JPS5875856A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5875856A JPS5875856A JP56172924A JP17292481A JPS5875856A JP S5875856 A JPS5875856 A JP S5875856A JP 56172924 A JP56172924 A JP 56172924A JP 17292481 A JP17292481 A JP 17292481A JP S5875856 A JPS5875856 A JP S5875856A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- epoxy resin
- acid ester
- mixing
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/473—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins containing a filler
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、更に詳しくは
、耐湿性および高温電気特性に優れた樹脂封止型半導体
装置に関する。
、耐湿性および高温電気特性に優れた樹脂封止型半導体
装置に関する。
樹脂封止型半導体装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）、
大規模集積回路（Ｌ８Ｉ）、トランジスタ、ダイオ−ｒ
等の半導体素子を、外部雰囲気や機械的衝撃から保饅す
るため°に、熱硬化性１樹′脂を用いて封止して成るも
のである。
大規模集積回路（Ｌ８Ｉ）、トランジスタ、ダイオ−ｒ
等の半導体素子を、外部雰囲気や機械的衝撃から保饅す
るため°に、熱硬化性１樹′脂を用いて封止して成るも
のである。
半導体素子の封止技術として、従来は、金属やセラミッ
クス醇を用いるハーメチック封止が採用されていたが、
最近で社、経済的に有利であるという理由から、樹脂封
止が主流を占めている。
クス醇を用いるハーメチック封止が採用されていたが、
最近で社、経済的に有利であるという理由から、樹脂封
止が主流を占めている。
かかる半導体封止用樹脂として杜、大量生産に適する低
圧トランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、工ｌキシ樹脂、ノーラックＷｌｙエノール
樹脂硬化剤、イｔダゾール硬化促進剤等から成るエポキ
シ樹脂組成物を、トランスファ成形して得られる従来の
樹脂封止型半導体装置には次のような欠点がある。即ち
、（１） 耐湿性が劣るために、アルミニウム電極な
どが腐食劣化すること、 （２）高温時にシける電気特性が劣シ、特に、リーク電
流が増加するために、半導体素子の機能が低下すること
、 である。これらのうち（１）について説明すると、樹脂
封止型半導体装置は高温高温雰囲気下で使用または保存
すると々があるので、そのような条件下においても信頼
性を保証しなければ表らない。耐湿性の品質保証のため
の信頼性評価試験としては、８５℃または１２０℃の飽
和水蒸気中に暴篇する加速評価法が行なわれている。最
近では電圧を印加して更に加速性を高めたバイアス印加
型の評価試験も実施されている。
圧トランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、工ｌキシ樹脂、ノーラックＷｌｙエノール
樹脂硬化剤、イｔダゾール硬化促進剤等から成るエポキ
シ樹脂組成物を、トランスファ成形して得られる従来の
樹脂封止型半導体装置には次のような欠点がある。即ち
、（１） 耐湿性が劣るために、アルミニウム電極な
どが腐食劣化すること、 （２）高温時にシける電気特性が劣シ、特に、リーク電
流が増加するために、半導体素子の機能が低下すること
、 である。これらのうち（１）について説明すると、樹脂
封止型半導体装置は高温高温雰囲気下で使用または保存
すると々があるので、そのような条件下においても信頼
性を保証しなければ表らない。耐湿性の品質保証のため
の信頼性評価試験としては、８５℃または１２０℃の飽
和水蒸気中に暴篇する加速評価法が行なわれている。最
近では電圧を印加して更に加速性を高めたバイアス印加
型の評価試験も実施されている。
しかしエポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装
置では、封止樹脂が吸湿性を有するために、水分が外部
雰囲気から封止樹脂層を介して、或いは封止樹脂とり＋
ｆフレームの界面を通って内部に浸入し、半導体素子
の表面にまで到達する。
置では、封止樹脂が吸湿性を有するために、水分が外部
雰囲気から封止樹脂層を介して、或いは封止樹脂とり＋
ｆフレームの界面を通って内部に浸入し、半導体素子
の表面にまで到達する。
この水分と封止樹脂中に存在する不純物等の作用の結果
として樹脂封止型半導体装置はアル１ニウム゛電極、配
線等の腐食による不良を発生ずる。またバイアス電圧を
印加した場合には、その電気化学的作用によってアルミ
ニウム電極、配線の腐食による不良が特に著しく多発す
る。
として樹脂封止型半導体装置はアル１ニウム゛電極、配
線等の腐食による不良を発生ずる。またバイアス電圧を
印加した場合には、その電気化学的作用によってアルミ
ニウム電極、配線の腐食による不良が特に著しく多発す
る。
次に（２）について説明すると、樹脂封止型半導体装置
は高温条件下で使用することがあるので、そのような条
件においても信頼性を保証しなゆればならない、そのた
めの評価試験としては８０℃〜１５０ｃで／ぐイアスミ
圧を印加して信頼性を評価する加速試験が一般的である
。
は高温条件下で使用することがあるので、そのような条
件においても信頼性を保証しなゆればならない、そのた
めの評価試験としては８０℃〜１５０ｃで／ぐイアスミ
圧を印加して信頼性を評価する加速試験が一般的である
。
このような試験において例えば、半導体表面が外部電荷
に鋭敏なＭＯ８構造を有する素子や、逆・々イアスが印
加されたＰＮ接合を有する素子等に特に著しく多発する
不良として、チャネリングによるリーク１流の増加する
現象がある。
に鋭敏なＭＯ８構造を有する素子や、逆・々イアスが印
加されたＰＮ接合を有する素子等に特に著しく多発する
不良として、チャネリングによるリーク１流の増加する
現象がある。
仁の現象は電圧が印加された素子の表面に接している封
止樹脂層に、電界が作用することにより発生するものと
考えられる。
止樹脂層に、電界が作用することにより発生するものと
考えられる。
従来の樹脂封止型半導体装置は上記した欠点を有するも
のであるために、その改良が求められていた６本発明は
、かかる欠点を解消せんとしてなされたものであシ、そ
の目的は、優れた耐湿性および高温電気特性を有する樹
脂封止型半導体装置を提供するにある。
のであるために、その改良が求められていた６本発明は
、かかる欠点を解消せんとしてなされたものであシ、そ
の目的は、優れた耐湿性および高温電気特性を有する樹
脂封止型半導体装置を提供するにある。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた
結果、イミダゾール等の硬化促進剤が上記欠点を形成す
る主要因であることを解明した。
結果、イミダゾール等の硬化促進剤が上記欠点を形成す
る主要因であることを解明した。
そして、半導体を封止する樹脂体の成形材料として、次
に示すニーΦシ樹脂組成物を使用することによシ、半導
体装置の耐湿性および高温電気％性が向上することを見
出し、本発明を完成するに到った。
に示すニーΦシ樹脂組成物を使用することによシ、半導
体装置の耐湿性および高温電気％性が向上することを見
出し、本発明を完成するに到った。
即ち、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と
骸半導体素子を被覆する樹脂封止体とを具備して成る樹
脂封止型半導体装置にお、いて、前記樹脂封止体が、 （ａｔ エポキシ当量１７０〜３００を有する）？ラ
ック型エポキシ樹脂、 （ｂｌ ）がランク型フェノール樹脂、（ｃｌ ホ
ウ酸エステル化合物、 および ｌｄｌ 無機質充填剤 を官むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴と
するものである。
骸半導体素子を被覆する樹脂封止体とを具備して成る樹
脂封止型半導体装置にお、いて、前記樹脂封止体が、 （ａｔ エポキシ当量１７０〜３００を有する）？ラ
ック型エポキシ樹脂、 （ｂｌ ）がランク型フェノール樹脂、（ｃｌ ホ
ウ酸エステル化合物、 および ｌｄｌ 無機質充填剤 を官むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴と
するものである。
