JPS5880945A - 光信号検出回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は信号の検出回路に係り、待に４繭蓄績形ホトダ
イオードあるいはホトセンサの値少・ば号の検出に通過
な検出回路＆ｌｌする。ざらに詳しくは、ホトセンサの
微少な等価＃電谷瀘（以下コンデンサとい５）に蓄積さ
れ九砿少１１Ｅ荷偵号ｔ、出カラインに付加される大容
量コンデンサの−に無関係に、低雑音で低歪の大きな出
力ｉ１ｇ号として検出する上、回路４１１成が極めて一
率で、検出４藏の適い横出回路を提供する。

従来用いられていた検出回路、檜に光検出１ｇ回路の一
例４ｔ４１−に示す。ｌおよび２はスイッチ素子（以下
スイッチと１５）、３紘前記電荷蓄積形ホトセンサ（以
Ｆホトセンサ、センサあるいはホトダイオードという）
、４は該センサ３と該スイ、チｌｔ−結ぶ配線、５ｒｉ
該スイ、チ１と該スイッチ２を結ぶ出力ライン、６は出
力端子、７は該センサ３を光電−するための電圧源、５
０は負荷コンデンサである。誦２図、第３図は該センサ
３の等価回路である０両図、・ζおいて３１は等価ダイ
オード（以下ダイオードとい５）、３２は等ｍ接合コン
デンサ（以下コンデンサとい５）、３３＃ｉ等価抵抗素
子（以下抵抗という）、３４は等通電流源である。以下
、ばセンサ３を説明する時は第２図の等価回路を用いる
。なお線抵抗３３は光強度に応じ、その抵抗値が変化す
る。Ｊｉｌｐち、光ｔｉ度が債い場合、抵抗値が小さく
、光強度が−い場合、抵抗値は大きい。を先光ｖａＭが
ない場合、抵抗値は４常はば無限大と兎なせる４１度に
大きい。第４１は砿センサ３に第２図を用いて示した第
１図の等価回路である。なお同図において第１図、第２
図と同−一号のＡ子は墓１図、第２図の１子と同一であ
る。４１社畝線線４の等価コンデンサである。

５ｉｒｉ該出カライン５の等価コンデンサで、構造上棚
めて大きな容量値を持つ楊會がしばしばある。

第５図は該スイッチ１，２の開閉のタイミングと出力信
号波形のタイミングである。１１および１２はそれぞれ
該スイッチｌお工び２に対応し、１１ＪＦ）るい１ｉ１
２が高レベルで示されている期間および低レベルで示さ
れている期間はスイッチがそれぞれ閉じている期間およ
び開いている期間に対応している０次に第４ｇ、纂ｓ図
を用いて、不検出回路の動作を説明する。なお本検出回
路の動作期間中鎖センサ３へは常時光照射があり、ｄ抵
抗３３の抵抗値はあるａ限の値であるとする。今すセッ
ト期閾１４では該スイッチ２１よ閉じているから、該コ
ンデンサ５０．５１は短絡式れ、蓄積されてい走電＃紘
放電する。疵って、端子６の出力信号は１３に示すｊ５
に接地レベルにセットされる。一方、鍍スイ、チｌも閑
Ｃているから、級コンデンサ３２は充１１Ｌされ、端子
３５は接地レベルに、４子３６．１ｇ電圧源７の電圧ン
ベルＥポルト（ここでは８〉Ｏと仮定する）にそれぞれ
セットされる０次に鍍スイ、チ１，２が共に開いている
蓄積期間１５では、鋏コンデンサ３２に充電された電荷
は抵抗３３を介し放電する。その結果、−紀Ｊ１８１４
１４で接地レベルにセットされた端子３５の電位は徐々
に上昇し、ｌ！に近ずく、今該蓄Ｈ１ｔ＠間１５の１＆
終時点で、線端子３５の電位がＶポルトに道したとする
【Ｖ≦ｇ）。同時に該期間１５で皺コンデンサ４１紘充
電される。次に検出期間１６でスイッチ１のみが閉じる
から、該コンデンサ３２，４１，５０．ｉ５１の間で電
荷の再分布が生じ、１３に示すように、端子６の電位は
接地ンベルよりわずかに上昇する。Ｍｐち、該上昇分が
本検出１１！ｌ路の出力信号となる。以上鉄剤間１４゜
１５．１６が信号検出の一屑期で、以後これを繰り憩え
ずことにより順次信号検出が行なわれる。

