JPS5878672U - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPS5878672U
JPS5878672U JP17335181U JP17335181U JPS5878672U JP S5878672 U JPS5878672 U JP S5878672U JP 17335181 U JP17335181 U JP 17335181U JP 17335181 U JP17335181 U JP 17335181U JP S5878672 U JPS5878672 U JP S5878672U
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JP
Japan
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semiconductor device
light
optical semiconductor
reflective surface
scattering member
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Pending
Application number
JP17335181U
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Inventor
誠一 原
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の光半導体装置の断面図、第２図は従来の
光半導体装置の製造工程を説明するための断面図、第３
図は従来の光半導体装置の発光面の正面図、第４図以降
は本考案の１実施例の光半導体装置にかかり、第４図は
断面図、第５図は製造工程を説明するための断面図、第
６図は発光面の正面図である。 ３・・・・・・発光ペレット、５・・・・・・型（金型
または樹脂のケース型）、１１・・・・・・反射体、１
１ａ・・・・・・反射面、１１ｂ・・・・・・反射面の
縁部、１４・・・・・・光散乱部材、１４ａ・・・・・
・光散乱部材延長部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 凹型の反射面とこの反射面の縁部とを有する反射体、前
    記反射面の底に設けられた発光ペレット、および前記発
    光ペレットの発光の通路に配置された光散乱部材を備え
    た光半導体装置において、発光の通路に配置された光散
    乱部材を反射面の縁部上に延長して形成された光散乱部
    材延長部が設けられるとともに、前記光拡散部材延長部
    は発光が直射される層厚であることを特徴とする光半導
    体装置。
JP17335181U 1981-11-24 1981-11-24 光半導体装置 Pending JPS5878672U (ja)

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JP17335181U JPS5878672U (ja) 1981-11-24 1981-11-24 光半導体装置

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JPS5878672U true JPS5878672U (ja) 1983-05-27

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