JPS6074475A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS6074475A JPS6074475A JP58181465A JP18146583A JPS6074475A JP S6074475 A JPS6074475 A JP S6074475A JP 58181465 A JP58181465 A JP 58181465A JP 18146583 A JP18146583 A JP 18146583A JP S6074475 A JPS6074475 A JP S6074475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- transfer
- type
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電荷転送素子がｆｌｌいらノ１２、受光によ
り得られる信号電荷が一定の方向に転送さＩｔで、撮像
１１３力信号が生ぜしめらフ］、るように構ｉ戊埒ノ′
１．左固体撮像素子に関する。
り得られる信号電荷が一定の方向に転送さＩｔで、撮像
１１３力信号が生ぜしめらフ］、るように構ｉ戊埒ノ′
１．左固体撮像素子に関する。
背景技術とその問題点
電荷結合素子（チャージ・カップルド・ディバイス、以
下ＣＣＤと呼ぶ）舌の１１Ｌ荷Ｉｌｖ、送、４・ミ子が
用いられて構成き、ｔ′した固体撮像素子には、大別し
て、フレーム転送型とインク−ライン転送）−りとがあ
り、夫々、その長所を有効に生かすべく使い分けらソ１
ている。
下ＣＣＤと呼ぶ）舌の１１Ｌ荷Ｉｌｖ、送、４・ミ子が
用いられて構成き、ｔ′した固体撮像素子には、大別し
て、フレーム転送型とインク−ライン転送）−りとがあ
り、夫々、その長所を有効に生かすべく使い分けらソ１
ている。
例えば、インターライン転送型ＣＣＩ）撮像７了の一例
は図面の第１図に示きれる如く、）１重樽体基体上に、
水平列及び垂ｉば列を形成して配さ才１．た複数の受：
）’ｅ素子部／と受光素子部／の垂ｉ（ｊ １１１１心
沿って配てれた複数列のＣＣＤｆｌ￥で形成σ）１．た
垂１ｉ！ｉ ｑｌ、＜送部氾とを含んで成る受光・垂１
１ゴ転送部３と、この受光・垂直転送部、？に結合きれ
た水平１匠送部夕と、出力部Ｓと奢備えて構成きれ、受
光・正直転送部３及び水平転送部グによって、受）℃に
より倍号電荷全発生するとともに得られた信号電荷全垂
直方向及び水平方向に転送−４−る活性領域が形成され
る。
は図面の第１図に示きれる如く、）１重樽体基体上に、
水平列及び垂ｉば列を形成して配さ才１．た複数の受：
）’ｅ素子部／と受光素子部／の垂ｉ（ｊ １１１１心
沿って配てれた複数列のＣＣＤｆｌ￥で形成σ）１．た
垂１ｉ！ｉ ｑｌ、＜送部氾とを含んで成る受光・垂１
１ゴ転送部３と、この受光・垂直転送部、？に結合きれ
た水平１匠送部夕と、出力部Ｓと奢備えて構成きれ、受
光・正直転送部３及び水平転送部グによって、受）℃に
より倍号電荷全発生するとともに得られた信号電荷全垂
直方向及び水平方向に転送−４−る活性領域が形成され
る。
斯かる撮像素子による撮像動作が行われる場合にば、垂
）α転送部ス及び水平転送部グに所定の垂直転送、駆動
信号及び水平転送駆動信号が夫々供給されて電荷転送動
作がなされる。その場合、例えば、／フレーム期間内の
受光により各受光素子部／に得らまた信号電荷が、垂直
転送部−に読み出はれ、これが垂直転送部ｉの電荷転送
動作により、各水平ブランキング期間ごとに順次水平転
送部りへ垂１１Ｔ転送きれていく。この水平転送部グに
は、信号電荷が受９′６累子部／の／水平列で得らノ１
．る信号電荷ごとに順次転送きれ、これが水平転送部グ
の電荷転送動作により、各水平映像期間に出力部３へ水
平転送きれていき、Ｉｌｊ力部ｋから撮像出力信号が得
られるのである。
）α転送部ス及び水平転送部グに所定の垂直転送、駆動
信号及び水平転送駆動信号が夫々供給されて電荷転送動
作がなされる。その場合、例えば、／フレーム期間内の
受光により各受光素子部／に得らまた信号電荷が、垂直
転送部−に読み出はれ、これが垂直転送部ｉの電荷転送
動作により、各水平ブランキング期間ごとに順次水平転
