JPS637656B2 - - Google Patents
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- JPS637656B2 JPS637656B2 JP56175178A JP17517881A JPS637656B2 JP S637656 B2 JPS637656 B2 JP S637656B2 JP 56175178 A JP56175178 A JP 56175178A JP 17517881 A JP17517881 A JP 17517881A JP S637656 B2 JPS637656 B2 JP S637656B2
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- Japan
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- grid
- energy
- reflective surface
- particles
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Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/488—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with retarding grids
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はローパスフイルタ及びハイパスフイル
タを組合せた荷電粒子エネルギー分析装置に関す
る。こゝでローパスフイルタと云うのは或るエネ
ルギー値よりも低いエネルギーの荷電粒子だけを
選択的に反射する装置であり、ハイパスフイルタ
は或るエネルギー値よりも高いエネルギーを持つ
た荷電粒子だけを透過させる装置である。ローパ
スフイルタは反射面とその前面に反射面と平行し
て張設されたグリツドよりなつており、グリツド
を基準にして反射面を分析対象の荷電粒子と同極
性に荷電してある。グリツドと反射面間の電位差
をＶとすると荷電粒子中、（Ｖ）eV（Ｖ電子ボル
ト）以上のエネルギーを有するものは反射面に入
射して吸収され（Ｖ）eV以下のエネルギーを有
する荷電粒子が取出される。ハイパスフイルタは
平行に張設された２重グリツドで、荷電粒子の入
射側のグリツドを基準にしてその後のグリツドを
荷電粒子と同極性に荷電し、両者間の電位差をＶ
とすると、（Ｖ）eV以上の荷電粒子は両グリツド
を透過し、（Ｖ）eVより低いエネルギーの粒子は
入射側へ反射される。そこでハイパスフイルタと
ローパスフイルタを組合せて任意に設定したせま
いエネルギー幅内に含まれるエネルギーを持つた
粒子が選別して取出される。
タを組合せた荷電粒子エネルギー分析装置に関す
る。こゝでローパスフイルタと云うのは或るエネ
ルギー値よりも低いエネルギーの荷電粒子だけを
選択的に反射する装置であり、ハイパスフイルタ
は或るエネルギー値よりも高いエネルギーを持つ
た荷電粒子だけを透過させる装置である。ローパ
スフイルタは反射面とその前面に反射面と平行し
て張設されたグリツドよりなつており、グリツド
を基準にして反射面を分析対象の荷電粒子と同極
性に荷電してある。グリツドと反射面間の電位差
をＶとすると荷電粒子中、（Ｖ）eV（Ｖ電子ボル
ト）以上のエネルギーを有するものは反射面に入
射して吸収され（Ｖ）eV以下のエネルギーを有
する荷電粒子が取出される。ハイパスフイルタは
平行に張設された２重グリツドで、荷電粒子の入
射側のグリツドを基準にしてその後のグリツドを
荷電粒子と同極性に荷電し、両者間の電位差をＶ
とすると、（Ｖ）eV以上の荷電粒子は両グリツド
を透過し、（Ｖ）eVより低いエネルギーの粒子は
入射側へ反射される。そこでハイパスフイルタと