以下において、本発明を更に詳しく説明する。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、次のものから成る
。
。
本発明において使用される工４キシ樹脂は、エポキシ当
量が１７０〜３００の値を有する）がラック型エポキシ
樹脂であれば、いかなるものでも使用可能であり、例え
ば、フェノールノーラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノがラック型エポキシ樹脂、へロｒン化フェノールノが
ラック型エポキシ樹脂等が挙けられる。かかる工ｌキシ
樹脂は、１１１１１もしくは２麺以上のものを混合して
用いることができ、更に、これらに他のエポキシ樹脂を
混合して用いてもよい、他のエポキシ樹脂としては、例
えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂轡のグリシジル
エーテルフッ４キシ樹脂、グリシジルエステル型ニーキ
シ樹脂、グリジノルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式ニー中シ
樹脂、ハロゲン化ニーキシ樹脂等が挙げられ、これらか
ら選ばれた１種もしくは２種以上のものを、ツメラック
型エポキシ樹脂に対し、５０重量鴨以下の量で配合する
ことができる。ｔた、本発明において使用される工ｌキ
シ樹脂は、樹脂中に残存する塩素がアルミニウム電極等
の腐食劣化の原因のひとつとなるために、含有される塩
素イオンは１０ ｐｐｍ以下、加水分解性塩素は０．１
重量％以下のものであることが望ましい。
量が１７０〜３００の値を有する）がラック型エポキシ
樹脂であれば、いかなるものでも使用可能であり、例え
ば、フェノールノーラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノがラック型エポキシ樹脂、へロｒン化フェノールノが
ラック型エポキシ樹脂等が挙けられる。かかる工ｌキシ
樹脂は、１１１１１もしくは２麺以上のものを混合して
用いることができ、更に、これらに他のエポキシ樹脂を
混合して用いてもよい、他のエポキシ樹脂としては、例
えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂轡のグリシジル
エーテルフッ４キシ樹脂、グリシジルエステル型ニーキ
シ樹脂、グリジノルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式ニー中シ
樹脂、ハロゲン化ニーキシ樹脂等が挙げられ、これらか
ら選ばれた１種もしくは２種以上のものを、ツメラック
型エポキシ樹脂に対し、５０重量鴨以下の量で配合する
ことができる。ｔた、本発明において使用される工ｌキ
シ樹脂は、樹脂中に残存する塩素がアルミニウム電極等
の腐食劣化の原因のひとつとなるために、含有される塩
素イオンは１０ ｐｐｍ以下、加水分解性塩素は０．１
重量％以下のものであることが望ましい。
本発明において硬化剤とし、て使用されるノがラック型
フェノール樹脂としては、例えば、フェノール性がラッ
ク樹脂、クレゾールノがラック樹脂、ｔ＠ｒｔ−プチル
フェノールノがラック樹脂、ノニルフェノールノがラッ
ク樹脂等が挙げられ、これらから選ばれたｉｓもしく紘
２種以上のものが使用される。かかるノーラック型フェ
ノール樹脂は、成形時における流動性等の作業炸を考慮
すると、その軟化点が６０〜１２０℃の範囲内にあるこ
とが好ましく、また、低分子量のフェノール成分は樹脂
特性劣化の原因となることから、常温における水可溶性
の７工ノール樹脂成分量が３重量％以下であることが好
ましい。
フェノール樹脂としては、例えば、フェノール性がラッ
ク樹脂、クレゾールノがラック樹脂、ｔ＠ｒｔ−プチル
フェノールノがラック樹脂、ノニルフェノールノがラッ
ク樹脂等が挙げられ、これらから選ばれたｉｓもしく紘
２種以上のものが使用される。かかるノーラック型フェ
ノール樹脂は、成形時における流動性等の作業炸を考慮
すると、その軟化点が６０〜１２０℃の範囲内にあるこ
とが好ましく、また、低分子量のフェノール成分は樹脂
特性劣化の原因となることから、常温における水可溶性
の７工ノール樹脂成分量が３重量％以下であることが好
ましい。
ノボランク型フェノール樹脂の配合量は、工ｌキシ樹脂
中の工Ｉキシ基の量との関係から適宜選択することが望
ましく、フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエ
ポキシ樹脂の工Ｉキシ基の数の比が０．５〜１．５の範
囲にあることが望ましい。
中の工Ｉキシ基の量との関係から適宜選択することが望
ましく、フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエ
ポキシ樹脂の工Ｉキシ基の数の比が０．５〜１．５の範
囲にあることが望ましい。
フェノール往水酸基数／ヱ４キシ基数の比が０．５未満
、或いは１．５を超えると、反応が充分に進行せず、硬
化物の特性が低下する。
、或いは１．５を超えると、反応が充分に進行せず、硬
化物の特性が低下する。
本発明において使用されるホウ酸エステル化合物は、硬
化促進剤としての機能を有するものであシ、かかる化合
物を配合せしめることによ）、半導体装置の耐湿性およ
び高温電気特性の向上かも九もされる。
化促進剤としての機能を有するものであシ、かかる化合
物を配合せしめることによ）、半導体装置の耐湿性およ
び高温電気特性の向上かも九もされる。
このようなホウ酸エステル化合物としては、次記一般式
ＣＩ）〜Ｃ１） （ＲＯ）ｓＢ （Ｉ）（式中、それ
ぞれＯＲは、同一でも異なっていてもよく、また、エエ
ット毎に同一でも異なっていてもよく、アルキル基；前
記アルキル基の水嵩原子が少なくとも１つ以上水酸基で
置換されれたヒト１０キシアルキル基；シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、ナフ
チル基等のアリール基；ヒＶロキシフェニル基、とｙｃ
２キシトリル１ｆｉ等（Ｄヒｙロキシアリール基；ベン
ジル基等のアルアルキル基等を表わし、ｎは正の整数で
ある。）で示される１分子中に１個のホウ素原子を有す
るモノホク酸エステル化合物および１分子中に２個以上
のホウ素原子を有するポリホウ酸エステル化合物が挙げ
られる。
ＣＩ）〜Ｃ１） （ＲＯ）ｓＢ （Ｉ）（式中、それ
ぞれＯＲは、同一でも異なっていてもよく、また、エエ
ット毎に同一でも異なっていてもよく、アルキル基；前
記アルキル基の水嵩原子が少なくとも１つ以上水酸基で
置換されれたヒト１０キシアルキル基；シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、ナフ
チル基等のアリール基；ヒＶロキシフェニル基、とｙｃ
２キシトリル１ｆｉ等（Ｄヒｙロキシアリール基；ベン
ジル基等のアルアルキル基等を表わし、ｎは正の整数で
ある。）で示される１分子中に１個のホウ素原子を有す
るモノホク酸エステル化合物および１分子中に２個以上
のホウ素原子を有するポリホウ酸エステル化合物が挙げ
られる。
上記ホウ酸エステル化合物としては、例えば、ホウ酸ト
リメチル、ホウ酸トリエチル、ホラ＃トリイノグロビル
、ホウ酸トリｌチル、ホウ酸トリシクロヘキシル、ホウ
酸トリフェニル、ホウ酸トリクレジル、ホウ酸トリノニ
ルフェニル、ホウ酸トリナフチル、ホウ酸トリベンジル
、ｌリホク酸メチル、４リホウ酸イノプロピル、ポリホ
ウ酸ブチル、ポリホウ酸フェニル、ポリホウ酸クレシル
、４リホウ酸ベンシル、ジヘキシレングリコール／４イ
ｌレート、トリヘキシレンダリコールパイ？し−酬、ジ
（２，６−シーｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ｎ−ブチル
がレート、トリメトキシゼロキノール等が挙げられ、こ
れらから成る群より選ばれる１種もしくは２種以上のも
のが使用される。
リメチル、ホウ酸トリエチル、ホラ＃トリイノグロビル
、ホウ酸トリｌチル、ホウ酸トリシクロヘキシル、ホウ
酸トリフェニル、ホウ酸トリクレジル、ホウ酸トリノニ
ルフェニル、ホウ酸トリナフチル、ホウ酸トリベンジル
、ｌリホク酸メチル、４リホウ酸イノプロピル、ポリホ
ウ酸ブチル、ポリホウ酸フェニル、ポリホウ酸クレシル
、４リホウ酸ベンシル、ジヘキシレングリコール／４イ
ｌレート、トリヘキシレンダリコールパイ？し−酬、ジ
（２，６−シーｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ｎ−ブチル
がレート、トリメトキシゼロキノール等が挙げられ、こ
れらから成る群より選ばれる１種もしくは２種以上のも
のが使用される。
かかるホウ酸エステル化合物は、エポキシ樹脂およびフ
ェノール樹脂の総量に対して０．０１−１０重量％の量
で配合することが好ましい。
ェノール樹脂の総量に対して０．０１−１０重量％の量
で配合することが好ましい。
