JPS5883380A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS5883380A JPS5883380A JP56178423A JP17842381A JPS5883380A JP S5883380 A JPS5883380 A JP S5883380A JP 56178423 A JP56178423 A JP 56178423A JP 17842381 A JP17842381 A JP 17842381A JP S5883380 A JPS5883380 A JP S5883380A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetic
- hold
- memory element
- bubble
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、４９にその素子
結晶の方向とバブルホールド磁界方向との関係を規定し
た磁気バブルメモリ素子に関する。
結晶の方向とバブルホールド磁界方向との関係を規定し
た磁気バブルメモリ素子に関する。
磁気バブルメモリ装置は記憶が不揮発性であり、大容量
高密度の記憶が可能、低消費電力、挙証軽量である等種
々の４Ｉ黴をもっているため大容量メ噌すとして将来が
期待されている。この磁気パプルメ噌Ｖ装置は磁気バブ
ルが磁界によル磁性薄膜内を自由に動かすことができる
ことを利用したものであって、そのメモリ素子は、例え
ばガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板
の上に液相エビＩキシャル成長法により磁性ガーネット
の薄膜を形成し、その上にパーマロイ薄膜によシ微小／
（７−ンを行列させて伝播路を形成しておき、バブルの
あるところを１１ ＠、ないところをｗ Ｏｗとして情
報を記憶するようになってｂる。
高密度の記憶が可能、低消費電力、挙証軽量である等種
々の４Ｉ黴をもっているため大容量メ噌すとして将来が
期待されている。この磁気パプルメ噌Ｖ装置は磁気バブ
ルが磁界によル磁性薄膜内を自由に動かすことができる
ことを利用したものであって、そのメモリ素子は、例え
ばガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板
の上に液相エビＩキシャル成長法により磁性ガーネット
の薄膜を形成し、その上にパーマロイ薄膜によシ微小／
（７−ンを行列させて伝播路を形成しておき、バブルの
あるところを１１ ＠、ないところをｗ Ｏｗとして情
報を記憶するようになってｂる。
またこの磁気パプルメ噌す装置は菖１図に示す如く素子
１のバブルを安定に保持するため永久磁石２．２’によ
りバイアス磁界Ｈ１３が印加されるとＡＫ、バブルを駆
動する回転ａｎ−の起動又は停止時にバブルをＡ／−ン
内でスタートストップし易い位置に止めてシ（ためのホ
ールド磁界Ｈｈが印加されている。このホールド磁界Ｈ
，は例えば図の如く素子１を傾けたシ、戒論は他の永久
磁石を用いて印加している。ところがこのホールド磁界
はバブルを駆動する回転磁界の中心を移動せしめるため
、バブルの駆動マージンを減少させることになる。従っ
てスタートストップ特性を低下させずにホールド磁界を
下げる必要がある。本発明はこの要求に基づいて案出さ
れたものである。
１のバブルを安定に保持するため永久磁石２．２’によ
りバイアス磁界Ｈ１３が印加されるとＡＫ、バブルを駆
動する回転ａｎ−の起動又は停止時にバブルをＡ／−ン
内でスタートストップし易い位置に止めてシ（ためのホ
ールド磁界Ｈｈが印加されている。このホールド磁界Ｈ
，は例えば図の如く素子１を傾けたシ、戒論は他の永久
磁石を用いて印加している。ところがこのホールド磁界
はバブルを駆動する回転磁界の中心を移動せしめるため
、バブルの駆動マージンを減少させることになる。従っ
てスタートストップ特性を低下させずにホールド磁界を
下げる必要がある。本発明はこの要求に基づいて案出さ
れたものである。
このため本発明においては、磁性ガーネット結晶を用い
た磁気バブルメモリ素子にお＾て、バブル磁区を保持す
るためのバイアス磁界を磁性ガーネット結晶の〔１１１
〕方向に印加じたいときはバブルのスタートストップ動
作を安定させるための面内ホールド磁界を（ｊｌｌ）、
（ｘｊｘ〕あるいは〔１１ゼ〕のいずれかの方向く印加
し、バイアス磁界を磁性ガーネット結晶の（ｉｒｒ〕方
向に印加したときは面内ホールド磁界を（２ｒｒ〕、Ｃ
ｒ２ｒ）めるいは〔ｆｉ２〕のいずれかの方向に印加す
るように磁性ガーネットウエーノ１上に面付けされたこ
とを特徴とするものである。
た磁気バブルメモリ素子にお＾て、バブル磁区を保持す
るためのバイアス磁界を磁性ガーネット結晶の〔１１１
〕方向に印加じたいときはバブルのスタートストップ動
作を安定させるための面内ホールド磁界を（ｊｌｌ）、
（ｘｊｘ〕あるいは〔１１ゼ〕のいずれかの方向く印加
し、バイアス磁界を磁性ガーネット結晶の（ｉｒｒ〕方
