JPS5879383A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5879383A JPS5879383A JP56176910A JP17691081A JPS5879383A JP S5879383 A JPS5879383 A JP S5879383A JP 56176910 A JP56176910 A JP 56176910A JP 17691081 A JP17691081 A JP 17691081A JP S5879383 A JPS5879383 A JP S5879383A
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- JP
- Japan
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- region
- semiconductor region
- semiconductor
- charge
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ｖ４Ｆｉ酪光領域を改嵐した同体撮像装置Ｋ″関す
る。
る。
一体撮ｇＩ懐皺、例えばインターライントランスファ方
式の固体ｗ＆像鋏筺としては、第１図〜第３図に示すも
のが知られて―る〇−中ｌはｐ淑牛導体基板である。こ
の基板１表面に６１マトリクス状に配設された多数のＩ
ＩＩ素２．＃ ２＊＊２、・・・からなる感光部が形成
されている。また、基板１表面にはこのｌｉ！に元部の
各画素２□、２，９２、・・・閣を一直方市に延びる価
号絖出し手段例えは黴数のｎ型の紘直シフトレジスタ３
・・・、このシフトレジスタ３・・・の出力端子ｌｌ１
ｌＫ佃号１に荷を転送する水平シフトレジスタ４、及び
前ＩＣ麿直シフトレジスタ３・・・に近接して前記画素
（ｎ型の半導体領域）ｚ、ｆ ｚ、Ｉ ２８・・・と秦
厘シフトレジスタ３・・・ｔｌに、気的に分離するチャ
ネルストラプスｐ 領域５・・・が設けられている。前
記半導体領域Ｊｌ ｅ ２１１１ｍ・・・等を含む基板
ｌ上には絶縁膜、例えは８１０１膜６が被蝋されている
。艷に、この８１０．膜６内には前記半導体領域２ｔ
ｔ ２ｓ ＊ ｘａ・・・に蓄積される１ｍ号亀荷を鋸
ｒｔｉ”フトレジスタＳ・・・に転送するゲート１に他
１・・・が設けられ、８１０．族６上には前記半導体領
域Ａ’ｌ ｅ ２１ ｅ ｚａ・・・夫々の一部に対応
しｆｃ部分゛に開孔窓８１ ＊ Ｊｌｌ ＊ ＩＩ＠
甲を有する光／−ルド膜９か設けられている。なお、図
中点線は、電磁放射によって発生する信号電荷を収集、
蓄積している時間（積分時間）内における半導体領域２
１ ｅ ｊ！ ｅ ２ｍ・・・の周囲の空乏領域の境界
を示す。
式の固体ｗ＆像鋏筺としては、第１図〜第３図に示すも
のが知られて―る〇−中ｌはｐ淑牛導体基板である。こ
の基板１表面に６１マトリクス状に配設された多数のＩ
ＩＩ素２．＃ ２＊＊２、・・・からなる感光部が形成
されている。また、基板１表面にはこのｌｉ！に元部の
各画素２□、２，９２、・・・閣を一直方市に延びる価
号絖出し手段例えは黴数のｎ型の紘直シフトレジスタ３
・・・、このシフトレジスタ３・・・の出力端子ｌｌ１
ｌＫ佃号１に荷を転送する水平シフトレジスタ４、及び
前ＩＣ麿直シフトレジスタ３・・・に近接して前記画素
（ｎ型の半導体領域）ｚ、ｆ ｚ、Ｉ ２８・・・と秦
厘シフトレジスタ３・・・ｔｌに、気的に分離するチャ
ネルストラプスｐ 領域５・・・が設けられている。前
記半導体領域Ｊｌ ｅ ２１１１ｍ・・・等を含む基板
ｌ上には絶縁膜、例えは８１０１膜６が被蝋されている
。艷に、この８１０．膜６内には前記半導体領域２ｔ
ｔ ２ｓ ＊ ｘａ・・・に蓄積される１ｍ号亀荷を鋸
ｒｔｉ”フトレジスタＳ・・・に転送するゲート１に他
１・・・が設けられ、８１０．族６上には前記半導体領
域Ａ’ｌ ｅ ２１ ｅ ｚａ・・・夫々の一部に対応
しｆｃ部分゛に開孔窓８１ ＊ Ｊｌｌ ＊ ＩＩ＠
甲を有する光／−ルド膜９か設けられている。なお、図