本発明において使用される無機質充填剤は、通常、無機
質充填剤として使用されているものであれば何でもよ・
く、これらとしては、例えば、石英ガラス粉末、結晶性
シリカ粉末、ガラス繊維、メルク、アルミナ粉末、ケイ
酸カルシウム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム
粉末、マグネシア粉末等が挙げられ、これらから選ばれ
九１種もしくは２種以上のものが使用される。これらの
うちで、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末を用い１１
１ ゐことが、高純度および低熱鵬張係数を有することから
、最も好ましい。
質充填剤として使用されているものであれば何でもよ・
く、これらとしては、例えば、石英ガラス粉末、結晶性
シリカ粉末、ガラス繊維、メルク、アルミナ粉末、ケイ
酸カルシウム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム
粉末、マグネシア粉末等が挙げられ、これらから選ばれ
九１種もしくは２種以上のものが使用される。これらの
うちで、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末を用い１１
１ ゐことが、高純度および低熱鵬張係数を有することから
、最も好ましい。
かかる無機質充填剤の配合量は、使用するエポ＊シ１ｍ
１ｍ、フェノールｍ脂および無機質充填剤１の種ｆｉＫ
よって適宜選択する必要があるが、例えば、トランスフ
ァ成形に使用する場合には、エポキシ樹脂およびフェノ
ール樹脂の総量に対し、重量比で１．５〜４倍程度が好
ましめ、また、無機質充填剤の粒径は、適宜選択して使
用することが好ましく、粒子ｏｍいものと細かｌ＋／Ｔ
ｈものを組み合わせることによ）、成形性を改善するこ
とが可能となる。
１ｍ、フェノールｍ脂および無機質充填剤１の種ｆｉＫ
よって適宜選択する必要があるが、例えば、トランスフ
ァ成形に使用する場合には、エポキシ樹脂およびフェノ
ール樹脂の総量に対し、重量比で１．５〜４倍程度が好
ましめ、また、無機質充填剤の粒径は、適宜選択して使
用することが好ましく、粒子ｏｍいものと細かｌ＋／Ｔ
ｈものを組み合わせることによ）、成形性を改善するこ
とが可能となる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、更に、
飼えは、天然ワックス類、合成ワックス類、［鎖脂肪酸
の金属塩、酸アイド類、エステル類、／譬うフインー等
の離型剤、塩素化ツヤラフイン、！ロムトルエン、ヘキ
サノ鐸ムベンゼン、三酸化アンチモノ等の拳燃剤、力−
−ンブラック等の着色剤、およびシランカッ！りンダ剤
等を、適宜添加配合したものであってもよい。 ゛ 上記組成から成る工４キシ樹脂組成物を、半導体封止用
成形材料”として調製するには、通常の方法を用いれば
よく、例えば、所定の配合量の原料混合物を、ミキサー
等によって充分混合後、更に熱ロール等による溶融混合
処理を施すか、ま九はニーダ−等による混合処理を施す
ことにより、容易にエポキシ樹脂組成物から成る成形材
料を祷ることがで自る。
飼えは、天然ワックス類、合成ワックス類、［鎖脂肪酸
の金属塩、酸アイド類、エステル類、／譬うフインー等
の離型剤、塩素化ツヤラフイン、！ロムトルエン、ヘキ
サノ鐸ムベンゼン、三酸化アンチモノ等の拳燃剤、力−
−ンブラック等の着色剤、およびシランカッ！りンダ剤
等を、適宜添加配合したものであってもよい。 ゛ 上記組成から成る工４キシ樹脂組成物を、半導体封止用
成形材料”として調製するには、通常の方法を用いれば
よく、例えば、所定の配合量の原料混合物を、ミキサー
等によって充分混合後、更に熱ロール等による溶融混合
処理を施すか、ま九はニーダ−等による混合処理を施す
ことにより、容易にエポキシ樹脂組成物から成る成形材
料を祷ることがで自る。
本発明に係わるエポキシ樹脂組成物を混合するには、そ
れぞれ秤量し九谷成分を同時に混合してモヨいが、フェ
ノール樹脂とホウ酸エステル化合物を、予め混合して加
熱溶融したものに他成分を混合したものであってもよい
、ホウ酸エステＡ−４ヒ金物は、空気中で、特に高湿度
雰囲気中でイく安尾であるために、上記溶融混合−を用
いること２５Ｘりｆ壕しく、かかるＳＳ混合物を用いて
成る工）？キシ樹脂封止型半導体装置の方が、安楚した
特性力；得られる。
れぞれ秤量し九谷成分を同時に混合してモヨいが、フェ
