JPS5882448A - Electron-gun structure and its manufacture - Google Patents
Electron-gun structure and its manufactureInfo
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- JPS5882448A JPS5882448A JP17904781A JP17904781A JPS5882448A JP S5882448 A JPS5882448 A JP S5882448A JP 17904781 A JP17904781 A JP 17904781A JP 17904781 A JP17904781 A JP 17904781A JP S5882448 A JPS5882448 A JP S5882448A
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- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子銃構体及びその製造方法に係り、特に電子
銃構体を構成するグリッドの電子ビーム通過孔部の径を
変化させることにより効果的に組立てることが可能な電
子銃構体及びその製造方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] Technical Field of the Invention The present invention relates to an electron gun assembly and a method for manufacturing the same, and in particular to an electron gun assembly that can be assembled effectively by changing the diameter of an electron beam passing hole in a grid that constitutes the electron gun assembly. The present invention relates to an electron gun assembly that can perform
発明の技術的背景
カラー受像管用として使用される電子銃構体にはユニポ
テンシャル形電子銃構体(以下UPFと太う)、パイポ
テンシャル形電子銃構体(以下BPFと云つ)などが主
流となっていたが、これらUPFやBPFは一長一短が
あり、カラー受像管のスクリーン上のスポットを全面に
わたって小さくすることが困難であった。Technical Background of the Invention The mainstream electron gun structures used for color picture tubes include unipotential electron gun structures (hereinafter referred to as UPF) and pipotential electron gun structures (hereinafter referred to as BPF). However, these UPF and BPF have advantages and disadvantages, and it has been difficult to reduce the spot on the screen of a color picture tube over the entire surface.
この対策として出願人は先にユニポテンシャル形電子レ
ンズを補助電子レンズとし、パイポテンシャル形電子レ
ンズを主電子レンズとした電子銃構体(以下QPFと云
う)を開発し、カラー受像管のスクリーン上のスポット
を全面にわたり小さくし、高輝度、高コントラストな極
めて鮮明な再生肉像を得ることを可能とした。As a countermeasure to this problem, the applicant first developed an electron gun structure (hereinafter referred to as QPF) in which a unipotential electron lens was used as an auxiliary electron lens and a pipotential type electron lens was used as the main electron lens. By reducing the size of the spot over the entire surface, it is possible to obtain extremely clear reconstructed flesh images with high brightness and high contrast.
次にこのQPli’の構造の要部を第1図番こより説明
する。即ちQPF (1)は内部にヒータ(2)を装着
した陰極(3)、第1グリツド(4j、第2グリツド(
5)、2個のキャップ状電極素子(61) (6m)と
1個の平板状電ツブ状電極素子(7z)(7m)からな
る第4グリツド(7)、2個のキャップ状電極素子(8
*) (h)と1個の平板状電極素子(8,)からなる
第1の組立体(8a)、及び2個のキャップ状電極(8
4) (81)と1個の平板状電極素子(8,)からな
る第2の組立体(8b)とで構成される第5グリツド(
8)、2個のキャップ状電極素子(9重)(9m)と1
個の平板状電極素子(9s)からなる第6グリツド(9
)とを具備し、これらヒータ(2)、陰極(3)、第1
グリツド(4)、$2グリッド(5)、第3グリツド(
6)、第4グリツド(7)、第5グリツド(8)、第6
グリツド(9目まそれぞれ所定間隔を持つように植設部
を介して絶縁支持棒α呻に植設され、第3グリツド(6
)、第4グリツド(力、及び第5グリツド(8)により
ユニポテンシャル形電子レンズを形成すると共に第5グ
リツド(8)と第6グリツド(9)によりパイポテンシ
ャル形電子レンズを形成するようになっている。Next, the main part of the structure of QPli' will be explained with reference to FIG. That is, the QPF (1) has a cathode (3) equipped with a heater (2) inside, a first grid (4j), and a second grid (4j).
5), a fourth grid (7) consisting of two cap-shaped electrode elements (61) (6 m) and one flat electric tube-shaped electrode element (7z) (7 m), two cap-shaped electrode elements ( 8
*) A first assembly (8a) consisting of (h) and one flat electrode element (8,), and two cap-shaped electrodes (8,);
4) A fifth grid (81) consisting of a second assembly (8b) consisting of one flat electrode element (8,);
8), 2 cap-shaped electrode elements (9 layers) (9m) and 1
The sixth grid (9s) consists of 9 flat electrode elements (9s).