送部りへ垂１１Ｔ転送きれていく。この水平転送部グに
は、信号電荷が受９′６累子部／の／水平列で得らノ１
．る信号電荷ごとに順次転送きれ、これが水平転送部グ
の電荷転送動作により、各水平映像期間に出力部３へ水
平転送きれていき、Ｉｌｊ力部ｋから撮像出力信号が得
られるのである。
上述の撮像素子の受光・垂直転送部３は、より詳細には
、例えば、第λ図Ａに示される如く、受光素子部／の各
垂直列と各垂直転送部ｌとの間に読出ゲート部乙が形成
芒へ、各受光素子部／の周囲には、芒らに、チーヤンネ
ル・７．トソノぐ−７が形成きれている。寸た、チＶン
ネル・ストソノ々−７に隣接してオーバーフロー・ドレ
インｇが配σノ１２、このオーバーフロー・ドレインｇ
と隣りの垂直転送ｙｔ＋＋ 、２との間はチャンネル・
ストッパー９で１区別き汎でいる。芒らに、垂１ｒ■転
送部二」二には、絶縁層イ亡介して、水平方向に延びる
重置転送電極１０が垂直方向に順次配列きノ］、ている
。垂直転送部（１１ｉ１０は第１の電）ｌ夕φ／と第氾
の電極φ−とが父力に配きれて形１戊σれており、０１
．／の電極φ／及び第１の電極φ２は、夫々、蓄積部電
極φ／。及びφユ。と転送部電極（電位障壁電極）φ／
Ｌ及びφｙｔとて構成σ′ｉ１．ている。そして、垂１
に転送部記に於ける］電荷転送動作は、第１の電極φ／
及び第２の電極φａに、例えば、ス相の転送１駆動信号
が夫々供給芒九て、行われ、そのとき、蓄積部′電極φ
／。
、例えば、第λ図Ａに示される如く、受光素子部／の各
垂直列と各垂直転送部ｌとの間に読出ゲート部乙が形成
芒へ、各受光素子部／の周囲には、芒らに、チーヤンネ
ル・７．トソノぐ−７が形成きれている。寸た、チＶン
ネル・ストソノ々−７に隣接してオーバーフロー・ドレ
インｇが配σノ１２、このオーバーフロー・ドレインｇ
と隣りの垂直転送ｙｔ＋＋ 、２との間はチャンネル・
ストッパー９で１区別き汎でいる。芒らに、垂１ｒ■転
送部二」二には、絶縁層イ亡介して、水平方向に延びる
重置転送電極１０が垂直方向に順次配列きノ］、ている
。垂直転送部（１１ｉ１０は第１の電）ｌ夕φ／と第氾
の電極φ−とが父力に配きれて形１戊σれており、０１
．／の電極φ／及び第１の電極φ２は、夫々、蓄積部電
極φ／。及びφユ。と転送部電極（電位障壁電極）φ／
Ｌ及びφｙｔとて構成σ′ｉ１．ている。そして、垂１
に転送部記に於ける］電荷転送動作は、第１の電極φ／
及び第２の電極φａに、例えば、ス相の転送１駆動信号
が夫々供給芒九て、行われ、そのとき、蓄積部′電極φ
／。
及びφ２ｃの下方に垂直転送部ユに於ける蓄積領域が形
成式、ｆ７１、また、転送部電極φ／を及びφ２Ｌの下
方に垂直転送部スに於ける転送領域（電位障壁領域）が
形成きれるようにきれてお９、転送領域には、隣接する
蓄積領域よシミ位が浅く（低く）なって電イ〜γ障壁ケ
形成するため、例えば、イオン注入領１戊が設けらノ１
．る、あるいは、転送部電極φ／を及Ｕφ、２を下の絶
縁層の厚さが犬とさ、ｔする等の処理がなをハ、ている
。第２図１３は第ス図Ａの■１３−ＩＩ Ｂの断面を示
し、例えば、Ｐ形の半導体基体／／の一方の表面側に、
上述の受−）−素−了部／、垂直転送部ノ及びオーバー
フロー・トレインｇカＮ形半導体領域とＥ７て、寸り、
チャンネル・ストッパー７及び９が不純物濃度が高めら
れたＰ形用り導体領域として、夫々、−に記各部が形成
てれ、絶縁層７２ケ介して垂直転送電極７０ケ形成する
第１の市、極φノが配はれている。この例に、垂直転送
７［ｊ、極が読出ゲート電イ浜をも兼ねる」局舎であり
、読出ゲート部乙上にもこの第氾の電極φ） （詳細Ｖ
こは、その蓄積￥ＳＩＳ電極φコ。）が配きれている。
成式、ｆ７１、また、転送部電極φ／を及びφ２Ｌの下
方に垂直転送部スに於ける転送領域（電位障壁領域）が
形成きれるようにきれてお９、転送領域には、隣接する
蓄積領域よシミ位が浅く（低く）なって電イ〜γ障壁ケ
形成するため、例えば、イオン注入領１戊が設けらノ１
．る、あるいは、転送部電極φ／を及Ｕφ、２を下の絶
縁層の厚さが犬とさ、ｔする等の処理がなをハ、ている
。第２図１３は第ス図Ａの■１３−ＩＩ Ｂの断面を示
し、例えば、Ｐ形の半導体基体／／の一方の表面側に、
