JPS5877090A - コンテイギユアス−デイスク・バブル装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の分野 本発明は、イオン注入されたコンテイギュアスーディス
ク・バブル装置に係り、更に具体的に言えば４、折返さ
れたマイク・ループの配置に係る。

、先行技術 間隙に関して許容性を有するノく−マロイ転送素子即ち
非対称のシェブロンを用いた、メジャーマイク・ループ
・バブル装置における折返されたマイク・ループが米国
特許第４１７６４０４号の明細書に記載さｎているうそ
れらのマイク・ループは、トランスファ・ゲートに最も
近い領域が、折返された部分を有するマイク・ループの
記憶領域の場合よりも大きな回路周期を有する様に構成
されている。そのメジャ・ループの周期は、マイク・ル
ープの記憶領域の周期の約２倍であろう一般的に、パー
マロイ転送素子は、マイク・ループの周期の２倍よりも
大きいメジャ・ループの周期には適しておらず、従って
隣接するメジャ・ループ素子から隣接するマイク・ルー
プへのバブルのトランスファを困難にしていｚつそのマ
イク・ループの折返された部分の目的は記憶密度を増す
ためであり、書込メジャ・ループからマイク・ループへ
のバブルのトランスファの改良には直接関連していない
。又、パーマロイ素子の折返嘔れた閉鎖ループ転送パタ
ーンがバブル格子に用いら【ており、米国特許第４１７
２２９０号の明細書に記載されている。しかしながら、
この装置は、メジャーマイナ・ループの構成を有してい
ない。これらの折返されたループを用いたバブル装置は
両者とも、パーマロイ転送素子を必要とする。

上述のバブル装置におけるパーマロイ転送素子は転送路
即ちトラックを形成しそしてバブル支持材料の上面に配
置されているが、イオン注入場れたコンテイギュアスー
ディスク・バブル装置はバブル支持材料中にパターンを
イオン注入することによシ形成されたトラックを用いて
いる◎異なる形状を有する典型的なコンテイギュアスー
ディスク・マイナ・ループの例が、米国特許第４１４２
２５０号並びに本出願人による日本国特願昭５６−１２
９４９９号及び特願昭５６−１６４５４５号の明細書に
記載さｎている。七ｎらのコンテイギュアスーディスク
装置は、直線状Ｒ口ち折返されていないマ、イナ・ルー
プヲ声しているう上述の文献に示さ【た型の直線状マイ
ナ・ループを用いたコンテ゛イギュアスーディスク装置
が縮小さｒた場合には、導体中の電流による磁界によっ
てマイナ・ル、−プにおけるバブルの転送が妨げらｎる
。その結果、導体の配置及びイオン注入さｎたパターン
の形状の両方において、トランスファ・ゲートの設計に
厳密な制限が課せらＣることになるっ本発明の要旨 本発明の目的は、イオン注入さ扛たコンテイギュアスー
ディスク・バブル装置のための改良さｎたマイナ・ルー
プの配置を提供することであるっ本発明の他の目的は、
コンテイギュアスーディスク・バブル装置のための改良
さ【たメパンンーマイナ・ループの配置を提供すること
である。

本発明の他の目的は、トランスファーゲートの設計に融
通性を与えるコンテイギュアスーディスク・バブル装置
の設計を提供することである。

本発明の他の目的は、トランスファ導体の配置に融通性
を与えるコソテイギーアスーディスク・バブル装置の設
計を提供することである。

本発明の更に他の目的は、イオン注入さｎたパターンの
形状に融通性を与えるコンテイギュアスーｆイｘり・バ
フル装置の設計を提供することである。

本発明の上記及び他の目的は、イオン注入されたコンテ
ィギュアスーディスク・バブル装置におケルバフルのト
ランスファを改良するための折返されたマイナ・ループ
の配置によって達成される。

そのバブル装置は、メジャ・ループ、折返されたマイナ
・ループ、及び上記メジャ・ループと上記マイナ・ルー
プの折返さｎた端部との間に配置さｎたトランスファ素
子とを有する。本発明の一好実施例においては、上記ト
ランスファ素子は、マイナーループの折返さｎた端部と
の間に間隔を置いて該端部に隣接するマージ部分を有し
ている。

別個のマージ部分を有するトランスファ素子の使用は、
マイナ・ループ中に存在するバブルがトランスファ素子
の周囲を転送されず、従ってマイナ・ループ中に存在す
るそｎらのバブルがトランスファ導体の磁界の影響から
保護さｎるという利点を有′す・るつもう１つの好実施
例においては、トランスファ素子は、マイナ・ループの
折返された端部憾直接接続されている。更にもう１つの
好実施ＩＭＩにおいては、メジャ・ループの周期が−ｒ
イナ・ループの周期の約４倍でおる。その様な周期は、
バブルが書込メジャ・ループにおける隣接位置から隣接
するマイナーループへトランスフアサレルことを可能に
するので望ましい。同様に、バブルは、隣接するマイナ
ーループのトランスファ・アウト端部から読取メジャー
ループ上の隣接位置へトランスファされ得る。