), the heater (2), the cathode (3), the first
grid (4), $2 grid (5), 3rd grid (
6), 4th grid (7), 5th grid (8), 6th grid
The grids (9 grids) are implanted on the insulating support rod α via the implanted part so as to have a predetermined interval between them, and the third grid (6 grids)
), the fourth grid (force), and the fifth grid (8) form a unipotential type electron lens, and the fifth grid (8) and the sixth grid (9) form a pi-potential type electron lens. ing.
、 そして第1図に示すような電子銃構体は第2g乃
至$44重番こ示すような組立方法により組立てられて
いる。図中第1図と同一部分は同一符号を示す。The electron gun assembly as shown in FIG. 1 is assembled by the assembly method shown in the numbers 2g to 44. In the figure, the same parts as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
先ず第2図及び第3図に示すように定盤QIIK位置ぎ
め用センター棒(Lzを植設した組立治具0に電子レン
ズを構成しないキャップ状電極素子(8t’)。First, as shown in FIGS. 2 and 3, a cap-shaped electrode element (8t') that does not constitute an electron lens is placed on the assembly jig 0 in which the surface plate QIIK positioning center rod (Lz) is implanted.
平板状電極素子(8,)、電子レンズを形成するキャッ
プ状電極(8,)のJ[[挿入し、このキャップ状電極
(81)上より治具Iを介して矢印方向に(F、)の力
で圧接しながら組立治具(13に設けられた位置ぎめ治
Aa!11 、 [6、’ (lη、 al 、 al
を使用し平板状電極素子(86)の外周に設けられた4
ケ所の基準面(1)とセンター棒αりの位置をきめる。Insert the flat electrode element (8,) and the cap-shaped electrode (8,) that forms the electron lens, and move it from above the cap-shaped electrode (81) in the direction of the arrow (F,) through the jig I. The positioning jig Aa!11, [6,' (lη, al, al
4 provided on the outer periphery of the flat electrode element (86) using
Determine the position of the reference plane (1) and the center rod α.
この場合、図のように位置ぎめ治具餞、 estにはそ
れぞれスプリングなどを介して矢印方向に(Fl) (
Fりの力を平板状電極素子(86)に加えるようになっ
ている。In this case, as shown in the figure, the positioning jig and est are each connected to a spring in the direction of the arrow (Fl) (
A force of F is applied to the flat electrode element (86).
次にキャップ状電極素子(84)(81)及び平板状電
極素子(8・)を溶接点シ旧こおいて抵抗溶接またはレ
ーザ溶接を行ない、第2の組立体(8b)が完成する。Next, the cap-shaped electrode elements (84) and (81) and the flat plate-shaped electrode element (8) are subjected to resistance welding or laser welding at the welding point to complete the second assembly (8b).
この製造方法は第3グリツド(6)、JI4グリッド(
7)、j15グリッド(8)の第1の組立体(8m)、
j14!グリッド(9)も同様である。This manufacturing method is applicable to the third grid (6), JI4 grid (
7), first assembly (8m) of j15 grid (8),
j14! The same applies to grid (9).
次に電子銃構体の組立iこついて第4図により説明する
。図中第1図と同一符号は同一部分を示し、特ζこ説明
しない。Next, the assembly of the electron gun assembly will be explained with reference to FIG. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts, and specific explanations thereof will not be given.
即ち、定盤qに植設されたセンター棒(至)に第6グリ
ツド(9)、スペーサc!4、第5グリツド(8)の第
2の組立体(8b)、第1の組立体(8m)、スペーサ
(ト)。That is, the sixth grid (9) and the spacer c! 4. Second assembly (8b), first assembly (8m), and spacer (g) of the fifth grid (8).
第4グリツド(7)、スペーサ(ホ)、第3グリツド(
6)、スペーサ(2)、第2グリツド(5)、スペーサ
(ハ)、j[1グリツド(4)の順番こ積み重ね、この
第1グリツド(4)上より治具(2)を載置し、矢印方
向より力(P4)で締付けながら両側より表面を軟化し
た絶縁支持棒(1呻を圧接し、各グリッドの植設部をこ
の絶縁支持棒−に植設し、センター棒(至)、各スペー
サC!4) 、(ハ)。4th grid (7), spacer (E), 3rd grid (
6) Stack the spacer (2), second grid (5), spacer (c), j[1 grid (4) in this order, and place the jig (2) on top of this first grid (4). , While tightening with force (P4) from the direction of the arrow, press the insulation support rod (1) with a softened surface from both sides, and implant the implanted part of each grid on this insulation support rod, and then attach the center rod (toward). Each spacer C!4), (c).
