JPH0218539B2 - - Google Patents

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JPH0218539B2
JPH0218539B2 JP17904781A JP17904781A JPH0218539B2 JP H0218539 B2 JPH0218539 B2 JP H0218539B2 JP 17904781 A JP17904781 A JP 17904781A JP 17904781 A JP17904781 A JP 17904781A JP H0218539 B2 JPH0218539 B2 JP H0218539B2
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JP
Japan
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assembly
grid
electron
electrode element
electron beam
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JP17904781A
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Japanese (ja)
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JPS5882448A (en
Inventor
Masakazu Haruta
Masashi Takeshima
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP17904781A priority Critical patent/JPS5882448A/en
Publication of JPS5882448A publication Critical patent/JPS5882448A/en
Publication of JPH0218539B2 publication Critical patent/JPH0218539B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48Electron guns
    • H01J29/488Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は電子銃構体及びその製造方法に係り、
特に電子銃構体を構成するグリツドの電子ビーム
通過孔部の径を変化させることにより効果的に組
立てることが可能な電子銃構体及びその製造方法
に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] Technical Field of the Invention The present invention relates to an electron gun assembly and a manufacturing method thereof;
In particular, the present invention relates to an electron gun assembly that can be assembled effectively by changing the diameter of an electron beam passage hole in a grid constituting the electron gun assembly, and a method for manufacturing the same.

発明の技術的背景 カラー受像管用として使用される電子銃構体に
はユニポテンシヤル形電子銃構体(以下UPFと
云う)、バイポテンシヤル形電子銃構体(以下
BPFと云う)などが主流となつていたが、これ
らUPFやBPFは一長一短があり、カラー受像管
のスクリーン上のスポツトを全面にわたつて小さ
くすることが困難であつた。
Technical Background of the Invention Electron gun structures used for color picture tubes include unipotential electron gun structures (hereinafter referred to as UPF) and bipotential electron gun structures (hereinafter referred to as UPF).
However, these UPF and BPF had advantages and disadvantages, and it was difficult to reduce the spots on the screen of a color picture tube over the entire surface.

この対策として出願人は先にユニポテンシヤル
形電子レンズを補助電子レンズとし、バイポテン
シヤル形電子レンズを主電子レンズとした電子銃
構体(以下QPFと云う)を開発し、カラー受像
管のスクリーン上のスポツトを全面にわたり小さ
くし、高輝度、高コントラストな極めて鮮明な再
生画像を得ることを可能とした。
As a countermeasure to this problem, the applicant first developed an electron gun structure (hereinafter referred to as QPF) that uses a unipotential type electron lens as an auxiliary electron lens and a bipotential type electron lens as the main electron lens. The spots are made smaller over the entire surface, making it possible to obtain extremely clear reproduced images with high brightness and high contrast.

次にこのQPFの構造の要部を第1図により説
明する。即ちQPF1は内部にヒータ2を装着し
た陰極3、第1グリツド4、第2グリツド5、2
個のキヤツプ状電極素子61,62と1個の平板状
電極素子63からなる第3グリツド6、2個のキ
ヤツプ状電極素子71,72からなる第4グリツド
7、2個のキヤツプ状電極素子81,82と1個の
平板状電極素子83からなる第1の組立体8a、
及び2個のキヤツプ状電極84,85と1個の平板
状電極素子86からなる第2の組立体8bとで構
成される第5グリツド8、2個のキヤツプ状電極
素子91,92と1個の平板状電極素子93からな
る第6グリツド9とを具備し、これらヒータ2、
陰極3、第1グリツド4、第2グリツド5、第3
グリツド6、第4グリツド7、第5グリツド8、
第6グリツド9はそれぞれ所定間隔をもつように
植設部を介して絶縁支持棒10に植設され、第3
グリツド6、第4グリツド7、及び第5グリツド
8によりユニポテンシヤル形電子レンズを形成す
ると共に第5グリツド8と第6グリツド9により
バイポテンシヤル形電子レンズを形成するように
なつている。
Next, the main part of the structure of this QPF will be explained with reference to FIG. That is, the QPF 1 includes a cathode 3 with a heater 2 installed inside, a first grid 4, and a second grid 5, 2.
A third grid 6 consists of two cap-shaped electrode elements 6 1 , 6 2 and one flat electrode element 6 3 , a fourth grid 7 consists of two cap-shaped electrode elements 7 1 , 7 2 , and a fourth grid 7 consists of two cap-shaped electrode elements 7 1 , 7 2 . A first assembly 8a consisting of cap-shaped electrode elements 8 1 and 8 2 and one plate-shaped electrode element 8 3 ;
and a second assembly 8b consisting of two cap-shaped electrodes 8 4 , 8 5 and one flat electrode element 8 6 , two cap-shaped electrode elements 9 1 , 9 2 and a sixth grid 9 consisting of one flat electrode element 9 3 , these heaters 2,
Cathode 3, first grid 4, second grid 5, third
grid 6, fourth grid 7, fifth grid 8,
The sixth grids 9 are installed on the insulating support rods 10 through the installation portions at predetermined intervals, and the third
The grid 6, the fourth grid 7, and the fifth grid 8 form a unipotential type electron lens, and the fifth grid 8 and the sixth grid 9 form a bipotential type electron lens.

