JPH019155Y2 - - Google Patents
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- JPH019155Y2 JPH019155Y2 JP16900481U JP16900481U JPH019155Y2 JP H019155 Y2 JPH019155 Y2 JP H019155Y2 JP 16900481 U JP16900481 U JP 16900481U JP 16900481 U JP16900481 U JP 16900481U JP H019155 Y2 JPH019155 Y2 JP H019155Y2
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- Japan
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- gate
- ring
- cathode electrode
- semiconductor device
- relay
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- Expired
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
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- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、圧接形構造として構成した半導体
装置における素子のゲート引き出し構造に関する
もので、その目的は、ゲート線部の信頼性向上、
特性の向上及び構造の簡素化と小形化並びにコス
トダウンが可能な構成に改良した半導体装置にお
ける素子のゲート引き出し構造を提供することに
ある。
装置における素子のゲート引き出し構造に関する
もので、その目的は、ゲート線部の信頼性向上、
特性の向上及び構造の簡素化と小形化並びにコス
トダウンが可能な構成に改良した半導体装置にお
ける素子のゲート引き出し構造を提供することに
ある。
従来、半導体装置における素子のゲート引き出
し構造は、第１図に示すとおりであつた。図中１
はカソード電極、２はセラミツクケース、３はゲ
ート引き出しパイプ、４は中継端子固定治具、５
はゲート圧着端子、６はアルミニウム製のゲート
線、７は半導体素子、８はアノード電極であり、
ゲート線６の圧着構造及びゲート線引き出しの超
音波溶接を特徴としている。
し構造は、第１図に示すとおりであつた。図中１
はカソード電極、２はセラミツクケース、３はゲ
ート引き出しパイプ、４は中継端子固定治具、５
はゲート圧着端子、６はアルミニウム製のゲート
線、７は半導体素子、８はアノード電極であり、
ゲート線６の圧着構造及びゲート線引き出しの超
音波溶接を特徴としている。
即ち、半導体素子７からのゲート引き出しは、
ゲート線６の超音波溶接によりゲート端子を引き
出し、これをゲート圧着端子５と接続し、ゲート
引き出しパイプ３と接続している。
ゲート線６の超音波溶接によりゲート端子を引き
出し、これをゲート圧着端子５と接続し、ゲート
引き出しパイプ３と接続している。
しかるに、ゲート線６の超音波溶接に全幅の信
頼性がなく問題になつている。
頼性がなく問題になつている。
また、ゲート線６から大きな電流を引き出した
り、ゲート部全体から均一に電流を引き出したり
するときは、ゲート線を太くしたり、ゲート線６
の本数を多くしなければならず、一方、ゲート線
６とゲート圧着端子５との接続はゲート線６の本
数が多くなるにつれてその圧着方法、圧着構造が
複雑となり、信頼性が問題となる。ハンダ付部の
フラツクス残存の問題もある。
り、ゲート部全体から均一に電流を引き出したり
するときは、ゲート線を太くしたり、ゲート線６
の本数を多くしなければならず、一方、ゲート線
６とゲート圧着端子５との接続はゲート線６の本
数が多くなるにつれてその圧着方法、圧着構造が
複雑となり、信頼性が問題となる。ハンダ付部の
フラツクス残存の問題もある。
この考案は、従来技術の上述した欠点、問題点
を解決するべくなされたものである。
を解決するべくなされたものである。
次に、この考案を第２図に示す実施例により説
明する。その構成の大部分は、第１図の従来例と
共通し、共通の符号を付けて示している。即ち、
半導体素子７をカソード電極１とアノード電極８
とで挾圧保持してなる半導体装置であり、図中５
はカソード電極１の段部１ａに当接するように嵌
合し取り付けた弾性なＯリング、４は前記Ｏリン
グ５と内隅上方角部を当接せしめてカソード電極
１と十分に離隔絶縁せしめ、かつ、半導体素子７
のゲート部全体と均一に当接し接続した中継リン
グである。この中継リング４は、セラミツクケー
ス２内に嵌合されている。セラミツクケース２を
放射方向に貫通させたゲート引き出しパイプ３…
は、銅線又は銀線等のゲート線６によつて中継リ
ングと接続している。カソード電極１とアノード
電極８とは、アノード電極８外周のフランジ９に
セラミツクケース２を固着し、同セラミツクケー
ス２上部に突出せしめたフランジ１０と、カソー
ド電極１外周に設けたフランジ１１とを結合する
ことにより、適度の圧力で圧接した状態に組立て
られている。
明する。その構成の大部分は、第１図の従来例と
共通し、共通の符号を付けて示している。即ち、
半導体素子７をカソード電極１とアノード電極８
とで挾圧保持してなる半導体装置であり、図中５
はカソード電極１の段部１ａに当接するように嵌
合し取り付けた弾性なＯリング、４は前記Ｏリン
グ５と内隅上方角部を当接せしめてカソード電極
１と十分に離隔絶縁せしめ、かつ、半導体素子７
のゲート部全体と均一に当接し接続した中継リン
グである。この中継リング４は、セラミツクケー
ス２内に嵌合されている。セラミツクケース２を
放射方向に貫通させたゲート引き出しパイプ３…
は、銅線又は銀線等のゲート線６によつて中継リ
ングと接続している。カソード電極１とアノード
電極８とは、アノード電極８外周のフランジ９に
セラミツクケース２を固着し、同セラミツクケー
ス２上部に突出せしめたフランジ１０と、カソー
ド電極１外周に設けたフランジ１１とを結合する
ことにより、適度の圧力で圧接した状態に組立て
られている。
次に、上記構成の半導体装置の作用について説
明するに、Ｏリング５に当接する中継リング４を
設けてそのＯリング５によりカソード電極１と半
導体素子７との絶縁をとり、かつ、中継リング４