中点線は、電磁放射によって発生する信号電荷を収集、
蓄積している時間（積分時間）内における半導体領域２
１ ｅ ｊ！ ｅ ２ｍ・・・の周囲の空乏領域の境界
を示す。
このような装置におｉて、例えは光シールド膜９の開孔
部８．を介して電磁放射された光瓜半導体領域２．とそ
の周辺で光電変換によ多信号電荷を発生する。この信号
ＩＬ′Ｆｉ＃′ｉ積分時間の間、半導体領域２．に収集
てれる。そして、積分時間経過後、ゲート電＆７をＯＮ
することによ多信号電荷は垂直シフトレジスタ１に転送
され、この信号電荷に応じた出力が水平シフトレジスト
４から外部に取り出される。
部８．を介して電磁放射された光瓜半導体領域２．とそ
の周辺で光電変換によ多信号電荷を発生する。この信号
ＩＬ′Ｆｉ＃′ｉ積分時間の間、半導体領域２．に収集
てれる。そして、積分時間経過後、ゲート電＆７をＯＮ
することによ多信号電荷は垂直シフトレジスタ１に転送
され、この信号電荷に応じた出力が水平シフトレジスト
４から外部に取り出される。
しかしながら、上記構造の固体撮儂装置にお−ては、電
磁放射された光が長波長の場合、第２図に示す如く光が
光シールド膜９の開孔窓８１を通って半導体領域２．の
真下に位置する基板ｌの奥深くまで達して光電変換が行
゛なわｈｌこれにより発生した信号電荷が基板ｌ内を等
方的に拡散し、半導体領域２鵞に近接し九半導体鎮域７
１ ｅ ７８に流入して偽信号が生ずるため、分解能が
低下するという問題があつ九。また、上記信号電荷が垂
直シフトレジスタ１に流入すると、ゲート電極１をＯＦ
Ｆにしても偽信号が観測される、いわゆるスミア現象が
生じる。
磁放射された光が長波長の場合、第２図に示す如く光が
光シールド膜９の開孔窓８１を通って半導体領域２．の
真下に位置する基板ｌの奥深くまで達して光電変換が行
゛なわｈｌこれにより発生した信号電荷が基板ｌ内を等
方的に拡散し、半導体領域２鵞に近接し九半導体鎮域７
１ ｅ ７８に流入して偽信号が生ずるため、分解能が
低下するという問題があつ九。また、上記信号電荷が垂
直シフトレジスタ１に流入すると、ゲート電極１をＯＦ
Ｆにしても偽信号が観測される、いわゆるスミア現象が
生じる。
本発明は上記事情に録みてなされたもので、基板表ＩＯ
Ｋ形成された第１半導体領域の少なくとも真下近辺の基
板領域を改＾することによって長波長の光に対する分解
能の低下ヤスミア現象の発生を組止し得る固体撮像装置
を提供することを目的とするものである。
Ｋ形成された第１半導体領域の少なくとも真下近辺の基
板領域を改＾することによって長波長の光に対する分解
能の低下ヤスミア現象の発生を組止し得る固体撮像装置
を提供することを目的とするものである。
以下、本発明を図示した実施例に基づいて説明する。
第４図はインターレーストランスファ方式の固体撮像装
置の平面図、第５図、第６図は夫々第４図のＡ一点線、
Ｂ−Ｂ＠に沿う拡大断面図である。図中２１はｐｍの半
導体基板である。
置の平面図、第５図、第６図は夫々第４図のＡ一点線、
Ｂ−Ｂ＠に沿う拡大断面図である。図中２１はｐｍの半
導体基板である。
この基板ｚａ上にはマトリクス状に配設された多数の画
素Ｉ１１，１１．，１２．・・・からなる感光一部が形
成されている。また基板２１上にくこの感光部の各画素
（ｎ汲領域）２１．．２１゜、２１．・・・１１４）を
ｔｉｔ、直方向に延びる被数のｎ−のｋｉ！シフトレジ
スタ２３・・・、これら伽直シフトレジスタｚ３・・・
からの信号％、荷をｌ水平走食毎に転送して撮像出力と
して取ル出す水平シフトレジスタ２４、及び前配毒直シ
フトレジスタ２３・・・に近接して、前記、ｎ型領域２
２１゜ｘＢ 、ｘｚａ・・・と垂直シフトレジスタ２３
・・・を電気的に分離するチャネルストラプスｐ 領域
２６が形成されている。前記ｎａｋ稙域２２．。
素Ｉ１１，１１．，１２．・・・からなる感光一部が形
成されている。また基板２１上にくこの感光部の各画素
（ｎ汲領域）２１．．２１゜、２１．・・・１１４）を
ｔｉｔ、直方向に延びる被数のｎ−のｋｉ！シフトレジ
スタ２３・・・、これら伽直シフトレジスタｚ３・・・