上述の受−）−素−了部／、垂直転送部ノ及びオーバー
フロー・トレインｇカＮ形半導体領域とＥ７て、寸り、
チャンネル・ストッパー７及び９が不純物濃度が高めら
れたＰ形用り導体領域として、夫々、−に記各部が形成
てれ、絶縁層７２ケ介して垂直転送電極７０ケ形成する
第１の市、極φノが配はれている。この例に、垂直転送
７［ｊ、極が読出ゲート電イ浜をも兼ねる」局舎であり
、読出ゲート部乙上にもこの第氾の電極φ） （詳細Ｖ
こは、その蓄積￥ＳＩＳ電極φコ。）が配きれている。
従来の斯かる固体撮像素子に於いては、Ｐ形の半導体基
体／／に形成てれた受光・垂直転送部３と水平転送部グ
とから成る活性領域の周囲に、活性領域を囲み、σらに
は、活性領域の受）Ｙ−・垂１１１転送部３と１１」ｉ
刃部Ｓとの間に延びる、Ｐ形の″１′カ体基体／／の不
純物濃度が高めらノ１．てイＰｔられる１７ξ１不純物
濃度ヶ有するＰ形半導体領域が形成＠ ；！１．１低い
電位をとるチャンネル・ストップ領域とてΣノ１５、活
性領域り（で発生した電荷（電子）が活性領域内に流入
しないようにされている。活性領域りｌて発生した電荷
が活性領（或内に流入すると、ン占竹領ｌ・表内で（１
％ら才１．る信号電荷に混入して転送きれ、出力部Ｓか
ら取り出される撮像出力信号中にノイズＩＪｋ分を生ぜ
しめる虞れがあるからである、。
体／／に形成てれた受光・垂直転送部３と水平転送部グ
とから成る活性領域の周囲に、活性領域を囲み、σらに
は、活性領域の受）Ｙ−・垂１１１転送部３と１１」ｉ
刃部Ｓとの間に延びる、Ｐ形の″１′カ体基体／／の不
純物濃度が高めらノ１．てイＰｔられる１７ξ１不純物
濃度ヶ有するＰ形半導体領域が形成＠ ；！１．１低い
電位をとるチャンネル・ストップ領域とてΣノ１５、活
性領域り（で発生した電荷（電子）が活性領域内に流入
しないようにされている。活性領域りｌて発生した電荷
が活性領（或内に流入すると、ン占竹領ｌ・表内で（１
％ら才１．る信号電荷に混入して転送きれ、出力部Ｓか
ら取り出される撮像出力信号中にノイズＩＪｋ分を生ぜ
しめる虞れがあるからである、。
しかしながら、」二連の如くに括ゼ１：′ＩＪ１１域の
周囲に形成ａ ′１１．るチャンネル・ストップ領域Ｕ
、その表面積が比軟重大になるものとはｔ′ｌ−１その
上１ｃ ）゛にが入射すると、入射光はチャンネル・ス
トップ領域から埒らには半導体基体に到達して＞’ｅ
’１．ｌＩ、変換により電荷を発生し、斯かる電荷は゛
１′導体基体中を拡１）りしていくが、その一部がＰ形
３１′導体基体からｌ内性領域に不要電荷として入るも
のとなって１〜寸う３、このようＬＣ２活性領域の周囲
のチャンネノ【・・ストツブ領域からの入射光にもとず
く光電変換により発生し、半導体基体から活１ツ１：、
領域に入る不要電荷は、活性領域内を信号電荷に混入し
て転送はれ、その結果、出力部りから取り出される撮像
出力信号中にノイズ成分を生せしめるという不都合を伴
うものとなる。
周囲に形成ａ ′１１．るチャンネル・ストップ領域Ｕ
、その表面積が比軟重大になるものとはｔ′ｌ−１その
上１ｃ ）゛にが入射すると、入射光はチャンネル・ス
トップ領域から埒らには半導体基体に到達して＞’ｅ
’１．ｌＩ、変換により電荷を発生し、斯かる電荷は゛
１′導体基体中を拡１）りしていくが、その一部がＰ形
３１′導体基体からｌ内性領域に不要電荷として入るも
のとなって１〜寸う３、このようＬＣ２活性領域の周囲
のチャンネノ【・・ストツブ領域からの入射光にもとず
く光電変換により発生し、半導体基体から活１ツ１：、
領域に入る不要電荷は、活性領域内を信号電荷に混入し
て転送はれ、その結果、出力部りから取り出される撮像
出力信号中にノイズ成分を生せしめるという不都合を伴
うものとなる。
発明の目的
斯かる点に鑑み本発明は、半導体基体上に、受光により
信号電荷を発生するとともに得られた信号電荷全所定の
方向に転送する活性領域が、その周囲にチャンネル・ス
トップ領域生伴って形ｈ＋ｉさね、る構成？有し、その
チャンネル・ストップ領域に入射する光にもとずく光電
変換により電荷が発生しても、斯かる電荷が半導体基体
中を拡散して活性領域に不要電荷として入っていくこと
を防−ｆ［−できるようにきれた固体彫像素子を提供す