４１図の回路において、咳出カライン５は通常−めて擾
い丸め、その等価コンデンサ５１も５００ｐＩｌ〜１０
００９Ｆとい、た極めて大きな値となる場合が多い、こ
のため負Ｊｉ：１ンデ／す５０を別、ｊ！１偵統する必
要もなく、該コンデンサ５１のみで負荷コンデンサと見
なせる。これより、該従来の検出回路を以下で唸コンデ
ンサ形検出回路と呼ぶ、今、−例として、前記コンデン
サ３２，４１，５０゜５１０容量値をそれぞれα２９Ｆ
　、　４．８９？　、　４９９．８ｐｉ？。

弱を１０ポルＦとし、蓄積期間１５で端子３５の電位Ｖ
が１．５ボルトであったとすれば、出力１Ｊ号は約１７
ｍＶとなり、約ｉ／１００Ｋ減少する。なお鋏コンデン
サ５１の容量値線Ｉ１１紀谷童憾よりさらに大きな値と
なることがしばしばある。この場合、出力信号はさらに
小さくなる。従来の＝ンデ／す形検出回路の最大の欠点
線、出力ライン５０等価コンデンサ５１が樹めて大きい
ために、出力信号が前記のように極めて小さくなること
である。ま九前記スイ、チ１，２は通常ＦＪ！ｉＴ等が
用いられるので、出力信号に７４−トスルーが１畳する
上。

大きなスイッチング雑音が混入する。このためダイナミ
ックレンジが憔めて低下する。さらに出力信号が橋めて
小さいから、出力端子６と壇−回路をバッファー路を介
して接続し、イぎ号のＪｗ＠を１ゴな５必要がある。こ
の丸め、回路の繁雑化、高消費電力化、低８７Ｎ化等極
めて不都合な結果を生ずる。

従来用いられていた検出回路の他の例を第６図に示す。

この回路は負荷として抵抗素子２１を用いているので、
ここでは抵抗形検出回路と呼ぶ。

同図においで、各要素がｉ＠１図、＠２図の各素子と同
一のものは同−一号で示されている。なお該センナ３０
等価回路として第２図を用いるものとする。４７図の２
２は第６図のスイッチｌの開閉金示すタイミングと第６
図の端子６より得られる信号波形の一例を示したもので
ある。なお第５図と同様、ｓ７図の２２が高レベルの期
間および低レベルの期間はそれぞれスイッチ１７ｂＸｊ
％１５じている期間および開いている期間に対応する０
次に第６図、４７図を用いＣ１従米の抵抗形検出回路の
動作をａｉ！明する。な詔―作条件は第４図と同一であ
るとする。今期間２４の最終状耀で端子３５が接地Ｖベ
ルｖｃ設定されているものとする。蓄積Ａｌ１間２５で
該スイッチｌが−くと、該＝ンデンｔ　３２に蓄積され
た電傭は光照射され低抗値がある育成の値を持った抵抗
３３を介し放電する。その結果、前記期間２４で接地レ
ベルにありた端子３５の１圧は徐々に上昇し、Ｂに近す
いてゆく、今ＪＩｉ棟期間２５の最終時点で該端子３５
の電位がＶポルトに達したとする（Ｖ＜Ｅ）。次に検出
期間２６でスイッチｌが閉じると、端子６の電位は、２
３に示す１５に、まず豊地レベルから上昇し、ピーク値
に達し、次に減少して、Ｉ＆後には再び接地レベルに戻
る。従、て、鋏期間中、該コ／デンサ３２は再び充電さ
れる１以上が１＋！号検出の一周期Ｃ１以後蓄積、検出
期間を繰り返えすことｆこより、次々、と信号を検出す
る。今、−例として、ばコンデンサ３２，４１，５１の
静電容量値がそれそル０．２ｐＦ　、　４．８ｐＰ　、
　５００ｐＰ　トＬｒ、ｄ　Ｖ　Ｓ　１．５　ボルトで
めったとする。この時の出力１ｔ＠２３のピーク値はた
かだか約１７ｍＶに過ぎない。これは、濤述し九従来の
コンデンサ＄検出回路と同様、Ｖが大きな値となるにも
かかわらず、読み出される１ｄ号は機めて小さいという
重大な欠点を生ずる。礒スイッチ素子１が例えばＰＩｉ
Ｔの場合９期間２６に現われる出力信号は、該スイッチ
ｌを閉じる時に生ずるスイッチング雑音が重畳される。