向に印加したときは面内ホールド磁界を（２ｒｒ〕、Ｃ
ｒ２ｒ）めるいは〔ｆｉ２〕のいずれかの方向に印加す
るように磁性ガーネットウエーノ１上に面付けされたこ
とを特徴とするものである。
以下添付図面に基づいて本発明の実施例にり龜菖２図に
実施例を示す、因において符号３はＧＧＧ基板の上に磁
性ガーネットの薄膜を形成したウェー＾、４はその上に
バブル発生器Ｇ、メジャーラインＭ、マイナーループｍ
、ディテクタＤ等Ｏパメーンを形成した素子、５の白ぬ
き矢印で示す方向は素子Ｏスタートストップ動作を安定
にするために印加すべき面内Ｏホールド磁界方向であ）
、ウェーＡ！）の外周に記した符号は磁性ガーネット結
晶の（１１１）面から見た結晶軸方向を示したもＯであ
る。そして素子４のパターンは磁性ガーネット結晶の（
１１１）藺に形成されておシ、バブルを保持するための
バイアス磁界ＨＢが該磁性ガーネット結晶０（１１１）
方向く印加されるときは、白ぬき矢印で示す面内ホール
ド磁界方向５を鋏ガーネット結晶の（：ｘｘ）、Ｃ１：
１）ある−は（ｘｘｉ）方向Ｏ伺れか（図では〔乏１１
）方向）に−歇するように藺付けされている。またバイ
アス磁界方向が前記とは逆方向ｏ（Ｅｒｒ）方向に印加
される場合Ｋｔｉ面内ホールド磁界方向をＣ２ｒｒ）。
実施例を示す、因において符号３はＧＧＧ基板の上に磁
性ガーネットの薄膜を形成したウェー＾、４はその上に
バブル発生器Ｇ、メジャーラインＭ、マイナーループｍ
、ディテクタＤ等Ｏパメーンを形成した素子、５の白ぬ
き矢印で示す方向は素子Ｏスタートストップ動作を安定
にするために印加すべき面内Ｏホールド磁界方向であ）
、ウェーＡ！）の外周に記した符号は磁性ガーネット結
晶の（１１１）面から見た結晶軸方向を示したもＯであ
る。そして素子４のパターンは磁性ガーネット結晶の（
１１１）藺に形成されておシ、バブルを保持するための
バイアス磁界ＨＢが該磁性ガーネット結晶０（１１１）
方向く印加されるときは、白ぬき矢印で示す面内ホール
ド磁界方向５を鋏ガーネット結晶の（：ｘｘ）、Ｃ１：
１）ある−は（ｘｘｉ）方向Ｏ伺れか（図では〔乏１１
）方向）に−歇するように藺付けされている。またバイ
アス磁界方向が前記とは逆方向ｏ（Ｅｒｒ）方向に印加
される場合Ｋｔｉ面内ホールド磁界方向をＣ２ｒｒ）。
［１２１］あるいは（１１２）方向のいずれかに一致す
るようにしたことである。なお素子４のパターンが磁性
ガーネット結晶の＜ＥＨ）面に形成される場合でも上記
面付方法は適用される。
るようにしたことである。なお素子４のパターンが磁性
ガーネット結晶の＜ＥＨ）面に形成される場合でも上記
面付方法は適用される。
このようく形成された本実施例は第２図の如く磁性ガー
ネット結晶に（１１１）方向の磁界を印加した場合、該
結晶の〔芝１１）、（１芝ｉ、）、（ｘｔｊ）の３方向
がガーネット結晶特有の磁化容易軸であり、また（ｒｒ
ｒ）方向に磁界を印加したときは〔ｚｉｒ〕、ｃｒｚｉ
〕、［、ＴＴ２］ｏａ方向が磁化容易軸であるために、
これらの磁化容易軸方向と面内ホールド磁界方向が一致
するように面付された本実施例はそのホールド磁界の値
を他の方向に面付けされた素子に比して最も低くするこ
とができる。
ネット結晶に（１１１）方向の磁界を印加した場合、該
結晶の〔芝１１）、（１芝ｉ、）、（ｘｔｊ）の３方向
がガーネット結晶特有の磁化容易軸であり、また（ｒｒ
ｒ）方向に磁界を印加したときは〔ｚｉｒ〕、ｃｒｚｉ
〕、［、ＴＴ２］ｏａ方向が磁化容易軸であるために、
これらの磁化容易軸方向と面内ホールド磁界方向が一致
するように面付された本実施例はそのホールド磁界の値
を他の方向に面付けされた素子に比して最も低くするこ
とができる。
ｊ１！３図はホールド磁界が磁化容易軸方向である（ｉ
ｌｌ）方向、中間方向である〔ｆｌＯ〕方向および磁化
困難軸方向であるし２ｆｆ〕方向になるように素子をそ
れぞれ磁性ガーネット結晶上に頁付けと念とき、各素子
のホールド磁界特性を示したものである。図は縦軸にバ
イアス磁界を、横軸にホールド磁界をとプ、−一ムによ
り（：Ｘ１〕方向、−−ＢＫより（ＴＩＯ１方向１曲ｉ
ｍｃによｐ 〔２ｒｉ〕方向をそれぞれホールド磁界方
向とした素子の特ａｔ示した。ｇよ）ホールド磁界が磁
化容易軸方向である〔シ１１）方向になるように面付け
したときが最小ホールド磁界が最も小さ＾ことがわかる
。
ｌｌ）方向、中間方向である〔ｆｌＯ〕方向および磁化
困難軸方向であるし２ｆｆ〕方向になるように素子をそ
れぞれ磁性ガーネット結晶上に頁付けと念とき、各素子
のホールド磁界特性を示したものである。図は縦軸にバ
イアス磁界を、横軸にホールド磁界をとプ、−一ムによ
り（：Ｘ１〕方向、−−ＢＫより（ＴＩＯ１方向１曲ｉ
ｍｃによｐ 〔２ｒｉ〕方向をそれぞれホールド磁界方
向とした素子の特ａｔ示した。ｇよ）ホールド磁界が磁
化容易軸方向である〔シ１１）方向になるように面付け
したときが最小ホールド磁界が最も小さ＾ことがわかる
。
以上説明した如く本発明の磁気パズルメモリ素子はウェ
ーハ上に面付けする場合の方向を規定することによ〕、