そして第1図に示すような電子銃構体は第2図
乃至第4図に示すような組立方法により組立てら
れている。図中第1図と同一部分は同一符号を示
す。
The electron gun assembly shown in FIG. 1 is assembled by the assembly method shown in FIGS. 2 to 4. In the figure, the same parts as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

先ず第2図及び第3図に示すように定盤11に
位置ぎめ用センター棒12を植設した組立治具1
3に電子レンズを構成しないキヤツプ状電極素子
4、平板状電極素子86、電子レンズを形成する
キヤツプ状電極85の順に挿入し、このキヤツプ
状電極85上より治具14を介して矢印方向に
(F3)の力で圧接しながら組立治具13に設けら
れた位置ぎめ治具15,16,17,18,19
を使用し平板状電極素子86の外周に設けられた
4ケ所の基準面20とセンター棒12の位置をき
める。この場合、図のように位置ぎめ治具18,
19にはそれぞれスプリングなどを介して矢印方
向に(F1)(F2)の力を平板状電極素子86に加え
るようになつている。次にキヤツプ状電極素子8
,85及び平板状電極素子86を溶接点21にお
いて抵抗溶接またはレーザ溶接を行ない、第2の
組立体8bが完成する。この製造方法は第3グリ
ツド6、第4グリツド7、第5グリツド8の第1
の組立体8a、第6グリツド9も同様である。
First, as shown in FIGS. 2 and 3, an assembly jig 1 is prepared in which a center rod 12 for positioning is installed on a surface plate 11.
A cap-shaped electrode element 8 4 that does not constitute an electron lens, a flat electrode element 8 6 , and a cap-shaped electrode 8 5 that forms an electron lens are inserted into the cap-shaped electrode 8 5 in this order from above the cap-shaped electrode 8 5 through the jig 14. Positioning jigs 15, 16, 17, 18, 19 provided on the assembly jig 13 while pressing with a force (F 3 ) in the direction of the arrow
The positions of the four reference planes 20 provided on the outer periphery of the flat electrode element 86 and the center rod 12 are determined using the following. In this case, as shown in the figure, the positioning jig 18,
Forces (F 1 ) (F 2 ) are applied to the flat electrode element 8 6 in the direction of the arrows through springs or the like, respectively. Next, the cap-shaped electrode element 8
4 , 85 and the flat electrode element 86 are subjected to resistance welding or laser welding at the welding point 21 to complete the second assembly 8b. This manufacturing method is applied to the first grid of the third grid 6, fourth grid 7, and fifth grid 8.
The same applies to the assembly 8a and the sixth grid 9.

次に電子銃構体の組立について第4図により説
明する。図中第1図と同一符号は同一部分を示
し、特に説明しない。
Next, the assembly of the electron gun assembly will be explained with reference to FIG. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts, and no particular explanation will be given.

即ち、定盤22に植設されたセンター棒23に
第6グリツド9、スペーサ24、第5グリツド8
の第2の組立体8b、第1の組立体8a、スペー
サ25、第4グリツド7、スペーサ26、第3グ
リツド6、スペーサ27、第2グリツド5、スペ
ーサ28、第1グリツド4の順に積み重ね、この
第1グリツド4上より治具29を載置し、矢印方
向より力(F4)で締付けながら両側より表面を
軟化した絶縁支持棒10を圧接し、各グリツドの
植設部をこの絶縁支持棒10に植設し、センター
棒23、各スペーサ24,25,26,27,2
8を除去し、第1図の電子銃構体が完成する。第
4図において陰極、ヒータは省略している。
That is, the sixth grid 9, the spacer 24, and the fifth grid 8 are attached to the center rod 23 installed on the surface plate 22.
The second assembly 8b, the first assembly 8a, the spacer 25, the fourth grid 7, the spacer 26, the third grid 6, the spacer 27, the second grid 5, the spacer 28, and the first grid 4 are stacked in this order, A jig 29 is placed on this first grid 4, and while tightening with force (F 4 ) in the direction of the arrow, the insulation support rods 10 with softened surfaces are pressed against both sides, and the implanted portion of each grid is attached to this insulation support. Planted on the rod 10, center rod 23, each spacer 24, 25, 26, 27, 2
8 is removed, and the electron gun assembly shown in FIG. 1 is completed. In FIG. 4, the cathode and heater are omitted.