ノール樹脂とホウ酸エステル化合物を、予め混合して加
熱溶融したものに他成分を混合したものであってもよい
、ホウ酸エステＡ−４ヒ金物は、空気中で、特に高湿度
雰囲気中でイく安尾であるために、上記溶融混合−を用
いること２５Ｘりｆ壕しく、かかるＳＳ混合物を用いて
成る工）？キシ樹脂封止型半導体装置の方が、安楚した
特性力；得られる。
本発明の樹脂封止製半導体装置は、上記エポキシ樹脂組
成−から成る成形材料を用いて１例えば、Ｉ Ｃ，ＬＳ
Ｉ、）ランゾスタ、サイリスタ、メイオーＶ轡の半導体
装置を封止することにより製造することができる。かか
る封止方法は、一般に採用されている方法でよく、例え
ば、低圧トランスファ成形法、インジエタシ曹ン成形法
、圧縮成形法、注型法等が挙げられ、なかでも、低圧ト
ランスファ成形法を用いることが好ましい、尚、封止樹
脂の硬化に際しては、１５０’Ｃ以上の温度において硬
化せしめることが好ましい。
成−から成る成形材料を用いて１例えば、Ｉ Ｃ，ＬＳ
Ｉ、）ランゾスタ、サイリスタ、メイオーＶ轡の半導体
装置を封止することにより製造することができる。かか
る封止方法は、一般に採用されている方法でよく、例え
ば、低圧トランスファ成形法、インジエタシ曹ン成形法
、圧縮成形法、注型法等が挙げられ、なかでも、低圧ト
ランスファ成形法を用いることが好ましい、尚、封止樹
脂の硬化に際しては、１５０’Ｃ以上の温度において硬
化せしめることが好ましい。
以下において、実施例および合成例を掲げ、本発明を更
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
合成例１
分子量７００を有するフェノールノがラック樹脂８５０
Ｆとホウ酸トリノエニル１５０Ｆを混合し、１２０〜１
５０℃に加熱して溶融し、それぞれを相溶せしめて均一
な溶融混合物とした。次いで、かかる溶融混合物を冷却
した後、破砕して、ホウ酸トリフェニルを１５重量％含
有する溶融混合物粉末を得た。
Ｆとホウ酸トリノエニル１５０Ｆを混合し、１２０〜１
５０℃に加熱して溶融し、それぞれを相溶せしめて均一
な溶融混合物とした。次いで、かかる溶融混合物を冷却
した後、破砕して、ホウ酸トリフェニルを１５重量％含
有する溶融混合物粉末を得た。
合成例２
分子量７００を有するフェノールノがランク樹脂９００
Ｆとホウ酸トリフェニル１００Ｆを混合し１合成例１と
同様の操作にて、ホウ酸トリフェニルをｌθ重蓋％含有
する溶融混合物を得た。
Ｆとホウ酸トリフェニル１００Ｆを混合し１合成例１と
同様の操作にて、ホウ酸トリフェニルをｌθ重蓋％含有
する溶融混合物を得た。
実施例１〜３
エポキシ樹脂としてエポキシ当量２２０を有するクレゾ
ールノーラック屋エポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）およ
びエポキシ当量２９０を有する臭素化エポキシノがラッ
ク樹脂（ニーキシＩ＃脂Ｂ）を用い、硬化剤として分子
１１８００を有するフェノールノ材ラック樹脂を用い、
硬化促進剤としてホウ酸トリフェニル、ホウ酸トリエチ
ルを用い、硬化剤および硬化促進剤として合成例１で得
た溶融混合物を用い、無機質充填剤として石英ガラス粉
末を用い、他に、三酸化アンチモン（′＃ｉ燃剤）。
ールノーラック屋エポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）およ
びエポキシ当量２９０を有する臭素化エポキシノがラッ
ク樹脂（ニーキシＩ＃脂Ｂ）を用い、硬化剤として分子
１１８００を有するフェノールノ材ラック樹脂を用い、
硬化促進剤としてホウ酸トリフェニル、ホウ酸トリエチ
ルを用い、硬化剤および硬化促進剤として合成例１で得
た溶融混合物を用い、無機質充填剤として石英ガラス粉
末を用い、他に、三酸化アンチモン（′＃ｉ燃剤）。
カルナパワツ（ス（離型剤）、力−ゴングラック（着色
剤）およびｒ−グリシＰキシプロピルトリメトキシシラ
ン（シランカフブリング剤）を用いて、表−１に示すよ
うな配合（重置部）でエポキシ樹脂組成物（実施例１〜
３）を調製した。同時に、比較例として、硬化促進剤に
２−へデタデシルイミ〆ゾール、ジメチルア□ミノメチ
ルフェノールおよび三７ツ化ホウ素ピペリジン錯体を使
用したものをそれぞれ調製した。
剤）およびｒ−グリシＰキシプロピルトリメトキシシラ
ン（シランカフブリング剤）を用いて、表−１に示すよ
うな配合（重置部）でエポキシ樹脂組成物（実施例１〜
３）を調製した。同時に、比較例として、硬化促進剤に
