
らfkD保鏝保線ない場合そして第2FIlは保験層5
のある場合である。保護層の存在は必須ではないが望ま
しい。
図IiK示す、jII図は基板1と情報記録層2だけか
らfkD保鏝保線ない場合そして第2FIlは保験層5
のある場合である。保護層の存在は必須ではないが望ま
しい。
本発明において使用される基板材料は当業者にFi既知
のものであル、使用レーザー光に対して透明または不透
明のいずれでもよい、ただし、基板−からレーザー光で
書込み記録を行なう場合は、書込みレーザー光に対して
透明でなければならない。一方、基板と反対側すなわち
記録j−の表面から書込み記鑞を行なう場合は、書込み
レーザー光に対して透明である必要はない・しかしなが
ら、読み出し再生を透過光で行なう場合は絖み出しレー
ザー光に対して透明でなければならな囚。読み出し再生
を反射光で行なう場合は読み出しレーザー光に対して透
明ま九は不透明のいずれでもよい、基板材料の材質とし
ては、ガラス、プラスチックス、紙、板状ま九は箔状の
金属などの一般KIN用されて−ゐ記録材料の支持体で
よい0%に、プラスチックスが安全性、記録感度向上、
平面性、軽量、加工性などの点から好適である0代表的
なプラスチックスとしては1化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル4
1IJ11、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポ
リプロピレン樹脂、ボリアオド樹脂、ポリスチレン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂などがあげられ
る。
のものであル、使用レーザー光に対して透明または不透
明のいずれでもよい、ただし、基板−からレーザー光で
書込み記録を行なう場合は、書込みレーザー光に対して
透明でなければならない。一方、基板と反対側すなわち
記録j−の表面から書込み記鑞を行なう場合は、書込み
レーザー光に対して透明である必要はない・しかしなが
ら、読み出し再生を透過光で行なう場合は絖み出しレー
ザー光に対して透明でなければならな囚。読み出し再生
を反射光で行なう場合は読み出しレーザー光に対して透
明ま九は不透明のいずれでもよい、基板材料の材質とし
ては、ガラス、プラスチックス、紙、板状ま九は箔状の
金属などの一般KIN用されて−ゐ記録材料の支持体で
よい0%に、プラスチックスが安全性、記録感度向上、
平面性、軽量、加工性などの点から好適である0代表的
なプラスチックスとしては1化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル4
1IJ11、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポ
リプロピレン樹脂、ボリアオド樹脂、ポリスチレン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂などがあげられ
る。
本発明の情報記録層に適した弗素置換フタロで表わされ
る。上記式において、輩は水素、酸化チタン、酸化バナ
ジウム、鋼、ペリリウ、ム、マグネシウム、カルシウム
、亜鉛、カドiウム、バリウム、アル2ニウム、錫、鉛
、バナジウム、クロミウム、マンガン、鉄、コバルト、
ニッケルおよびノ・ロゲン化錫を示し特に好着しいもり
は−、銅、亜鉛、鉛などである。Xは弗素を示しそして
nは1〜16特に好ましくけ16の整数である〇 さらに、本発明の上記弗素置換フタロシアニン化合物t
i700nmよ〕長い波長帯域に′J?いて吸収をもつ
ものである。その代表的な例としてはジクロロ[ヘキす
デカフルオロ7タロシアニン]錫、(ヘキサデカフルオ
ロ7タロシアニン〕鋼および〔ヘキサデカフルオロ7タ
ロシアニン〕亜鉛、〔ヘキサデカフルオロフタロシアニ
ン〕鉛などをあげることができる。これに対して、従来
の〔7タロシアニン〕金属(金属としてはコIZk )
S 鋼% 鉄%マ〆ネシウム、ニッケル、Δラジウム、
亜鉛、錫などがある)は700nin以上の波長帯域に
おいてほとんど吸収を有しなi・ 本発明の元学的情報紀鎌媒体にシけゐ情報記〜5smに
おhて真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート
法、気相成長法、V/#−ブレード法、キャスト法、ス
ピナー法、浸漬法など一般に行なわれてbる薄膜形成法
で成膜することができる。特に、薄膜の平面性、均一性
、容易性の点から真空蒸着法がすぐれている。ま九必要
に応じて、バインダーと混合して成膜することもできる
。バインダーとして基板材料の樹脂が使用できる・ 本発明の党学的情報記鎌媒体においては必要により保護
層を設けてもよい、保護層は使用高一度エネルギービー
ムに対して透明であり、機械的強度が大で、記録層とは
反応しにくくかつ皮膜性が良いものであればどのような
もので4よい。かかる保護層は*z2oB 、 5to
2.810゜MgO1ZnO、MgF2、Cuj2など
の無機材料を膜厚さ50〜5000A好ましくFi10
0〜2000Aにおいて真空蒸着法、スパッタリング法
、イオンプレート法、イオンクラスタ法、グロー放電法
などの一般に行なわれている操作で薄X形成せしめたも
のであるか、tたは有機材料の保護層を形成させること
4できる。後者の場合の有機材料としては成膜性、加工
性の点から有ail!分子化合物が41に好ましい、た
とえば、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリキシレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニト
リル、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸エステル
、ポリメタクリル酸エステル、ポリ酢酸ビ墨ル、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ボリエボ命シ、ボ替アンド、
ポリ尿素およびフェノール樹脂などの単独重合体および
共重合体などがあげられる。これらの有機材料は真空蒸
着法、スパッタリング法、気相成長法、グロー放電法、
溶剤塗布法など一般に行なわれている薄膜形成法で膜厚