また該スイッチを−く時、期間２５の最初の部分に見ら
れるように、出力信号２３に負方向（同図では下方向）
のスイッチング雑音が生ずる。このようＫ。

砿少価号出力に対して大きなスイッチング雑音が存在す
るから、ダイナ１．クレンジ、８／Ｎが非常に小さくな
る０本回路の他の欠点線回路の時定数が大きい丸め信号
の疏み出し適度が遅くなることである。従って信号を検
出期間内で完全に読み出すことが不可能となる（不完全
魂み出し）。即ち、咲出期間２６で端子６の゛４位が接
地レベルに戻らない伏線が生ずる。さらに、出力信号が
微少な上、波形２３で示すように出力信号がホールドさ
れない丸め、出力信号のホールドと増幅を必−要とする
。このため、バ、ツア回路、８／Ｈ回路あるいは積分１
ｇｌ路、増幅回路を付加する必要が生じるから、回路の
複雑化、消費電力の増大、雑音のｍ加など重大／よ欠点
が生じる。

本発明の目的は上記従来の検出回路の問題点を一挙に解
決せしめ、出力ラインの極めて大きな郷価コンデンサの
影響を全く除去し、大きな出刃が得らｎ、読み出しスピ
ードが逮い上、８／Ｎおよびダイナミックレンジが太き
（、構成が極めて簡単な検出回路を提供することにある
。

本発明によれば少な（てもホトダイオード、４１のスイ
ッチ素子、第２のスイッチ素子、パ、ファ回路を備えて
おり、鋏ホトダイオードと４４１のスイッチ素子が該バ
、ファ回路を介して接続され、さらに、腋ホトダイオー
ドと砿バ、ファ回路との接続点が第２のスイッチ素子を
介して基ＩＩＩ電圧＃（＠えば、！ｉ！瑞レベル）と接
続されているユニットを備え、該ユニットのホトダイオ
ード−の端子が電圧源にＩＩ！：続され、該ユニ、トの
＃＃！ｌのスイッチ側の端子が配４１静’４　＄　ｔを
言む出力ラインに接続されている光信号検出回路が僧ら
ＴＬる。東に複式１ｉＩ！の前記ユニ、トを備え、各砿
ユニットのホトダイオード側の端子を互いに接ｄしｄ−
積点と′−電圧源結線し、各該ユニ、トの第１のスイッ
チ側の端子を互いに接続し、Ｉｉ＊接疏点が配ｍ＃電容
量を含む出力ラインに接続されている光４８号検出回路
が得られる。またｍ個（ｍ”正整数）の前記ユニットで
構成さルるプロ、夕がｎ個（ｎ”正整数）と第一番目の
スイッチ素子、第二着目のスイッチ系子、・・・Ｍｎ４
目のスイッチ素子の合計ｎ−のスイッチ素子とを備え、
該一番目のプｐ、りに属する各ユニット内の第１のスイ
ッチ素子側の端子を互いに接続し、咳接続点と該第一番
目のスイッチ系子の一方の端子を結線し、第二番目のグ
ｐ、りに属する各ユニット内の第１のスイッチ素子側の
端子を互いに接続し、該接続点と該第二番目のスイッチ
素子の一方の端子を結線し、第ｎ番目のプロ、りＫ１４
する各ユニット内の絡１のスイ、チ累子側の端子を互い
に接続し、＃接続点と該第ｎ番目のスイッチ素子の一方
の端子を結線し、該第−４１、第ニー・目、・−第ｎ着
目のスイッチ素子の他方の躍子互いに嫉統し、該接続点
が出力ラインに接続され、級各ユニ、トのホトダイオー
ド側の端子を互いに接続し＃接続点と電圧源が接続され
ている光信号検出回路が得られる。

