JPS587806A - 磁気薄膜材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録媒体被覆に関連し、さらに具体的には
磁気の極性によって符号化された離散的領域の形でデー
タが記録される薄膜磁気記録層に関連する。記録層は磁
気記録ヘッドの如き磁気記録変換器によって、磁化が制
御され、感知される。

磁気記録媒体は、テープ、ディスク、ドラム及び磁気記
録材料の薄膜を支持し得る他の基板材料上に支持され得
る。

背景技法 磁気記録媒体中の情報の記憶によっては、データの記憶
の信頼性が特に重要である。現在のデータ処理における
傾向はデータ処理装置のユニットをたえず小さくする事
に向けられている。磁気記録媒体の場合には、この事は
磁気的情報が以前よシも狭い領域に記憶される事を意味
する。この事による問題は媒体及び媒体を読取る磁気記
録ヘッドが正確に使用されなければならない点でよりき
わどくなる点にある。ヘッドは情報が記憶されていると
推定される正しい位置に正確に移動される必要がある。

もし媒体が機械的に安定に保持されているとすると、磁
気記録媒体を読取るための位置に磁気記録ヘッドを移動
させるサーボ制御システム及び駆動装置は基板上の暁知
の位置に基づいてそれ自身を位置付ける。しかじなか・
ら、現在使用されている磁気記録媒体は情報が媒体中に
記憶される時に、発生される磁歪力が記憶された情報を
変化し得る。従って、出来るだけ磁歪のない材料より成
る磁気記録媒体が極めて望まれる。磁気記録媒体は０の
磁歪を有する事が好ましい。

米国特許第５７５５７９６号は円筒ドメイン構造体を形
成するため単結晶六方晶系コバル）　（Ｃｏ）薄＠全形
成するため不活性気体中でコバルトを含むターゲット全
エピタキシャルにスパッタする方法が説明されている。

この事に関連して、ターゲットはルテニウム、レニウム
等の如き貴金属を含む事が提案きれている。第１表は、
高温に対する六方晶系相構造全安定化てせる事にょっで
高い異方性磁場を保持しつつ、ｃｏの消磁場を抑制する
ために５乃至１２原子チの白金ｉｃｏに添加する方法を
示している。この特許請求の範囲第（６）項は５乃至２
５原子チのｐｔがＣｏに添加され得る事を述べている。

ルテニウム及びレニウム及びロジウムを夫々３５．２５
及び２ｏ原子チ迄合金中に含まし得る。インジウム及び
オスミウムは４ｏ原子チ迄加えられ得る。この特許は同
筒ドメイン・メモリに対する材料に向けられている。こ
の材料の磁気パラメータは示されていない。低磁歪もし
くは高保磁力の提案はなされていない。多結晶薄膜は提
案されていす、まして面中心立体構造体ではない。

米国特許第４２０２９３２号はレニウム、ルテニウムも
しくはオスミニウムとコバルトの合金より成る磁気記録
媒体を開示している。この材料は５ｏｏｏｅ迄の保持力
を有する。飽和誘導は５０００ガウスに達し得る。混合
体中のＲｅＸＲｕもしくはＯｓの好ましい原子百分率は
５乃至１５原子俤であり（第４欄、第６４行）、白金（
第■−族）金属は２乃至２５原子チ含まれる事を開示し
ているが、磁歪についての言及はなされていない。

米国特許第３９２９６０４号はイオンめっきによって多
数の磁気合金の中からとりわけＣｏ’−Ｐｔの磁気薄膜
を形成する方法を開示している。詳細に説明されている
合金（Ｃｏ−Ｐｔ以外）の保持力は４０００ｅ以下であ
る。

米国特許第３６２５８４９号はスパッタリング、これに
続く加熱及び約６００℃における焼なましによって高保
磁力及び低磁歪含有する磁気媒体の製造を開示している
。コバルトはＣｏ−Ｃｕ合金の２５−５０重量％含まれ
る。他の提案されている第■族金属はＦｅ及びＮｉであ
る。他の提案されている第ｒＢ族はＡｕである。提案さ
れている合金はＣｏ−Ａｕ、Ｆｅ−Ａｕ、Ｆｅ−Ｃｕ及
びＮｉ−Ａｕである。Ｃｏ−Ｐｔ合金の使用は提案され
ていない。