ローパスフイルタを組合せて任意に設定したせま
いエネルギー幅内に含まれるエネルギーを持つた
粒子が選別して取出される。
上述したローパスフイルタ及びハイパスフイル
タを用いて構成された荷電粒子エネルギー分析装
置で従来提案されているものは第１図に示すよう
な構造になつている。ＭはＯ点を曲率中心とする
球面反射面でその前側に同心的にグリツドＧ１が
配置され、両者でローパスフイルタを構成してい
る。ＭからみてＯ点の反対側にＯ点を曲率中心と
する２重球面グリツドＧ２，Ｇ３があつて、Ｇ
２，Ｇ３によりハイパスフイルタを構成してい
る。グリツドＧ１，Ｇ２は同電位に保たれ、Ｇ
１，Ｍ間及びＧ２，Ｇ３間に夫々適当な電圧が印
加されている。Ｏ点の傍のＳ点に荷電粒子の放射
点を置くと、或るエネルギーＶ１以下の荷電粒子
はＭで反射されてＯ点の傍に一旦集束した後発散
してハイパスフイルタであるグリツドＧ２，Ｇ３
に入射し、或るエネルギーＶ２以下の粒子が反射
され、エネルギーがＶ１とＶ２との間にある粒子
だけがグリツドＧ３を通過するから、これを検出
する。この構成によるときは、取出されたエネル
ギーＶ１とＶ２との間の荷電粒子は発散してい
て、荷電粒子放射源の像を形成していないから、
或る特定のエネルギーを持つた放射電子による試
料の像を観測すると云うようなことができない。
また実際問題としてＳ点はローパスフイルタとハ
イパスフイルタで囲まれた中にあり、こゝに試料
をセツトすることはできなくて、具体的には側方
に試料励起部があり、試料から放射された荷電粒
子を電子光学系でＳ点に導き、Ｓ点からＭに向け
て放射している（特公昭51―2396号）ので、装置
構成として複雑であり、更に曲率中心Ｏ点をはさ
んで両側にローパスフイルタとハイパスフイルタ
が配置されているので装置が大型となる。
タを用いて構成された荷電粒子エネルギー分析装
置で従来提案されているものは第１図に示すよう
な構造になつている。ＭはＯ点を曲率中心とする
球面反射面でその前側に同心的にグリツドＧ１が
配置され、両者でローパスフイルタを構成してい
る。ＭからみてＯ点の反対側にＯ点を曲率中心と
する２重球面グリツドＧ２，Ｇ３があつて、Ｇ
２，Ｇ３によりハイパスフイルタを構成してい
る。グリツドＧ１，Ｇ２は同電位に保たれ、Ｇ
１，Ｍ間及びＧ２，Ｇ３間に夫々適当な電圧が印
加されている。Ｏ点の傍のＳ点に荷電粒子の放射
点を置くと、或るエネルギーＶ１以下の荷電粒子
はＭで反射されてＯ点の傍に一旦集束した後発散
してハイパスフイルタであるグリツドＧ２，Ｇ３
に入射し、或るエネルギーＶ２以下の粒子が反射
され、エネルギーがＶ１とＶ２との間にある粒子
だけがグリツドＧ３を通過するから、これを検出
する。この構成によるときは、取出されたエネル
ギーＶ１とＶ２との間の荷電粒子は発散してい
て、荷電粒子放射源の像を形成していないから、
或る特定のエネルギーを持つた放射電子による試
料の像を観測すると云うようなことができない。
また実際問題としてＳ点はローパスフイルタとハ
イパスフイルタで囲まれた中にあり、こゝに試料
をセツトすることはできなくて、具体的には側方
に試料励起部があり、試料から放射された荷電粒
子を電子光学系でＳ点に導き、Ｓ点からＭに向け
て放射している（特公昭51―2396号）ので、装置
構成として複雑であり、更に曲率中心Ｏ点をはさ
んで両側にローパスフイルタとハイパスフイルタ
が配置されているので装置が大型となる。
本発明は上述した既提案の装置の欠点を解消
し、単純化された小型な構成で試料の像観察が可
能であり性能的にも優れた荷電粒子エネルギー分
析装置を提供しようとするものである。以下実施
例によつて本発明を説明する。
し、単純化された小型な構成で試料の像観察が可
能であり性能的にも優れた荷電粒子エネルギー分
析装置を提供しようとするものである。以下実施
例によつて本発明を説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す。Ａ１，Ａ２