２−へデタデシルイミ〆ゾール、ジメチルア□ミノメチ
ルフェノールおよび三７ツ化ホウ素ピペリジン錯体を使
用したものをそれぞれ調製した。
表−１
かかる工／ｄＦシ樹脂組成物を、それぞれンキサーによ
ル混合し、次いで加熱ロールにより混錬【７て成形材料
を得た。
ル混合し、次いで加熱ロールにより混錬【７て成形材料
を得た。
このようにして得た成形材料を用いて、トランスファ成
形を行ない、ＭＯＢＭ集積回路を樹脂封止した。封止は
、高周波予熱器で９００に加熱した成形材料を、１９０
℃で５分間モールＦし、−に、１８０℃で１０時間アフ
タキュアすることによ〕行なつ九。
形を行ない、ＭＯＢＭ集積回路を樹脂封止した。封止は
、高周波予熱器で９００に加熱した成形材料を、１９０
℃で５分間モールＦし、−に、１８０℃で１０時間アフ
タキュアすることによ〕行なつ九。
上記方法により、それぞれのエポキシ樹脂組成物を用い
て、ｌＯＯ個宛樹脂封止型牛導体装置を作製し、次の試
験を行なつ九。
て、ｌＯＯ個宛樹脂封止型牛導体装置を作製し、次の試
験を行なつ九。
（１１耐湿試験（−童イアスＰＣＴ） ： １２０℃、
２気圧の水蒸気中において、ＩＯＶ印加 し腐食によシアルミニウム配線の断線 が発生した不良品の累積不良率ｅ％ｌを経時的に調べ九
。
２気圧の水蒸気中において、ＩＯＶ印加 し腐食によシアルミニウム配線の断線 が発生した不良品の累積不良率ｅ％ｌを経時的に調べ九
。
（２１ＭＯＳ−ＢＴ試験：ｘｏｏｃのオーブン中におい
て、オフセットｆ −） ＭＯＳ ＦＥＴ回路にｙレイ
ン電圧５Ｖ、オフセットゲ ート電圧５ｖを印加して、リーク電流 値が初期値の１００倍以上に増加した 時点を不良と見做し、発生し九不良品 の累積不良率−を経時的に調べた。
て、オフセットｆ −） ＭＯＳ ＦＥＴ回路にｙレイ
ン電圧５Ｖ、オフセットゲ ート電圧５ｖを印加して、リーク電流 値が初期値の１００倍以上に増加した 時点を不良と見做し、発生し九不良品 の累積不良率−を経時的に調べた。
耐湿試験の結果を表−２に、高温電気特性を調べるため
のＭＯＳ−ＢＴ試験の結果を表−３にそれぞれ示す。
のＭＯＳ−ＢＴ試験の結果を表−３にそれぞれ示す。
表−２
表−３
表から明らかなように、本発明に係わるエポキシ樹脂組
成物を用いて封止した樹脂封止型半導体装置は、アル建
ニウム配線等の腐食が大きく低減され、リーク電流の増
加による半導体素子の機能低下もなく、耐湿性および高
温電気特性が極めて優れたものであることが確認された
。
成物を用いて封止した樹脂封止型半導体装置は、アル建
ニウム配線等の腐食が大きく低減され、リーク電流の増
加による半導体素子の機能低下もなく、耐湿性および高
温電気特性が極めて優れたものであることが確認された
。
１山
実施例４．５
エポキシ樹脂として工ｆキシ当量２２０を有するノボラ
ック製エデキシ樹脂を用い、硬化剤として分子量７００
を有するノがランク型フェノール樹脂を用い、硬化促進
剤としてホウ酸トリフェニルを粗い、硬化剤および硬化
促進剤として合成例２で得た解融混合物を用いて、表−
４に示すような配合（重量部）でエポキシ樹脂組成物（
実施例４．５）を調製した。同時に、比較例として、フ
ェノール樹脂硬化剤を用いないもの（比較例４）を調製
した。上記、三１１類のエポキシ樹脂組成物を微細な粒
子に粉砕して混合し、均一な組成物とした。かかる組成
物の硬化特性並びに空気中における安定性を−ベるため
に、次の試験を行なった。
ック製エデキシ樹脂を用い、硬化剤として分子量７００
を有するノがランク型フェノール樹脂を用い、硬化促進
剤としてホウ酸トリフェニルを粗い、硬化剤および硬化
促進剤として合成例２で得た解融混合物を用いて、表−
４に示すような配合（重量部）でエポキシ樹脂組成物（
実施例４．５）を調製した。同時に、比較例として、フ
ェノール樹脂硬化剤を用いないもの（比較例４）を調製
した。上記、三１１類のエポキシ樹脂組成物を微細な粒
子に粉砕して混合し、均一な組成物とした。かかる組成
物の硬化特性並びに空気中における安定性を−ベるため
に、次の試験を行なった。
即ち、先ず、各エポキシ樹脂組成物をそれぞれシャーレ
に入れて粉体Ｏ薄い層を形成し、次いで、２０℃、７０
％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気中で空気に曝して１週間放
置した。その後、各エポキシ樹脂組成物の硬化特性を、
熱板ダル化法（１６０℃）によ〕測定し、空気中におけ
る安定性を比較した。