前述した製造方法で組立てられる電子銃構体の
各グリツド、例えば第5グリツド8の第1の組立
体8a、第2の組立体8b、第6グリツド9の形
状は、第2の組立体8bを例にとると第5図に示
すように電子レンズを構成するキヤツプ状電極素
子85の電子ビーム通過孔部の径(φ1)、平板状電
極素子86の電子ビーム通過孔部の径(φ2)、電子
レンズを構成しないキヤツプ状電極素子84の電
子ビーム通過孔部の径(φ3)とは同一に形成さ
れていた。
The shape of each grid of the electron gun assembly assembled by the above-described manufacturing method, for example, the first assembly 8a, second assembly 8b, and sixth grid 9 of the fifth grid 8, is the same as that of the second assembly 8b. As shown in FIG. 5, the diameter (φ 1 ) of the electron beam passage hole of the cap-shaped electrode element 8 5 constituting the electron lens, and the diameter (φ 1 ) of the electron beam passage hole of the flat electrode element 8 6 2 ) The diameter (φ 3 ) of the electron beam passage hole of the cap-shaped electrode element 8 4 that does not constitute an electron lens was formed to be the same.

背景技術の問題点 このように各素子の電子ビーム通過孔部の径
(φ1)、(φ2)、(φ3)が同一なため次の様な問題

があつた。
Problems with the Background Art As described above, since the diameters (φ 1 ), (φ 2 ), and (φ 3 ) of the electron beam passage holes of each element are the same, the following problems occur.

第1に部品精度測定の自動化が困難である。即
ち透過光を利用した光学式の測定が自動化を最も
簡単にする方法であるが、平板状の電極素子86
は別としてキヤツプ状電極素子85と84が同一径
であるため、例えばキヤツプ状電極素子85の外
方より平行光を通過させてもこの光がキヤツプ状
電極素子84の電子ビーム通過孔部により一部が
遮えぎられ鮮明な像が得られないことになり、こ
のような光学式の測定が採用できない。
First, it is difficult to automate part accuracy measurement. In other words, optical measurement using transmitted light is the easiest method to automate, but flat electrode elements 8 6
Apart from this, since the cap-shaped electrode elements 8 5 and 8 4 have the same diameter, for example, even if parallel light is passed through the cap-shaped electrode element 8 5 from outside, this light will not pass through the electron beam of the cap-shaped electrode element 8 4 . This type of optical measurement cannot be used because a clear image cannot be obtained because a portion of the image is blocked by the hole.

第2の電子銃構体の生産性がわるい。即ち第4
図に示す所謂ビーデング工程においてはそれぞれ
グリツドやグリツドの組立体としてセンター棒2
3に滑合することになるため、これらのグリツド
やグリツドの組立体をセンター棒に挿入する時の
作業性が悪い。
The productivity of the second electron gun assembly is poor. That is, the fourth
In the so-called beading process shown in the figure, the center rod 2 is used as a grid or as an assembly of the grid.
3, the workability when inserting these grids or grid assemblies into the center rod is poor.