さα1〜5am好ましくはα5〜2μmの薄膜となされ
る。
る。上記式において、輩は水素、酸化チタン、酸化バナ
ジウム、鋼、ペリリウ、ム、マグネシウム、カルシウム
、亜鉛、カドiウム、バリウム、アル2ニウム、錫、鉛
、バナジウム、クロミウム、マンガン、鉄、コバルト、
ニッケルおよびノ・ロゲン化錫を示し特に好着しいもり
は−、銅、亜鉛、鉛などである。Xは弗素を示しそして
nは1〜16特に好ましくけ16の整数である〇 さらに、本発明の上記弗素置換フタロシアニン化合物t
i700nmよ〕長い波長帯域に′J?いて吸収をもつ
ものである。その代表的な例としてはジクロロ[ヘキす
デカフルオロ7タロシアニン]錫、(ヘキサデカフルオ
ロ7タロシアニン〕鋼および〔ヘキサデカフルオロ7タ
ロシアニン〕亜鉛、〔ヘキサデカフルオロフタロシアニ
ン〕鉛などをあげることができる。これに対して、従来
の〔7タロシアニン〕金属(金属としてはコIZk )
S 鋼% 鉄%マ〆ネシウム、ニッケル、Δラジウム、
亜鉛、錫などがある)は700nin以上の波長帯域に
おいてほとんど吸収を有しなi・ 本発明の元学的情報紀鎌媒体にシけゐ情報記〜5smに
おhて真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート
法、気相成長法、V/#−ブレード法、キャスト法、ス
ピナー法、浸漬法など一般に行なわれてbる薄膜形成法
で成膜することができる。特に、薄膜の平面性、均一性
、容易性の点から真空蒸着法がすぐれている。ま九必要
に応じて、バインダーと混合して成膜することもできる
。バインダーとして基板材料の樹脂が使用できる・ 本発明の党学的情報記鎌媒体においては必要により保護
層を設けてもよい、保護層は使用高一度エネルギービー
ムに対して透明であり、機械的強度が大で、記録層とは
反応しにくくかつ皮膜性が良いものであればどのような
もので4よい。かかる保護層は*z2oB 、 5to
2.810゜MgO1ZnO、MgF2、Cuj2など
の無機材料を膜厚さ50〜5000A好ましくFi10
0〜2000Aにおいて真空蒸着法、スパッタリング法
、イオンプレート法、イオンクラスタ法、グロー放電法
などの一般に行なわれている操作で薄X形成せしめたも
のであるか、tたは有機材料の保護層を形成させること
4できる。後者の場合の有機材料としては成膜性、加工
性の点から有ail!分子化合物が41に好ましい、た
とえば、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリキシレン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニト
リル、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸エステル
、ポリメタクリル酸エステル、ポリ酢酸ビ墨ル、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ボリエボ命シ、ボ替アンド、
ポリ尿素およびフェノール樹脂などの単独重合体および
共重合体などがあげられる。これらの有機材料は真空蒸
着法、スパッタリング法、気相成長法、グロー放電法、
溶剤塗布法など一般に行なわれている薄膜形成法で膜厚
さα1〜5am好ましくはα5〜2μmの薄膜となされ
る。
本発明の元学的情報記鎌媒体に適用され石高密度エネル
ギービームとしては電子ビームおよびレーザービームな
どがある。@にレーザービームとしてはN2、He−C
(1、Ar 、 He−Ne 、 ルビー、半導体およ
び色素などのレーザーがあげられる− 次に本発明をさらに詳■に示す九めに比較例とO対比に
おいて実施例をかかげる。
ギービームとしては電子ビームおよびレーザービームな
どがある。@にレーザービームとしてはN2、He−C
(1、Ar 、 He−Ne 、 ルビー、半導体およ
び色素などのレーザーがあげられる− 次に本発明をさらに詳■に示す九めに比較例とO対比に
おいて実施例をかかげる。
実施例 1〜4
厚さ1−のアクリル板上に真空度I Q ’ Torr
の条件で基板温度を室温くして下記の表1に示した〔ヘ
キサデカフルオロフタロシアニン〕金属を蒸着し膜厚を
2000λに成膜しそれぞれ本発明の記録媒体を作製し
た・ この記録媒体に薄膜面から820nm(松下電陀展)の
半導体レーザーを・5ルス巾1μsea、薄膜面での照
射パワー4mW K して照射した。記録媒体を910
1ArnlB・Cで移動させながら配録を行なった結果
を表1に示す。
の条件で基板温度を室温くして下記の表1に示した〔ヘ
キサデカフルオロフタロシアニン〕金属を蒸着し膜厚を
2000λに成膜しそれぞれ本発明の記録媒体を作製し
た・ この記録媒体に薄膜面から820nm(松下電陀展)の
半導体レーザーを・5ルス巾1μsea、薄膜面での照
射パワー4mW K して照射した。記録媒体を910
1ArnlB・Cで移動させながら配録を行なった結果
を表1に示す。
釜分子鉄尤係畝
比較例 1〜4
+iJ施例1〜4の〔へ中サデカフルオロフタロシアニ
ン〕金属の代〕K下記の表2に示したフタロシアニン金
属を用いて記鎌媒体を作製し実施例1〜4と同様にして
記鎌感度を副定した。
ン〕金属の代〕K下記の表2に示したフタロシアニン金
属を用いて記鎌媒体を作製し実施例1〜4と同様にして
記鎌感度を副定した。
その結果を表2に示す。
表 2
添付g面は本発QliKよゐ光学的情報記録媒体の2例
の断面図であル、第1図紘保■層のない場合そして11
II2図は係一層のあみ場合である。 1・・・基板%2・・・情報記離層、3・・・保■層。 特許出願人 株式会社 リ コ −手続補正書 昭和56年12月28日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 昭和56年特許願第154842号 2°′″A″名称 光学ゎ情、う。媒体3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区中馬込1丁目5番6号名称 (67
4)株式会社リコー 4、代理人 ”補正0対象#!AIIA書の発明の詳細な説明の欄2
補正の内容 第10頁の表1中、例番号3に対する記録感度の欄に[
1,54を加入します。 以上