は荷電粒子の入射口及び出射口でこの装置は左右
対称な構造なのでどちらを入射口としてもよい。
Ｍは反射面でＡ１及びＡ２の中心を焦点とする回
転楕円面である。装置全体は双頭の円錐形のよう
な形の外壁Ｗで囲まれている。反射面Ｍの前面に
は反射面と平行にグリツドＧ１が設けられてい
る。この反射面ＭとグリツドＧ１とでローパスフ
イルタが構成されている。外壁の双頭部には夫々
グリツドＧ２，Ｇ３及びＧ４，Ｇ５が設けられて
いる。グリツドＧ２，Ｇ３は開口Ａ１の中心を曲
率中心とする同心球面になつている。同様にして
グリツドＧ４，Ｇ５も開口Ａ２の中心を曲率中心
とする同心球面になつている。GRは反射面Ｍと
グリツドＧ１間及びグリツドＧ２，Ｇ３間及びグ
リツドＧ４，Ｇ５間夫々の端縁部の電界の乱れを
防ぐためのガードリングである。
は荷電粒子の入射口及び出射口でこの装置は左右
対称な構造なのでどちらを入射口としてもよい。
Ｍは反射面でＡ１及びＡ２の中心を焦点とする回
転楕円面である。装置全体は双頭の円錐形のよう
な形の外壁Ｗで囲まれている。反射面Ｍの前面に
は反射面と平行にグリツドＧ１が設けられてい
る。この反射面ＭとグリツドＧ１とでローパスフ
イルタが構成されている。外壁の双頭部には夫々
グリツドＧ２，Ｇ３及びＧ４，Ｇ５が設けられて
いる。グリツドＧ２，Ｇ３は開口Ａ１の中心を曲
率中心とする同心球面になつている。同様にして
グリツドＧ４，Ｇ５も開口Ａ２の中心を曲率中心
とする同心球面になつている。GRは反射面Ｍと
グリツドＧ１間及びグリツドＧ２，Ｇ３間及びグ
リツドＧ４，Ｇ５間夫々の端縁部の電界の乱れを
防ぐためのガードリングである。
開口Ａ１を荷電粒子の入射開口、Ａ２を出射開
口として各部に与えられる電位と作用について説
明する。グリツドＧ２及び開口Ａ１からグリツド
Ｇ２に至る外壁の双頭部は同電位であり、荷電粒
子源と同電位で一般にアース電位とする。グリツ
ドＧ３は荷電粒子を反射する極性でその電位を
Vaとする。入射荷電粒子のエネルギーを電子ボ
ルトで表わしてＶとするとＶがVaより小さな粒
子はＧ３によつて反撥され、Ｖ＞Vaなるエネル
ギーの荷電粒子だけがグリツドＧ３を通過する。
グリツドＧ１，Ｇ３，Ｇ４及びこれらのグリツド
の間の外壁Ｗは全部同電位にしてある。従つてこ
れらの各部で囲まれた空間内は全体が同電位であ
る。グリツドＧ３を通過した荷電粒子は上述した
空間を直進してグリツドＧ１の面に入射する。反
射面Ｍは荷電粒子を反撥する方向に電位が与えら
れ、その電位をＶ１とし、Ｖ１＞Vaとする。そ
うするとグリツドＧ１と反射面Ｍとの間に進入し
た荷電粒子のうちＶ＜Ｖ１のものだけが反射さ
れ、Ｖ＞Ｖ１の粒子は反射面Ｍに衝突し電荷を失
う。Ｍで反射された荷電粒子は開口Ａ２の中心に
向つて直進する。これは反射面ＭがＡ１，Ａ２を
焦点とする楕円だからである。グリツドＧ５は荷
電粒子を反撥する方向で電位Ｖ２が与えてある。
従つてグリツドＧ４を通過した粒子でエネルギー
がＶ２より小さな粒子はグリツドＧ５で反射され
Ｖ２より大なる粒子がグリツドＧ５を通過して開
口Ａ２の中央に集束する。そこでＡ２の所に検出
器を置いておくと、エネルギーがＶ２がＶ１との
間にある粒子だけが検出されることになる。第３
図は各グリツド及び反射面に与える電位の関係
と、グリツドＧ２，Ｇ３及びＧ４，Ｇ５及び反射
面ＭとグリツドＧ１で構成されるフイルターの性
能を示すグラフである。
口として各部に与えられる電位と作用について説
明する。グリツドＧ２及び開口Ａ１からグリツド
Ｇ２に至る外壁の双頭部は同電位であり、荷電粒
子源と同電位で一般にアース電位とする。グリツ
ドＧ３は荷電粒子を反射する極性でその電位を
Vaとする。入射荷電粒子のエネルギーを電子ボ
ルトで表わしてＶとするとＶがVaより小さな粒
子はＧ３によつて反撥され、Ｖ＞Vaなるエネル
ギーの荷電粒子だけがグリツドＧ３を通過する。