ることケ目的とする。
信号電荷を発生するとともに得られた信号電荷全所定の
方向に転送する活性領域が、その周囲にチャンネル・ス
トップ領域生伴って形ｈ＋ｉさね、る構成？有し、その
チャンネル・ストップ領域に入射する光にもとずく光電
変換により電荷が発生しても、斯かる電荷が半導体基体
中を拡散して活性領域に不要電荷として入っていくこと
を防−ｆ［−できるようにきれた固体彫像素子を提供す
ることケ目的とする。
発明の概要
本発明に係る固体撮像素子は、第１の導電形、例えば、
Ｐ形の半導体基体上に、受光によシ信号電荷を発生する
とともに得られた信号電荷を所定の電荷転送方向をもっ
て転送する」：うにされた活性領域が、その周囲に第１
の導電形盆もつ第１及び第２の半導体領域を２重に伴っ
て配置さＩｌ、、第１及び第２の半導体領域の夫々の間
に、第１ Ｊ）導電形とは異なる第２の導電形、例えば
、Ｐ形の第、？の半導体領域及びこの第３の半導体領域
と同一の導電形をもち、第３の半導体領域」：り不純物
濃度が高い第ダの半導体領域が、夫々、第１及び第認の
半導体領域に沿って配てれて、こｔｔら第１゜第氾、第
、？及び第グの半導体領域がチーへ′ン坏ル・ストップ
領域を形１戊するように構成さノ９５、第３及び第グの
半導体領域にｆｌ−ｊ所定の電圧が印加てれろよう（Ｃ
なσ）上る。
Ｐ形の半導体基体上に、受光によシ信号電荷を発生する
とともに得られた信号電荷を所定の電荷転送方向をもっ
て転送する」：うにされた活性領域が、その周囲に第１
の導電形盆もつ第１及び第２の半導体領域を２重に伴っ
て配置さＩｌ、、第１及び第２の半導体領域の夫々の間
に、第１ Ｊ）導電形とは異なる第２の導電形、例えば
、Ｐ形の第、？の半導体領域及びこの第３の半導体領域
と同一の導電形をもち、第３の半導体領域」：り不純物
濃度が高い第ダの半導体領域が、夫々、第１及び第認の
半導体領域に沿って配てれて、こｔｔら第１゜第氾、第
、？及び第グの半導体領域がチーへ′ン坏ル・ストップ
領域を形１戊するように構成さノ９５、第３及び第グの
半導体領域にｆｌ−ｊ所定の電圧が印加てれろよう（Ｃ
なσ）上る。
このようにきれることにより、ン占性領域の周囲に形６
父σ汎るチャンネル・ストップ領域に人９．ｒ −ｒる
光にもとすく光電変換により電荷が発生しても、発生し
た電荷は、比）１反的旨い電位となる第３の半導体領域
に吸引され、芒らに、より高い電位となる第グの半導体
領域に集めらソ７．ること（Ｃなり従つて、半導体基体
中を拡散していくことが防市でれて、半導体基体から活
性領域へ流入することがほとんどないものとて）１．る
。
父σ汎るチャンネル・ストップ領域に人９．ｒ −ｒる
光にもとすく光電変換により電荷が発生しても、発生し
た電荷は、比）１反的旨い電位となる第３の半導体領域
に吸引され、芒らに、より高い電位となる第グの半導体
領域に集めらソ７．ること（Ｃなり従つて、半導体基体
中を拡散していくことが防市でれて、半導体基体から活
性領域へ流入することがほとんどないものとて）１．る
。
実 施 例
第３図は本発明に係る固体撮像素子の一例ケ示１゛ｏ
この例に於いては、例えばＰ形の半導体基体−」−に、
受光によシ信号電荷ケ発生するとともに得られた信号電
荷を所定の電荷転送方向孕もって転送するようにきれた
活性類１或ノ０が配置されている。この活性領域、、２
０は、第１図に示’ｇ、ａると同様の複数の受光素子部
／及び平面転送部、２を含んで成る受光・垂直転送部３
と、水平転送部ダとで形ＦＪｙ、ａ ；ｎ、ており、さ
らに、この活性領域、２０の水平転送１ｌｌｊグの−４
に接して、第１図に示芒７１．ると同様の出力部５が配
てれている。そして、活性領域、；２０は、その中の各
受光素子部／に於ける受光１（より信号電荷を発生して
、発生きれた言号電荷を垂直転送部氾によって水平転送
部ダへと垂直方向に転送し、芒らに、水平転送部ヶによ
り［１，を接する出力部Ｓへと水平方向に転送１−る。
この例に於いては、例えばＰ形の半導体基体−」−に、
受光によシ信号電荷ケ発生するとともに得られた信号電
荷を所定の電荷転送方向孕もって転送するようにきれた
活性類１或ノ０が配置されている。この活性領域、、２
０は、第１図に示’ｇ、ａると同様の複数の受光素子部
