JPS5883344A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS5883344A JPS5883344A JP56181021A JP18102181A JPS5883344A JP S5883344 A JPS5883344 A JP S5883344A JP 56181021 A JP56181021 A JP 56181021A JP 18102181 A JP18102181 A JP 18102181A JP S5883344 A JPS5883344 A JP S5883344A
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- JP
- Japan
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- recording medium
- recording
- optical information
- information recording
- layer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は情報記録層としてフェナレン誘導体化合物層を
有する光学的記録媒体に関する。
有する光学的記録媒体に関する。
従来、この種の光学的情報媒体としては1種種の構成の
ものが知られている0例えば特開昭55−97055号
公報には基板上に7タロシアニン化合物の単層を設けた
ものが開示されている。
ものが知られている0例えば特開昭55−97055号
公報には基板上に7タロシアニン化合物の単層を設けた
ものが開示されている。
また一般に有機物色素は、金属等の無機化合物に比して
反射率が低くかつ比較的低い融点を有しそいる。しかし
ながら一方において特定O波長において吸収率が極大を
示すようなものもある。そこでこれ等の欠点を解決する
ために二層構造が提案されている。すなわち、反射率の
高い物質たとえばムj%五g%Pb、 Ou%Ha、
Orなどの金属薄膜を記録層と基板との間か、あるいは
記録層の上に設ける態様である。しかしながら、かかる
手段によってコントラストが向上したとして4記録層だ
けのものに比較して高反射率層が必要となシ製造工程が
高価となる欠点と同時に、記録層−と高反射率層の境界
面にチリ、ホコリなどC異物が混入することもあ多品質
管理上製造の歩留)が像下する。さらに高反射率層の空
気中における酸化などによる光学的特性の劣化による信
頼性の悪化という欠点がある。また基板と高反射率層と
の間の記録層がサンドイッチ構造になっているものはレ
ーザー光の飛散が原因となって記録が充分に行゛なわれ
ず記碌感度を低下させるという欠点を有している。
反射率が低くかつ比較的低い融点を有しそいる。しかし
ながら一方において特定O波長において吸収率が極大を
示すようなものもある。そこでこれ等の欠点を解決する
ために二層構造が提案されている。すなわち、反射率の
高い物質たとえばムj%五g%Pb、 Ou%Ha、
Orなどの金属薄膜を記録層と基板との間か、あるいは
記録層の上に設ける態様である。しかしながら、かかる
手段によってコントラストが向上したとして4記録層だ
けのものに比較して高反射率層が必要となシ製造工程が
高価となる欠点と同時に、記録層−と高反射率層の境界
面にチリ、ホコリなどC異物が混入することもあ多品質
管理上製造の歩留)が像下する。さらに高反射率層の空
気中における酸化などによる光学的特性の劣化による信
頼性の悪化という欠点がある。また基板と高反射率層と
の間の記録層がサンドイッチ構造になっているものはレ
ーザー光の飛散が原因となって記録が充分に行゛なわれ
ず記碌感度を低下させるという欠点を有している。
そこで、本発明の目的は、7工ナレン誘導体化合物層を
基板上に担持せしめた単層構成からなる、レーザー光線
のような高密度エネルギービームによって状態変化を生
じさせることくよ少記録再生をおこないうる光学的記録
媒体を提供する屯のである。
基板上に担持せしめた単層構成からなる、レーザー光線
のような高密度エネルギービームによって状態変化を生
じさせることくよ少記録再生をおこないうる光学的記録
媒体を提供する屯のである。
本発明において光学的記録媒体のために有用な化合物は
次の一般式によシ示される。
次の一般式によシ示される。
X噌4tたは0顧4)
〔夏−メチル−ベンズチアゾリル−(2)−イ建ノ〕−
7エナレエウムテトラフルオ町ボレート、1−エトキシ
−3−〔夏−エチルーペンズチアゾリニリイデンー(2
)−メチル〕−7エナレニウムテト2フルオロボレート
、1−ピロリジノ−3−(夏−エチルーベンズチアゾリ
ニリイデン−(2)−メチル〕−7エナレニウムテトラ
フルオロポレート、1,3−ビス−〔3−エチルーベン
ズチアゾリニリイデン−(2)−メチル〕−7エナレニ
ウムテトツフルオ田ボレートなどをあげることができる
。
7エナレエウムテトラフルオ町ボレート、1−エトキシ
−3−〔夏−エチルーペンズチアゾリニリイデンー(2
)−メチル〕−7エナレニウムテト2フルオロボレート
、1−ピロリジノ−3−(夏−エチルーベンズチアゾリ
ニリイデン−(2)−メチル〕−7エナレニウムテトラ
フルオロポレート、1,3−ビス−〔3−エチルーベン
ズチアゾリニリイデン−(2)−メチル〕−7エナレニ
ウムテトツフルオ田ボレートなどをあげることができる
。
これらの化合物は600=EjOOnmの波長帯域で吸
収を有し、しかも吸収係数が104〜1o5a11″″
10値の化合物である。更K 200〜400℃の範囲