からの信号％、荷をｌ水平走食毎に転送して撮像出力と
して取ル出す水平シフトレジスタ２４、及び前配毒直シ
フトレジスタ２３・・・に近接して、前記、ｎ型領域２
２１゜ｘＢ 、ｘｚａ・・・と垂直シフトレジスタ２３
・・・を電気的に分離するチャネルストラプスｐ 領域
２６が形成されている。前記ｎａｋ稙域２２．。
ｘｉ、、！！８・・・の真下の基板１ｔｌＫＦｉＳ１４
２半樽体領域（ｐ−１１領域）２５．、ｌ１６ｇ 。
２半樽体領域（ｐ−１１領域）２５．、ｌ１６ｇ 。
２５ｍ・・・が形成されている。更に、前配置朦領域ｚ
ｘ１．ｚｚ、、ｘｘ畠・・・等を含む基板２１上にはＳ
１０．躾２ｒが形成され、このｓｉｏ、膜ｚ７内ｔｌ
ｊ前記ｎ１ｉｉＴｈ域ｚｘ、、ｘ２．、ｔｘｓ・・・に
蓄積される信号電荷を垂直シフトレジスタ２３・・・に
転送するゲート電極２８が設けられている。を九、８ｉ
０．膜２１上には前記のｎ型領域ｘｉＩ、ｘｉ、、ｘｉ
、・・・夫々の一部に対応する部分に開孔窓２９に、２
９．．２９．・・・を有した元シールド膜３０が設けら
れている。
ｘ１．ｚｚ、、ｘｘ畠・・・等を含む基板２１上にはＳ
１０．躾２ｒが形成され、このｓｉｏ、膜ｚ７内ｔｌ
ｊ前記ｎ１ｉｉＴｈ域ｚｘ、、ｘ２．、ｔｘｓ・・・に
蓄積される信号電荷を垂直シフトレジスタ２３・・・に
転送するゲート電極２８が設けられている。を九、８ｉ
０．膜２１上には前記のｎ型領域ｘｉＩ、ｘｉ、、ｘｉ
、・・・夫々の一部に対応する部分に開孔窓２９に、２
９．．２９．・・・を有した元シールド膜３０が設けら
れている。
゛ このような麹酸によれば、例えは光シールド族ＳＯ
の開孔窓２９鵞から長波長の光が入射すると、第５−に
示す如く、その光はｎ型領域ｊ’ｌ＊、ｐ 拒領域２５
．を通過して基板２１の果深くまで達した技、信号電荷
に変換され、前述の如く等方的に基板１’ｌ中を拡散し
ようとする。こうした拡散におりて、ｎ屋領域２２！の
真下に位置する基板２１内に該基板２１の不純物濃度よ
シ低濃度のｐ−灘領域２５．が形成されてしるため、ｎ
！領域２２！とｐｍ半番体基板ＺＳＯ＊合による場合と
比べて、ｎ副饋域２１、下のｐ″″型領域２６．＠によ
ｌα空乏層が広がり、その空乏層領域をｉ＆板２１の央
深くまでａ長できる。したがって、基板２１１＠果＋１ 深くで発生した信号電位＃ｉｐ 社領域ｘｉ、に収集
され、近くの他のｐ″″型領域ｉｓ、、ｉｓ。
の開孔窓２９鵞から長波長の光が入射すると、第５−に
示す如く、その光はｎ型領域ｊ’ｌ＊、ｐ 拒領域２５
．を通過して基板２１の果深くまで達した技、信号電荷
に変換され、前述の如く等方的に基板１’ｌ中を拡散し
ようとする。こうした拡散におりて、ｎ屋領域２２！の
真下に位置する基板２１内に該基板２１の不純物濃度よ
シ低濃度のｐ−灘領域２５．が形成されてしるため、ｎ
！領域２２！とｐｍ半番体基板ＺＳＯ＊合による場合と
比べて、ｎ副饋域２１、下のｐ″″型領域２６．＠によ
ｌα空乏層が広がり、その空乏層領域をｉ＆板２１の央
深くまでａ長できる。したがって、基板２１１＠果＋１ 深くで発生した信号電位＃ｉｐ 社領域ｘｉ、に収集
され、近くの他のｐ″″型領域ｉｓ、、ｉｓ。
への拡散を阻止で睡、その結果偽信号の発生を防止し、
分解能の性能を維持できる。また、前記とｌＷＩ禄の場
内から諏６図に示す如く、基板２１の兼深くで発生しｆ
ｃ１ｔａ号１１荷が垂直シフトレジスト２３へ運する
のも阻止でき、スミア机象の発生を防止できる。こうし
た効果は、他ＯＩ＋ｌ孔に６１９ｓ＊２９ｍ・・・を介
して長波長の光が入射した場合についてもｌＷＩ様であ
る。
分解能の性能を維持できる。また、前記とｌＷＩ禄の場
内から諏６図に示す如く、基板２１の兼深くで発生しｆ
ｃ１ｔａ号１１荷が垂直シフトレジスト２３へ運する
のも阻止でき、スミア机象の発生を防止できる。こうし
た効果は、他ＯＩ＋ｌ孔に６１９ｓ＊２９ｍ・・・を介
して長波長の光が入射した場合についてもｌＷＩ様であ
る。
なお、本発明に係る一体撮像装置としては、上記実施例
の如！構造のものに限らず、第７図及び第８図に示す如