／及び平面転送部、２を含んで成る受光・垂直転送部３
と、水平転送部ダとで形ＦＪｙ、ａ ；ｎ、ており、さ
らに、この活性領域、２０の水平転送１ｌｌｊグの−４
に接して、第１図に示芒７１．ると同様の出力部５が配
てれている。そして、活性領域、；２０は、その中の各
受光素子部／に於ける受光１（より信号電荷を発生して
、発生きれた言号電荷を垂直転送部氾によって水平転送
部ダへと垂直方向に転送し、芒らに、水平転送部ヶによ
り［１，を接する出力部Ｓへと水平方向に転送１−る。
斯かる活性領域記０及び１」Ａ刃部にの周囲には、これ
らを隣接包囲する、例えば、■〕形の半導体早２体の不
純物濃度を高めて得られたＰ形゛」〈導体領域２／が形
成さノ′シ、芒らに、その夕日［１１１ケＰ形゛］′導
体領１戒」／との間に所定の間隔を伴って包囲ｒる、同
様に、Ｐ形の半導体基体の不純物＃度を高めて得られた
Ｐ形半導体領域ａａが形成式ノ１．でいる、。
らを隣接包囲する、例えば、■〕形の半導体早２体の不
純物濃度を高めて得られたＰ形゛」〈導体領域２／が形
成さノ′シ、芒らに、その夕日［１１１ケＰ形゛］′導
体領１戒」／との間に所定の間隔を伴って包囲ｒる、同
様に、Ｐ形の半導体基体の不純物＃度を高めて得られた
Ｐ形半導体領域ａａが形成式ノ１．でいる、。
即ち、活性領域、、２０及び出力部、Ｓ−ｆｉｌ： 、
旨不純物濃度ケ有したｉつのＰ形半導体領域λ／及びβ
−Ｖこよって氾重に包囲σれているのである１、そして
、Ｐ形半導体領域、、２／と、Ｉｌとの間にｄ、■）形
゛１′１体鎖域２２の内縁に隣接して一周する゛Ｉ′専
休基体と１″：ｉ異なる導゛ボ、形の半導体領域、この
曜１合には、Ｎ形半導体領域、、！３が、比較的太なる
面積をＳもって配きれ、孕らに、このＮ形半導体領域認
３の内縁及びＰ形半導体領域２／の外縁に隣１’、ｉ
Ｌで一周する、Ｎ形半導体領域、２３より不純物濃度が
高めらｆｌ、た高不純物濃度Ｎ形半導体領域（以−［・
、Ｎ１−形半導体領域という）、２４が配でノコ、てい
る。Ｎ１−形半導体領域、２／１．は、活性領域スθ及
び１３力部ｋを包囲して一周１゛るとともに、活性領域
２０の受光・正面転送部３ど出力部にとで挾１ノ１．た
部分にも延びるものときれている。
旨不純物濃度ケ有したｉつのＰ形半導体領域λ／及びβ
−Ｖこよって氾重に包囲σれているのである１、そして
、Ｐ形半導体領域、、２／と、Ｉｌとの間にｄ、■）形
゛１′１体鎖域２２の内縁に隣接して一周する゛Ｉ′専
休基体と１″：ｉ異なる導゛ボ、形の半導体領域、この
曜１合には、Ｎ形半導体領域、、！３が、比較的太なる
面積をＳもって配きれ、孕らに、このＮ形半導体領域認
３の内縁及びＰ形半導体領域２／の外縁に隣１’、ｉ
Ｌで一周する、Ｎ形半導体領域、２３より不純物濃度が
高めらｆｌ、た高不純物濃度Ｎ形半導体領域（以−［・
、Ｎ１−形半導体領域という）、２４が配でノコ、てい
る。Ｎ１−形半導体領域、２／１．は、活性領域スθ及
び１３力部ｋを包囲して一周１゛るとともに、活性領域
２０の受光・正面転送部３ど出力部にとで挾１ノ１．た
部分にも延びるものときれている。
第夕図Ａ、 １−ｊ 第、？図ノＩｌｌ Ａ−ＩＶ Ａ
ノ断面を示し、Ｐ形の半導体基体／／の一方の表面側
に、」二連の活性領域、、２０の外縁部に隣接して、−
に二連のＰ形仝ＩＬ導体領域−！／２反４−形半導体領
域氾グ、Ｎ形半導体領域２３及びＰ形半導体領域、２．
２が順次形成てれていることがわかる。
ノ断面を示し、Ｐ形の半導体基体／／の一方の表面側
に、」二連の活性領域、、２０の外縁部に隣接して、−
に二連のＰ形仝ＩＬ導体領域−！／２反４−形半導体領
域氾グ、Ｎ形半導体領域２３及びＰ形半導体領域、２．
２が順次形成てれていることがわかる。
このよう姥配さノ１−たＰ形半導体領域ｄｌ及び、２．
２．Ｎ形半導体領域ユ、？及びＮ十形半導体領ｊ・曳、
２／ｌ：は、全体として、活性領域ａθに対するチャン
ネル・ストップ領域を形成してｋす、Ｎ形崖樽体領域２
３及びＮ１形半導体領域、、２ケは、動作時には所定の
電Ｉ：Ｅが印加さ：ｔ１．るようにな芒れている。
２．Ｎ形半導体領域ユ、？及びＮ十形半導体領ｊ・曳、
２／ｌ：は、全体として、活性領域ａθに対するチャン
