JPS5878360A - 荷電粒子エネルギ−分析装置 - Google Patents
荷電粒子エネルギ−分析装置Info
- Publication number
- JPS5878360A JPS5878360A JP56175178A JP17517881A JPS5878360A JP S5878360 A JPS5878360 A JP S5878360A JP 56175178 A JP56175178 A JP 56175178A JP 17517881 A JP17517881 A JP 17517881A JP S5878360 A JPS5878360 A JP S5878360A
- Authority
- JP
- Japan
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- grid
- energy
- reflective surface
- particles
- charged particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/488—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with retarding grids
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はローパスフィルタ及びバイパスフィルタを組合
せた荷電粒子エネルギー分析装置に関する。こ＼でロー
パスフィルタと云うのは成るエネルギー値よりも低いエ
ネルギーの荷電粒子だけを選択的に反射する装置であり
、バイパスフィルタは成る工□ネルギー値よりも高いエ
ネルギーを持つ１− た荷電粒子だけを透過させる装置である。Ｏ−パスフィ
ルタは反射面とその前面に反射面と平行して張設された
グリッドよりなっており、グリッドを基準にして反射面
を分析対象の荷電粒子と同極性に荷電しである。グリッ
ドと反射面間の電位差をＶとすると荷電粒子中、（ト）
ｅＶ（Ｖ電子ボルト）以上のエネルギーを有するものは
反射面に入射して吸収され（至）ｅＶ以下のエネルギー
を有する荷電粒子が取出される。バイパスフィルタは平
行に張設された２重グリッドで、荷電粒子の入射側のグ
リッドを基準にしてその後のグリッドを荷電粒子と同極
性に荷電し、両者間の電位差をＶとすると、（至）８７
以上の荷電粒子は両グリッドを透過し、（至）ｅＶより
低いエネルギーの粒子は入射ｔ１１［へ反射さレル。そ
こでバイパスフィルタとローパスフィルタを組合せて任
意に設定したせまいエネルギー幅内に含まれるエネルギ
ーを持った粒子が選別して取出される。
せた荷電粒子エネルギー分析装置に関する。こ＼でロー
パスフィルタと云うのは成るエネルギー値よりも低いエ
ネルギーの荷電粒子だけを選択的に反射する装置であり
、バイパスフィルタは成る工□ネルギー値よりも高いエ
ネルギーを持つ１− た荷電粒子だけを透過させる装置である。Ｏ−パスフィ
ルタは反射面とその前面に反射面と平行して張設された
グリッドよりなっており、グリッドを基準にして反射面
を分析対象の荷電粒子と同極性に荷電しである。グリッ
ドと反射面間の電位差をＶとすると荷電粒子中、（ト）
ｅＶ（Ｖ電子ボルト）以上のエネルギーを有するものは
反射面に入射して吸収され（至）ｅＶ以下のエネルギー
を有する荷電粒子が取出される。バイパスフィルタは平
行に張設された２重グリッドで、荷電粒子の入射側のグ
リッドを基準にしてその後のグリッドを荷電粒子と同極
性に荷電し、両者間の電位差をＶとすると、（至）８７
以上の荷電粒子は両グリッドを透過し、（至）ｅＶより
低いエネルギーの粒子は入射ｔ１１［へ反射さレル。そ
こでバイパスフィルタとローパスフィルタを組合せて任