その最小ホールド磁界を最も小さくすることを可能とし
たものであって、磁気バブルメモリの駆動マージンの増
加に寄与するものである。
ーハ上に面付けする場合の方向を規定することによ〕、
その最小ホールド磁界を最も小さくすることを可能とし
たものであって、磁気バブルメモリの駆動マージンの増
加に寄与するものである。
第１Ｅは磁気バブルメモリ素子のホールド磁界印加方法
を説明する説明図、第２図は本発明にかかる実施例の磁
気パズルメモリ素子を説明する説明図、ｌＥＢ図はウェ
ーハ上の各方向に藺付けされた各素子のホールド磁界４
Ｉ性を示した特性図である― ３・−・クエーへ、 ４・・・素子、５・・・ホー
ルド磁界印加方向。 特軒出願人 富士通株式会社 特杵出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 ホールド磁界（Ｏｄ）
を説明する説明図、第２図は本発明にかかる実施例の磁
気パズルメモリ素子を説明する説明図、ｌＥＢ図はウェ
ーハ上の各方向に藺付けされた各素子のホールド磁界４
Ｉ性を示した特性図である― ３・−・クエーへ、 ４・・・素子、５・・・ホー
ルド磁界印加方向。 特軒出願人 富士通株式会社 特杵出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 ホールド磁界（Ｏｄ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁性ガーネット結晶を用いた磁気バブルメモリ素子
にお論て、バブル磁区を保持するためのバイアス磁界を
磁性ガーネット結晶０（１１１）方向に印加したときは
、バブルのスタートストップ動作を安定させるための面
内ホールド磁界を（２ｘｔ）、 〔ｌ芝１」あるいは〔
１１ｉ〕 のｈずれかの方向に印加し、ノ（イアス磁界
を磁性ガーネット結晶の（ｉｉｒ）方向に印加したとき
は面内ホールド磁界ｔ（２ｒｒ〕、Ｃｒ２ｒ、＋６４ｔ
ｎは（ｒｒｚＪ 。 いずれかの方向に印加するように磁性ガーネットウェー
ハ上に面付けされたことを特徴とする磁気バブルメモリ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178423A JPS5883380A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178423A JPS5883380A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883380A true JPS5883380A (ja) | 1983-05-19 |
| JPH0359519B2 JPH0359519B2 (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=16048235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178423A Granted JPS5883380A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883380A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050690A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-20 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ制御方式 |
| JPS60163292A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-26 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS61184782A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP56178423A patent/JPS5883380A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050690A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-20 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ制御方式 |
| JPS60163292A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-26 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS61184782A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0359519B2 (ja) | 1991-09-10 |
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