第3に電子銃構体の組立精度の劣化、即ち第6
図に示すようにビーデング工程で第6グリツド9
の電子レンズを構成するキヤツプ状電極素子91
が図の様に変形したものを使用した場合、スペー
サ24を介して第5グリツド8の第2の組立体8
bを載置した場合を考えて見ると、第2の組立体
8bの両キヤツプ状電極素子84,85、第6グリ
ツド9の両キヤツプ状電極素子91,92の電子ビ
ーム通過孔部が同径であり、これらがセンター棒
24に滑合し、かつ上より矢印方向に力(F4
で押し付けられているので、スペーサ24とキヤ
ツプ状電極素子85は点31でのみ接触すると共
に第2の組立体8bには矢印32のような応力が
加えられ、点33,34でセンター棒23に噛み
合つていることになり、ビーデイング工程後セン
ター棒23から抜くとき第2の組立体8bは移動
するため電子銃構体として不良になりやすい。
Thirdly, the assembly accuracy of the electron gun assembly is deteriorated.
As shown in the figure, in the beading process, the 6th grid 9
cap-shaped electrode element 9 1 constituting the electron lens of
If a modified one as shown in the figure is used, the second assembly 8 of the fifth grid 8 is connected via the spacer 24.
Considering the case where the cap-shaped electrode elements 8 4 and 8 5 of the second assembly 8b and both the cap-shaped electrode elements 9 1 and 9 2 of the sixth grid 9 are placed, the electron beam passage holes The portions have the same diameter, and these slide onto the center rod 24, and a force (F 4 ) is applied from above in the direction of the arrow.
As a result, the spacer 24 and the cap-shaped electrode element 85 contact each other only at a point 31, and a stress as indicated by an arrow 32 is applied to the second assembly 8b, and the center rod 23 is pressed at points 33 and 34. Since the second assembly 8b moves when removed from the center rod 23 after the beading process, it is likely to become defective as an electron gun assembly.

第4に電子銃構体アライメント測定精度が劣化
する。即ち精度が不要な電子レンズを構成しない
電極素子、第6図で84と92が精度を必要とする
電子レンズを構成する電極素子、第6図で85
1の電子ビーム通過孔部が同じであるため、接
触式・光学式共に測定を妨害することになり、結
果的に測定精度が劣化する。
Fourth, the accuracy of electron gun structure alignment measurement deteriorates. In other words, electrode elements that do not constitute an electron lens that does not require precision, electrode elements 8 4 and 9 2 in Figure 6 that constitute an electron lens that requires precision, and electron beam passing holes 8 5 and 9 1 in Figure 6 Since the parts are the same, both the contact type and the optical type interfere with measurement, resulting in deterioration of measurement accuracy.

第5にフオーカス品位の劣化、即ち電子ビーム
通過孔部の径が同一であるため、電子レンズを構
成しない電極素子の電子ビーム通過孔部がオフセ
ンターしている場合、電子レンズを形成する電界
に影響を与え電子レンズを通過する電子ビームに
歪が発生するためフオーカス品位を劣化させる。
Fifth, the focus quality deteriorates.In other words, since the diameters of the electron beam passage holes are the same, if the electron beam passage hole of the electrode element that does not constitute the electron lens is off-center, the electric field that forms the electron lens will This causes distortion in the electron beam passing through the electron lens, deteriorating the focus quality.

発明の目的及び構成 本発明は前記背景技術の諸問題点に鑑みなされ
たものであり、グリツドやグリツドを構成する組
立体を使用して組立てる場合、これらグリツドや
グリツドを構成する組立体の電子レンズを構成し
ない電極素子の電子ビーム通過孔部の径を電子レ
ンズを構成する電極素子の電子ビーム通過孔部の
径より例えば0.04〜0.30mm大きくすることにより
部品精度測定の自動化及び生産性組立精度、アラ
イメントの測定精度、フオーカス品位の向上が期
待出来る電子銃構体、及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。
Object and Structure of the Invention The present invention has been made in view of the problems of the above-mentioned background art. By making the diameter of the electron beam passage hole of the electrode element that does not constitute the electron lens larger, for example, by 0.04 to 0.30 mm, than the diameter of the electron beam passage hole of the electrode element that constitutes the electron lens, automation of parts accuracy measurement and productivity and assembly accuracy can be improved. The object of the present invention is to provide an electron gun assembly that can be expected to improve alignment measurement accuracy and focus quality, and a method for manufacturing the same.

発明の実施例 次に本発明の一実施例としてのQPFの構造の
要部を第7図により説明する。
Embodiment of the Invention Next, the main part of the structure of a QPF as an embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG.

