JPS587832A - 電気化学処理装置 - Google Patents
電気化学処理装置Info
- Publication number
- JPS587832A JPS587832A JP56104409A JP10440981A JPS587832A JP S587832 A JPS587832 A JP S587832A JP 56104409 A JP56104409 A JP 56104409A JP 10440981 A JP10440981 A JP 10440981A JP S587832 A JPS587832 A JP S587832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor wafer
- wafers
- electrochemical treatment
- electrochemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造装置に関し、特に電気化学処理装置
に関する。
に関する。
従来より、半導体ウェハ上に保護膜または絶縁膜を形成
する場合の電気化学処理として電着法が広く採用されて
いる。そして、この電着法では、第１図に示すように半
導体ウェハ１を電極クリップ２で把持させ、該電極クリ
ップ２を電気化学処理液即ち電着液３中に浸漬し、該半
導体ウニノ・１と他に設けた電極４との間に電界を生起
せしめることにより半導体ウニノ・１上に保護膜または
ｅ’を膜を形成させている。しかしながら、該方法では
電極クリップ２が素子側の面までを把持するため、素子
構造または素子側の保護膜等の違いにより半導体ウェハ
と電極クリップとの接触抵抗が変化し、電着量にバラツ
キが生じる。また、該方法では半導体ウェハの裏面への
回込みが問題となる。
する場合の電気化学処理として電着法が広く採用されて
いる。そして、この電着法では、第１図に示すように半
導体ウェハ１を電極クリップ２で把持させ、該電極クリ
ップ２を電気化学処理液即ち電着液３中に浸漬し、該半
導体ウニノ・１と他に設けた電極４との間に電界を生起
せしめることにより半導体ウニノ・１上に保護膜または
ｅ’を膜を形成させている。しかしながら、該方法では
電極クリップ２が素子側の面までを把持するため、素子
構造または素子側の保護膜等の違いにより半導体ウェハ
と電極クリップとの接触抵抗が変化し、電着量にバラツ
キが生じる。また、該方法では半導体ウェハの裏面への
回込みが問題となる。
一方、他の電着法として、第２図に示すように、半導体
ウニ・パ１を保持具５に真空吸引にてｅ、着させ半導体
ウニノ・１上に保護膜または絶縁膜を形成することも行
なわれているが、この方法では、半導体ウニノ・の保持
にバキュームを使用するためノ（キューム配管系が必要
となり装置がコスト高となる。
ウニ・パ１を保持具５に真空吸引にてｅ、着させ半導体
ウニノ・１上に保護膜または絶縁膜を形成することも行
なわれているが、この方法では、半導体ウニノ・の保持
にバキュームを使用するためノ（キューム配管系が必要
となり装置がコスト高となる。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、電気化
学処理液に−の電極により保持される半導体ウェハを浸
漬し、該半導体ウニノ・と他の電極との間に電界を生起
せしめ前記半導体ウニノ・上に電気化学処理を施すよう
にした電気化学処理装置において、前記−の電極を前記
半導体ウェハと同一形状のものとすると共に該電極の両
面それぞれに前記半導体ウェハな保持させるようにした
ことを特徴とする電気化学処理装置を提供するものであ
る。
学処理液に−の電極により保持される半導体ウェハを浸
漬し、該半導体ウニノ・と他の電極との間に電界を生起
せしめ前記半導体ウニノ・上に電気化学処理を施すよう
にした電気化学処理装置において、前記−の電極を前記
半導体ウェハと同一形状のものとすると共に該電極の両
面それぞれに前記半導体ウェハな保持させるようにした
ことを特徴とする電気化学処理装置を提供するものであ
る。
以下、本発明の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明
する。
する。
本発明に係る電気化学処理装置は、電気化学処理液槽６
、−の電極７および他の電極８を備えて成る（第３図（
ａ））。
、−の電極７および他の電極８を備えて成る（第３図（
ａ））。
電気化学処理液槽６は、半導体ウェハ９の電気化学処理
液（電着処理液）６ａ、例えばガラス粉末を含むイソプ
ロピルアルコール（微少の電界質を含有）等を貯留して
いる。電極７は半導体ウェハ９と同一形状に形成され（
第３図（ｂ） ） 、その両面それぞれに各々１枚ずつ
の半導体ウェハ９を保持している。この保持は、クリッ
プ１０に、て行なわれる。また、電極７は、半導体ウェ
ハ９に接しない部分で且つ電着処理液６ａに浸漬される
部分が保護膜で核種され、該電極Ｔによる！着物の持ち
逃げを防いでいる。電極８は上記電極７と反対の極性（
通常はプラス）を有するもので、ここでは半導体ウェハ
９．９の主表面９ａ、９ａに対峙するよう２個設けであ
る。
液（電着処理液）６ａ、例えばガラス粉末を含むイソプ
ロピルアルコール（微少の電界質を含有）等を貯留して
いる。電極７は半導体ウェハ９と同一形状に形成され（
第３図（ｂ） ） 、その両面それぞれに各々１枚ずつ
の半導体ウェハ９を保持している。この保持は、クリッ
プ１０に、て行なわれる。また、電極７は、半導体ウェ
ハ９に接しない部分で且つ電着処理液６ａに浸漬される
部分が保護膜で核種され、該電極Ｔによる！着物の持ち
逃げを防いでいる。電極８は上記電極７と反対の極性（
通常はプラス）を有するもので、ここでは半導体ウェハ
９．９の主表面９ａ、９ａに対峙するよう２個設けであ
る。
而して、上記電気化学処理装置では、電極Ｔに保持され