−パ(ハ)、(2)、(2)を除去し、第1図の電子銃
構体が完成する。第4図番こおいて陰極、ヒータは省略
している。- By removing parts (c), (2), and (2), the electron gun assembly shown in FIG. 1 is completed. In Figure 4, the cathode and heater are omitted.
前述した製造方法で組立てられる電子銃構体の各グリッ
ド、例えば第5グリツド(8)の第1の組立体(8暑)
、第2の組立体(8b)、第6グリツド(9)の形状は
、第2の組立体(8b)を例にとると第5図に示すよう
に電子レンズを構成するキャップ状電極素子(8,)の
電子ビーム通過孔部の径(φ1)、平板状電極素子(8
6)の電子ビーム通過孔部の径(φ、)。Each grid of the electron gun assembly assembled by the manufacturing method described above, for example, the first assembly (8 heat) of the fifth grid (8)
Taking the second assembly (8b) as an example, the shapes of the second assembly (8b) and the sixth grid (9) are as shown in FIG. The diameter (φ1) of the electron beam passage hole of the plate-shaped electrode element (8,)
6) Diameter (φ, ) of the electron beam passage hole.
電子レンズを構成しないキャップ状電極素子(84)の
電子ビーム通過孔部の径(φS)とは同一に形成されて
いた。The diameter (φS) of the electron beam passage hole of the cap-shaped electrode element (84) that does not constitute an electron lens was formed to be the same.
背景技術の問題点
このように各素子の電子ビーム通過孔部の径(φ、)、
(φイ、(φ8)が同一なため次の様な問題点があった
。Problems with the Background Art In this way, the diameter (φ, ) of the electron beam passage hole of each element,
Since (φa) and (φ8) are the same, there are the following problems.
第1に部品種f欄定の自動化が困難である。即ち透過光
を利用した光学式の測定が自動化を最も簡単にする方法
であるが、平板状の電極素子(8,)は別としてキャッ
プ状電極素子(81)と(84)が同一径であるため、
例えばキャップ状電極素子(81)の外方より平行光を
通過させてもこの光がキャップ状電極素子(84)の電
子ビーム通過孔部により一部が遮えぎられ鮮明な僚が得
られないことになり、このような光学式の測定が採用で
音ないO
第2に電子銃構体の生産性がわるい。即ち第4図番こ示
す所謂ビーデング工程−とおいてはそれぞれグリッドや
グリッドの組立体としてセンター棒脅に滑合することに
なるため、これらのグリッドやグリッドの組立体をセン
ター棒に挿入する時の作業性が悪い。First, it is difficult to automate the determination of the part type f field. That is, optical measurement using transmitted light is the easiest method for automation, but apart from the flat electrode element (8,), the cap-shaped electrode elements (81) and (84) have the same diameter. For,
For example, even if parallel light is passed from the outside of the cap-shaped electrode element (81), a part of this light is blocked by the electron beam passage hole of the cap-shaped electrode element (84), and a clear beam cannot be obtained. Therefore, since such optical measurement is used, there is no noise.Secondly, the productivity of the electron gun assembly is poor. In other words, in the so-called beading process shown in Figure 4, each grid or grid assembly is slid onto the center rod, so when inserting these grids or grid assemblies into the center rod, Poor workability.
第3に電子銃構体の組立精度の劣化、即ち第6図に示す
よう番ζビーデング工程で第6グリツド(9)の電子レ
ンズを構成するキャップ状電極素子(91)が図の様ξ
ζ変形したものを使用した場合、スペーサ04Jを介し
て第5グリツド(8)の第2の組立体(8b)を載置し
た場合を考えて見ると、第2の組立体(8b)の両キャ
ップ状電極素子(84) (81) 、第6グリツド(
9)の両キャップ状電極素子(9s)(9,)の電子ビ
ーム通過孔部が同径であり、これらがセンター棒■に滑
合し、かつ上より矢印方向に力(F4)で押し付けられ
ているので、スペーサ(ハ)とキャップ状電極素子(4
)は点01Jでのみで接触すると共に第2の組立体(8
b)には矢印(至)のような応力か加えられ1点關、−
でセンター棒c!3番こ噛み合っていることになり、ビ
ーデイング工程後センター棒四から抜くとき第2の組立
体(8b)は移動するため電子銃構体として不良になり
やすい。Thirdly, the assembly accuracy of the electron gun assembly deteriorates, as shown in FIG.