以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。

＃１８図に本発明の第１実施例τ示す、３は嶋荷蓄積形
ホトセンセｃ以下、センナ、ホトセンサ、あるいはホト
ダイオードという）、５は出力ライン、５１は出力ライ
ン５の等価コンデンサ（ｍめて大きな静電容量を存す）
、６は出力端子、７は電圧値Ｂボルトの電圧源、３１，
３２．３３はそれぞれ該ホトダイオード３の等価ダイオ
ード、等価コンデンサ、等価抵抗素子である。以上の谷
累子は第１図、第２図、Ｋ３図、第４図、あるいは第６
図に示した素子のうち、同−査号の各素子と同一である
。３５，３６．３７，３８．３９は端子、６１は配線、
６２は該配線６１０咎価コンデンサである。６３はスイ
ッチ素子で、緘スイ、チ素子を閉じることにより、虐子
３７の４位τ盾卓電圧源に接続する。ここモは該連単（
圧減を一例として接地レベルとする。６４はスイッチ系
子、６５．６６はバ、ファ回路、６７は端子、１００は
３．６１．．６２，６３，６４．６５および端子３５．
３６，３７．３８．３９より成るユニットである。６６
はバッファ回路である。第９図に、第８図に、ドした該
スイッチ＠３，６４の開閉のタイミングと端子３５．６
の電位変化の一例を示す。

７１はスイッチ素子６３に、７２はスイッチ素子６４に
対応し、７１および７２が高レベル右よび低レベルで示
されている期間はそれぞれ対応するシスイ、チ素子が閉
あるいは閉の状態を示している。７３および７４はそれ
ぞれ端子３５　（３７）および６　（３９）の電位変化
である。

次に第８図、第９図を用いて本発明の第１実施例の動作
を説明する。な詔、従来の検出回路の説明と同様、演ホ
トダイオード３には常時、光が照射されて１す、該抵抗
素子３３はある有限の抵抗−をｉしているものとする。

また該電圧源７の電位Ｂは零ポルＦ以上の電圧値と仮定
する。リセ。

トー関７５ｔ″スイッチ素子６３が閉じると、端子３５
．３６は７３に示す、ように接地レベルとなる。

従って、該コンデンサ３２は電圧Ｅボルトまで充電され
、コンデンサ６２は放電する。次の期間７６ではスイッ
チ６３は開いているから、該コンデンサ３２は、スイ、
チロ３が再び１１じるまで、抵抗素子３３を介し、遂次
放電する。従って、端子３５．３７の電位Ｖ　（ｔ）は
７３に示すように逐次変化（この場合、上昇）する。但
しｔはＩＪｌ闇である。この時端子３５の電位車重に伴
Ｉｉい、コンデンサ６２は端子３５の電位Ｖ（ｔ）まで
逐次光電ざ４Ｌル、　ｆ！＊、ハｙファ回路６５の人力
インピーダンスはｍ成文、出力インピーダンスは零、増
幅率ｔムとすれば端子３８の電位波１ｃｒｃＡ　−Ｖｔ
ｔ）で与えられる。次に検出期間７７でスイ、チロ４が
閉じると、７７に示すようＫｍコンデンサ５１ｉ、ｊＡ
・ｖ（１）まで逐次充電される０吋該Ｔ″′ｃ俵スイ、
チロ４が開いても、該コンデンサ５１はＡ−Ｖ（Ｔ）ま
了充電されており、以後これをホールドするから、端子
６より得られる出力ＩＩ！号、は、スイッチ６４がＨび
閉じるまでｄＡ−Ｖ（Ｔ）を保持する０以上、該スイッ
チ６３が閉じて、砿ホトダイオード３ｔリセ、トシ丸後
、再び該スイ、チロ３が１じるまでの期間７８を一周期
として、これを順次繰り返えすことにより、順次信号の
検出が行なわれる。

今該コンデンサ３２．６２の静電啓量をそれぞし０．２
ｐＰ　、　４８ｐＰ　トＬ　Ｖ（Ｔ）カＩ　Ｖ　タげ変
化Ｌｌとする。該バッファのゲインＡが１とすれば、端
子６より得られる出力信号ム・Ｖ（Ｔ）はＩＶとなる。

咳ゲインＡをさらに大きくすれば、該出力信号もさらに
大きくなる。この値は従来の検出回路の出力に比べ、極
めて大きな値である。さらに、従来のコンデンサ形ある
いは抵抗形検出回路が出力ライン５のコンデンサ５１が
大きい丸めに、出力信号が微少であったのに対し、本発
明では該コンデンサ５１の静電容量値に全く無関係であ
る。縛ち。