に入れて粉体Ｏ薄い層を形成し、次いで、２０℃、７０
％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気中で空気に曝して１週間放
置した。その後、各エポキシ樹脂組成物の硬化特性を、
熱板ダル化法（１６０℃）によ〕測定し、空気中におけ
る安定性を比較した。
その結果を表−５に示す。
表−４
表−５
表から明らかなように、本発明に係わるエポキシ樹脂組
成物は、比較例４に較ベグル化時間が速く、硬化特性に
優れているが、特にホウ酸エステルとフェノールノ？ラ
ック樹脂の溶融混合物を用いた場合には、長期間放置し
九後も硬化特性に変化がなく、安定で使いやすいことが
確認された。
成物は、比較例４に較ベグル化時間が速く、硬化特性に
優れているが、特にホウ酸エステルとフェノールノ？ラ
ック樹脂の溶融混合物を用いた場合には、長期間放置し
九後も硬化特性に変化がなく、安定で使いやすいことが
確認された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１３半導体素子と誼半導体“素子を被覆する樹脂封止
体とを具備して成る樹脂封止型半導体装置にお゛いて、
前記樹脂封止体が、 （ａｔ ニーキシ尚量１７Ｇ〜３００を有する〕Ｖラ
ック履工Ｉキシ樹脂、 伽） ノーラックｔｌｌｙエノール樹脂、（ｃ） ホ
ウ酸エステル化合物、 および （ｄｌ 無機質充填剤 を含む工ｌキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 （２） 工Ｉキシ樹脂組成物として、ノがラック型フェ
ノール樹脂とホウ酸エステル化合物とを予め溶融して成
る混合物を用いる特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止
型半導体装置。 （３） ホウ酸エステル化合物−μ、エポキシ樹脂お
よびフェノール樹脂の総量に対し０．０１−１０重量％
配合されて成る特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172924A JPS5875856A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172924A JPS5875856A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5875856A true JPS5875856A (ja) | 1983-05-07 |
| JPS6219069B2 JPS6219069B2 (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=15950872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172924A Granted JPS5875856A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5875856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04136914U (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | 三菱自動車工業株式会社 | サツシユレスドア構造 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425449U (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-28 |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP56172924A patent/JPS5875856A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04136914U (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | 三菱自動車工業株式会社 | サツシユレスドア構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6219069B2 (ja) | 1987-04-25 |
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