ネル・ストップ領域を形成してｋす、Ｎ形崖樽体領域２
３及びＮ１形半導体領域、、２ケは、動作時には所定の
電Ｉ：Ｅが印加さ：ｔ１．るようにな芒れている。
このため、動作時に於いては、チャンネル・ストップ領
域を形成する各領域２／、、２．２．．１．３及び、２
／ｌ−の電位は、第９図１３にて、第ケ図Ａに関連させ
、−］：た、縦軸に電位■を下方に行く程大走して示す
如く、活性領域２０に接して最内端部に位置するＰ形半
導体領域、２／及び最外瑞部に位置−「るＰ形半導体領
域、２．２の電位力稍股も低く、Ｎ形半導体領域２３の
電ｆ）／はＰ形半導体領１・ｉｌｊ、２／及びｄｌの電
位より高り、ＫＦ形半導体領域２ｔ／、の電位し」、さ
らに高くなるものＬさノ１．る３、 こノ１．により、Ｐ形′″１を導体領域ユ／にｊ：゛つ
て、ン占性領域、、！０に対するｉｉ′ｌＴ接的なヂＡ
・ンネル・ストップ作用がな式ハ２、萱た、ｊυｉかる
チャンネル・ストップ領域ケ形成する各領域、２／、：
ｌ：、１．、）、３及びｄヶに光が入射し、人躬元が各
領１戎、！／、！認。
域を形成する各領域２／、、２．２．．１．３及び、２
／ｌ−の電位は、第９図１３にて、第ケ図Ａに関連させ
、−］：た、縦軸に電位■を下方に行く程大走して示す
如く、活性領域２０に接して最内端部に位置するＰ形半
導体領域、２／及び最外瑞部に位置−「るＰ形半導体領
域、２．２の電位力稍股も低く、Ｎ形半導体領域２３の
電ｆ）／はＰ形半導体領１・ｉｌｊ、２／及びｄｌの電
位より高り、ＫＦ形半導体領域２ｔ／、の電位し」、さ
らに高くなるものＬさノ１．る３、 こノ１．により、Ｐ形′″１を導体領域ユ／にｊ：゛つ
て、ン占性領域、、！０に対するｉｉ′ｌＴ接的なヂＡ
・ンネル・ストップ作用がな式ハ２、萱た、ｊυｉかる
チャンネル・ストップ領域ケ形成する各領域、２／、：
ｌ：、１．、）、３及びｄヶに光が入射し、人躬元が各
領１戎、！／、！認。
２３及び、２夕からさら１（は■）形の半導体基体に３
Ｈ１１達して元′セ変換により電荷（重任）欠発生せし
めた場合には、斯かる？（ｉ、荷は、比イ１９的人なる
表ｊｒｉｉ に’ｉをもって広がる電位が高いＮ形２Ｆ
導体領１或」３しこ効果的に吸引さ））１、さらに、よ
り高い′ｆｆ、 Ｉｊ、７忙イ）つＮ１形半導体領域、
２ Ｚ ＋／ｉｍ集めらＩ’して、■〕形の゛ｌ′ｊ、
’７：休基体／／中を体散（７ていくことがなく、従っ
て、各領域：、ｌ／、２２．、、！３及び２７１からの
入射−ン“（、によシ発生せしめられた電荷（電子〕が
、Ｐ形のＡｔ／。
Ｈ１１達して元′セ変換により電荷（重任）欠発生せし
めた場合には、斯かる？（ｉ、荷は、比イ１９的人なる
表ｊｒｉｉ に’ｉをもって広がる電位が高いＮ形２Ｆ
導体領１或」３しこ効果的に吸引さ））１、さらに、よ
り高い′ｆｆ、 Ｉｊ、７忙イ）つＮ１形半導体領域、
２ Ｚ ＋／ｉｍ集めらＩ’して、■〕形の゛ｌ′ｊ、
’７：休基体／／中を体散（７ていくことがなく、従っ
て、各領域：、ｌ／、２２．、、！３及び２７１からの
入射−ン“（、によシ発生せしめられた電荷（電子〕が
、Ｐ形のＡｔ／。
導体基体から活性領域、２０に不要電子として入ること
が防１Ｊｌ−きノコ、ることＣでなる。
が防１Ｊｌ−きノコ、ることＣでなる。
なお、不発ｆ４Ｊｌ］に係る固体撮像素子は、その半導
体及び各部分や半導体領域のｊ？ ？ｌＪ形が上述の例
に１ｊｉｉ％らハ、るものではない。
体及び各部分や半導体領域のｊ？ ？ｌＪ形が上述の例
に１ｊｉｉ％らハ、るものではない。
発明の効果
以上の説明力・ら明らかな如く、本発明に係る固体撮像
素子によれば、活性領域の周囲に形成σれたチャンネル
・ストップ領域に光が入射することによシ発生する′ｍ
荷か、半導体基体中足拡散していき活性領域に不要電荷
として入り込むことが防１トキノしるので、チャンネル
・ストソゲ領域への入射光による電荷が信号電荷に９；
１シて影響を及ぼ芒ないようにできることになり、常に
、ノイズ成分の少なる良ψＩな撮像ｌ”−１」力信号を
得ることができる。
素子によれば、活性領域の周囲に形成σれたチャンネル
・ストップ領域に光が入射することによシ発生する′ｍ
荷か、半導体基体中足拡散していき活性領域に不要電荷
として入り込むことが防１トキノしるので、チャンネル