即ちQPF41は内部にヒータ42を装着した
陰極43、第1グリツド44、第2グリツド4
5、2個のキヤツプ状電極素子461,462と1
個の平板状電極素子463からなる第3グリツド
46、2個のキヤツプ状電極素子471,472
らなる第4グリツド47、2個のキヤツプ状電極
素子481,482と1個の平板状電極素子483
からなる第1の組立体48a、及び2個のキヤツ
プ状電極素子484,485と1個の平板状電極素
子486からなる第2の組立体48bとで構成さ
れる第5グリツド48、2個のキヤツプ状電極素
子491,492と1個の平板状電極素子493
らなる第6グリツド49とを具備し、これらヒー
タ42、陰極43、第1グリツド44、第2グリ
ツド45、第3グリツド46、第4グリツド4
7、第5グリツド48、第6グリツド49はそれ
ぞれ所定間隔を持つように植設部を介して絶縁支
持棒50に植設され、第3グリツド46、第4グ
リツド47及び第5グリツド48によりユニポテ
ンシヤル形電子レンズを形成すると共に第5グリ
ツド48と第6グリツド49によりバイポテンシ
ヤル形電子レンズを形成するようになつているの
は従来のものとほぼ同様であるが、本実施例にお
いてはこれらグリツド及び組立体のうち電子レン
ズを構成しない電極素子482,483,484
486,493,492の電子ビーム通過孔部の径
を電子レンズを構成する電極素子481,485
491の電子ビーム通過孔部の径よりも大きくな
され、この大きくなされる程度が0.04〜0.30であ
ることを特徴としている。
That is, the QPF 41 includes a cathode 43 with a heater 42 installed inside, a first grid 44, and a second grid 4.
5. Two cap-shaped electrode elements 46 1 , 46 2 and 1
A third grid 46 consists of three plate-shaped electrode elements 46 3 , a fourth grid 47 consists of two cap-shaped electrode elements 47 1 , 47 2 , a fourth grid 47 consists of two cap-shaped electrode elements 48 1 , 48 2 and one Flat electrode element 48 3
and a second assembly 48b consisting of two cap-shaped electrode elements 48 4 , 48 5 and one plate-shaped electrode element 48 6 , It is equipped with a sixth grid 49 consisting of two cap-shaped electrode elements 49 1 , 49 2 and one plate-shaped electrode element 49 3 , and includes a heater 42 , a cathode 43 , a first grid 44 , a second grid 45 , 3rd grid 46, 4th grid 4
7, the fifth grid 48 and the sixth grid 49 are respectively planted on the insulating support rod 50 via the planting portions at predetermined intervals, and the third grid 46, the fourth grid 47 and the fifth grid 48 form a unit. It is almost the same as the conventional one in that a potential type electron lens is formed and a bipotential type electron lens is formed by the fifth grid 48 and the sixth grid 49, but in this embodiment, these grids are and electrode elements 48 2 , 48 3 , 48 4 that do not constitute an electron lens in the assembly,
The diameters of the electron beam passing holes 48 6 , 49 3 , 49 2 are the same as those of the electrode elements 48 1 , 48 5 , which constitute the electron lens.
It is characterized in that the diameter is larger than the diameter of the electron beam passage hole of No. 491 , and the degree of this enlargement is 0.04 to 0.30.

次にグリツドや組立体などの組立方法を第8図
及び第9図により説明する。
Next, a method of assembling the grid, assembly, etc. will be explained with reference to FIGS. 8 and 9.

即ち、定盤51に径大部521と径小部522
有する位置ぎめ用センター棒52を植設した組立
治具53に電子レンズを構成しないキヤツプ状電
極素子484、平板状電極素子486、電子レンズ
を構成するキヤツプ状電極素子485の順に挿入
し、このキヤツプ状電極素子485上より治具5
4を介して矢印方向に(F3)の力で圧接しなが
ら組立治具53に設けられた位置ぎめ治具55,
56,57,58,59を使用し、平板状電極素
子486の外周に設けられた4ケ所の基準面60
とセンター棒52の位置をきめる。この場合、図
のように位置ぎめ治具58,59にはそれぞれス
プリングなどを介して矢印方向に(F1)、(F2
の力を平板状電極486に加えるようになつてい
る。次にキヤツプ状電極素子484,485及び平
板状電極素子486を溶接点61において抵抗溶
接またはレーザ溶接を行ない第2の組立体48b
が完成する。この製造方法は第1の組立体48
a、第6グリツド9も同様である。他のグリツド
は第1図のものと同じ製造方法により組立てられ
る。
That is, a cap-shaped electrode element 48 4 and a plate-shaped electrode element that do not constitute an electron lens are attached to an assembly jig 53 in which a center rod 52 for positioning having a large diameter part 52 1 and a small diameter part 52 2 is implanted in a surface plate 51. 48 6 and the cap-shaped electrode element 48 5 constituting the electron lens, and insert the jig 5 from above the cap-shaped electrode element 48 5 .
4, the positioning jig 55 is attached to the assembly jig 53 while being pressed with a force (F 3 ) in the direction of the arrow.
56, 57, 58, and 59, and four reference planes 60 provided on the outer periphery of the flat electrode element 486.
and determine the position of the center rod 52. In this case, as shown in the figure, the positioning jigs 58 and 59 are provided with springs, etc., in the directions of the arrows (F 1 ) and (F 2 ), respectively.
force is applied to the flat electrode 486 . Next, the cap-shaped electrode elements 48 4 , 48 5 and the plate-shaped electrode element 48 6 are subjected to resistance welding or laser welding at the welding point 61 to form the second assembly 48b.
is completed. This manufacturing method includes the first assembly 48
The same applies to the sixth grid 9. The other grids are assembled by the same manufacturing method as that of FIG.