意に設定したせまいエネルギー幅内に含まれるエネルギ
ーを持った粒子が選別して取出される。
上述したローパスフィルタ及びバイパスフィルタを用い
て構成された荷電粒子エネルギー分析装２− 置で従来提案されているものは第１図に示すような構造
になっている。Ｍは０点を曲率中心とする球面反射面で
その前側に同心的にグリッドＧ１が配置され、両者でロ
ーパスフィルタを構成している。Ｍからみて０点の反対
側に０点を曲率中心とする２重球面グリッドＧ２．Ｇ３
があって、Ｇ２、Ｇ３によりノ・イパスフイルダを構成
している。
て構成された荷電粒子エネルギー分析装２− 置で従来提案されているものは第１図に示すような構造
になっている。Ｍは０点を曲率中心とする球面反射面で
その前側に同心的にグリッドＧ１が配置され、両者でロ
ーパスフィルタを構成している。Ｍからみて０点の反対
側に０点を曲率中心とする２重球面グリッドＧ２．Ｇ３
があって、Ｇ２、Ｇ３によりノ・イパスフイルダを構成
している。
グリッドＧｌ、Ｇ２は同電位に保たれ、Ｇｌ、Ｍ間及び
Ｇ２，０３間に夫々適当な電圧が印加されている。０点
の傍のＳ点に荷電粒子の放射点を置くと、成るエネルギ
ーｖ１以下の荷電粒子はＭで反射されて０点の傍に一旦
集束した後発散してノ・イパスフィルタであるグリッド
Ｇ２’、Ｇ３に入射し、成るエネルギーｖ２以下の粒子
が反射され、エネルギーがＶｌとｖ２との間にある粒子
だけがグリッドＧ３を通過するから、これを検出する。
Ｇ２，０３間に夫々適当な電圧が印加されている。０点
の傍のＳ点に荷電粒子の放射点を置くと、成るエネルギ
ーｖ１以下の荷電粒子はＭで反射されて０点の傍に一旦
集束した後発散してノ・イパスフィルタであるグリッド
Ｇ２’、Ｇ３に入射し、成るエネルギーｖ２以下の粒子
が反射され、エネルギーがＶｌとｖ２との間にある粒子
だけがグリッドＧ３を通過するから、これを検出する。
この構成によるときは、取出されたエネルギー■１とｖ
２との間の荷電粒子は発散していて、荷電粒子放射源の
像を形成していないから、成る特定のエネルギーを持っ
た放射電子による試料の像を観測すると云うようなこと
ができない。寸だ実際問題としてＳ点はローパスフィル
タとノ１イパスフィルタで囲まれた中にあり、こ＼に試
料をセットすることはできなくて、具体的には側方に試
料励起部があり、試料から放射された荷電粒子を電子光
学系でＳ点に導き、Ｓ点からＭに向けて放射している（
特公昭５１−２３９６号）ので、装置構成として複雑で
あり、更に曲率中心０点をｄ：さんで両側ニローパスフ
ィルタとバイパスフィルタカ配置されているので装置が
大型となる。
２との間の荷電粒子は発散していて、荷電粒子放射源の
像を形成していないから、成る特定のエネルギーを持っ
た放射電子による試料の像を観測すると云うようなこと
ができない。寸だ実際問題としてＳ点はローパスフィル
タとノ１イパスフィルタで囲まれた中にあり、こ＼に試
料をセットすることはできなくて、具体的には側方に試
料励起部があり、試料から放射された荷電粒子を電子光
学系でＳ点に導き、Ｓ点からＭに向けて放射している（
特公昭５１−２３９６号）ので、装置構成として複雑で
あり、更に曲率中心０点をｄ：さんで両側ニローパスフ
ィルタとバイパスフィルタカ配置されているので装置が
大型となる。
本発明は上述した既提案の装置の欠点を解消し、単純化
された小型な構成で試料の像観察が可能であり性能的に
も優れた荷電粒子エネルギー分□析装置を提供しようと
するものである。以下実施例によって本発明を説明する
。
された小型な構成で試料の像観察が可能であり性能的に
も優れた荷電粒子エネルギー分□析装置を提供しようと
するものである。以下実施例によって本発明を説明する
。
第２図は本発明の一実施例を示す。Ａｌ、Ａ２は荷電粒