・ストソゲ領域への入射光による電荷が信号電荷に９；
１シて影響を及ぼ芒ないようにできることになり、常に
、ノイズ成分の少なる良ψＩな撮像ｌ”−１」力信号を
得ることができる。
そ（−で、活性領域の周囲に配σ）またチャンネル・ス
トップ領域への入射光による電荷の半導体基体中の拡散
防１１−．孕すべく、斯かる電荷を集中せしめるにあた
り、チャンネル・ストップ領域中に、比較的太なる面積
をもって広がる、半導体基体とは異なる導１．ＴＶ、形
をもつ半導体領域と、それに隣接する、半導体基体とは
異なる導電１形をもつ、冒３イ・鈍物濃度の半導体領域
とが配式７’Ｌるので、チャンネル・ストップ領域への
入射光による電荷がこれら゛１′導体領域に極めて効果
的に吸引及び集中ぜし７め［゛っ）１７、半導体基体中
の拡散防１Ｆが僅実ｉｌこなσハ、る１、
トップ領域への入射光による電荷の半導体基体中の拡散
防１１−．孕すべく、斯かる電荷を集中せしめるにあた
り、チャンネル・ストップ領域中に、比較的太なる面積
をもって広がる、半導体基体とは異なる導１．ＴＶ、形
をもつ半導体領域と、それに隣接する、半導体基体とは
異なる導電１形をもつ、冒３イ・鈍物濃度の半導体領域
とが配式７’Ｌるので、チャンネル・ストップ領域への
入射光による電荷がこれら゛１′導体領域に極めて効果
的に吸引及び集中ぜし７め［゛っ）１７、半導体基体中
の拡散防１Ｆが僅実ｉｌこなσハ、る１、
第１図はインクルライン転送型ＣＣ１つイ１（Ｆｉ像木
了の一例全示す槻略構Ｉ＆１ツ］、第ｄ図Ａに第１図に
ろ−くσ′Ｉ″ｌ、る撮像素子の１＜１〜分を示す部分
拡大図、」、４図１３（１第１図ＡのＩｆ Ｂ−Ｉｆ
Ｂ ＩｔＣ於ける断面図、第３１ツ１に本発明νこ係る
固体撮像素子の−ｆ＋１．ｌ ’ｒ示す１１！’Ｊ略構
らｙ図、第グ図Ａは第３図のＩＶ Ａ−１〜ｊΔに於り
イ）断面図、第グじ１１３は第３図に水式２９．る例の
！ｍｌ、’Ｉ ｌ’＋の弱、明に供さノしる図である。 図中、３（」受う℃・重ｉ！″Ｔ転送部、１１．（弓水
平１１す、送部、汐は１／１力部、／／はＰ形の４半〕
、り体フ１（体、ソθ何ｌ占性領域５．２／及び２．２
はＰ形、′１′１体鎖１・題１．；；３６２Ｎ形半導体
領域１．２りはＮ形−′４ＬＨ，ｖ、体領域である３゜
代理人 弁理士 神原１気昭、′、。
了の一例全示す槻略構Ｉ＆１ツ］、第ｄ図Ａに第１図に
ろ−くσ′Ｉ″ｌ、る撮像素子の１＜１〜分を示す部分
拡大図、」、４図１３（１第１図ＡのＩｆ Ｂ−Ｉｆ
Ｂ ＩｔＣ於ける断面図、第３１ツ１に本発明νこ係る
固体撮像素子の−ｆ＋１．ｌ ’ｒ示す１１！’Ｊ略構
らｙ図、第グ図Ａは第３図のＩＶ Ａ−１〜ｊΔに於り
イ）断面図、第グじ１１３は第３図に水式２９．る例の
！ｍｌ、’Ｉ ｌ’＋の弱、明に供さノしる図である。 図中、３（」受う℃・重ｉ！″Ｔ転送部、１１．（弓水
平１１す、送部、汐は１／１力部、／／はＰ形の４半〕
、り体フ１（体、ソθ何ｌ占性領域５．２／及び２．２
はＰ形、′１′１体鎖１・題１．；；３６２Ｎ形半導体
領域１．２りはＮ形−′４ＬＨ，ｖ、体領域である３゜
代理人 弁理士 神原１気昭、′、。
Claims (1)
- 第１の導電形の半導体基体上に、受光により信号電荷を
発生するとともに得らｉｔた信号電荷を所定の電荷転送
方向をもって転送するようにを′Ｉ］、た活性領域が、
その周囲に第１の導電形孕もつ第１及び第一の半導体領
域を２重に伴って配置きれ、上記第１及び第一の半導体
領域の夫々の間に、第１の導電形とは異なる第一の導電
形をもつ第３の半導体領域及び該第３の半導体領域よシ
ネ鈍物濃度が高い第一の導電形をもつ第グの半導体領域
が、夫々、」二記第１及び第一の半導体領域に沿って配
ざノ１．て、上記第１．第ａ、第３及び第グの半導体領
域によりチャンネル・ストップ領域が形成さｔ″Ｌ、上
記第３及び第グの半導体領域には所定の電圧が印加てれ
るようにな式７″１．た固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181465A JPS6074475A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181465A JPS6074475A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074475A true JPS6074475A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH0527271B2 JPH0527271B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=16101226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181465A Granted JPS6074475A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074475A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62156858A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JPS63110668A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP2007173390A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Fujifilm Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632776A (en) * | 1979-08-23 | 1981-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Ccd image sensor |
| JPS574162A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Sony Corp | Manufacture of charge transfer device |
| JPS5726971A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Solidstate image sensor |
-
1983
- 1983-09-29 JP JP58181465A patent/JPS6074475A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632776A (en) * | 1979-08-23 | 1981-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Ccd image sensor |
| JPS574162A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Sony Corp | Manufacture of charge transfer device |
| JPS5726971A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Solidstate image sensor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62156858A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-11 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JPS63110668A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP2007173390A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Fujifilm Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527271B2 (ja) | 1993-04-20 |
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