米国特許出願第９５６．２９６号は磁気記録媒体に対す
るＦｅ−Ｃｏ−Ｃｒ組成の使用を開示している。しかし
ながら、本出願人はこの明細書に開示された組成中のＦ
ｅＯ量はかなりな値の磁歪音生ずる事を発見した。なん
となれば第２図中の相図でＦｅＯ量は４５原子チから１
００原子チ迄変化し、さらに重要な事は、ｃｏの量が最
大量５５原子チから０原子チの範囲にあるからである。

他方本発明に従えば、ｃｏの最小量は６４原子チで、最
大量は７８原子俤に及ぶ。いずれの場合も、材料のクロ
ムの量（Ｃｒ）は略同−である。Ｃｒは耐腐食性を与え
るために存在する。この点においてこの特許出願の目的
は＠３食性の新しい磁気記録媒体を与える事にある事を
強調しておきたい。

従って磁歪によって生ずる開明についての言及はなされ
ていない。なんとなれば、この明細書で１４磁歪の問題
よりもさらに重要である初期の磁気記録媒体の腐食の問
題にむけられているからである。

第３Ａ図（参考１−３）における１点にはとりわけスパ
ッタリング過程によって付着式れるＦｅ１９原子％、Ｃ
ｏ６７原子チ及びＣｒ１４原子チの組Ｗｔあげている。

この参考項目にはこの様な組成を使用子る利点について
は述べられていない。

ここには使用可能ではない材料に関連する大量のデータ
が述べられているにすぎない。

要約すると、上記米国特許出願第９５６２９６号は０−
５５原子チ、Ｃｏ、８−２２原子％、Ｃｒ及び残部のＦ
ｅ（２３−７７原子％）の磁気媒体に関する。合金中の
Ｃｒの百分率は略同−であるが、Ｆｅ及びＣｏの百分率
は全く異な″す、Ｆｅの百分率の最適値は本文では１６
原子％Ｆｅで参考項目の最低値１ｉ２３原子チであシ、
この値は本明細書における最大の許容可能値Ｆｅ２１原
子チよりも大きい。この合金は変化している点がＦｅ−
Ｃｏ比が減少しているところを除き本願に最も近いもの
である。しかしながら、第３Ａ図（参考１゜３　）Ｉｃ
見られる如く、組成はＦｒ（９原子チ、Ｃ。

６７原子チ、及びＣｒｔ４１ｊ子チであり、Ｈｃｉｌｏ
ｏｅ、Ｍｓ１０５０ｅｍｕ／ｆ、Ｍｒ６７０ｅｍｕ／を
及び８０．６５及び腐食度４ｏである。

米国特許第３６１４８９３号は物質の磁化の変化に依存
して温度を感知するためＫＦ６１５−５５重量％、Ｃｏ
４５−６５重量％及びＣｒもしくはＶＩＯ−２０重量％
の組成の常磁性を利用した誘導性温度計全開示している
。しかしながら磁歪に関連する記述はみられない。しか
しながら、Ｆｅ２３チ、Ｃｒ１２％、００６５重量％な
る最大の百分率のＣｏｆ含む組成はＦｅ２５．６原子％
、Ｃｒ１３．２原子チ及びＣｏ６２．３原子チなる組成
に換算されるが、本発明のＣｏに対する最大値６４原子
チに重畳させる事は出来ない。実施例■における、合金
の組成はＣｒ１２重量％、Ｃｏ５２重量％及びＦｅ５６
重量％であるが、これＪｒｉｃｒ１３１原子チ、Ｃｏ５
０．３原子チ及びＦｅ５６．７原子チに換算される。

”　５ｐｕｔｔｅｒ、ｉｎｇ　　Ｆｅ　　Ｃｏ　　Ｃｒ
　　Ｔｈ１ｎ　ＦｉｌｍＭａｇｎｅｔｉｃ　Ｍｅｄｉａ
　’と題するＫｌｏｋｈｏｌｍ及びＴａｎ著の論文、Ｉ
　ＢＭ　　ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　
　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ　２１、Ｊｆ６ＡＣＪ、４２４１（
１９７９年３月刊）は耐腐食性のための高Ｃｒ含量組成
を開示している。Ｃｒの含量は１０原子チ迄である。