子の入射口及び出射口でこの装置は左右対称な構造なの
でどちらを入射口としてもよい。
子の入射口及び出射口でこの装置は左右対称な構造なの
でどちらを入射口としてもよい。
Ｍは反射面でＡ１及びＡ２の中心を焦点とする回転楕円
面である。装置全体は双頭の円錐形のような形の外壁Ｗ
で囲まれている。反射面Ｍの前面には反射面と平行にグ
リッドＧ１が設けられている０この反射面Ｍとグリッド
Ｇ１とでローノくスフイルりが構成されている。外壁の
双頭部には夫々グリッドＧ２．Ｇ３及びＧ４．Ｇ５が設
けられている０グリッドＧ２．Ｇ３は開口Ａ１の中心を
曲率中心とする同心球面になっている。同様にしてグリ
・ノドＧ４．Ｇ５も開口Ａ２の中心を曲率中心とする同
心球面になっている。ＧＲは反射面Ｍとグリ・ノドＧ１
間及びグリッドＧ２，０３間及びグリ・ノドＧ４，０５
間夫々の端縁部の電界の乱れを防ぐだめのガードリング
である０ 開口Ａ１を荷電粒子の入射開口、Ａ２を出射開口として
各部に与えられる電位と作用について説明する。グリッ
ドＧ２及び開口Ａｌからグリ・ノドＧ２に至る外壁の双
頭部は同電位であり、荷電粒子源と同電位で一般にアー
ス電位とする。グリ・ノドＧ３は荷電粒子を反射する極
性でその電位をＶａとする。入射荷電粒子のエネルギー
を電子ボルトで表わしてＶとするとＶがｖａより小さな
粒子はＧ３によって反撥され、■〉Ｖａなるエネルギー
の荷電粒子だけがグリッドＧ３を通過する。グリッドＧ
ｌ、Ｇ３．Ｇ４及びこれらのグリッドの間の外壁Ｗは全
部同電位にしである。従ってこれグリッドＧ１の面に入
射する。反射面Ｍは荷電粒子を反撥する方向に電位が与
えられ、その電位をＶｌとし、Ｖｌ）Ｖａとする。そう
するとグリノれは反射面ＭがＡＩ、Ａ２を焦点とする楕
円だからである。グリッドＧ５は荷電粒子を反撥する方
向で電位ｖ２が与えである。従ってグリッドＧ４を通過
した粒子でエネルギーがｖ２より小さな粒子はグリッド
Ｇ５で反射され■２より犬なる粒子がグリッドＧ５を通
過して開口Ａ２の中央に集束する。そこでＡ２の所に検
出器を置いておくと、エネルギーがＧ２とｖｌとの間に
ある粒子だけが検出されることになる。第３図は各グリ
ッド及び反射面に与える電位の関係と、グリッドＧ２．
Ｇ３及びＧ４，５及び反射面Ｍ〆とグリッドＧ１で構成
されるフィルターの性能を示すグラフである。
面である。装置全体は双頭の円錐形のような形の外壁Ｗ
で囲まれている。反射面Ｍの前面には反射面と平行にグ
リッドＧ１が設けられている０この反射面Ｍとグリッド
Ｇ１とでローノくスフイルりが構成されている。外壁の
双頭部には夫々グリッドＧ２．Ｇ３及びＧ４．Ｇ５が設
けられている０グリッドＧ２．Ｇ３は開口Ａ１の中心を
曲率中心とする同心球面になっている。同様にしてグリ
・ノドＧ４．Ｇ５も開口Ａ２の中心を曲率中心とする同
心球面になっている。ＧＲは反射面Ｍとグリ・ノドＧ１
間及びグリッドＧ２，０３間及びグリ・ノドＧ４，０５
間夫々の端縁部の電界の乱れを防ぐだめのガードリング
である０ 開口Ａ１を荷電粒子の入射開口、Ａ２を出射開口として
各部に与えられる電位と作用について説明する。グリッ
ドＧ２及び開口Ａｌからグリ・ノドＧ２に至る外壁の双
頭部は同電位であり、荷電粒子源と同電位で一般にアー
ス電位とする。グリ・ノドＧ３は荷電粒子を反射する極
性でその電位をＶａとする。入射荷電粒子のエネルギー
を電子ボルトで表わしてＶとするとＶがｖａより小さな
粒子はＧ３によって反撥され、■〉Ｖａなるエネルギー
の荷電粒子だけがグリッドＧ３を通過する。グリッドＧ
ｌ、Ｇ３．Ｇ４及びこれらのグリッドの間の外壁Ｗは全
部同電位にしである。従ってこれグリッドＧ１の面に入
射する。反射面Ｍは荷電粒子を反撥する方向に電位が与
えられ、その電位をＶｌとし、Ｖｌ）Ｖａとする。そう