グリツドＧ１，Ｇ３，Ｇ４及びこれらのグリツド
の間の外壁Ｗは全部同電位にしてある。従つてこ
れらの各部で囲まれた空間内は全体が同電位であ
る。グリツドＧ３を通過した荷電粒子は上述した
空間を直進してグリツドＧ１の面に入射する。反
射面Ｍは荷電粒子を反撥する方向に電位が与えら
れ、その電位をＶ１とし、Ｖ１＞Vaとする。そ
うするとグリツドＧ１と反射面Ｍとの間に進入し
た荷電粒子のうちＶ＜Ｖ１のものだけが反射さ
れ、Ｖ＞Ｖ１の粒子は反射面Ｍに衝突し電荷を失
う。Ｍで反射された荷電粒子は開口Ａ２の中心に
向つて直進する。これは反射面ＭがＡ１，Ａ２を
焦点とする楕円だからである。グリツドＧ５は荷
電粒子を反撥する方向で電位Ｖ２が与えてある。
従つてグリツドＧ４を通過した粒子でエネルギー
がＶ２より小さな粒子はグリツドＧ５で反射され
Ｖ２より大なる粒子がグリツドＧ５を通過して開
口Ａ２の中央に集束する。そこでＡ２の所に検出
器を置いておくと、エネルギーがＶ２がＶ１との
間にある粒子だけが検出されることになる。第３
図は各グリツド及び反射面に与える電位の関係
と、グリツドＧ２，Ｇ３及びＧ４，Ｇ５及び反射
面ＭとグリツドＧ１で構成されるフイルターの性
能を示すグラフである。
厳密に云うと各フイルターで反射される粒子の
限界エネルギーはフイルターに入射するときの入
射角θによつて変化する。第４図でＰ１，Ｐ２が
グリツド或は反射面であり、Ｐ１の電位をＯ，Ｐ
２の電位をＶ，入射する荷電粒子のエネルギーを
V′とし、入射角をθとする。粒子がＰ１，Ｐ２
間の電界の影響を受けるのはその運動速度の電界
方向の成分であるから、反射の条件はＶ
V′cosθである。θが小さいときはcosθ＝１−θ2／
２でθ2の項が無視でき反射条件はＶV′である。
またθ2の項が無視できない場合でもθが一定であ
ればエネルギー選別の閾値に広りは生じない。
限界エネルギーはフイルターに入射するときの入
射角θによつて変化する。第４図でＰ１，Ｐ２が
グリツド或は反射面であり、Ｐ１の電位をＯ，Ｐ
２の電位をＶ，入射する荷電粒子のエネルギーを
V′とし、入射角をθとする。粒子がＰ１，Ｐ２
間の電界の影響を受けるのはその運動速度の電界
方向の成分であるから、反射の条件はＶ
V′cosθである。θが小さいときはcosθ＝１−θ2／
２でθ2の項が無視でき反射条件はＶV′である。
またθ2の項が無視できない場合でもθが一定であ
ればエネルギー選別の閾値に広りは生じない。
第５図は第２図における開口Ａ１付近の図の紙
面に垂直な面による断面を示す。Ｓは試料でＸは
Ｘ線源である。試料ＳはＸ線により励起され、光
電子を放出する。この光電子が上述した作用によ
つてエネルギー分析される。エネルギー値の走査
はグリツドＧ１，Ｇ３，Ｇ４を同電位にし、反射
面Ｍ１及びグリツドＧ５のグリツドＧ１等との間
の電位差を一定に保つてＧ１等の電位を変化させ
ることによつて行われる。開口Ａ２には試料Ｓか
ら放射された光電子のうち或るエネルギー幅内に
入るものだけが集束してそれらの光電子による試
料の像を作る。グリツドＧ１を透過した粒子はき
わめて低速になつているが、単にエネルギー選別
された粒子を検出して試料から放射される粒子の
エネルギースペクトルを測定するだけであればグ
リツドＧ５と開口Ａ２との間に加速用グリツドを
設ける必要はない。この場合荷電粒子はＡ２の位
置に置かれた検出器の電位によつて吸引され加速
される。試料の特定エネルギー粒子による像を観
察する場合は、Ｇ５と開口Ａ２との間にＧ５と同
心的に加速用グリツドを配置し、開口Ａ２の面に
形成された粒子像を更に電子光学系で拡大して螢
光面、写真フイルム、撮像管等に投影する。なお
試料の励起方法は第４図に示す型に限らず任意で
あり、試料から放出された荷電粒子を電子光学系
を介して開口Ａ１に入射させるようにすることも
妨げない。
面に垂直な面による断面を示す。Ｓは試料でＸは
Ｘ線源である。試料ＳはＸ線により励起され、光