本発明の好実施例 第１図に示されている如く、−好実施例においては、コ
ンティギュアスーディスク争バブル装置１０は、セクシ
ョン１４　Ａ、１４　Ｂ、１４Ｃ及Ｕ１４Ｄよりなる書
込メジャ・ループ１２を含む〇メジャ・ループ１２のセ
クション１４Ａ乃至１４Ｄの周期は、記憶領域における
マイナ・ループ・セクションの周期の約４倍である。第
１図に示されている特定の例においては、マイナールー
プ・セクション１８Ａの周期は４μｍであシ、隣接する
マイナ・ループｅセクション１８Ａ及び、１８Ｂの中心
間の間隔は９μｍである。メジャ・ループ会セクション
１４Ｂの周期は１８μｍである。バブルが書込メジャ・
ループの隣接するセクションから隣接するマイナ・ルー
プ・セクションへトランスファさｎることを可能処する
ので、４倍の周期が望ましい。書込メジャ・ループ１２
の上に導体１６が配置さｎている。その導体の設計は、
本発明の実施において厳密さを要しない。より大きなｔ
込メジャ・ループの周期によりトランスファ・ゲート領
域に余分のスペースが与えらすることによって、より大
きな導体の使用が可能になり、又導体とメジャ・ループ
・パターンとの整合に要求される厳密さが減少されろう
本発明はトランスファ導体の配置に融通性を与えるので
、良好なトランスファ動作に適合する導体の設計が用い
らｎ得る。

マイナ争ループ自セクション１８Ａ、１８Ｂ及び１’８
’Ｃは、端部２０Ａ、）ランスファーアウト端部２０Ａ
’、端部２０Ｂ等を含む。本発明に従つて１．マイナー
ルーズ・セクション１８Ａ、１８Ｂ及び１８Ｃは、折返
されたマイナ・ループ部分２２Ａ、２２Ｂ及び２２Ｃｆ
、各々有している。マイナ・ループのトランスファ・ア
ウト端部２０八′は読取メジャ・ループ２４の近傍に配
置さｎているつ導体２６は上記トランスファ・アウト端
部２０Ａ’から読取メジャ・ループ２４へのスイッチン
グを助ける様に配置されている。読取メジャ・ループ２
４はマイナ・ループの約４倍の周期を有し、従ってバブ
ルが隣接するマイナ・ループのトランスファ・アウト端
部から読取メジャ・ループ２４の隣接位置へトランスフ
ァさルることを可能にする。大きな読取メジャ・ループ
の周期は、前述の大きな書込メジャ・ループの周期にお
ける利点と同様な利点を与える。マイナ・ループの端部
２０Ａ及び２０Ｂは、導体２６からの磁界が端部２０Ａ
及び２０Ｂの周囲におけるバブルの移動に悪影響を与え
ない様に充分な距離を読取メジャ・λ−プ２４との間に
置いて配置されている。

書込メジャ命ルーグ１２とマイナ・ループの折返された
端部２２Ａ、２２Ｂ及び２２Ｃとの間には、トランスフ
ァ素子２８Ａ、２８Ｂ及び２８Ｃが各々配置さｎている
。書込メジャ・ループ・セクション１４Ａ、１４Ｂ及び
１゛４Ｃのトランスファ部分３０Ａ、３０Ｂ及び５０Ｃ
上に配置されたバブルは、導体１６中に電流が流さｎる
とき、トランスファ素子２８Ａ、２８Ｂ及び２８Ｃの隣
接表面へ各々転送さする。回転磁界が加えられると、バ
ブルはトランスファ素子２８Ａ、２８Ｂ及び２８Ｃの周
囲を時計方向にマージ部分３２Ａ、３２Ｂ及び３２Ｃへ
各々転送さｎる。それから、バブルは、マージ部分３２
Ａ、３２Ｂ及び３２Ｃに各々隣接するマイナ・ループの
折返された端部２２Ａ、２２Ｂ及び２２Ｃヘトランスフ
アされる。そ往うのバブルはマイナーループ・セクショ
ン１８Ａ及び１８Ｂに沿って矢印により示されている方
向に転送され続ける。マイナールーズ・、セクション１
８Ａ、１８Ｂ及び１８Ｃの周囲を転送されているバ・プ
ルは、各々折返された端部２２Ａ、２２０具ＩＩ？りり
ｒ＾隙圓易ｔＣリ−１・２０手やふル罵Ａム、！１ｓｐ
及び３３（ｌ経て転送されろうこの様にして、マイナ・
ループＯセクション１８Ａ、１８Ｂ及び１８Ｃの周囲を
転送されているバブルは、相互作用効果によりバブル装
置の動作マージンが低下しないように、導体１６中の電
流によシ生じた磁界から引離されている。