く、基板ｘｒｔｔｃｎ製領域ｚｘ、、ｘｉ、、ｘｚ、、
・・・の周Ｍ＆＆１うように第２半導体領域（ｐ″′
型領域） ３１１ｅｌｈ＊ＪＪｌｔ・・・を形成した
構造のものでもよい。
の如！構造のものに限らず、第７図及び第８図に示す如
く、基板ｘｒｔｔｃｎ製領域ｚｘ、、ｘｉ、、ｘｚ、、
・・・の周Ｍ＆＆１うように第２半導体領域（ｐ″′
型領域） ３１１ｅｌｈ＊ＪＪｌｔ・・・を形成した
構造のものでもよい。
次に、本−１２の発明を第９図及び第１０−を参照して
貌明する。かかる発明の固体撮儂装ｋ Ｆｉ、側５図及
び論６図に示す構造の固体撮像ｔｃ皺のｐ 製領域：１
５．，２５諺、２５＄・・・を、第３半導体領域（ｍ″
″皺領域）！１１１ ｍ １１８＠ａＸ、に変えた構造
を有する。かかる構造の一体撮像装置によれは、ｎ拒領
域” ｓ ｍ Ｊ ｊ Ｈｅ２２、・・・の真下の基板
２１に、鉄基板２１よりを黴にで逆導−社のｎ 製領域
３１．，３１’雪。
貌明する。かかる発明の固体撮儂装ｋ Ｆｉ、側５図及
び論６図に示す構造の固体撮像ｔｃ皺のｐ 製領域：１
５．，２５諺、２５＄・・・を、第３半導体領域（ｍ″
″皺領域）！１１１ ｍ １１８＠ａＸ、に変えた構造
を有する。かかる構造の一体撮像装置によれは、ｎ拒領
域” ｓ ｍ Ｊ ｊ Ｈｅ２２、・・・の真下の基板
２１に、鉄基板２１よりを黴にで逆導−社のｎ 製領域
３１．，３１’雪。
３１１が形成されて−るため、ｉｋＩ素を編地するｎ疲
領域２２．．１１２．．２２ｍ ・・・のを之Ｐｋ愼域
ｔｉｎ！に域３１．，１１．，３１．の真下に形成され
、その空乏層領域を基板２１の＊徐〈まで延長で絆、そ
の結果諏４図〜Ｍ６図に示す構造のものに比べて一層分
解能の性能の低下スミア現象の発生を阻止できる。
領域２２．．１１２．．２２ｍ ・・・のを之Ｐｋ愼域
ｔｉｎ！に域３１．，１１．，３１．の真下に形成され
、その空乏層領域を基板２１の＊徐〈まで延長で絆、そ
の結果諏４図〜Ｍ６図に示す構造のものに比べて一層分
解能の性能の低下スミア現象の発生を阻止できる。
本発明に係る固体撮曽装ｆ１１．Ｆｉ、上記実施例の如
くインターレーストランスファ方式の場合に限らず、２
イン・アドレス方式等でもよい。
くインターレーストランスファ方式の場合に限らず、２
イン・アドレス方式等でもよい。
以上詳述した如く本発明によれは、長ｒＨＬ長の光が入
射してもこれに起因する分解能の低下やスミア現象の発
生を阻止した高倍ｂ４性の一体撮像装置を提供で匙るも
のである。
射してもこれに起因する分解能の低下やスミア現象の発
生を阻止した高倍ｂ４性の一体撮像装置を提供で匙るも
のである。
第１図は従来のインターライン方式の一体撮像装置の平
１ｌｋＩ図、第２図、第３図は夫々諏１区のＡ−Ａｍ、
Ｂ−Ｂ趣に沿う拡大断面−１一番鴫拝本ｍ第１の発明の
１実施夕：ｊを示す固体撮像に皺の平向図、側５図、論
６図は夫々に４−のＡ−Ａｍ、Ｂ−Ｂ−に沿う拡大断面
−１ｋ７図及び紺８図は本ｍ細１の発明の他の実施例を
示す一体達健装・飯の断面ト、石９−及び謝１０図は、
本願Ｍ２の発明の１夾施例を示す一体撮像装置の１１′
ｒ面一である０ ２１・・・ｐ警手導体基板、２２１ ＊ Ｅｌｓ ｅ２
２１・・・第１半導体領域（ｎ戯領域）、２Ｓ・・・ｎ
勘の垂直りフトレジスタ （信号読出し手段）、２４・
・、・水平シフトレジスタ、１５１．２６鵞。 ２５、．３１ｍ、３１．．３１．・・・第２半導体拳域
（ｐ−領域）、ｚ６・・・チャネルストラプスｐ 領域
、２１・・・Ｓ１０．膜、２８・・・ゲート亀狐３０・
・・光シールド族、ｊ ：１１ ＠ Ｊ １＠ ｅ Ｊ
２Ｂ、・・第３半導体領域（ｎ″″型領域）０出願人
代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ｊ１！１図 第２図 第４１！Ｉ！
１ｌｋＩ図、第２図、第３図は夫々諏１区のＡ−Ａｍ、
Ｂ−Ｂ趣に沿う拡大断面−１一番鴫拝本ｍ第１の発明の
１実施夕：ｊを示す固体撮像に皺の平向図、側５図、論
６図は夫々に４−のＡ−Ａｍ、Ｂ−Ｂ−に沿う拡大断面
−１ｋ７図及び紺８図は本ｍ細１の発明の他の実施例を