米国特許出願第２２１８６７号は０＠歪Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃ
ｒ磁気合金全説明している。合金は（ＦｅＣｏ　　　） １−ｙｌ−ｘＣｒｘ　であり、ｙ（Ｆｅ）は合金のＦ　
ｅ　−’Ｃｏ部分に対して１５−２３原子係である事が
好ましい。ｘ（Ｃｒ）の値は合金中７−２０＠子チで及
び残部の１−ｘ（Ｆｅ−Ｃｏ）は合金中８５−９２原子
百分率である。合金組成の最大範囲は次の通シでちる。

Ｆｅ：８−２４原子チ Ｃｏ：５６−８３原子チ Ｃｒニア−２０原子チ 高濃度のＦｅ（約５０原子チ）及び低濃度のＣｒ（約１
原子チ以下）の範囲についての多くの実験がな１れてい
るが、従来技法のどれも、本発明の磁気記録媒体として
使用するための低磁歪合金のための特定の範囲のＣｏ−
Ｐｔ合金の使用全提案していない。

上述の如き米国特許第５７５５７９６号はスパッタリン
グによって付着される広範囲のＣｏ−Ｐｔ材料を提案し
ているがこの特許は高保磁力、多結晶薄膜もしくは低も
しくは０の磁歪薄膜を開示していない。この特許におけ
るｐｔの原子チの範囲は所望の結果を信頼性金もって形
成するには広過ぎる。さらに、この特許は本願発明の高
保磁力を生じる如き面心立方晶系相及び六方晶系相の組
合せの多結晶薄膜を開示していない。この様な高保磁力
は本発明でもくろんでいる磁気記録ディスク及び薄膜磁
歪記録ヘッドの硬磁性バイアスの応用には不可欠である
。

Ｃｏ　　　　Ｐｔ　　なるバルク合金への主たる関心１
−）’　　　）’ は従来等原子組成領域の合金に中心がむけられていた。

この様な合金は１０００℃以上の温度から冷却される時
無秩序面心結晶構造をなし、６００℃で焼きなましされ
る時、面心六方晶系構造となる。得られる極めて高い保
磁力（数１００００ｅ　）は無秩序化処理の冷却率、熟
成の結果であり、成る程度、この化学量論値のまわりの
白金含量からの変動から生ずる。等原子組成の領域にお
いては薄膜の保磁力は（薄膜付着時の）４００ｅから６
００℃の焼なまし後の１００００ｅに増大する事が出来
る。

本発明の要約 スパッタされる多結晶薄膜である１０乃至３０原子チの
白金金含むＣｏ　　　Ｐｔ　　薄膜において１−７　　
　）’ は、高いＣｏ原子チの好ましい範囲内でＯ磁歪、高保磁
力、及び高い飽和磁化を生ずるという予期せざる結果が
得られた。

上述の範囲にあり（飽和磁化は約１００００乃至２５０
０ガウス、第３図参照）、３０００Ｘの厚さの薄膜の保
磁力は室温において付着されたままの状態で約４００乃
至ＢＤＯＯｅ間で変化する。

焼きなましはこれらの保磁力全得るために必要とされな
い。６００℃への焼きなましはこれ等の薄膜の保磁力を
変化させない。

これ等の薄膜の磁歪は一５０Ｘ１０’（純粋コバルト）
から２５−５０原子係の白金全含む薄膜に対する正の値
に迄変化する。従って０磁歪薄膜がこの系において得ら
れる。第１図を参照されたい。これ等の薄膜は磁気記録
ディスク上の媒体のみならず磁歪記録ヘッドのために使
用てれる如き硬磁性磁歪バイアス機構中でバイアス用の
永久磁石を与える薄膜として有用である。

本発明の目的は高度の信頼性ある磁気記録ディスクを与
える低磁歪を有する磁気記録材料を与える事にある。

記録された情報は記録後も保持される事が望まれるので
、磁気記録材料の保持力（Ｈｅ　）は周辺磁場によるデ
ータの偶然の消去を避けるために高くなければならない
。保磁力は５００久程変の極めて薄い薄膜でも約５００
０ｅのＨｃの値を有するＦｅＣｏＣｒ媒体の保磁力を越
えなくてはならない。５００叉よりも厚い薄膜では高い
ＨＣを有する事が望ましい。