の位置決めを行なつている。そして、カソード電
極１とアノード電極８とを加圧した際の圧力の多
くはＯリング５の弾性によつて吸収し、半導体素
子７に直接大きな力が加わらないものとなし、そ
の一方、ゲート線６…の圧接をも行ない、圧接構
造の特徴をもたらすものとしている。従つて、超
音波溶接又はハンダ付けは不要である。しかも中
継リング４を設けたので、半導体素子７のゲート
全体から均一で大きな電流を引き出すことができ
る。ゲート線６として、銅線又は銀線を使用する
ので、ゲート引き出しパイプ３をつぶす際、従来
のアルミニウム線の如く断線するおそれもないの
である。
明するに、Ｏリング５に当接する中継リング４を
設けてそのＯリング５によりカソード電極１と半
導体素子７との絶縁をとり、かつ、中継リング４
の位置決めを行なつている。そして、カソード電
極１とアノード電極８とを加圧した際の圧力の多
くはＯリング５の弾性によつて吸収し、半導体素
子７に直接大きな力が加わらないものとなし、そ
の一方、ゲート線６…の圧接をも行ない、圧接構
造の特徴をもたらすものとしている。従つて、超
音波溶接又はハンダ付けは不要である。しかも中
継リング４を設けたので、半導体素子７のゲート
全体から均一で大きな電流を引き出すことができ
る。ゲート線６として、銅線又は銀線を使用する
ので、ゲート引き出しパイプ３をつぶす際、従来
のアルミニウム線の如く断線するおそれもないの
である。
次に、この考案が奏する効果を説する。
この考案の半導体装置における素子のゲート引
き出し構造は、上記の構成としたから、ゲート線
の圧着構造ゲート線引き出しの超音波溶接が一切
無用であり、即ち圧接構造であるからゲート線部
の信頼性が向上する。また、半導体素子のゲート
部全体から均一に、かつ、大きな電流を引き出す
ことができ特性の著るしい向上が果せる。さらに
Ｏリングを用いて中継リングの圧接、ゲートとカ
ソード電極の絶縁、中継リングの位置決めを行な
う構成としたから、構造の簡素化とコストダウン
及び絶縁ケース（セラミツクケース）の小型化を
達成することができる。しかもカソード電極とア
ノード電極とを加圧する際のゲート線の断線を防
ぐことができるなどの効果を奏するものである。
き出し構造は、上記の構成としたから、ゲート線
の圧着構造ゲート線引き出しの超音波溶接が一切
無用であり、即ち圧接構造であるからゲート線部
の信頼性が向上する。また、半導体素子のゲート
部全体から均一に、かつ、大きな電流を引き出す
ことができ特性の著るしい向上が果せる。さらに
Ｏリングを用いて中継リングの圧接、ゲートとカ
ソード電極の絶縁、中継リングの位置決めを行な
う構成としたから、構造の簡素化とコストダウン
及び絶縁ケース（セラミツクケース）の小型化を
達成することができる。しかもカソード電極とア
ノード電極とを加圧する際のゲート線の断線を防
ぐことができるなどの効果を奏するものである。
第１図は従来のゲート引き出し構造を適用した
半導体装置の断面図、第２図はこの考案のゲート
引き出し構造を実施した半導体装置の断面図であ
る。 ７……半導体素子、１……カソード電極、８…
…アノード電極、５……Ｏリング、４……中継リ
ング、２……セラミツクケース（絶縁ケース）、
３……ゲート引き出しパイプ、６……ゲート線。
半導体装置の断面図、第２図はこの考案のゲート
引き出し構造を実施した半導体装置の断面図であ
る。 ７……半導体素子、１……カソード電極、８…
…アノード電極、５……Ｏリング、４……中継リ
ング、２……セラミツクケース（絶縁ケース）、
３……ゲート引き出しパイプ、６……ゲート線。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体素子をカソード電極とアノード電極とで
挾圧保持してなる半導体装置において、 (イ) カソード電極に弾性なＯリングを取り付け、 (ロ) 半導体素子のゲート部全体に当接する中継リ
ングを設け、 (ハ) Ｏリングと中継リングとを当接せしめてカソ
ード電極と中継リングとを離隔させ、 (ニ) 絶縁ケースを貫通するゲート引き出しパイプ
と中継リングとをゲート線で接続した、 構成を特徴とする半導体装置における素子のゲ
ート引き出し構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16900481U JPS5874351U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体装置における素子のゲ−ト引き出し構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16900481U JPS5874351U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体装置における素子のゲ−ト引き出し構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874351U JPS5874351U (ja) | 1983-05-19 |
| JPH019155Y2 true JPH019155Y2 (ja) | 1989-03-13 |
Family
ID=29961010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16900481U Granted JPS5874351U (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 半導体装置における素子のゲ−ト引き出し構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874351U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5040234B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2012-10-03 | 三菱電機株式会社 | 圧接型半導体装置 |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP16900481U patent/JPS5874351U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5874351U (ja) | 1983-05-19 |
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