When using the ζ-deformed one, considering the case where the second assembly (8b) of the fifth grid (8) is placed through the spacer 04J, both of the second assembly (8b) Cap-shaped electrode element (84) (81), sixth grid (
The electron beam passage holes of both the cap-shaped electrode elements (9s) (9,) in 9) have the same diameter, and they slide onto the center rod ■ and are pressed from above in the direction of the arrow (F4). spacer (c) and cap-shaped electrode element (4).
) are in contact only at point 01J and the second assembly (8
b) A stress is applied as shown by the arrow (to) at one point, −
And center stick c! Since the second assembly (8b) moves when removed from the center rod 4 after the beading process, it is likely to be defective as an electron gun assembly.
第4に電子銃構体アライメントIll定精度が劣化する
。即ち精度が不要な電子レンズを構成しない電極素子、
第6図で(8,)と(9鵞)が精度を必要とする電子レ
ンズを構成する電極素子、第6図で(8,)と(91)
の電子ビーム通過孔部が同じであるため、接触式・光学
式共lこ測定を妨害することになり、結果的に測定精度
が劣化する。Fourth, the accuracy of electron gun assembly alignment deteriorates. In other words, an electrode element that does not constitute an electron lens that does not require precision;
In Fig. 6, (8,) and (9) are the electrode elements that constitute the electron lens that requires precision, and in Fig. 6, (8,) and (91)
Since both have the same electron beam passage hole, both the contact type and the optical type interfere with the measurement, resulting in a decrease in measurement accuracy.
第5#こフォーカス品位の劣化、即ち電子ビーム通過孔
部の径が同一であるため、電子レンズを構成しない電極
素子の電子ビーム通過孔部がオフセンターしている場合
、電子レンズを形成する電界に影響を与え電子レンズを
通過する電子ビームに歪が発生するためフォーカス品位
を劣化させる。#5 Deterioration of focus quality, that is, if the diameter of the electron beam passing hole is the same, and the electron beam passing hole of the electrode element that does not constitute the electron lens is off-center, the electric field forming the electron lens This causes distortion in the electron beam passing through the electron lens, degrading focus quality.
発明の目的及び構成
本発明は前記背景技術の諸問題点に鑑みなされたもので
あり、グリッドやグリッドを構成する組立体を使用して
組立てる場合、これらグリッドやグリッドを構成する組
立体の電子レンズを構成しない電極素子の電子ビーム通
過孔部の径を電子レンズを構成する電極素子の電子ビー
ム通過孔部の41、リガえば0.04〜0.301m大
きくすることにより部品精度測定の自動化及び生産性組
立*[、アライメントの測定精度、フォーカス品位の向
上が期待出来る電子銃構体、及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。Object and Structure of the Invention The present invention has been made in view of the problems of the above-mentioned background art, and when assembled using a grid or an assembly that makes up the grid, an electronic lens of the grid or an assembly that makes up the grid. Automation of parts precision measurement and production by increasing the diameter of the electron beam passage hole of the electrode element that does not constitute the electron lens by 41 m, or 0.04 to 0.301 m, for the electrode element that constitutes the electron lens. The present invention aims to provide an electron gun assembly that can be expected to improve alignment measurement accuracy and focus quality, and a method for manufacturing the same.
発明の実施例
次に本発明の一実施例としてのQPFの構造の要部を第
7図により説明する。Embodiment of the Invention Next, the main part of the structure of a QPF as an embodiment of the invention will be explained with reference to FIG.
即ちQpyQ&は内部にヒータ輪を装着した陰極鵠、第
1グリッド−1第2グリツド卿、−2個のキャップ状電
極素子(46*) 、 (46m) と1個の平板状
電極素子(468)からなる第3グリッド−12個のキ
ャップ状電極素子(471) 、 (47*)からなる
第4グリツド闘、2@のキャラ4プ状電極素子(481
) −(48t)と1個の平板状電m素子(48m)か
らなる第1の組立体(48a) 、及び2個のキャップ
状電極素子(484)。That is, QpyQ& consists of a cathode with a heater wheel installed inside, a first grid, a second grid, two cap-shaped electrode elements (46*), (46m), and one plate-shaped electrode element (468). 3rd grid consisting of 12 cap-shaped electrode elements (471), 4th grid consisting of (47*), 2@ character 4 cap-shaped electrode elements (481)
) - (48t), a first assembly (48a) consisting of one plate-shaped electric element (48m), and two cap-shaped electrode elements (484).