の断面図であル、第1図紘保■層のない場合そして11
II2図は係一層のあみ場合である。 1・・・基板%2・・・情報記離層、3・・・保■層。 特許出願人 株式会社 リ コ −手続補正書 昭和56年12月28日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 昭和56年特許願第154842号 2°′″A″名称 光学ゎ情、う。媒体3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区中馬込1丁目5番6号名称 (67
4)株式会社リコー 4、代理人 ”補正0対象#!AIIA書の発明の詳細な説明の欄2
補正の内容 第10頁の表1中、例番号3に対する記録感度の欄に[
1,54を加入します。 以上
Claims (1)
- 基板に、金属を含有しないかある帆は金属會友は金属酸
化物まえは金属ハロゲン化物を含有しかつ700nmよ
シ長い波長帯域において吸取をもつ弗素置換7タロシア
ニン化合物からなる情報記録層を設けることを特徴とす
る。光学的情報記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154842A JPS5856892A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 光学的情報記録媒体 |
| US06/422,414 US4458004A (en) | 1981-10-01 | 1982-09-23 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154842A JPS5856892A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856892A true JPS5856892A (ja) | 1983-04-04 |
| JPH0377076B2 JPH0377076B2 (ja) | 1991-12-09 |
Family
ID=15593078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154842A Granted JPS5856892A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4458004A (ja) |
| JP (1) | JPS5856892A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232448A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 発色団/ポリマ−配位型情報記録層を有する光デ−タ記憶媒体 |
| JPS62146684A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光記録媒体の製造方法 |
| JPH0742483A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-02-10 | Tekken Constr Co Ltd | 「全面開放型シールド掘進機」 |
| US5998609A (en) * | 1996-10-14 | 1999-12-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Phthalocyanine compounds, process for preparing the same, and optical recording medium made using the same |
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
| JP2007273969A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置並びに電子機器 |
| US8742407B2 (en) | 2006-03-08 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element with layers having complementary colors for absorbing light |
| CN114267380A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-01 | 华中科技大学 | 一种聚丙烯腈用作光存储介质的多维光存储方法 |
Families Citing this family (41)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS59104996A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-18 | Canon Inc | 光記録方法 |
| JPS60187948A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-25 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記憶媒体 |
| GB2163863B (en) * | 1984-07-05 | 1988-04-27 | Ricoh Kk | Optical information recording medium |
| US4686169A (en) * | 1984-11-13 | 1987-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium and production of the same |
| JPS61125882A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
| GB8431924D0 (en) * | 1984-12-18 | 1985-01-30 | Ici Plc | Optical recording medium |
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