示す一体達健装・飯の断面ト、石９−及び謝１０図は、
本願Ｍ２の発明の１夾施例を示す一体撮像装置の１１′
ｒ面一である０ ２１・・・ｐ警手導体基板、２２１ ＊ Ｅｌｓ ｅ２
２１・・・第１半導体領域（ｎ戯領域）、２Ｓ・・・ｎ
勘の垂直りフトレジスタ （信号読出し手段）、２４・
・、・水平シフトレジスタ、１５１．２６鵞。 ２５、．３１ｍ、３１．．３１．・・・第２半導体拳域
（ｐ−領域）、ｚ６・・・チャネルストラプスｐ 領域
、２１・・・Ｓ１０．膜、２８・・・ゲート亀狐３０・
・・光シールド族、ｊ ：１１ ＠ Ｊ １＠ ｅ Ｊ
２Ｂ、・・第３半導体領域（ｎ″″型領域）０出願人
代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ｊ１！１図 第２図 第４１！Ｉ！
Claims (2)
- （１）絽１導亀温の半導体基板と、この基板の表面に形
成された画素を構成する第２４電温の第１半導体領域と
、この第１半導体領域の少なくとも一部と創記恭板の一
部に同時に空乏領域を形成６．６ｔヶ、轟ヮよ１９．ゆ
よ領域で蓄積された電荷を備考として読み出す信号読出
し手段とを具備し、前記納１半都体領域の一部まｆｃは
全部に、外部より所望の電磁放射を施すことによ）０１
号電荷を扼生させ、前記空乏領域にその電磁放射の強度
に応した信号電荷を蓄積する栴遠の固体操儂装飯におい
て、少なくとも前記第１半導体領域の底部の一部を嶺う
ように前記基板より低鎖直の賑１導電淑の！２半導体領
域を形成したことを特徴とする一体操像装置。 - （２）第１導電製の半導体基板と、この基板の表面に形
成され良１ｌｉＩｉ木を検地する第２導亀にの＄１牛半
体領域と、との熟１牛尋体領域の少なくとも一部と前記
基板の一部に同時に空乏領域を形成させる電荷空乏化手
段と、前記空乏領域で蓄楓された１ｉＬ荷を信号として
読み出す信号読出し手段とを具備し、前記Ｔｈｌ半導体
領域の一部または全部に、外部より所望の１１＠放射を
施すことにより信号電荷を発生させ、前記空乏４ｔＡ域
にそのｔ銖放射の強良に応じた伯′号電荷を蓄積する桝
造の固体撮曹装象において、少なくと本前記第１半導体
領域の底部の一部を蝋うように前記ｊｋｌ半導体領域よ
り低ｒｓＪｉｉ：の錦２尋電皺の第３半導体領域を形成
したことを特徴とする一体偉像装亀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176910A JPS5879383A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176910A JPS5879383A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879383A true JPS5879383A (ja) | 1983-05-13 |
Family
ID=16021887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56176910A Pending JPS5879383A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62124771A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-06 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP56176910A patent/JPS5879383A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62124771A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-06 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
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