(48m )と1個の平板状電極素子(48@)からな
る第2の組立体(48b)とで構成される第5グリッド
−12個のキャップ状電極素子(491)、(49m)
と1個の平板状電極素子(49m)からなる第6グリツ
ド0Iとを具備し、これらヒーター、陰極(ハ)、第1
グリッド−1第2グリツド(ハ)、第3グリツド(ハ)
、第4グリツド(4η、第5グリッド−1第6グリツド
四はそれぞれ所定間隔を持つように植般部を介して絶縁
支持棒(至)に植設され、第3グリツド(へ)、第4グ
リツド(471及び第5グリツド(1+cよりユニポテ
ンシャル形電子レンズを形成すると共に第5グリッド−
と第6グリツド(ハ)によりパイポテンシャル形電子レ
ンズを形成するようになっているのは従来のものとほぼ
同様であるが、本実施例においてはこれらグリッド及び
組立体のうち電子レンズを構成しない電極素子(48*
)、(48s)−(48番’) 、 (48・)、(4
9畠) 、 (49*)の電子ビーム通通孔部の径を電
子レンズを構成する電極素子(48+)、(48,)−
(49t)の電子ビーム通過孔部の轡よりも大きくなさ
れ、この大きくなされる程度が0.04〜0.30であ
ることを特徴としている。(48m) and a second assembly (48b) consisting of one flat electrode element (48@) - 12 cap-shaped electrode elements (491), (49m)
and a sixth grid 0I consisting of one flat electrode element (49m), and these heaters, cathodes (c), and the first
Grid-1 2nd grid (c), 3rd grid (c)
, 4th grid (4η, 5th grid - 1, 6th grid 4, respectively) are planted on the insulating support rod (to) via the planting part so as to have a predetermined interval, and the 3rd grid (to), the 4th grid (to), The grid (471) and the fifth grid (1+c form a unipotential electron lens, and the fifth grid -
It is almost the same as the conventional one that a pi-potential type electron lens is formed by the and sixth grid (c), but in this example, out of these grids and assemblies, the electron lens is not formed. Electrode element (48*
), (48s) - (48th'), (48・), (4
9), (49*) are the diameters of the electron beam passage holes of the electrode elements (48+), (48,)- that constitute the electron lens.
(49t) is made larger than the rim of the electron beam passage hole, and the degree of this enlargement is 0.04 to 0.30.
次にグリッドや組立体などの組立方法を菖8図及び第9
図により説明する。Next, how to assemble grids and assemblies is explained in Figures 8 and 9.
This will be explained using figures.
即ち、定盤61)に径大II(52t)と径小81(5
2m)を有する位置ぎめ用センター棒64を植設した組
立治具−に電子レンズを構成しないキャップ状電極素子
(48,) 、平板状電極素子(48・)、電子レンズ
を構成するキャップ状電極素子< 481)の順に挿入
し、このキャップ状電極素子(481)上より治具(財
)を介して矢印方向に(F、)の力で圧接しながら組立
治具−に設けられた位置ぎめ治具(至)、@、6?)、
@。That is, the large diameter II (52t) and the small diameter 81 (52t) are mounted on the surface plate 61).
A cap-shaped electrode element (48,) that does not constitute an electron lens, a flat electrode element (48,), and a cap-shaped electrode that constitutes an electron lens are mounted on an assembly jig in which a positioning center rod 64 having a diameter of 2 m) is implanted. Insert the cap-shaped electrode element (481) in the order of Jig (to), @, 6? ),
@.
−を使用し、平板状電極素子(48a)の外周ζこ設け
られた4ケ所の基準面一とセンター棒拗の位置をきめる
。この場合1図のように位置ぎめ治具鏝。- to determine the positions of the four reference planes provided on the outer circumference ζ of the flat electrode element (48a) and the center rod. In this case, use a positioning jig trowel as shown in Figure 1.
情にはそれぞれスプリングなどを介して矢印方向に(F
、)、(F*)の力を平板状電極(48・)に加えるよ
うになっている1゜次にキャップ状電極素子(484)
。In the direction of the arrow (F
, ), (F*) is applied to the flat electrode (48). Next, the cap-shaped electrode element (484)
.
(48s)及び平板状電極素子(48・)を溶接点Iυ
において抵抗溶接またはレーザ溶接を行ない第2の組立
体(48b)が完成する。この製造方法は#Ilの組立
体(48a) 、第6グリツド(9]も同様である。他
のグリッドは第1図のものと同じ製造方法により履立て
られる。(48s) and the flat electrode element (48・) at the welding point Iυ
Resistance welding or laser welding is then performed to complete the second assembly (48b). This manufacturing method is the same for the #Il assembly (48a) and the sixth grid (9).The other grids are assembled by the same manufacturing method as that of FIG.
