JPS588122B2 - 高温感熱素子 - Google Patents
高温感熱素子Info
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- JPS588122B2 JPS588122B2 JP1126278A JP1126278A JPS588122B2 JP S588122 B2 JPS588122 B2 JP S588122B2 JP 1126278 A JP1126278 A JP 1126278A JP 1126278 A JP1126278 A JP 1126278A JP S588122 B2 JPS588122 B2 JP S588122B2
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- temperature
- high temperature
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- thermal element
- temperature thermal
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Links
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高温で負荷に対して安定した高温感熱素子を得
るためのものである。
るためのものである。
最近はエレクトロニクスおよびその関連分野の発達に伴
ない、１０００℃付近の温度範囲で使用可能なサーミス
タ材料、例えばスピネル結晶系、ヘロブスカイト結晶系
、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３系材料の実用化が検討されている
。
ない、１０００℃付近の温度範囲で使用可能なサーミス
タ材料、例えばスピネル結晶系、ヘロブスカイト結晶系
、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３系材料の実用化が検討されている
。
一例として、近年自動車の排気ガス対策として、自動車
の排気ガス（一酸化炭素・窒素酸化物・炭化水素）を完
全燃焼させて排出させるために、触媒装置が使用されて
いる。
の排気ガス（一酸化炭素・窒素酸化物・炭化水素）を完
全燃焼させて排出させるために、触媒装置が使用されて
いる。
そして、この触媒装置の温度が異常に高温になることを
防ぐために、装置内の温度検出が必要である。
防ぐために、装置内の温度検出が必要である。
この装置であるサーマルリアクタ一温度検出が最近は普
及している。
及している。
従来より使用されているスピネル結晶系サーミスタ材料
、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−Ｆｅ２Ｏ３系につ
いては、高温負荷に対して極く限定された範囲でしか安
定領域はなく、安定して製造することが困難なものであ
った。
、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−Ｆｅ２Ｏ３系につ
いては、高温負荷に対して極く限定された範囲でしか安
定領域はなく、安定して製造することが困難なものであ
った。
本発明はこのような欠点を除いて高温負荷に対して安定
な特性を示す高温感熱素子を提供しようとするものであ
る。
な特性を示す高温感熱素子を提供しようとするものであ
る。
以下、本発明の実施例について説明する。
まず、主成分であるＭｇ（ＡｌｘＣｒｙＦｅｚ）２Ｏ４
〔ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ｘ；０．３〜０．４．ｙ；０．５〜
０．６．ｚ；０．１〜０．２〕に対してＺｒＯ２をモル
比で１００：１添加して、窯業的手段を用いて混合、仮
焼、粉砕を行い、乾燥後ポリビニルアルコールを加えて
造粒し、白金線を埋込み、第１図に示すような形状に成
形する。
〔ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ｘ；０．３〜０．４．ｙ；０．５〜
０．６．ｚ；０．１〜０．２〕に対してＺｒＯ２をモル
比で１００：１添加して、窯業的手段を用いて混合、仮
焼、粉砕を行い、乾燥後ポリビニルアルコールを加えて
造粒し、白金線を埋込み、第１図に示すような形状に成
形する。
第１図で１は焼成前のサーミスタ、２は白金線である。
成形した後、焼成温度１６００℃以上で３〜５時間焼成
する。
する。
こうして得たサーミスタの９００’Ｃ中での抵抗値は第
２図に示すＡ，Ｂ，Ｃの範囲に囲まれた三角形の部分で
ある。
２図に示すＡ，Ｂ，Ｃの範囲に囲まれた三角形の部分で
ある。
ｘ：０．３〜０．４，Ｙ；０．５〜０．６，ｚ；０．１
〜０．２からずれてくると、抵抗値がいずれも高くなり
すぎて実用上好ましくない。
〜０．２からずれてくると、抵抗値がいずれも高くなり
すぎて実用上好ましくない。
また、一例として多くの試料の中から得られたサーミス
タ素体の温度−抵抗値特性を第３図に示しており、Ｂ定
数の直線性は少しずれているが実用上問題はない。
タ素体の温度−抵抗値特性を第３図に示しており、Ｂ定
数の直線性は少しずれているが実用上問題はない。
つぎに、ＺｒＯ２の添加量を変化させて、その時の高温
