JPS5882403A - 電波吸収体の製造方法 - Google Patents
電波吸収体の製造方法Info
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- JPS5882403A JPS5882403A JP56180174A JP18017481A JPS5882403A JP S5882403 A JPS5882403 A JP S5882403A JP 56180174 A JP56180174 A JP 56180174A JP 18017481 A JP18017481 A JP 18017481A JP S5882403 A JPS5882403 A JP S5882403A
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｚｎ０（＃化亜鉛）単体またはＺｎＯ結晶粒
［１ｉｉｄ浴する金属に素の酸化物の少なくとも一種類
な添／１０成分とする堺結体會用いた電波吸収体に関し
、そσ）目的とｆ６ところは高周波数帯域（１０１１〜
１０”Ｈｚ及び赤外Ｎ ＠Ｉｊｔ ）σ）４伍彼？効率
よく吸収することが可能なａ波吸収体？提供て小ことに
ある、 本発明に係る這波＠収体は、 Ｚｎ、’） ｔＪＬ体ま
たはＺｎ ｌ ＩＦ Ａ／２０Ｂ 、 ＣＯ２０！１
、 Ｍｒｘ０２ 、 ＧａｚＯＢ のうち少なくとも
一檀ｗＡｆ ２０ ｍｏ１％以下際りロ、混合した原料
ｖ１１００〜１３００℃の温度でφ成して生成したこと
ケ特鑵とする。
［１ｉｉｄ浴する金属に素の酸化物の少なくとも一種類
な添／１０成分とする堺結体會用いた電波吸収体に関し
、そσ）目的とｆ６ところは高周波数帯域（１０１１〜
１０”Ｈｚ及び赤外Ｎ ＠Ｉｊｔ ）σ）４伍彼？効率
よく吸収することが可能なａ波吸収体？提供て小ことに
ある、 本発明に係る這波＠収体は、 Ｚｎ、’） ｔＪＬ体ま
たはＺｎ ｌ ＩＦ Ａ／２０Ｂ 、 ＣＯ２０！１
、 Ｍｒｘ０２ 、 ＧａｚＯＢ のうち少なくとも
一檀ｗＡｆ ２０ ｍｏ１％以下際りロ、混合した原料
ｖ１１００〜１３００℃の温度でφ成して生成したこと
ケ特鑵とする。
以下１本発明？実施例に基づいて詳細に説明する。
試料としては、純度９９．９％σＩ ＺｎＯ％’主成分
。
。
へ１２０３ Ｙ添ＤＯ成分としてその配付北本を変え、
混合、成形した後、１３００’Ｃでψ成した幣結体を用
いた。試料（イ）はＡｌ１２０．な１． ＯｍｏＡ％添
加したもの４試料（口１はＡｌ２Ｏ５’ｌ Ｑ、 ０１
ｍａｉ１％添刀口しだ刃口］。
混合、成形した後、１３００’Ｃでψ成した幣結体を用
いた。試料（イ）はＡｌ１２０．な１． ＯｍｏＡ％添
加したもの４試料（口１はＡｌ２Ｏ５’ｌ Ｑ、 ０１
ｍａｉ１％添刀口しだ刃口］。
試料（ハ）はＡｊ？２０ｓ頒添加、つまりＺｎＯ単体の
もσ）である。
もσ）である。
なお、試料の焼結性な高めるために、４当なガラス成分
（硅酸亜鉛ガラス、イー硅峻岨鉛ガラス。
（硅酸亜鉛ガラス、イー硅峻岨鉛ガラス。
硼硅酸鉛曲鉛ガラス等）をガラスフリットの形で倣１１
（０，０１ｗｔ、％〜ｔｏｗｔ、％）添刃口している、
上記各試料の透電特性？測定したところ、 ｔ、ａｎδ
（誘酊正播）と周波数との関係は３試料共略同じであっ
て、第１図ｒ示すようＫ ５ Ｘ １０’（Ｈｚ）で最
大となり、その両面で減少する特性となっている。
（０，０１ｗｔ、％〜ｔｏｗｔ、％）添刃口している、
上記各試料の透電特性？測定したところ、 ｔ、ａｎδ
（誘酊正播）と周波数との関係は３試料共略同じであっ
て、第１図ｒ示すようＫ ５ Ｘ １０’（Ｈｚ）で最
大となり、その両面で減少する特性となっている。
即ち、１０１１〜１０”（Ｈｚ）Ｋ吸収帯が存在し、！
５Ｘ１０”（Ｈｚ） で吸１又が最大となる。
５Ｘ１０”（Ｈｚ） で吸１又が最大となる。