このような構造のグリッドは第1図のものと同様な方法
で電子銃構体として組立てられるが、この電子銃構体の
第1の組立体(48m) 、 * 2の組立体(48b
)、第6グリツド四のうち例えば第5グリツド四の第2
の組立体(lb)では第10図に示すように電子レンズ
を構成するキャップ状電極素子(48g)の電子ビーム
通過孔部の径を第1図のものと同様に(φ、)とした場
合、平板状電極素子(48@)及び電子レンズを構成し
ないキャップ状電極素子(484)の電子ビーム通過孔
部の径(φ4)(φ、)は大きく形成されて例えばφ−
3,9關とした時(φ4)(φハエ4.0−となってい
る。A grid having such a structure is assembled as an electron gun assembly in a manner similar to that shown in FIG.
), of the 6th grid 4, for example, the 2nd grid of the 5th grid 4
In the assembly (lb), as shown in Fig. 10, when the diameter of the electron beam passage hole of the cap-shaped electrode element (48 g) constituting the electron lens is set to (φ, ) as in Fig. 1. , the diameter (φ4) (φ,) of the electron beam passage hole of the flat electrode element (48@) and the cap-shaped electrode element (484) that does not constitute an electron lens is formed to be large, for example, φ-
When it is set to 3.9, it becomes (φ4) (φ fly 4.0-).
このように構成された電子銃構体は次のような利点があ
る。The electron gun assembly constructed in this manner has the following advantages.
第1に部品精度測定の自動化が可能である。即ち電子レ
ンズを構成する電子ビーム通過孔部の径が最小径である
ため、透過光を利用した光学式測定が高槽度で可能とな
る。First, it is possible to automate parts accuracy measurement. That is, since the diameter of the electron beam passage hole constituting the electron lens is the minimum diameter, optical measurement using transmitted light is possible with high accuracy.
第2に電子銃構体の生産性が向上する。即ち。Second, the productivity of the electron gun assembly is improved. That is.
ビープ/グエI!4とおいて、センター棒に滑合する電
極素子は電子レンズを構成するものだけとなり、スムー
スに部品挿入ができる。Beep/Gue I! 4, the only electrode element that slides onto the center rod is that which constitutes the electron lens, allowing for smooth component insertion.
第31こ電子銃構体の組立精度が向上する。。即ち第1
1図に示すようにビーデング工程で第6グリツド四の電
子レンズを構成するキャップ状電極素子(491)が図
の様に変形したものを使用した場合。The assembly accuracy of the 31st electron gun assembly is improved. . That is, the first
As shown in Figure 1, in the beading process, a cap-shaped electrode element (491) constituting the fourth electron lens of the sixth grid is deformed as shown in the figure.
スペーサ341を介して第5グリツド四の$I2の組立
体(48b)を載置した場合、第2の組立体(48b)
のキャップ状電極素子(484) 、平板状電極素子(
48g)の電子ビーム通過孔部が大きいため、キャップ
状電極素子< 481)とキャップ状電極素子(49t
)はスペーサに対して均一にあたり、従ってこのキャッ
プ状電極素子(48,)とキャップ状電極素子(49□
)間に形成される電子レンズに影響なく組立精度は向上
する。When the $I2 assembly (48b) of the fifth grid 4 is placed through the spacer 341, the second assembly (48b)
Cap-shaped electrode element (484), flat plate-shaped electrode element (
48g) has a large electron beam passage hole, the cap-shaped electrode element < 481) and the cap-shaped electrode element (49t
) uniformly hits the spacer, so that the cap-shaped electrode element (48,) and the cap-shaped electrode element (49□
) Assembly accuracy is improved without affecting the electronic lens formed between the two.
第4に電子銃構体アライメント測定積置が向上する。即
ち電子レンズを構成しない電極素子の電子ビーム通過孔
部が測定を妨害しない為に測定精度が向上する。Fourth, the electron gun structure alignment measurement stacking is improved. That is, the measurement accuracy is improved because the electron beam passage hole of the electrode element that does not constitute the electron lens does not interfere with the measurement.