負荷寿命による抵抗値の変化率を調べた。
負荷寿命による抵抗値の変化率を調べた。
その結果を第４図に示す。
その結果、ＺｒＯ２を添加しない場合は高温負荷におけ
る抵抗値の変化率は著しく大きい。
る抵抗値の変化率は著しく大きい。
また、添加量が多くなると次第に抵抗値の変化率が大き
くなり、モル比で主成分に対して１００：５以上になる
と変化率は１０％近く変化して添加効果は小さくなる。
くなり、モル比で主成分に対して１００：５以上になる
と変化率は１０％近く変化して添加効果は小さくなる。
さらに、主成分に対してモル比でＺｒＯ２を１００：０
．１〜５．０添加し焼結させた数多くの試料の中から、
一例として９００℃，ＤＣ３Ｖ，１０００℃，ＤＣ２Ｖ
印加して１０００時間までの経時変化を調べた。
．１〜５．０添加し焼結させた数多くの試料の中から、
一例として９００℃，ＤＣ３Ｖ，１０００℃，ＤＣ２Ｖ
印加して１０００時間までの経時変化を調べた。
その結果を第５図、第６図に示す。以上のことから、従
来より使用されているスピネル結晶型ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ
３−Ｃｒ２Ｏ３−Ｆｅ２Ｏ３系サーミスタ材料にＺｒＯ
２を添加することにより高温負荷寿命は著しく向上する
。
来より使用されているスピネル結晶型ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ
３−Ｃｒ２Ｏ３−Ｆｅ２Ｏ３系サーミスタ材料にＺｒＯ
２を添加することにより高温負荷寿命は著しく向上する
。
したがって、十分に実用に耐える高温感熱素子を提供す
ることができる。
ることができる。
第１図は本発明に係る高温感熱素子の製造途中の一例を
示す正面図、第２図は同素子の組成−抵抗値の関係を示
す特性図、第３図は同素子の一例における温度−抵抗値
特性を示す図、第４図は同素子の高温耐久におけるＺｒ
Ｏ２添加量と抵抗値変化率との関係を示す図、第５図お
よび第６図は同素子の高温負荷耐久におけるそれぞれ９
００℃・ＤＣ３Ｖ，１０００℃−ＤＣ２Ｖの経時変化を
示す図である。
示す正面図、第２図は同素子の組成−抵抗値の関係を示
す特性図、第３図は同素子の一例における温度−抵抗値
特性を示す図、第４図は同素子の高温耐久におけるＺｒ
Ｏ２添加量と抵抗値変化率との関係を示す図、第５図お
よび第６図は同素子の高温負荷耐久におけるそれぞれ９
００℃・ＤＣ３Ｖ，１０００℃−ＤＣ２Ｖの経時変化を
示す図である。
Claims (1)
- １ 主成分であるスピネル結晶構造を有するＭｇＯ−Ａ
ｌ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−Ｆｅ２Ｏ３系固溶体に、モル比
で副成分としてＺｒＯ２を１００：０．１〜５．０添加
して焼結させることを特徴とする高温感熱素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126278A JPS588122B2 (ja) | 1978-02-02 | 1978-02-02 | 高温感熱素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126278A JPS588122B2 (ja) | 1978-02-02 | 1978-02-02 | 高温感熱素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54104599A JPS54104599A (en) | 1979-08-16 |
| JPS588122B2 true JPS588122B2 (ja) | 1983-02-14 |
Family
ID=11773028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126278A Expired JPS588122B2 (ja) | 1978-02-02 | 1978-02-02 | 高温感熱素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588122B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644284A (en) * | 1994-04-27 | 1997-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature sensor |
| US6306315B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-10-23 | Denso Corporation | Thermistor device thermistor device manufacturing method and temperature sensor |
-
1978
- 1978-02-02 JP JP1126278A patent/JPS588122B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54104599A (en) | 1979-08-16 |
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