するとグリノれは反射面ＭがＡＩ、Ａ２を焦点とする楕
円だからである。グリッドＧ５は荷電粒子を反撥する方
向で電位ｖ２が与えである。従ってグリッドＧ４を通過
した粒子でエネルギーがｖ２より小さな粒子はグリッド
Ｇ５で反射され■２より犬なる粒子がグリッドＧ５を通
過して開口Ａ２の中央に集束する。そこでＡ２の所に検
出器を置いておくと、エネルギーがＧ２とｖｌとの間に
ある粒子だけが検出されることになる。第３図は各グリ
ッド及び反射面に与える電位の関係と、グリッドＧ２．
Ｇ３及びＧ４，５及び反射面Ｍ〆とグリッドＧ１で構成
されるフィルターの性能を示すグラフである。
厳密に云うと各フィルターで反射される粒子の限界エネ
ルギーはフィルターに入射するときの入射角０によって
変化する。第４図でＰＩ、Ｐ２がグリッド或は反射面で
あり、Ｐｌの電位をＯ，Ｐ２の電位を■、入射する荷電
粒子のエネルギーをＶｏとし、入射角をθとする。粒子
がＰＩ、Ｐ２間の電界の影響を受けるのはその運動速度
の電界方向の成分であるから、反射の条件はＶ ’；２
Ｖ’ ｃｏｓθである。θが小さいときはｃｏｓθ−
１−Ｇ２／２ でＧ２の項が無視でき反射条件はｖ 〉
ｖ’である。またθ の項が無視できない場合でもθが
一定であればエネルギー選別の閾値に広りは生じない。
ルギーはフィルターに入射するときの入射角０によって
変化する。第４図でＰＩ、Ｐ２がグリッド或は反射面で
あり、Ｐｌの電位をＯ，Ｐ２の電位を■、入射する荷電
粒子のエネルギーをＶｏとし、入射角をθとする。粒子
がＰＩ、Ｐ２間の電界の影響を受けるのはその運動速度
の電界方向の成分であるから、反射の条件はＶ ’；２
Ｖ’ ｃｏｓθである。θが小さいときはｃｏｓθ−
１−Ｇ２／２ でＧ２の項が無視でき反射条件はｖ 〉
ｖ’である。またθ の項が無視できない場合でもθが
一定であればエネルギー選別の閾値に広りは生じない。
第４図は第２図における開口Ａｌ付近の図の紙面に垂直
な面による断面を示す。Ｓは試料でＸはＸ線源である。
な面による断面を示す。Ｓは試料でＸはＸ線源である。
試料ＳはＸ線により励起され、光電子を放出する。この
光電子が上述した作用によってエネルギー分析される。
光電子が上述した作用によってエネルギー分析される。
エネルギー値の走査はグリッド０１．Ｇ３．Ｇ４を同電
位にし、反射面Ｍｌ及びグリッドＧ５のグリッド０１等
との間の電位差を一定に保って０１等の電位を変化させ
ることによって行われる。開口Ａ２には試料Ｓから放射
された光電子のうち成るエネルギー幅内に入るものだけ
が集束してそれらの光電子による試料の像を作る。グリ
ッドＧｌを透過した粒子はきわめて低速になっているが
、単にエネルギー選別された粒子を検出して試料から放
射される粒子のエネルギースペクトルを測定するだけで
あればグリッドＧ５と開口Ａ２との間に加速用グリッド
を設ける必要はない。この場合荷電粒子はＡ２の位置に
置かれた検出器の電位によって吸引され加速される。試
料の特定エネルギー粒子による像を観察する場合は、Ｇ
５と開口Ａ２との間に０５と同心的に加速用グリッドを
配置し、開口Ａ２の面に形成された粒子像を更に電子光
学系で拡大して螢光面、写真フィルム、撮像管等に投影
する。なお試料の励起方法は第４図に示す型に限らず任
意であり、試料から放出された荷電粒子を電子光学系を
介して開口Ａ１に入射させるようにすることも妨げない
。
位にし、反射面Ｍｌ及びグリッドＧ５のグリッド０１等
との間の電位差を一定に保って０１等の電位を変化させ
ることによって行われる。開口Ａ２には試料Ｓから放射
された光電子のうち成るエネルギー幅内に入るものだけ
が集束してそれらの光電子による試料の像を作る。グリ
ッドＧｌを透過した粒子はきわめて低速になっているが