で融点を示す。
収を有し、しかも吸収係数が104〜1o5a11″″
10値の化合物である。更K 200〜400℃の範囲
で融点を示す。
本発明において、基板Km持せしめられる7工ナレン誘
導体化合物の一般的合成および性質特に吸収スペクトル
については、たとえば(2)sbi炉ムna、oham
、 J第732巻第7〜25頁(1970)に記述され
ている。
導体化合物の一般的合成および性質特に吸収スペクトル
については、たとえば(2)sbi炉ムna、oham
、 J第732巻第7〜25頁(1970)に記述され
ている。
以下に本発明の構成について詳細を述べるkあたシ、本
発明の構成例を添付図面第1図ないし第4図に示す、第
1図は基板1と情報記像層2だけからなシ保護層のない
場合そして第2図は保護層3のある場合である。保護層
の存在は必須ではないが望ましい。第3図社情報記優層
2と基板1の関に高い反射率を有する金属4をサンドイ
ッチ状にした場合である。高い反射率を有する金属の存
在は必須で紘ないが望ましい場合もある、高反射率の金
属は代表的にはムj1ムB%Ft、 Ou%M1%76
%ム込などがあげられる。特にMが好ましい。第4図は
第6図の例に加えて。
発明の構成例を添付図面第1図ないし第4図に示す、第
1図は基板1と情報記像層2だけからなシ保護層のない
場合そして第2図は保護層3のある場合である。保護層
の存在は必須ではないが望ましい。第3図社情報記優層
2と基板1の関に高い反射率を有する金属4をサンドイ
ッチ状にした場合である。高い反射率を有する金属の存
在は必須で紘ないが望ましい場合もある、高反射率の金
属は代表的にはムj1ムB%Ft、 Ou%M1%76
%ム込などがあげられる。特にMが好ましい。第4図は
第6図の例に加えて。
更に保護層3のある場合であシ、かかる保護層O存在は
必須ではないが望ましい。
必須ではないが望ましい。
本発明を構成するに当って使用される基板材料は使用レ
ーザー光に対して透明であっても不透明であってもよい
、ただし、基板側からレーザー光で書込み結像を行なう
場合書込みレーザー光に対して透明でなければならない
。基板と反対側から書込み結像を行なう場合書込みレー
ザー光に対して透明であ°る必要はない。しかしながら
読み出し再生を透過光で行なう場合は、読み出しレーザ
ー光に対して透明でなければならない、材質としてはガ
ラス、プラスチックメー紙、板状まえは箔状の金属等の
一般の記録材料の支持体でよい、特にプラスチックスが
一安全性、4 +′ 結像感度向上、平面性の点から好適である0代表的なプ
ラスチックスとして、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹−
、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、
工)ロセルロ−4,/13エチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、エポキシ樹脂などがあげられる。
ーザー光に対して透明であっても不透明であってもよい
、ただし、基板側からレーザー光で書込み結像を行なう
場合書込みレーザー光に対して透明でなければならない
。基板と反対側から書込み結像を行なう場合書込みレー
ザー光に対して透明であ°る必要はない。しかしながら
読み出し再生を透過光で行なう場合は、読み出しレーザ
ー光に対して透明でなければならない、材質としてはガ
ラス、プラスチックメー紙、板状まえは箔状の金属等の
一般の記録材料の支持体でよい、特にプラスチックスが
一安全性、4 +′ 結像感度向上、平面性の点から好適である0代表的なプ
ラスチックスとして、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹−
、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、
工)ロセルロ−4,/13エチレン樹脂、ポリプロピレ
ン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、エポキシ樹脂などがあげられる。
光学的情報記録媒体として7工ナレン鰐導体化合物を情
報記録層として使用する際には、膜厚は100X〜5μ
m、好ましくは1aaai〜5ttnであシ、そして成
膜法は真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレー
ド法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行なわ
れている薄膜形成法で成膜することができる。特にスピ
ナー法、浸漬法がすぐれている。また、必要に応じてバ
インダーと混合して成膜することができる。
報記録層として使用する際には、膜厚は100X〜5μ
m、好ましくは1aaai〜5ttnであシ、そして成
膜法は真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレー
ド法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行なわ
れている薄膜形成法で成膜することができる。特にスピ
ナー法、浸漬法がすぐれている。また、必要に応じてバ
インダーと混合して成膜することができる。
保護層の存在は必須ではないが必要に応じて使用しても
よい、使用する場合は、レーザー光に対して透明でTo
シ、機械的強1が大で、記録層と反応しに〈<、皮膜性
がよいものであればどのようなものであってもよい、無