本発明の他の目的は、大きな値の磁化はより大きな信号
全発生するので、磁気記憶ヘッドが媒体中に記録された
データを読取る時により良い信号を発生する磁化（４π
Ｍｇ）の値を有する磁気記録媒体材料を与える事にある
。

本発明に従う薄膜磁気材料は磁歪記録ヘッド、データを
表わす磁気遷移を記録するための媒体及び他の磁気的応
用に適用され得る。層はＣｏ及びｐｔがスパッタされた
多結晶薄膜であり、磁歪値はｘ（Ｃｏ）の値が材料の約
９０原子チ迄の値を占めｐｔの値（ｙ）が約１０乃至約
３０原子チの値を占めるものとして、式Ｃｏ　　Ｐｔ　
　に従って約−ｘ　　　　　　ｙ ３５Ｘ１０″から略０に近い正の値を経て、約＋１０″
に達する値を有する。従って外・部の機械（磁歪）力に
よる磁気状態の変化が避けられる。

材料は約５Ｃ１００ｅから約２　’００　ＣＩ　Ｏｅ迄
の保磁力Ｈｅ、約４０００ガウスから約１５０００ガウ
スの飽和磁化を有する事が好ましい。

同様に合金はＣｏ　　Ｐｔ　　なる式を有し、Ｘがｙ 約８０原子％、ｙが約２０及び６０原子チの間にあり、
実質上０の磁歪゛±１０Ｘ１０”、約５００エルステツ
ドよりも大きな保磁力及び約５０００ガウスよりも大き
な飽和磁化又０の磁歪を有する事が好ましい。

本発明の他の態様においては、Ｃｏ　Ｐｔ　合ｘ　　　
　　ｙ 金はスパッタリングによって基板に付着される。

付着された薄膜はｙが合金の１０乃至５０原子チに等し
いとして保磁力は保磁力は少なく共５００’、１工ルス
テツド付着時の飽和磁化は４０００乃至１５０００ガウ
スである。薄膜は合金中の２０及び６０原子チ間の白金
に対して磁化の正の値からＯを通って正の値に変化す−
る磁歪、もしくは合金中の約４５原子チの白金に対して
平坦な最大の、白金約５０及び３５原子チ間で最小の飽
和磁化を有する。

本発明の薄膜は上述の如く、少なく共６５０℃迄の焼き
なましに対して安定である。

好ましくは、上述の材料の各々は磁気記録媒体もしくは
磁歪薄嘆記碌ヘツ′ド中の磁気的に硬いバイアス層とし
て使用される事が好ましい。

好ましい実施例の説明 第１図は以下に説明される如くスパッタリング薄膜中の
１０６倍された飽和磁歪対白金の百分率の曲線を示す。

薄膜中のｐｔの２０及び３５原子チ間で磁歪１ｄ　［１
を通過することが明らかである。

磁歪の値は磁歪が伴う時に媒体上の機械的歪の効果を最
小にする磁気記録ディスク中の使用に対し゛て優れた値
から極めて適切な値にわたる約−１０から＋１０の間に
存在する。

第■表 磁　　　歪 −５１ １０・５　　　’＝、−５２ １２−２９ １５，５−２６ ２０，５−５ ２０，７−９，７ ２５，５−５，４ ３０，５＋８．１ ２９．３　　　＋１．７５ ４５．５　　　＋２５ ５０．５　　　４１ ５５．５　　　　ｔｌ ６０．５　　　＋３２ ７６．４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　＋２　５第２図は薄膜の厚き（オングス
トローム単位）の関数としてＣｏ　　　　Ｐｔ　　の６
つの薄膜の保ｉ　−ｙ　　　ｙ 磁力を示した図である。Ｐｔ１８−２８原子チもしくは
Ｃｏ３２−７２原子チの６つの組成に対して保磁力は４
０００ｅ以上である事が明らかであろう。データはＰｔ
２５原子係の薄膜の場合に約６００えの厚でにおいて保
磁力約２００００ｅなる極めて高い値に達し、約５００
久の厚さで約７０００ｅに降下する事が明らかである。