第5にフォーカス品位が向上する。即ち、電子レンズを
構成しない電極素子がオフセンターした場合でもその電
子ビーム通過孔部の径が大きいため電子レンズを形成す
る電界を乱さないので電子ビームの歪もなくなり、フォ
ーカス品位が向上するO
前述した実施例では電子銃構体としてQPFを用いて使
用したが、これはQPFに限定されるものではな(UP
F、やBPFにもそのまま適用されるし。Fifth, focus quality is improved. That is, even if an electrode element that does not constitute an electron lens is off-center, the diameter of the electron beam passage hole is large, so the electric field that forms the electron lens is not disturbed, so there is no distortion of the electron beam, and the focus quality is improved. In the example described above, QPF was used as the electron gun structure, but this is not limited to QPF (UP
It also applies to F and BPF.
また電子レンズを構成する電極素子の電子ビーム通過孔
部に円筒形の所謂バー7リングを使用したものについて
述べたが、これに限定されるものではないし、また一方
を平板状電極素子としてもよい。In addition, although a cylindrical so-called bar 7 ring is used in the electron beam passage hole of the electrode element constituting the electron lens, the present invention is not limited to this, and one side may be a flat electrode element. .
更に、第12図ζこ示すように平板状電極素子の代りに
植設部にのみに使用する平板状金属板(411y)を使
用したり・第13図に示す+うに両キ“ツブ状電極素子
(48番)、(481)を延長して植設部(48,)を
兼用させたり、第14図に示すようにキャップ状電極素
子(4&)の外周に植設部(48・)を固定し素子(4
84)の頂面に更に植設部(481・)を設すたものも
同様である。ただし第12wJ乃至第15図における第
10図と同一符号は同一部分または同一径を示し特番こ
説明しない。Furthermore, as shown in Fig. 12, instead of the flat electrode element, a flat metal plate (411y) used only for the implanted part may be used. The elements (No. 48) and (481) can be extended to serve as the implanted part (48,), or the implanted part (48.) can be added to the outer periphery of the cap-shaped electrode element (4&) as shown in Fig. 14. Fixed element (4
The same applies to the case where an implanted portion (481) is further provided on the top surface of 84). However, the same reference numerals as in FIG. 10 in FIGS. 12wJ to 15 indicate the same parts or the same diameters, and special numbers will not be explained.
発明の効果
前述のように本発明の電子銃構体によれば電子レンズを
構成する電極素子の電子ビーム通過孔部の径よりも、電
子レンズを構成しない電極素子の電子ビーム通過孔部の
径を大にすることにより部品)IJf測定の自動化が可
能、生産性の向上1組立精度の向上、アライメン) 8
111定精度の向上、フォーカス品位の向上が得られる
のでその工業的価値は極めて大である・Effects of the Invention As described above, according to the electron gun assembly of the present invention, the diameter of the electron beam passing hole of an electrode element that does not constitute an electron lens is smaller than the diameter of the electron beam passing hole of an electrode element that constitutes an electron lens. By increasing the size of parts) IJf measurement can be automated, improving productivity 1 Improving assembly accuracy, alignment) 8
Its industrial value is extremely large as it improves the 111 constant accuracy and focus quality.
第1図乃至第5図は先願の電子銃構体及びそのA遣方法
を示す図であり、第1図は電子銃構体の断面図、第2図
は組立体の製造工程を示す平面図、第3図は第2図をA
−入線に凸って切断して見た断面図、第4図は電子銃構
体の製造方法の説明図。
第5図は組立体の断面図、II6図は先願の問題点の一
つを示す説明用断面図、第7図乃至第10図は本発明の
電子銃構体及びその製造方法を示す図であり、第7図は
電子銃構体の断面図、第8図は組立体の製造工程を示す
平面図、@9図は第8図をB−Bliに沿って切断して
見た断面図、第10図は組立体の断面図、第11gは本
実施例の利点の一つを示す説明用断面図、第12図乃至
第1s図は本発明のそれぞれ他の実施例に適用する組立
体を示す断面図である。
2.42・・・ヒータ 3,43・・・陰極4
.44・・・第1グリツド 5.45・・・第2グリツ
ド6.46・・・第3グリツド 7.47・・第4グリ
ツド8.48・=第5グリッド 8m、8b、48m、
48b =組立体9.49・・第6グリツド 12,2
3.52・・・センター棒代理人 弁理士 井 上 −
男
第 1 図
第 2 図
第4図
第5図
第7図
2/1 to 5 are diagrams showing the electron gun assembly of the prior application and its method of use A, in which FIG. 1 is a sectional view of the electron gun assembly, FIG. 2 is a plan view showing the manufacturing process of the assembly, Figure 3 is the same as Figure 2.