電子を放出する。この光電子が上述した作用によ
つてエネルギー分析される。エネルギー値の走査
はグリツドＧ１，Ｇ３，Ｇ４を同電位にし、反射
面Ｍ１及びグリツドＧ５のグリツドＧ１等との間
の電位差を一定に保つてＧ１等の電位を変化させ
ることによつて行われる。開口Ａ２には試料Ｓか
ら放射された光電子のうち或るエネルギー幅内に
入るものだけが集束してそれらの光電子による試
料の像を作る。グリツドＧ１を透過した粒子はき
わめて低速になつているが、単にエネルギー選別
された粒子を検出して試料から放射される粒子の
エネルギースペクトルを測定するだけであればグ
リツドＧ５と開口Ａ２との間に加速用グリツドを
設ける必要はない。この場合荷電粒子はＡ２の位
置に置かれた検出器の電位によつて吸引され加速
される。試料の特定エネルギー粒子による像を観
察する場合は、Ｇ５と開口Ａ２との間にＧ５と同
心的に加速用グリツドを配置し、開口Ａ２の面に
形成された粒子像を更に電子光学系で拡大して螢
光面、写真フイルム、撮像管等に投影する。なお
試料の励起方法は第４図に示す型に限らず任意で
あり、試料から放出された荷電粒子を電子光学系
を介して開口Ａ１に入射させるようにすることも
妨げない。
Ａ１，Ａ２間の距離は試料励起系及び荷電粒子
検出系が納まる範囲でなるべく接近させるのが好
ましく、Ａ１，Ａ２間が近い程反射面の各点にお
ける前述θの差が小さくなる。また上述実施例で
は反射面Ｍは回転楕円面であるが、Ａ１，Ａ２間
距離がＡ１及びＡ２から反射面までの距離に比し
小さいときは反射面はＡ１，Ａ２間の中点に曲率
中心を持つ球面でよい。
検出系が納まる範囲でなるべく接近させるのが好
ましく、Ａ１，Ａ２間が近い程反射面の各点にお
ける前述θの差が小さくなる。また上述実施例で
は反射面Ｍは回転楕円面であるが、Ａ１，Ａ２間
距離がＡ１及びＡ２から反射面までの距離に比し
小さいときは反射面はＡ１，Ａ２間の中点に曲率
中心を持つ球面でよい。
エネルギーフイルタを用いた荷電粒子エネルギ
ー分析装置は静電半球型エネルギー分析装置に比
し広い立体角内に対射される荷電粒子を扱うこと
ができるから感度が高いと云う特徴が期待される
のであるが、前述したように既提案の装置はエネ
ルギー分析器内に分析しようとする荷電粒子を電
子光学系を用いて導入しているので、この電子光
学系によつて試料から放射される荷電粒子の導入
立体角が制限されたり、電子光学系が一般に粒子
のエネルギーの通過特性が異なるので、偏つたエ
ネルギーの粒子を通過させるという欠点をもつて
おり、本来の特徴を充分発揮し得ていない。
ー分析装置は静電半球型エネルギー分析装置に比
し広い立体角内に対射される荷電粒子を扱うこと
ができるから感度が高いと云う特徴が期待される
のであるが、前述したように既提案の装置はエネ
ルギー分析器内に分析しようとする荷電粒子を電
子光学系を用いて導入しているので、この電子光
学系によつて試料から放射される荷電粒子の導入
立体角が制限されたり、電子光学系が一般に粒子
のエネルギーの通過特性が異なるので、偏つたエ
ネルギーの粒子を通過させるという欠点をもつて
おり、本来の特徴を充分発揮し得ていない。
本発明は上述したような構成で凹面反射面の共
役な２点に荷電粒子の入射開口と出射開口を設け
たから、試料から放射される荷電粒子を直接エネ
ルギー分析系内に入射させることができ、かつ試
料及び試料励起系及び荷電粒子検出系がエネルギ
ー分析系の外に配置できるので、エネルギー分析
系内に荷電粒子線束を遮蔽する異物がなく、試料
から広い立体角内に放射される荷電粒子を損失な
く扱えるから、前述既提案の装置に比し高感度で
あり、装置の大きさとしては既定案装置の半分
（エネルギー分析系が反射面の曲率中心の一方側
だけであるから）ですみ、分析された荷電粒子は
集束しているので、単に荷電粒子を検出する場合
及び加速して再結像系に導き写像する場合の何れ
にも対応できる特長を有する。