バ、ファ回路６５を介すことにより、出力信号の値はＩ
Ｊｌ、：＝ンデンサ５１の静電容量値と全く独立に、か
つ大きな値に任意に設定することが可誼である。

さらに従来の抵抗形検出回路の欠点、即ち、読み出し速
度が遅い、ということも本発明は解消する。

第１Ｏ図Ｇ本発明の第２実施例を示す。本実廊例は第８
図に示したユニｙ）１００ｔ−複ａ個に拡蛍し、アレイ
化している。第１０図Ｋｍいて１１０゜１２０．１３０
は前記ユニ、）Ｚｏｏと同一構成のユニッシで、それぞ
れ１番目のユニ、）、ｆｉ１目のユニ、ト、を番目のユ
ニｙ）（、ｆ’＝１，２．−Ｌ：Ｌｄ正整数）である、
なお第１Ｏ図の構成要素は第８図の同一番号の構成要素
と同一である。第１１図は第１０図の各スイッチ素子の
開閉状態と各端子の電位波形の一例を示したものである
。

１１１と１１２は該ユニ、）１１０のスイッチ素子６３
と６４に、１２１と１２２はユニ、ト索子１２０のスイ
ッチ素子６３と６４１Ｃ，１３１と１３２はユニ、　）
　１３００スイ、チ素子６３と６４に、それぞれ対応し
、これらが高レベルあるいは低レベルの期間がそれぞれ
対応するスイッチ素子が閉あるい酸量の期間に相当する
。１１３紘工”ｙ）１１０　の端子３５の電位波形を一
例として示したものであり、他の二品、トにおける端子
３５の電位波形も、電位レベルと時間的タイ４ンダプ異
るだ１すで１１３と同様な波形を示す、なお本実施例の
動作はｓ１実＾例（第８図）と基本的には・同様である
から。

詳績な説明は省略する。ただし各ユニ、　）　１１０゜
１２０．１３０のスイッチ素子６３と６４は、それぞれ
１１１と１１２　、１２１と１２２　、１３１と１３２
　Ｋ示したようＫ、一定周期でかつ亙いに規則正しく時
間的間隔をおいて開閉する。即ち、各ユニ、ト１１０．
１２０，１３０　　のホトダイオードを順次読み出す走
置方式であり、異なる複数個のホトダイオードを同時１
１Ｃａみ出すこと社ない、−例として、端子６より得ら
れる出力信号波形を１４０に示す０期間１４１，１４２
．−１４１の出力信号はそれぞれ二ニツ）　１１０，１
２０．−・１３０から銑み出される信号である。

第１２図に本発明の第３１１施例を示す０本実施例は第
１０図に示した実施例をさらに拡大し九ものである。４
ち、ｍ個（ｗａｘ　２　、３−Ｍ　；　Ｍ＝正！１蚊）
の前記易二ｙ　）　１００を１グー、夕とし、さらに腋
ブー、夕をｍ　ＩＩ（跪＝２．Ｂ、−Ｎ；Ｎ＝正座数）
設げ丸構成である。　ｚｏｊ、ｇｔｏ、ｚｚｏ　は該各
グー、りに対応したスイッチ素子で合計ｎ個設けられて
いる。　！０１．！＠２は第８図のユニ、ト１ＧＯＫ対
応し１合計醜個設けられ、＃スイ、チ嵩子２００に対応
している。以下同様にｍ　１ｉａｉのユニノ）　２１１
，２１２はユニ、　）　１０Ｇと同一構成で、スイ、チ
２１０に、１個のユニｙ　）　２２１，２２２はユニ。

ト１００と同一構成で、スイッチ素子２２０にそれぞれ
対応する。なお、ユニ、　）　２０２，２１１，２１２
゜２２１．２２２０詳細な回路構成はユニ、　）　１０
０と同一であるから、ここでは省かれて書ｌＪ）れてい
る。

第１２図の他の構成要素は第８図の同−ｉ号の構成要素
と同一である。第１３凶は％１２図の各スイッチの開閉
状態のタイミングを示した一例であり、各波形の高レベ
ルおよび低レベルｃｏ　４Ｉｌ＆ｔｌがそれぞれ対応す
るスイッチ素子が閉あるいは開の期間に相当する。３０
０，３１０，３２０はそれぞれ該スイッチ素子２００，
２１０，２２０　Ｋ、４００はユニット２Ｇ１，２１１
．’２２１のスイッチ素子６４に、　４１０ｒＪ。