このような構造のグリツドは第1図のものと同
様な方法で電子銃構体として組立てられるが、こ
の電子銃構体の第1の組立体48a、第2の組立
体48b、第6グリツド49のうち例えば第5グ
リツド48の第2の組立体48bでは第10図に
示すように電子レンズを構成するキヤツプ状電極
素子485の電子ビーム通過孔部の径を第1図の
ものと同様に(φ1)とした場合、平板状電極素
子486及び電子レンズを構成しないキヤツプ状
電極素子484の電子ビーム通過孔部の径(φ4
(φ5)は大きく形成されて例えばφ1=3.9mmとした
時(φ4)(φ5)=4.0mmとなつている。
A grid having such a structure is assembled as an electron gun assembly in a manner similar to that shown in FIG. For example, in the second assembly 48b of the fifth grid 48, as shown in FIG. 10, the diameter of the electron beam passage hole of the cap-shaped electrode element 485 constituting the electron lens is set to 1 ), the diameter (φ 4 ) of the electron beam passage hole of the flat electrode element 48 6 and the cap-shaped electrode element 48 4 that does not constitute an electron lens.
5 ) is formed large, for example, when φ 1 =3.9 mm, (φ 4 )(φ 5 )=4.0 mm.

このように構成された電子銃構体は次のような
利点がある。
The electron gun assembly constructed in this manner has the following advantages.

第1に部品精度測定の自動化が可能である。即
ち電子レンズを構成する電子ビーム通過孔部の径
が最小径であるため、透過光を利用した光学式測
定が高精度で可能となる。
First, it is possible to automate parts accuracy measurement. That is, since the diameter of the electron beam passage hole constituting the electron lens is the minimum diameter, optical measurement using transmitted light becomes possible with high precision.

第2に電子銃構体の生産性が向上する。即ち、
ビーデング工程において、センター棒に滑合する
電極素子は電子レンズを構成するものだけとな
り、スムースに部品挿入ができる。
Second, the productivity of the electron gun assembly is improved. That is,
In the beading process, only the electrode elements that make up the electron lens slide onto the center rod, allowing for smooth component insertion.

第3に電子銃構体の組立精度が向上する。即ち
第11図に示すようにビーデング工程で第6グリ
ツド49の電子レンズを構成するキヤツプ状電極
素子491が図の様に変形したものを使用した場
合、スペーサ24を介して第5グリツド48の第
2の組立体48bを載置した場合、第2の組立体
48bのキヤツプ状電極素子484、平板状電極
素子486の電子ビーム通過孔部が大きいため、
キヤツプ状電極素子485とキヤツプ状電極素子
491はスペーサに対して均一にあたり、従つて
このキヤツプ状電極素子485とキヤツプ状電極
素子491間に形成される電子レンズに影響なく
組立精度は向上する。
Thirdly, the assembly accuracy of the electron gun assembly is improved. That is, when the cap-shaped electrode element 491 constituting the electron lens of the sixth grid 49 is deformed as shown in the figure in the beading process as shown in FIG. When the second assembly 48b is placed, the cap-shaped electrode element 48 4 and the flat electrode element 48 6 of the second assembly 48b have large electron beam passage holes;
The cap-shaped electrode element 48 5 and the cap-shaped electrode element 49 1 contact the spacer uniformly, so that the assembly accuracy can be maintained without affecting the electron lens formed between the cap-shaped electrode element 48 5 and the cap-shaped electrode element 49 1. improves.