役な２点に荷電粒子の入射開口と出射開口を設け
たから、試料から放射される荷電粒子を直接エネ
ルギー分析系内に入射させることができ、かつ試
料及び試料励起系及び荷電粒子検出系がエネルギ
ー分析系の外に配置できるので、エネルギー分析
系内に荷電粒子線束を遮蔽する異物がなく、試料
から広い立体角内に放射される荷電粒子を損失な
く扱えるから、前述既提案の装置に比し高感度で
あり、装置の大きさとしては既定案装置の半分
（エネルギー分析系が反射面の曲率中心の一方側
だけであるから）ですみ、分析された荷電粒子は
集束しているので、単に荷電粒子を検出する場合
及び加速して再結像系に導き写像する場合の何れ
にも対応できる特長を有する。
第１図は既提案装置の側面略図、第２図は本発
明の一実施例装置の水平断面図、第３図は各グリ
ツド及び反射面に与える電位の関係とフイルター
特性を示すグラフ、第４図は粒子反射部の拡大
図、第５図は第２図における開口Ａ１付近の垂直
断面図である。 Ｍ…反射面、Ｇ１〜Ｇ５…グリツド、Ａ１，Ａ
２…荷電粒子の入射或は出射開口。
明の一実施例装置の水平断面図、第３図は各グリ
ツド及び反射面に与える電位の関係とフイルター
特性を示すグラフ、第４図は粒子反射部の拡大
図、第５図は第２図における開口Ａ１付近の垂直
断面図である。 Ｍ…反射面、Ｇ１〜Ｇ５…グリツド、Ａ１，Ａ
２…荷電粒子の入射或は出射開口。
Claims (1)
- １ 凹面反射面の中心線に対し交又する方向に並
ぶ２つの共役点に荷電粒子の入射及び出射用の開
口を設け、上記反射面の前面に同面と平行してグ
リツドを張設して、同凹面反射面と共にローパス
フイルタを構成し、上記２つの開口の一方に対
し、その開口と上記反射面との間で同開口の中心
を曲率中心として同心球的に２つのグリツドを張
設してハイパスフイルターを構成したことを特徴
とする荷電粒子エネルギー分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175178A JPS5878360A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175178A JPS5878360A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878360A JPS5878360A (ja) | 1983-05-11 |
| JPS637656B2 true JPS637656B2 (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=15991627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175178A Granted JPS5878360A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | 荷電粒子エネルギ−分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878360A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962850A (en) * | 1998-03-04 | 1999-10-05 | Southwest Research Institute | Large aperture particle detector with integrated antenna |
-
1981
- 1981-10-31 JP JP56175178A patent/JPS5878360A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5878360A (ja) | 1983-05-11 |
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