また、Ｐｒ試料について赤外線領＠ＶＣおける反射率σ
）測定乞行ったところ第２図にボて結呆が慢らｒｔ、
ｔｓ。ｔｊｌ］ち１反射率が略零、つまり吸収が最大と
なる部分は、試料ビ１では波長λ＝５〜９（μｍ）。
）測定乞行ったところ第２図にボて結呆が慢らｒｔ、
ｔｓ。ｔｊｌ］ち１反射率が略零、つまり吸収が最大と
なる部分は、試料ビ１では波長λ＝５〜９（μｍ）。
試料（−１ではλ” １２．５ Ｃμｍ）、試料Ｐ−）
ではλ＝１６（μｍ）となり、添加量が増大するほど短
波長に移行している。ただし、 ｋ１２０．の場合には
短波長への移行はあるぬ別置まででそれ以上では長波長
となる（第１表参照）。この第２図から配合比率な変化
させることにより、吸収滌？任意に設定０Ｔ能であるこ
とが推測さ几る。
ではλ＝１６（μｍ）となり、添加量が増大するほど短
波長に移行している。ただし、 ｋ１２０．の場合には
短波長への移行はあるぬ別置まででそれ以上では長波長
となる（第１表参照）。この第２図から配合比率な変化
させることにより、吸収滌？任意に設定０Ｔ能であるこ
とが推測さ几る。
ヒ述の吸収は、ＺｎＯ結晶粒に同浴する元素の種類及び
七σ）イオン量によって波長が変化でるものと考えられ
る。ＺｎＯ結晶粒に固溶する元素としては、アルミニウ
ム（ＡＩ）σ１＠ｌにコバルト（Ｃｏ）。
七σ）イオン量によって波長が変化でるものと考えられ
る。ＺｎＯ結晶粒に固溶する元素としては、アルミニウ
ム（ＡＩ）σ１＠ｌにコバルト（Ｃｏ）。
インガン（Ｍｎ）、ガリウム（Ｇａ）ｌ＄があり、これ
Ｉ−１促ＣＯ２０ｓ 、 ｂ４ｎ０２ 、 Ｇａ２０ｓ
σ）金属酸化物の形で雇７１０したｍ曾の添／ＪＯ
奮（１ｎｏ１％）と赤外吸収波長くμｍ）との関係をＡ
／２０．も含めて第１表に示す。
Ｉ−１促ＣＯ２０ｓ 、 ｂ４ｎ０２ 、 Ｇａ２０ｓ
σ）金属酸化物の形で雇７１０したｍ曾の添／ＪＯ
奮（１ｎｏ１％）と赤外吸収波長くμｍ）との関係をＡ
／２０．も含めて第１表に示す。
表中、 ｍａｕｉｉｉｏ （ｍｏ１％）はＺｎＯ単体の
場合である。
場合である。
？！１表 単位＝μｍ
このように配合組成、配合比率により赤外吸収波長が変
化するので、添ｎｏ元素の種類と添加ｔ？逍定すれば
１０９〜１０” Ｈｚ及び赤外線憔吠（５〜２ｏβｍ）
ｒおける所望σ１周波数帯σ）電磁波の吸収が可能とな
る。
化するので、添ｎｏ元素の種類と添加ｔ？逍定すれば
１０９〜１０” Ｈｚ及び赤外線憔吠（５〜２ｏβｍ）
ｒおける所望σ１周波数帯σ）電磁波の吸収が可能とな
る。
本発明に係る電波吸収体としてのＺｎＯ単体またはＺｎ
Ｏｆ主成分、数種の金属酸化物９を添加成分とてるφ給
体（セラミクス半導体）は博板状または粉末状の形で用
いる。博軟状σ）場合ｒは幣成前の成形時に所要形状ｆ
成形し、また粉末状の場合には暁成ｆ＆焼給体Ｙ粉砕し
て粉末とする。博板は雑音σ１侵人？防出したい物の周
囲に配設することによって、粉末は他の壁面材料Ｃｍ料
、コンクリート等）Ｋａぜ込んで壁面［塗布することに
より雑ｆ趙蔽ｒｋｉ？形成する。このように遮蔽面を形
成した４合、外部から飛来する高周波数の電磁波が遮蔽
面で吸収されることになり、的確な雑音除去が期待で舞
る。
Ｏｆ主成分、数種の金属酸化物９を添加成分とてるφ給
体（セラミクス半導体）は博板状または粉末状の形で用
いる。博軟状σ）場合ｒは幣成前の成形時に所要形状ｆ
成形し、また粉末状の場合には暁成ｆ＆焼給体Ｙ粉砕し
て粉末とする。博板は雑音σ１侵人？防出したい物の周
囲に配設することによって、粉末は他の壁面材料Ｃｍ料
、コンクリート等）Ｋａぜ込んで壁面［塗布することに
より雑ｆ趙蔽ｒｋｉ？形成する。このように遮蔽面を形
成した４合、外部から飛来する高周波数の電磁波が遮蔽
面で吸収されることになり、的確な雑音除去が期待で舞
る。
以上〇）ように本発明によ几ば、 ＺｎＯを主成分とし
５％定の数種の金１ｉＩｉｆＩＩ化物の少なくとも一檜