第4に電子銃構体アライメント測定精度が向上
する。即ち電子レンズを構成しない電極素子の電
子ビーム通過孔部が測定を妨害しない為に測定精
度が向上する。
Fourthly, the accuracy of electron gun structure alignment measurement is improved. That is, the measurement accuracy is improved because the electron beam passage hole of the electrode element that does not constitute the electron lens does not interfere with the measurement.

第5にフオーカス品位が向上する。即ち、電子
レンズを構成しない電極素子がオフセンターした
場合でもその電子ビーム通過孔部の径が大きいた
め電子レンズを形成する電界を乱さないので電子
ビームの歪もなくなり、フオーカス品位が向上す
る。
Fifth, focus quality is improved. That is, even if an electrode element that does not constitute an electron lens is off-center, the diameter of its electron beam passage hole is large, so the electric field forming the electron lens is not disturbed, so the distortion of the electron beam is eliminated, and the focus quality is improved.

前述した実施例では電子銃構体としてQPFを
用いて使用したが、これはQPEに限定されるも
のではなくUPF、やBPFにもそのまま適用され
るし、また電子レンズを構成する電極素子の電子
ビーム通過孔部に円筒形の所謂バーリングを使用
したものについて述べたが、これに限定されるも
のではないし、また一方を平板状電極素子として
もよい。更に、第12図に示すように平板状電極
素子の代りに植設部にのみに使用する平板状金属
板487を使用したり、第13図に示すように両
キヤツプ状電極素子484,485を延長して植設
部488を兼用させたり、第14図に示すように
キヤツプ状電極素子484の外周に植設部489
固定したり、また第15図に示すようにキヤツプ
状電極素子484の頂面に更に植設部4810を設
けたものも同様である。ただし第12図乃至第1
5図における第10図と同一符号は同一部分また
は同一径を示し特に説明しない。
In the above embodiment, a QPF was used as the electron gun structure, but this is not limited to QPE and can be applied to UPF and BPF as well. Although a case has been described in which a cylindrical so-called burring is used in the passage hole portion, the present invention is not limited to this, and one side may be a flat electrode element. Furthermore, as shown in FIG. 12, instead of the flat electrode element, a flat metal plate 48 7 used only for the implanted portion may be used, or as shown in FIG. 13, both cap-shaped electrode elements 48 4 , 485 can be extended to serve as the implanted part 488 , or the implanted part 489 can be fixed to the outer periphery of the cap-shaped electrode element 484 as shown in FIG. 14, or as shown in FIG. The same applies to the case where an implanted portion 4810 is further provided on the top surface of the cap-shaped electrode element 484 . However, Figures 12 to 1
The same reference numerals in FIG. 5 as in FIG. 10 indicate the same parts or the same diameters, and will not be particularly described.