ユニ１　）　２０２，２１２，２２２のスイッチ−子６
４に、５００ａ”二ｙ　）　２０１　ＯＸイ９　チロ　
３　Ｋ、ｓｉｏハエニツ）　２０２０スイツチ６３に、
・・・・・・５２０はユニ、　）　２２２のスイッチ６
３に、それぞれ対応する・なお本！ＪＪＩＩ例の動作線
基本的には第８図の実施例と同一である。ただし−記薔
ブロックに対応したスイ、チ２００，２１０，２２０　
ｒｔ、第１３図に示したように、一定周期で／Ｊ３つ規
則的に順次開閉、各ブーツタ毎に信号を順次読み出し、
かつ各ブーツク内では各ユニットのスイッチが一次囲閉
し、各ホトダイオード３を噴仄疏み出す定食方式であり
て、複数個の譲ホトダイオード３から１ｄ号を同時に読
み出すことはない。

以上の説明では各ユニットのスイッチ６４の開＠Ｉイｌ
ング４００，４１０はｍ−訓でよいが、各ブーツクのス
イッチ６３の開閉に必要なタイミング（５００，５１０
，５２０）の４４＃ｉはｍ”ｎとなる。今、スイッチ２
００と同一タイミングで開閉するスイッチをそれぞれユ
ニ、　）　２０１の端子３７とスイ、チロ３の間および
ユニット２０２の端子３７とスイ。

チロ３の１−に、スイッチ２１０と同一タイミングで＃
ｌ閉するスイッチｔ−ｅれぞれユニ、）２１１の端子３
７とスイ、チロ３の閾ｉよひユ＝　ｙ　）　２１２の端
子３７とスイ、チロ３の間に、スイッチ２２０と同一の
タイミングで開閉するスイッチでそれぞれユニ、）２２
１０端子３７とスイ、チロ３の問およびユニ、　）　２
２２０端子３７とスイ、チロ３の間に。

・　それぞれ設けることにより、各ユニットのスイッチ
６３を開閉するタイミングの徳類をｍＫ諷少させること
がで舎る。この場合の該スイ、チロ３のタイ１ングを第
１３図６００，６１０に示す。６００はユニ、　）　２
０１．！１１，２２１のスイ、チロ３に、６１０はユニ
、　）　２０２，２１２，２２２　　のスイ、チロ３Ｋ
。

それぞれ対応する。

このように本発明によれば、バ、ファＬｇ１路６５を介
することにより、出力ライ１５の榔めて大さなフンデン
す５１０影響を完全に線表できる。従って、本発明社、
該コンデンサ５１の静電谷ｔが極めて大きいことに起因
した欠点、即ち、秦めて黴少な出力信号や極めて違い信
号絖み出し連続。

を完全に嫁去できる優れた効果ｔ１ｆする。さらに、本
発明の検出回路はす／プルホールドされに大きな信号を
得ること姑できるから、サンプルホールド回路や増幅回
路など複雑な信号処理ｌ１１１３を必蓋としない。従っ
て一回路が簡単となる上、消費電力や雑音の増加を阻止
で舎る。さらに７４−トスルーやスイ、チンダ雑音の影
響を小さくできるので、ダイナミックレンジが拡大され
る。また僅号吐み出し速度が早いから、信号の完全読み
出しと高速動作ができるといった優れ九効果が生じる。

以上、具体的な実施例をあげて本発明を説明した。上記
では動作の方法やスイッチのｇ閑のタイミングは一例を
示したものであって１本発明の機能が満足されれば、上
記の一例に限定されること線ない。ホトセンサ（ホトダ
イす一ド）の説明に用いた等価ダイオードの向き（極性
）あるい紘電圧減、基準電圧源の大ｆＩＩさおよびその
極性も一例であって、これＫｆｆｌ窺されない、実施例
に用いたスイッチ素子社スイ、チンダ機能があればどの
ようなスイッチでも良い、例えば、シランジスタ、ＦＢ
Ｔ等がある。またバ、ファ回路は本発明の４Ｉ＆−が満
たされれば、四路構成およびゲインや入出力インピーダ
ンス→の値に限定されること社ない。