た半導体ウニノ・９と電極８とに電界を生起せしめるこ
とにより半導体ウニノ・９に保護膜または絶縁膜を形成
する。
た半導体ウニノ・９と電極８とに電界を生起せしめるこ
とにより半導体ウニノ・９に保護膜または絶縁膜を形成
する。
第４図は上記電気化学装置の応用例を示したもので、電
極Ｔおよび電極８を交互に並設せしめたものである。こ
こで、１１はクリップである。
極Ｔおよび電極８を交互に並設せしめたものである。こ
こで、１１はクリップである。
以上のように・・本発明によれば、−の電極の両面それ
ぞれに半導体ウニノ・を保持させ、該半導体ウェハと他
の電極との間に電界を生起せしめることにより前記半導
体ウニノ・上に電気化学処理を施すので、素子構造また
は菓子側の保護膜等の違いによる電着量のバラツキが解
消される。また、半導体ウェハの保持にバキュームを必
要としないので、 □特別なバキューム配管系を必
要とせず装置のコストも割安である。さらに半導体ウニ
ノ・の裏面が−の電極と密着されるので半導体ウェハ裏
面への回込みも解消される。
ぞれに半導体ウニノ・を保持させ、該半導体ウェハと他
の電極との間に電界を生起せしめることにより前記半導
体ウニノ・上に電気化学処理を施すので、素子構造また
は菓子側の保護膜等の違いによる電着量のバラツキが解
消される。また、半導体ウェハの保持にバキュームを必
要としないので、 □特別なバキューム配管系を必
要とせず装置のコストも割安である。さらに半導体ウニ
ノ・の裏面が−の電極と密着されるので半導体ウェハ裏
面への回込みも解消される。
第１図および第２図は従来の電気化学処理装置の説明図
、第３図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る電気化学処理装
置の説明図、第４図は第３図の装置の応用例の説明図で
ある。 ６ａ・・・電気化学処理液 ７・・・・・・−の電極 ８・・・・・・他の電極 ９・・・・・・半導体ウェハ。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか
１名） 第 ２ 図
、第３図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る電気化学処理装
置の説明図、第４図は第３図の装置の応用例の説明図で
ある。 ６ａ・・・電気化学処理液 ７・・・・・・−の電極 ８・・・・・・他の電極 ９・・・・・・半導体ウェハ。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか
１名） 第 ２ 図
Claims (1)
- 電気化学処理液に、−の電極により保持される半導体ウ
ェハを浸漬し、該半導体ウェハと他の電極との間に電界
を生起せしめ前記半導体ウニノ・上に電気化学処理を施
すようにした電気化学処理装置において、前記−の電極
を前記半導体ウニノ・と同一形状のものとすると共に該
電極の両面それぞれに前記半導体ウェハを保持させるよ
うにしたことを特徴とする電気化学処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104409A JPS587832A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 電気化学処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104409A JPS587832A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 電気化学処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587832A true JPS587832A (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14379909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104409A Pending JPS587832A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 電気化学処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587832A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163485U (ja) * | 1984-09-30 | 1986-04-30 | ||
| JPS6163483U (ja) * | 1984-09-30 | 1986-04-30 | ||
| JPS6163484U (ja) * | 1984-09-30 | 1986-04-30 | ||
| JPS61105770U (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-04 |
-
1981
- 1981-07-06 JP JP56104409A patent/JPS587832A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163485U (ja) * | 1984-09-30 | 1986-04-30 | ||
| JPS6163483U (ja) * | 1984-09-30 | 1986-04-30 | ||
| JPS6163484U (ja) * | 1984-09-30 | 1986-04-30 | ||
| JPS61105770U (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-04 |
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