類％’ ｆｌＡ ７１０成分とする焼結体ｒｗ波吸収体
として用いたので、その吸収帯の作用により直磁波、峙
ｆ高ノ祠波数の喝、磁波が＠収されるようになり、高周
波数σ）雑音の一１１＆に有効である。
５％定の数種の金１ｉＩｉｆＩＩ化物の少なくとも一檜
類％’ ｆｌＡ ７１０成分とする焼結体ｒｗ波吸収体
として用いたので、その吸収帯の作用により直磁波、峙
ｆ高ノ祠波数の喝、磁波が＠収されるようになり、高周
波数σ）雑音の一１１＆に有効である。
図面は本発明に係る電磁技吸収体の特性を示すもので、
第１図は周波数と鋳邂正接（ｔａｎδ）の関係ゲ示て図
、第２図は波長と赤外線９！賊における反射率σ】１４
１係？不イ図である。 第１図
第１図は周波数と鋳邂正接（ｔａｎδ）の関係ゲ示て図
、第２図は波長と赤外線９！賊における反射率σ】１４
１係？不イ図である。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌｌ ＺｎＯ単体またはＺｎＯＶｒ Ａ＃２０Ｂ、
Ｇａ２０Ｂ、 ＭｎＯ２。 Ｇａ２０Ｂのうち少なくとも一檀類ケ２０ ｎｏ／％以
下添Ｄ口、混合した原料１ｆｔ１１００〜１５００℃σ
）温度で炉底して生成したこと４’％微とでるｗＩ波＠
１又体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180174A JPS5882403A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 電波吸収体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180174A JPS5882403A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 電波吸収体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882403A true JPS5882403A (ja) | 1983-05-18 |
| JPH0125161B2 JPH0125161B2 (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=16078683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180174A Granted JPS5882403A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 電波吸収体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882403A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348500A (ja) * | 1988-12-19 | 1991-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電波吸収材 |
-
1981
- 1981-11-10 JP JP56180174A patent/JPS5882403A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348500A (ja) * | 1988-12-19 | 1991-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電波吸収材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0125161B2 (ja) | 1989-05-16 |
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