さらに、一般に、保磁力ＨｃＯ値はＰｔ２３及び２８原
子チの場合にはＰｔ１８原子チの場合よりも高い事が明
らかである。白金濃度の関数としてＦｅ　　　Ｐｔ１−
ｘ　　　ｘ 及びＣｏ　　　　Ｐｔ　のスパッタ薄膜の磁気的性質−
ｙｙ を調べてみると、約３ｏｏｏｉの厚さのＦ　’ｅ　１−
ｘｐｔ　　の薄膜（ハバルク合金と類似の振舞をするが
、Ｃｏ　　　　Ｐｔ　　の性質は予想に反してバルク材
−ｙｙ 料（同一の組成で厚いＣｏ　　　Ｐｔ　　層）と対比−
ｙ　ｙ して薄膜の場合は同様には振舞わない事が発見された。

特に、第６図に示された如く、Ｃｏ１−ｙｐｔ　　薄膜
の飽和磁化はｐｔｏ原子チにおける１６０００ガウスか
ら約３４原子チにおける０ガウスに急激に減少する。よ
り高い白金含量では磁化は増大し、次いでＦｅ　　　　
Ｐｔ　　薄膜で得られ１−ｘ　　　　　ｘ る結果と似た振舞をする。

第４図はＣｏが夫々１８．２３及び２８原子チの値を有
するＣｏ　　　Ｐｔ　　の６つの異なる組成１−ｙ３’ の成る厚さの範囲に対する飽和磁化値の比較を示す。磁
化［Ｐ　ｔ　１８原子チに対する約１５キロガウス、Ｐ
ｔ２３原子チの場合に対する１２キロガウス及びＰｔ２
８原子チに対する１０キロガウスから夫々Ｐｔ１８．２
３及び２８原子チに対する約１２．７．５及び５キロガ
ウスの値に降下する。

第５図はｐｔが約２５原子チで５ｉ０２スペ一サ層がパ
ーマロイ８０　：　２０／Ｎｉ　：　Ｆｅである場合に
Ｃｏ　　　　Ｐｔ　　　合金を使用した時のスペ１−）
’　　　　ｙ −す厚さの関数としての保磁力Ｈ，ｃの曲線を示す。

曲線は５ｉ０２スペーサの厚さの関数として描かれてい
る。３７５久から８００Ｘ迄のＣ０１−ｙｐｔ　　薄膜
の種々の厚さの場合に、保磁力はスペ−サの厚さの増大
と共に減少する事が明らかである。ＨｅＯ値はＣｏ　　
　　Ｐｔ　　薄膜の厚さが８１−ｙ　　　　ｙ ００Ｘの時はスペーサの厚さ５ｏｏｎの近傍で最大値約
１６０ｅから・１００ｅ以下に降下し、Ｃ０１−ｙｐｔ
　　薄膜の厚さが３７５にの時はスペーサの厚さが２０
００Ｘの場合には３０ｅ以下に降下する。

Ｃｏ−Ｐｔ薄膜の構造 Ｃｏ−Ｐｔ系の電子回折による構造の研究１は付着時及
び２時間５００℃で焼きなましされた後のＣｏ　　　Ｐ
ｔ　　　に対してａ　　＝２．５３Ｌ　　Ｃニア５　　
　　２５　　　　　　　　　　。

４、１１　Ｋの格子パラメータを有する六方晶系の存在
を示した。六方晶系相は強い［１０１］繊細構造を有し
、粒子は極めて微細な条線がある。この条線は極めて高
保磁力（Ｈｅ−１７０００ｅ）の源であると信じられる
ａ＝３．６１ｉの格子構造を有する面心立方体（ｆｅｅ
）構造の欠陥構造の存在を示している。６００℃で２時
間焼きなましされた後、上記相はａ＝３．６８ｉを有す
るｆｅｅ構造へ変態する。試料は７００℃に焼きなまし
された後、４０００ｅへ減少される。

Ｃｏ４５Ｐｔ５５の研究は薄膜の場合、付着された時点
でａ＝５．７８の格子パラメータのｆｅｅ構造が得られ
る事を示した。５００℃における焼きなましに基づいて
、構造は格子パラメータがａ。