発明の効果 前述のように本発明の電子銃構体によれば電子
レンズを構成する電極素子の電子ビーム通過孔部
の径よりも電子レンズを構成しない電極素子の電
子ビーム通過孔部の径を大にすることにより部品
精度測定の自動化が可能、生産性の向上、組立精
度の向上、アライメント測定精度の向上、フオー
カス品位の向上が得られるのでその工業的価値は
極めて大である。
Effects of the Invention As described above, according to the electron gun assembly of the present invention, the diameter of the electron beam passage hole of the electrode element that does not constitute the electron lens is larger than the diameter of the electron beam passage hole of the electrode element that constitutes the electron lens. By doing so, it is possible to automate parts accuracy measurement, improve productivity, improve assembly accuracy, improve alignment measurement accuracy, and improve focus quality, so its industrial value is extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図乃至第5図は先願の電子銃構体及びその
製造方法を示す図であり、第1図は電子銃構体の
断面図、第2図は組立体の製造工程を示す平面
図、第3図は第2図をA−A線に沿つて切断して
見た断面図、第4図は電子銃構体の製造方法の説
明図、第5図は組立体の断面図、第6図は先願の
問題点の一つを示す説明用断面図、第7図乃至第
10図は本発明の電子銃構体及びその製造方法を
示す図であり、第7図は電子銃構体の断面図、第
8図は組立体の製造工程を示す平面図、第9図は
第8図をB−B線に沿つて切断して見た断面図、
第10図は組立体の断面図、第11図は本実施例
の利点の一つを示す説明用断面図、第12図乃至
第15図は本発明のそれぞれ他の実施例に適用す
る組立体を示す断面図である。 2,42……ヒータ、3,43……陰極、4,
44……第1グリツド、5,45……第2グリツ
ド、6,46……第3グリツド、7,47……第
4グリツド、8,48……第5グリツド、8a,
8b,48a,48b……組立体、9,49……
第6グリツド、12,23,52……センター
棒。
1 to 5 are diagrams showing the electron gun assembly of the prior application and its manufacturing method, in which FIG. 1 is a sectional view of the electron gun assembly, FIG. 3 is a sectional view of FIG. 2 taken along the line A-A, FIG. 4 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the electron gun assembly, FIG. 5 is a sectional view of the assembly, and FIG. 6 is a sectional view of the assembly. FIGS. 7 to 10 are explanatory cross-sectional views showing one of the problems of the prior application, and FIGS. 7 to 10 are views showing the electron gun assembly and its manufacturing method of the present invention. FIG. FIG. 8 is a plan view showing the manufacturing process of the assembly, FIG. 9 is a cross-sectional view of FIG. 8 taken along line B-B,
FIG. 10 is a sectional view of the assembly, FIG. 11 is an explanatory sectional view showing one of the advantages of this embodiment, and FIGS. 12 to 15 are assemblies applicable to other embodiments of the present invention. FIG. 2,42...Heater, 3,43...Cathode, 4,
44...First grid, 5,45...Second grid, 6,46...Third grid, 7,47...Fourth grid, 8,48...Fifth grid, 8a,
8b, 48a, 48b...assembly, 9,49...
6th grid, 12, 23, 52...center rod.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 複数個のグリツド及び他の電極からなり、前
記グリツドの少なくとも1個がそれぞれ電子ビー
ム通過孔部の設けられた2個の電極素子を位置ぎ
め組み立てた少くとも1個の組立体からなり、前
記複数個のグリツド及び他の電極を植設部を介し
て絶縁支持棒に植設されてなる電子銃構体におい
て、前記組立体に設けられた電子ビーム通過孔部
のうち、電子レンズを構成する前記電極素子の電
子ビーム通過孔部の径よりも前記電子レンズを構
成しない前記電極素子の電子ビーム通過孔部の径
を大きくなされていることを特徴とする電子銃構
体。 2 大きくなされる程度が0.04〜0.3mmであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子
銃構体。 3 複数個のグリツド及び他の電極からなり、前
記グリツドの少なくとも1個がそれぞれ電子ビー
ム通過孔部の設けられた2個の電極素子を位置ぎ
め組み立てた少くとも1個の組立体からなり、前
記複数個のグリツド及び他の電極を植設部を介し
て絶縁支持棒に植設されてなる電子銃構体の製造
方法において、前記組立体を構成する2個の電極
素子のうち、電子レンズを構成する一方の電極素
子の電子ビーム通過孔部の径よりも他方の電子レ
ンズを構成しない前記電極素子の電子ビーム通過
孔部の径を大きく形成する工程と、前記2個の電
極素子を組立て固定する工程と、前記複数個のグ
リツド及び他の電極をスペーサ及びセンター棒を
介して積み重ねる工程とを少なくとも具備するこ
とを特徴とする電子銃構体の製造方法。
[Scope of Claims] 1. At least one grid comprising a plurality of grids and other electrodes, at least one of the grids positioning and assembling two electrode elements, each of which is provided with an electron beam passage hole. In an electron gun assembly comprising an assembly in which the plurality of grids and other electrodes are implanted on an insulating support rod via implantation portions, an electron beam passage hole provided in the assembly, An electron gun assembly characterized in that the diameter of the electron beam passing hole of the electrode element not forming the electron lens is larger than the diameter of the electron beam passing hole of the electrode element forming the electron lens. 2. The electron gun assembly according to claim 1, wherein the degree of increase is 0.04 to 0.3 mm. 3 consisting of a plurality of grids and other electrodes, at least one of said grids consisting of at least one assembly in which two electrode elements each provided with an electron beam passage hole are positioned and assembled; In a method for manufacturing an electron gun assembly in which a plurality of grids and other electrodes are implanted on an insulating support rod via implantation parts, an electron lens constitutes one of the two electrode elements constituting the assembly. forming the diameter of the electron beam passing hole of the electrode element that does not constitute the other electron lens to be larger than the diameter of the electron beam passing hole of one of the electrode elements; and assembling and fixing the two electrode elements. 1. A method for manufacturing an electron gun assembly, comprising at least the steps of: and stacking the plurality of grids and other electrodes via a spacer and a center rod.
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