機材料としては1120B、8102.810. Mg
O,ZnO1Mgy2.0uF2などがあげられる0m
厚は5o〜5oooX好ましくは100〜zoooff
iとし成膜法は真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレート法、イオンクラスタ法、グロー放電法などの一
般に行なわれている薄膜形成法でよい、有機材料として
は特に好ましいものは成膜性、加工性の点から有機高分
子化合物である。たとえばポリスチレン、ポリエステル
、ポリカーボネート、ポリキシレン、ポリ塩化ビニル、
ポリアクリロニトリル、ポリメタクリ−ニトリル、ポリ
アクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢
酸ビニル、ポリエチレン、ポリエチレン、ポリエポキシ
、ボリア建ド、ポリ尿素、ポリスルフォン、フェノール
樹脂等の単独重合体および共重合体などがあげられる。
よい、使用する場合は、レーザー光に対して透明でTo
シ、機械的強1が大で、記録層と反応しに〈<、皮膜性
がよいものであればどのようなものであってもよい、無
機材料としては1120B、8102.810. Mg
O,ZnO1Mgy2.0uF2などがあげられる0m
厚は5o〜5oooX好ましくは100〜zoooff
iとし成膜法は真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレート法、イオンクラスタ法、グロー放電法などの一
般に行なわれている薄膜形成法でよい、有機材料として
は特に好ましいものは成膜性、加工性の点から有機高分
子化合物である。たとえばポリスチレン、ポリエステル
、ポリカーボネート、ポリキシレン、ポリ塩化ビニル、
ポリアクリロニトリル、ポリメタクリ−ニトリル、ポリ
アクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢
酸ビニル、ポリエチレン、ポリエチレン、ポリエポキシ
、ボリア建ド、ポリ尿素、ポリスルフォン、フェノール
樹脂等の単独重合体および共重合体などがあげられる。
lX厚は11〜5μm1好ましくは115〜2μ鳳とし
、成膜法は真空蒸着法、スパッタリング法、気相成長法
、グロー放電法、溶剤塗布法など一般に行なわれている
薄膜形成法でよい。
、成膜法は真空蒸着法、スパッタリング法、気相成長法
、グロー放電法、溶剤塗布法など一般に行なわれている
薄膜形成法でよい。
本発明の光学的情報記録媒体について使用されるレーザ
ー光はN2、He−01,ムr%:He−lNe、ルビ
ー、半導体、色素レーザーなどがあげられるが、特に壕
量性、取シ扱いの容易さ、コンパクト性などの点から、
半導体レーザーが好適である。
ー光はN2、He−01,ムr%:He−lNe、ルビ
ー、半導体、色素レーザーなどがあげられるが、特に壕
量性、取シ扱いの容易さ、コンパクト性などの点から、
半導体レーザーが好適である。
実施例 1
厚さ1mのガラス板を1.3−ビス−〔K−メチル−ベ
ンズチアゾリル−(2)−イミノ〕−7エナレニクムテ
ト2フルオロボレートのエチルアルコール溶液に浸漬し
九のち、乾燥して膜厚を5000Xとした。この記録媒
体に薄膜面からHe−Neレーザーを2.4Itmのビ
ーム径で照射面での照射ノぞワーを5mWにして照射し
た。記録媒体を910μm/secで移動させながら記
録を行なった結果、配置感度は5n、T/ビットであっ
た。
ンズチアゾリル−(2)−イミノ〕−7エナレニクムテ
ト2フルオロボレートのエチルアルコール溶液に浸漬し
九のち、乾燥して膜厚を5000Xとした。この記録媒
体に薄膜面からHe−Neレーザーを2.4Itmのビ
ーム径で照射面での照射ノぞワーを5mWにして照射し
た。記録媒体を910μm/secで移動させながら記
録を行なった結果、配置感度は5n、T/ビットであっ
た。
実施例 2
厚さ1■のガラス板を1−エトキシ−3−〔N−エチル
ーベンズチアゾリニリイデンー(2)−メチル〕−フエ
ナレエウムテトラフルオロボレートのアセトニトリル溶
液に浸漬したのち、乾燥して膜厚を50oo!とした。
ーベンズチアゾリニリイデンー(2)−メチル〕−フエ
ナレエウムテトラフルオロボレートのアセトニトリル溶
液に浸漬したのち、乾燥して膜厚を50oo!とした。
この記録媒体に薄膜面がらHe−Neレーザーを2.4
μmのビーム径で照射面での照射パワーを5mWにして
照射した。記録媒体を910μm1secで移動させな
がら記録を行なった結果、配置感度は1nJ/ビツトで
あった。
μmのビーム径で照射面での照射パワーを5mWにして
照射した。記録媒体を910μm1secで移動させな
がら記録を行なった結果、配置感度は1nJ/ビツトで
あった。
実施例 3
厚さLmのガラス板を1−ピロリディノー3−(N−エ
チルーペンズチアゾリニリイデンー(乃−メチル〕−7
エナレニウムテトラフルオロボレートのアセトニトリル
溶液に浸漬し九のち、乾燥して膜厚を50001とした
。この記録媒体に薄膜面からHe−N・レーザー゛を2
.4μ弓のビーム径で照射面での照射ノソワーを5mW
にして照射した。記録媒体を910μm/secで移動
させながら記録を行なった結果、記録感度はα7 ny
/ビットであつ九。
チルーペンズチアゾリニリイデンー(乃−メチル〕−7
エナレニウムテトラフルオロボレートのアセトニトリル
溶液に浸漬し九のち、乾燥して膜厚を50001とした
。この記録媒体に薄膜面からHe−N・レーザー゛を2
.4μ弓のビーム径で照射面での照射ノソワーを5mW
にして照射した。記録媒体を910μm/secで移動