、単にエネルギー選別された粒子を検出して試料から放
射される粒子のエネルギースペクトルを測定するだけで
あればグリッドＧ５と開口Ａ２との間に加速用グリッド
を設ける必要はない。この場合荷電粒子はＡ２の位置に
置かれた検出器の電位によって吸引され加速される。試
料の特定エネルギー粒子による像を観察する場合は、Ｇ
５と開口Ａ２との間に０５と同心的に加速用グリッドを
配置し、開口Ａ２の面に形成された粒子像を更に電子光
学系で拡大して螢光面、写真フィルム、撮像管等に投影
する。なお試料の励起方法は第４図に示す型に限らず任
意であり、試料から放出された荷電粒子を電子光学系を
介して開口Ａ１に入射させるようにすることも妨げない
。
Ａｌ、Ａ２間の距離は試料励起系及び荷電粒子検出系が
納まる範囲でなるべく接近させるのが好ましく、Ａｌ、
Ａ２間が近い程反射面の各点における前述θの差が小さ
くなる。また上述実施例では反射面Ｍは回転楕円面であ
るが、ＡＩ、Ａ２間距離がＡ１及びＡ２から反射面まで
の距離に比し小さいときは反射面はＡｌ、Ａ２間の中点
に曲率中心を持つ球面でよい。
納まる範囲でなるべく接近させるのが好ましく、Ａｌ、
Ａ２間が近い程反射面の各点における前述θの差が小さ
くなる。また上述実施例では反射面Ｍは回転楕円面であ
るが、ＡＩ、Ａ２間距離がＡ１及びＡ２から反射面まで
の距離に比し小さいときは反射面はＡｌ、Ａ２間の中点
に曲率中心を持つ球面でよい。
エネルギーフィルタを用いた荷電粒子エネルギー分析装
置は静電半球型エネルギー分析装置に比し広い立体角内
に対射される荷電粒子を扱うことができるから感度が高
いと云う特徴が期待されるのであるが、前述したように
既提案の装置はエネルギー分析器内に分析しようとする
荷電粒子を電子光学系を用いて導入しているので、この
電子光学系によって試料から放射される荷電粒子の導入
９− 立体角が制限されたり、電子光学系が一般に粒子のエネ
ルギーの通過特性が異なるので、偏ったエネルギーの粒
子を通過させるという欠点をもっており、本来の特徴を
充分発揮し得ていない。
置は静電半球型エネルギー分析装置に比し広い立体角内
に対射される荷電粒子を扱うことができるから感度が高
いと云う特徴が期待されるのであるが、前述したように
既提案の装置はエネルギー分析器内に分析しようとする
荷電粒子を電子光学系を用いて導入しているので、この
電子光学系によって試料から放射される荷電粒子の導入
９− 立体角が制限されたり、電子光学系が一般に粒子のエネ
ルギーの通過特性が異なるので、偏ったエネルギーの粒
子を通過させるという欠点をもっており、本来の特徴を
充分発揮し得ていない。
本発明は上述したような構成で凹面反射面の共役な２点
に荷電粒子の入射開口と出射開口を設けたから、試料か
ら放射される荷電粒子を直接エネルギー分析系内に入射
させることができ、かつ試料及び試料励起系及び荷電粒
子検出系がエネルギー分析系の外に配置できるので、エ
ネルギー分析系内に荷電粒子線束を遮蔽する異物がなく
、試料から広い立体角内に放射される荷電粒子を損失な
く扱えるから、前述既提案の装置に比し高感度であり、
装置の大きさとしては既定案装置の半分（エネルギー分
析系が反射面の曲率中心の一方側だけであるから）です
み、分析された荷電粒子は集束しているので、単に荷電
粒子を検出する場合及び加速して再結像系に導き写像す
る場合の何れにも対応できる特長を有する。
に荷電粒子の入射開口と出射開口を設けたから、試料か
ら放射される荷電粒子を直接エネルギー分析系内に入射
させることができ、かつ試料及び試料励起系及び荷電粒
子検出系がエネルギー分析系の外に配置できるので、エ
ネルギー分析系内に荷電粒子線束を遮蔽する異物がなく
、試料から広い立体角内に放射される荷電粒子を損失な
く扱えるから、前述既提案の装置に比し高感度であり、
