JPS5874351U - 半導体装置における素子のゲ−ト引き出し構造 - Google Patents

半導体装置における素子のゲ−ト引き出し構造

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JPS5874351U
JPS5874351U JP16900481U JP16900481U JPS5874351U JP S5874351 U JPS5874351 U JP S5874351U JP 16900481 U JP16900481 U JP 16900481U JP 16900481 U JP16900481 U JP 16900481U JP S5874351 U JPS5874351 U JP S5874351U
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JP
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extraction structure
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Meidensha Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のゲート引き出し構造を適用した　　−半
導体装置の断面図、第２図はこの考案のゲート引き出し
構造を実施した半導体装置の断面図である。 ７・・・・・・半導体素子、１・・・・・・カソード電
極、訃・・・・・アノード電極、５・・・・・・０リン
グ、４・・・・・・中継リング、２・・・・・・セラミ
ックケース（絶縁ケース）、３・・・・・・ゲート引き
出しパイプ、６・・・・・・ゲート線。 卆

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体素子をカソード電極とアノード電極とで挟圧保持
    してなる半導体装置において、（イ）カソード電極に弾
    性な０リングを取り付け、（ロ）　　半導体素子のゲー
    ト部全体に当接する中継リングを設け、 （ハ）Ｏリングと中継リングとを当接せしめてカソード
    電極と中継リングとを離隔させ、 に）絶縁ケースを貫通するゲート引き出しパイプ゛と中
    継リングとをゲート線で接続した、構成を特徴とする半
    導体装置における素子のゲート引き出し構造。
JP16900481U 1981-11-13 1981-11-13 半導体装置における素子のゲ−ト引き出し構造 Granted JPS5874351U (ja)

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JPS5874351U true JPS5874351U (ja) 1983-05-19
JPH019155Y2 JPH019155Y2 (ja) 1989-03-13

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008084926A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Mitsubishi Electric Corp 圧接型半導体装置

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JP2008084926A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Mitsubishi Electric Corp 圧接型半導体装置

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