＝　３．７９えに対応する追加の電子回折線を示した。

付着時の５−１　ｏｘ　１０−９ｍから５ｏｏ℃の焼き
なまし後の５５０−８０Ｘ１０４に至る粒子成長には粒
子内の欠陥及び条線が伴う。この傾向は６００℃の焼き
なまし後も続き、ｆｃｃ相から分離された秩序ある六方
品系相の形成を示す線の分離かみられる。この相が１５
００ｅから６ｏｏ℃の焼きなまし後の１００００ｅＫ及
び高保磁力の源である。

付着時の格子パラメータがａ　　＝３．８１５にである
秩序あるｆｃｃ構造であるｃｏ　　Ｐｔ２５　　７５ は５００℃の加熱で強い［：　１１　ｊ）の繊細構造の
発達を伴う５ｘ１０ｘ１（Ｉ□９ｍ粒子成長を生じ、追
加の線の出現はａ＝３．８５λの格子パラメータを有す
るｆｅｅ構造の秩序がみだれた面心立方体を示した。

２時間の６００℃の焼きなましの後、無秩序化は増大し
若干幅広くなったａ　　＝５．８６５Ｘの格子パラメー
タを有するｆｃｃ構造の（１００）、［２１１）及び［
３２１）電子回折線を生じた。

保磁力の変化はこの試料に対してはみられず、粒子内に
は線条は観察されなかった。この事はｃｏ４５Ｐｔ５５
試料中の高い保磁力が立方晶系無秩序相内の秩序ある六
方晶系相の形成によるものであって、立方晶系の無秩序
化によるものではない事を裏付ける。同様に、六方晶系
Ｃｏ７５Ｐｔ２５合金中のｆｅｅ相の析出が高保磁力の
原因である。

第１表 保磁力Ｈｅに対する種々の温度における焼きなましの効
果 Ｃｏ　　Ｐｔ ７２３ １１５０ｉ　　　９５００ｅ１００００ｅ　７５０　２
３０　２００５００Ｘ　　　１７００　１７００　１７
００　４００　２２０ｏ　　Ｐｔ ５５５ １１００Ｘ　　　１ｓｏ　　　　１２００極めて高い４
　ｓ　ＯＸ　　　９０　　１２００極メチ高イ４５０Ｃ
ｏ　　　Ｐｔ ６　７４ １１００Ｘ　　　１９０　１９０　　　５０　　ｓｏ　
　　６５０４５０Ｘ　１６０１５０９０８０川 薄膜スパツタリング 詳細には、水冷の１ｓｔＭ直径陰極ターゲットは７０ミ
クロンの厚さの純粋コバルトが取付けられた鋼板から形
成された。０．５ｍｍの厚さのｐｔで形成された複数の
三角形の条片がコバルト板上に底面が板の外部の周辺上
のばねによって保持され、頂点が板の中心に取り付けら
れたコバルトのねじによって保持された。暖極は水冷さ
れ回転され得る。陽極は同様に加熱され得る。金属の合
金薄膜が２．５　ｃｍの直径の熱的に酸化されたケイ素
ウェハ上にスパッタされた。室は代表的な場合（Ｉ　Ｘ
ｌ　０”　）ｍｍＨｇに排気された。高い純度のアルゴ
ンが系中に導入され、圧力は２０ｍｍＨｇに制御された
。基板保磁器を覆うシャッタにより、条片化されたター
ゲットは１時間予じめスパッタされ、その表面が清浄に
され、システムの背景不純物が除去された。基板は次い
で入射フラックスに露された。予備スパッタリング及び
スパッタリングの両者は同一の予定の条件、１０００ボ
ルト陰極バイアス及び−５０ボルト陽極バイアスである
。回転基板保磁器（６０ｒ、　ｐ、　ｍ、　）は付着薄
膜の周辺の組成の均一性を確実にする。

薄膜の厚さは機械的表面プロフィール計を使用して、ウ
ェハの中心で測定された。精度は成る場合は試料の１端
から他方へ２０チ程も大きくなり得る厚さの均一性によ
って制御限される。代表的な３０００Ｘの厚さの合金薄
膜の化学的組成が電子マイクロープで測定された。磁気
的性質はオシロスコープ上に直接Ｂ−Ｈ曲線を表示する
誘導ループ・トレーサを使用して測定された。室温にお
ける飽和磁化がＢ−Ｈループ中の高磁場で測定された。