- A sectional view taken along the incoming line, and FIG. 4 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the electron gun assembly. FIG. 5 is a cross-sectional view of the assembly, FIG. Figure 7 is a cross-sectional view of the electron gun assembly, Figure 8 is a plan view showing the manufacturing process of the assembly, Figure 9 is a cross-sectional view of Figure 8 taken along B-Bli, and Figure 8 is a cross-sectional view of the electron gun assembly. Figure 10 is a cross-sectional view of the assembly, Figure 11g is an explanatory cross-sectional view showing one of the advantages of this embodiment, and Figures 12 to 1s show assemblies applicable to other embodiments of the present invention. FIG. 2.42...Heater 3,43...Cathode 4
.. 44...1st grid 5.45...2nd grid 6.46...3rd grid 7.47...4th grid 8.48=5th grid 8m, 8b, 48m,
48b = assembly 9.49...6th grid 12,2
3.52...Center stick agent Patent attorney Inoue −
Male Figure 1 Figure 2 Figure 4 Figure 5 Figure 7 Figure 7 2/
Claims (3)
り、前記グリッドの少なくとも1個がそれぞれI電子ビ
ーム通過孔部の設けられた2個の電極素子を位置ぎめ組
み立てた少くとも1個の組立体からなり、前記複数個の
グリッド及び他の電極を植設部を介して絶縁支持棒に植
設されてなる電子銃構体において、前記組立体に設けら
れ苑電子ビーム通過孔部のうち、電子レンズを構成する
前記電a累子の電子ビーム通過孔部の径よりも前記電子
レンズを構成し・ない前記電極素子の電子ビーム通過孔
部の径を大きくなされていることを特徴とする電子銃構
体。(1) At least one grid consisting of a plurality of grids and other electrodes, in which at least one of the grids positions and assembles two electrode elements, each of which is provided with an I electron beam passage hole. In the electron gun assembly, the plurality of grids and other electrodes are implanted on an insulating support rod via implantation portions, and one of the electron beam passage holes provided in the assembly is , characterized in that the diameter of the electron beam passage hole of the electrode element that does not constitute the electron lens is larger than the diameter of the electron beam passage hole of the electron a-passage element that constitutes the electron lens. Electron gun structure.
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子
銃構体。(2) The electron gun assembly according to claim 1, wherein the degree of increase is 0.04 to 0.31 Wl.
リッドの少なくとも1個がそれぞれ電子ビーム通過孔部
の設けられた2個の電極素子を位置ぎめ組み立てた少く
とも1個の組立体からなり、前記複数個のグリッド及び
他の電極を植設部を介して絶縁支持棒に植設されてなる
電子銃構体の製造方法において、前記組立体を構成する
2個の電極素子のうち、電子・レンズを構成する一方の
電極素子の電子ビーム通過孔部の径よりも他方の電子レ
ンズを構成しない前記電極素子の電子ビーム通過孔部の
径を大きく形成する工程と、前記2個の電極素子を組立
て固定する工程と、前記複数個のグリッド及び他の電極
をスペーサ及びセンター棒を介して積み重ねる工程とを
少なくとも具備することを特徴とする電子銃構体の製造
方法。(3) Consisting of a plurality of grids and other electrodes, at least one of the grids being at least one assembly formed by positioning and assembling two electrode elements each provided with an electron beam passage hole. , in the method for manufacturing an electron gun assembly in which the plurality of grids and other electrodes are implanted on an insulating support rod via implantation parts, of the two electrode elements constituting the assembly; forming the diameter of the electron beam passing hole of the electrode element that does not constitute the other electron lens to be larger than the diameter of the electron beam passing hole of one of the electrode elements constituting the lens; 1. A method of manufacturing an electron gun assembly, comprising at least the steps of assembling and fixing, and stacking the plurality of grids and other electrodes via spacers and center rods.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17904781A JPS5882448A (en) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | Electron-gun structure and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17904781A JPS5882448A (en) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | Electron-gun structure and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882448A true JPS5882448A (en) | 1983-05-18 |
| JPH0218539B2 JPH0218539B2 (en) | 1990-04-25 |
Family
ID=16059187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17904781A Granted JPS5882448A (en) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | Electron-gun structure and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882448A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4866335A (en) * | 1987-05-26 | 1989-09-12 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | CRT electron gun with multi-lens system |
-
1981
- 1981-11-10 JP JP17904781A patent/JPS5882448A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4866335A (en) * | 1987-05-26 | 1989-09-12 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | CRT electron gun with multi-lens system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218539B2 (en) | 1990-04-25 |
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