本発明の検出回路はスィッチ１頑 る走査回路と同一の半導体基板上に形成されてもかまわ
ない。

【図面の簡単な説明】

第１１１１従来の検出回路、庸２図、第３図はセンナの
等価回路、第５図社第４図の等価回路、第５図社第４図
のスイッチＯ開閉と１＋ｆ号のタイミング、第６図紘他
の従来の検出回路、第７図は第６図のスイッチの開閉と
信号のタイミング、第８凶紘本発明に係る第１実施例を
示す横出回路、第９図は第８図の検出回路を駆動するス
イッチのｔＡ閉のタイミングと信号波形の一例を示す図
、第１Ｏ図は、Ｉ４しく１本発明に糸る第２実−例を示
す検出回路、＠１１図は第１０図の横出回路を駆動する
スイッチの開閉のタイミングと信号波形の一例を示す図
、第１２図は同じく本発明に１＋ｆする第３実施例を示
す検出回路、第１３図は第１２図の検出回路をＩ！ｌ！
励するスイッチの開閉のタイＲ／グと信号波形の一例を
示す図である。１，２，６３゜６４　、２００，２１０
，２２０　　線スイ２チ木子、３はホトダイオード、４
は配線、５は出力ライン、６ｔよ出力端子、７紘電圧源
、３１はダイオード、３２゜５１．４ｉ！はｓｙデンサ
、３３は抵抗素子、３４は電流源、＠５，６６ｄパ、７
．ＩＩｌ路、１００゜１１０．１２０，１３０，２０１
，２０２，２１１，２１２，２２１゜２２２はユニ、ト
である。 第１図 ′１Ｐ１２図 ｖＡａ図 第４図 第５図 １４　　　　　　ｔｓ　　　　　ｔａ 鴇６図 第７図 ２４　　　　　　２５　　　　　　２６オ９Ｉ！１ 閏 ８ １１１　凹 一−ｌ−二一一一一一一一−ゴし一一一一一一一一一一
一」−二色一一一一一一口−−−−一一−／４／／４２
　　　　　　”７４プ ｔ　　ｒＺ　　ロ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　少なくてもホトダイオード、第１のスイッチ素子
   、第２のスイッチ素子、バ、７７回路ｔ−備えており、
   該ホトダイオードと該第１．／）スイ。 チ素子が該バッファー路を介して接続さＪＬ、さらに、
   威ホトダイオードと該バ、７ＨＭＩＩ＆との接続点が第
   ２のスイッチ孝子會介して基ｄＰ４圧源（例えば、接地
   レベル）と接続さ１しているユニ、）ｔ−備え、該ユニ
   ットのホトダイオード−〇端子が電圧源ＫＩＩ＊され、
   ばユニ、トの第ｎのスイッチ側の端子が配線靜電容瀘を
   ガむ出力ラインに接続されていることｔ−特徴とする光
   信号検出回路。 λ　複数個の前記ユニットを備え、各威ユニ、）のホト
   ダイオード側の端子を互いに接続しａｈ続点と電圧源を
   結線し、各該ユニットの第１のスイッチ側の端子を互い
   Ｋｍ統し、該接続点が配線静亀谷量を含む出力ラインに
   接続されていることを特許とする光信号検出回路。 ３Ｌ　ｍ個（ｍ＝正豊赦）の前記ユニットで構成される
   グー、夕がｎ　４１（烏＝正豊数）と第一着目のスイッ
   チ素子、落二番目のスイッチ素子、・・・第ｎ着目のス
   イッチ素子の合計ｎ個のスイッチ素子とを備え、咳−着
   目のブロックに属する各ユニｙ）内の第１のスイッチ素
   子側の端子を互いに接穂し、該接続点と該第一番目のス
   イッチ素子の一方の端子を結線し、ＩＩ４二ＩＩ目のブ
   ロックに属する弄ユニ、ト内の＄１１）スイッチ素子−
   の端子を互いＫｉｌＭＬ、鍍接繍点と該第二着目のスイ
   ッチ素子の一方の扇子を結線し、講ｎ−目のプロ、りに
   属する各ユニット内の第１のスイッチ素子側の端子を互
   いに接続し、該接続点とｄ縞ｎ番目のスイッチ素子の一
   方の端子を＃１繊し、−５−薔目、４二番目、・・・第
   ｎ着目のスイッチ素子の慎方の端子互いに＊４ｉｍ　Ｌ
   、咳接続点が出力ラインに一統され、峡各ユニ、トのホ
   トダイオード偶の端子を互いに＊Ｍしｄ＊続点と電圧源
   が接続されていることを特徴とする光１ｄ号検出回路。 ４、　少なくても１個以上のスイッチ素子が前記ユニ、
   Ｆ内の第２のスイッチ素子とＰＭＩ記−単電圧源との間
   に設けられた特許請求の範囲第１項、第２項、第３項記
   載の光信号検出回路。