計測器は力平衡磁力計を使用していくつかの試料の飽和
磁化を測定する事によって較正された。保磁力Ｈ・Ｃは
容易軸のヒステリシス・ループから得られた。飽和異方
磁場社は小さな駆動磁場における困難軸ループを飽和磁
化値に外挿する事によって得られた。固有抵抗測定は室
温で４点グローブを使用してなされた。磁歪測定はＥ、
Ｋｌｏｋｈｏｌｍによって開発された装置（ＩＥＥＥ　
　Ｔｒａｎｓ、　　ＭＡＧ−１２，６（１９７６）参照
）を使用して室温でなされた。

結果と吟味 合金のスパッタリング：ここでの報告の結果は一５０ボ
ルトの陽極バイアス及び１０００ボルトの陰極電位並び
に２０ミクロンのアルゴン圧力でなされたスパッタ付着
に対するものである。薄膜の組成の変化はｐｔによるＣ
Ｏターゲット板の被覆面積を変える事によって得られ、
薄膜の分析は電子プローブ分析によってなされた。シス
テムが較正された後、種々の組成が再生可能に得られた
。付着された薄膜の化学組成の均一性は電子マイクログ
ローブ分析の精度（コバルト及び白金に対して精度±２
チ）で一定に保持された。薄膜の付着率は毎分約５０オ
ングストロームである。

工業的応用 ２０乃至３０原子チｐｔを有するＣｏ−Ｐｔ薄膜合金は
焼きなましの必要なく簡単な付着技法（スパッタリング
）と関連して４００乃至８０００ｅの範囲の保磁力、４
πＭに５０００乃至１　［］００Ｃ１及び殆んど０の磁
歪を有する事が示された。これはディスク上に磁気的記
憶をさせる応用にとって極めて望ましい性質の組合せで
ある。

これ等の材料は同様に薄膜磁気記録ヘッドのための硬磁
性バイアス材料として有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は３０００Ｘ程度の厚さを有するＣ　ｏ　１−９
ｐｔ　　合金薄膜中の飽和磁化λ（ＸＩＯ”）対白金の
原子チの関係を示した不連続な曲線のグラフである。第
２図はＣｏ　　　Ｐｔ　　　、Ｃｏ　　　Ｐｔ７２　　
２８　　　７７　　２３ゝ Ｃ０８２Ｐｔ１８に対するデータを基にして、Ｃｏ　１
−ｙｐｔ　　薄膜の保磁力Ｈｃ　ｆ薄膜の原石の関数と
して描いた一組の曲線のグラフである。 第６図は約３０００大の厚さの薄膜に対するＦｅ１−Ｘ
ｐｔ　　及びＣｏ　　　　Ｐｔ　　薄膜の飽和磁化（キ
ロｘ　　　　　１−ｙ　　　ｙ ガウス）を薄膜中の白金含量の関数と・して示したグラ
フである。第４図は上述の第２図中に示された如ｐｔ　
　合金 き５つの異なる合金に対する、Ｃ０１□　アの飽和磁化
（キロガウス）対Ｃｏ　　　　Ｐｔ　　の薄１−ｙ　　
　　　ｙ 膜の厚さの曲線関係を示したグラフである。第５図はパ
ーマロイ８０：２ＯＮｉ　：Ｆｅ、５ｉＯｚ、ペーサ層
及びＣｏ　　　Ｐｔ　　合金より成る多層薄膜中１−ｙ
　　　　ｙ のスペーサ厚さの関数として保磁力Ｈｅの値を示したグ
ラフである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｃｏ及びｐｔのスパッタリングにより作られｃｏｘｐｔ
   　　なる組成を有する磁気薄膜材料であって、上記ＸＵ
   上記材料中の９０原子チ迄の値を占めｙは上記材料中１
   ０乃至６０原子チの範囲内にあり、上記Ｘ及びｙの値に
   従って磁歪が一！ｌ　５　Ｘ　１０”’から略０に近い
   正の値を通って±１０　Ｘ　１０−６に至る＠全有し、
   上記材料の外部機械力による磁化状態の変化が避けられ
   る事を特徴とする磁気薄膜材料。