第２図に示されている如く、もう１つの実施例において
は、コンテイギュアスーディスク旬バブル装置４０は、
セクション４４、Ａ、４４Ｂ及び４４Ｃより成る書込メ
ジャ・ループ４２ｔ−含む。メジャ・ループ４２の周期
は記憶領域におけるマイナ・ループの周期の約４倍であ
る。書込メジャ・ループ４２の上には導体４６が配置さ
１ている。

本発明に従って、マイナ・ループ・セクション４８Ａ、
４８Ｂ及び４８Ｃは、マイナールーズの折返された端部
５２Ａ、５２Ｂ及び５２Ｃを各々有している。この実施
例において′は、マイナ・ループの折返さ−ｆＬ７’？
端部５２Ａ、５２Ｂ及び５２Ｃは、トランスファ素子５
８Ａ、５８Ｂ及び５８Ｃに各々直接接続されている。書
込メジャ・ループ・セクション４４Ａ、４４Ｂ及び４４
Ｃのトランスファ部分６ＯＡ、６０Ｂ及び６０Ｃ上に配
置さルたバブルは、導体４６中に電流が流されるとき、
トランスファ素子５８Ａ、５８Ｂ及び５８Ｃの隣接表面
へ各々転送さ几るっ回転磁界が加えられると、バブルは
トランスファ素子５８Ａ、５８Ｂ及び５８Ｃの周囲を時
計方向にマイナーループの折返さｎた端部５２Ａ、５２
Ｂ及び５２Ｃへ各々転送さｎ１更にマイナーループ・セ
クション４８Ａ、４８Ｂ及び４８Ｃに沿って矢印により
示されている方向に転送され続ける。マイナ・ループの
折返された端部５２Ａ、５２Ｂ及び５２Ｃの周囲を転送
さｎているバブルは、図に示さｎている如く、トランス
ファ素子５８Ａ、５８Ｂ及び５８Ｃの周囲を各々転送さ
れる。この実施例においては、バブルは、導体４６中の
電流により生じた磁界から引離さルていない。しかしな
がら、メジャ・ループの周期が大きいので、マ°イナ゛
・ループ・セクション５゛４・Ａ、５４Ｂ及び５４Ｃの
寸法の増加−可能にするに充分なスペースが、トランス
ファ素子５８Ａ、、５８Ｂ及び５８Ｃと各々に隣接する
トランスファ部分６ＯＡ、６０Ｂ及び６ｏｃとの間に存
在する。マイナ・ループ・セクション５４Ａ、５４Ｂ及
び５４Ｃの寸法の増加は、マイナ・ループ中に存在する
バブルが、他の場合に可能な距離よシも遠く、トランス
ファ導体から引離されていることを可能にする。

第１図及び第２図に示された実施例においては、メジャ
ーループの周期がマイナ・ループの周期の約４倍である
が、その周期の比率はマイナ・ループに更に１つ又はそ
ｎ以上の折返さｎた部分を加えることによって増加され
得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による折返されたマイナ・ル
ープの配置を示す上面図、第２図は本発。 明のもう１つの実施例による折返されたマイナ・ループ
の配置を示す上面図である。 １０．４０・・・・コンティギュアスーディスク・バブ
ル装置、１２，４２・・・・書込メジャ・↑−プ、１４
Ａ乃至１４Ｄ、４４Ａ乃至４４Ｃ・−−−メジャ・ルー
プ・セクション、１６．２６．４６・・・・導体、１８
Ａ乃至１８Ｃ，４８Ａ乃至４８Ｃ，５４Ａ乃至５４Ｃ・
・・・マイナ・ループ・セクション、２０Ａ、２０Ｂ・
・・・マイナ・ループの端部、２２Ａ′・・・・マイナ
・ループのトラン不ファ・アウト端部、２２Ａ乃至２２
Ｃ，５２Ａ乃至５２Ｃ・・・・マイナ・ループの折返さ
れた端部、２４・・・・読取メジャ・ループ、２８Ａ乃
至２８Ｃ，５８Ａ乃至５８Ｃ・・・・トランスファ素子
、３０Ａ乃至３０Ｃ６ＯＡ乃至６０Ｃ・・・・メジャ・
ループ・セクションのトランスファ部分、３２Ａ乃至３
２Ｃ・・・・マージ部分、６３Ａ乃至３３Ｃ・・・・マ
ージ・チャネルり

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 書込メジャ・ループと、上記メジャ・ループからバブル
   がトランスファさｎる様に上記メジャ・ループとの間に
   間隔を置いて配置されている折返された端部を有する転
   送領域のマイク・ループとを含む、イオン注入コンテイ
   ギュアスーディスク囃バブル装置。