装置の大きさとしては既定案装置の半分（エネルギー分
析系が反射面の曲率中心の一方側だけであるから）です
み、分析された荷電粒子は集束しているので、単に荷電
粒子を検出する場合及び加速して再結像系に導き写像す
る場合の何れにも対応できる特長を有する。
第１図は既提案装置の側面略図、第２図は本発明の一実
施例装置の水平断面図、第３図は各グリッド及び反射面
に与える電位の関係とフィルター特性を示すグラフ、第
４図は粒子反射部の拡大図、第５図は第２図における開
口Ａｌ付近の垂直断面図である。 Ｍ・・・反射面、０１〜Ｇ５・・・グリッド、ＡＩ、Ａ
２・・・荷電粒子の入射或は出射開口。 代理人 弁理士 林 浩 介 １１−
施例装置の水平断面図、第３図は各グリッド及び反射面
に与える電位の関係とフィルター特性を示すグラフ、第
４図は粒子反射部の拡大図、第５図は第２図における開
口Ａｌ付近の垂直断面図である。 Ｍ・・・反射面、０１〜Ｇ５・・・グリッド、ＡＩ、Ａ
２・・・荷電粒子の入射或は出射開口。 代理人 弁理士 林 浩 介 １１−
Claims (1)
- 凹面反射面の中心線に対し交叉する方向に並ぶ２つの共
役点に荷電粒子の入射及び出射用の開口を設け、上記反
射面の前面に同面と平行してグリッドを張設して、同凹
面反射面と共にローパスフィルタを構成し、上記２つの
開口の一方に対し、その開口と上記反射面との間で同開
口の中心を曲率中心として同心球的に２つのグリッドを
張設してバイパスフィルターを構成したことを特徴とす
る荷電粒子エネルギー分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175178A JPS5878360A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175178A JPS5878360A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878360A true JPS5878360A (ja) | 1983-05-11 |
| JPS637656B2 JPS637656B2 (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=15991627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175178A Granted JPS5878360A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962850A (en) * | 1998-03-04 | 1999-10-05 | Southwest Research Institute | Large aperture particle detector with integrated antenna |
-
1981
- 1981-10-31 JP JP56175178A patent/JPS5878360A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962850A (en) * | 1998-03-04 | 1999-10-05 | Southwest Research Institute | Large aperture particle detector with integrated antenna |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637656B2 (ja) | 1988-02-17 |
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