させながら記録を行なった結果、記録感度はα7 ny
/ビットであつ九。
実施例 4
厚さ1mのガラス板を1.3−ビス−〔3−エテルーベ
ンズチアゾリニリイデン−(2)−メチル〕−7エナレ
ニウムテトラフルオロボレー)Oニトロメタン溶液に浸
漬したのち、乾燥して膜厚を5oooXとした。この記
録媒体に薄膜面から820nm(横丁電量製)の半導体
レーザーをAルス巾1μm・C%薄膜面での照射ノワー
4mWビーム径16μmにして照射した。記録媒体を9
10悶/8・Cで移動させながら記録を行なった結果、
記録感度Fit5nJA′ットであつ念。
ンズチアゾリニリイデン−(2)−メチル〕−7エナレ
ニウムテトラフルオロボレー)Oニトロメタン溶液に浸
漬したのち、乾燥して膜厚を5oooXとした。この記
録媒体に薄膜面から820nm(横丁電量製)の半導体
レーザーをAルス巾1μm・C%薄膜面での照射ノワー
4mWビーム径16μmにして照射した。記録媒体を9
10悶/8・Cで移動させながら記録を行なった結果、
記録感度Fit5nJA′ットであつ念。
添付図面において、第1図は本発明の光学的第2図は本
発明の光学゛的情報記録媒体において保護層のある場合
であ〕、第3図は本発明O″yt学的情報記鍮媒装置お
いて高い反射率を有する金属でサンドイッチ構造にした
場合でToシ、そして第4図は本発明の光学的情報装置
媒体において第6図に示すサンドイッチ構造に保護層の
ある場合である。 1・・・基板、2・・・情報記録層、3・・・保護層、
4・・・高い反射率を有する金属。
発明の光学゛的情報記録媒体において保護層のある場合
であ〕、第3図は本発明O″yt学的情報記鍮媒装置お
いて高い反射率を有する金属でサンドイッチ構造にした
場合でToシ、そして第4図は本発明の光学的情報装置
媒体において第6図に示すサンドイッチ構造に保護層の
ある場合である。 1・・・基板、2・・・情報記録層、3・・・保護層、
4・・・高い反射率を有する金属。
Claims (1)
- 基板に7工ナレ/ll導体化合物を担持せしめたことを
特徴とする。レーザー光線によって状態変化を生ぜしめ
る仁とKよ)記録再生を行なうための光学的情報媒体媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181021A JPS5883344A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181021A JPS5883344A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883344A true JPS5883344A (ja) | 1983-05-19 |
| JPH038021B2 JPH038021B2 (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=16093367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56181021A Granted JPS5883344A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5792863A (en) * | 1995-04-14 | 1998-08-11 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060287479A1 (en) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Crawford Emmett D | Polyester compositions containing cyclobutanediol and articles made therefrom |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56181021A patent/JPS5883344A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5792863A (en) * | 1995-04-14 | 1998-08-11 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
| US5892042A (en) * | 1995-04-14 | 1999-04-06 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | Acridine derivative metal complexes used for transparent recording medium or optical recording medium |
| US5919928A (en) * | 1995-04-14 | 1999-07-06 | Nippon Paper Industries, Co., Ltd. | Phenanthridine derivatives and metal complexes thereof used for transparent recording medium or optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038021B2 (ja) | 1991-02-05 |
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