JPS5883381A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ素子の改良に関する。

磁気パズルメモリ装置は不揮発性であり大容量高密度の
記憶が可能、低消費電力、小型軽量である等積々の特徴
をもっているため大容量メモリとして将来が期待されて
いる。この磁気バプルメそり装置は磁性ガーネット等の
磁性薄膜内に発生させた磁気バブルを磁界によυ自由に
動かすことができることを利用したものであって、第１
図に示す如く磁気バブルメモリ素子１、バブルを駆動す
る丸めの回転磁界発生用コイル２　、２’、パズルを安
定に保持するためのバイアス磁界発生用磁石３゜３′等
によ多構成されている。

セしてメ峰り素子１は例えばガドリニウム・ガリウム・
ガーネット（ＧＧＧ）基板の上に液相エピタキシャル成
長機により磁性ガーネットの薄膜を形成し、その上にパ
ーマ冑イ薄膜の微小パターンによるバブル伝播路を形成
しておき、パズルのあるところを′１″′ないところを
′０”として情報を記鍮するようになっている。この伝
播路の構成には大別してシリアルループ方式とメジャー
マイナ一方式とがあυ、大容量メモリとしてはアクセス
速度の早い後者が用いられている。

第２図はメジャーマイナ一方式の１例の素子構成を示し
たものである。図について説明すると４はバブル発生器
、５はバブル発生器に接続された書き込み用メジャーラ
イ／、ｊ、〜６−ｎは情報格納用のマイナーループ、７
は読み出し用メジャーライン、８は読み出し用メジャー
ラインに接続されたディテクタである。そしてマイナー
ループ６−１〜６−０はトランス７アゲート９−１〜９
−１１を介して書き込みライン５に、レプリケートゲー
ト１０−１〜１０−ユを介して読み出しライン７にそれ
ぞれ接続されている。

このようなメジャー１イナ一方式の素子構成では、素子
の容量が増大するに伴い、マイナールーズ数とマイナー
ルーズのビット数が増大し、平均アクセス時間が長くな
るという欠点がある。これに対しアクセス時間を短縮し
ようとしてマイナー）ｖ−ブのビット数を減らし、マイ
ナールーズ数を増加せしめると素子の形状が第３図の如
く縦長あるいは横長になり、クエーへからとれる素子数
の減少、投影露光時の解僚力の低下、パッケージ化の困
難などの問題が生ずる。本発明はとれらの問題を解決す
るために案出されたものである。

このため本発明においては、情報の書き込み・読み出し
を行なうメジャーラインと、情報の蓄積を行なう複数個
のマイナールーズを有するメジャーマイナー構成の磁気
バブルメモリ素子において、マイナーループ群を第１、
第２の２群に分けて並列に配置し、各群には専属のバブ
ル発生器と、両群共通に使用するディテクタとを設け、
第１群の書き込みライン社第２群Ｏ書倉込みラインよシ
長＜シ、第２群の読み出しライン拡第１群の読み出しツ
インよシ長く形成しておき、同一タイミングの書き込み
パルスによシ第１群および第２評のそれぞれの書き込み
ライン上に並んだ情報列を同時にマイナールーズにトラ
ンスファし、また同一タイミングの読み出しパルスによ
り読み出しライン上に転送された情報列は、第１群から
レプリケートされた情報列の最後尾の後２ビット目に第
２群からレプリケートされた情報列の先頭が続き、ディ
テクタにより連続して読み出すことができるようにした
ことを特徴とするものである。

以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に説
明する。

ｙ＄４図に実施例を示す。本実施例は第３図に示した縦
長の素子のマイナーループ群６−４〜６−ｎを第１、第
２の２群に分９割し点線で示す第２群を矢印のように第
１群の左側に移動して第４図の如く、第１群と第２群を
並列配置し、第１群と第２群にはそれぞれバブル発生１
＋４ｔ４’を設け、ディテクタ８は両群共通に使用され
る１個が設けられている。そして第１群の鰍後尾のマイ
ナーループＢの入口ｆ点よシバプル発生６４１での書き
込み２イン５の長さは第２評の最後尾のマイナーループ
Ｄの入口り点からバブル発生器４′までの書き込＋９イ
ン５′の長さより第２群の両端のマイナーループＣ，Ｄ
の入口ｇ及びｈ点間のビット数＋Ｐ（但しＰは隣り合う
！イナーループ間のビット数）だけ長く形成し、またデ
ィテクタ８から第２群の先Ｉ［の！イナーループＣの出
口Ｃ点までの読み出しラインアＩの長さは、ディテクタ
８より第１群の先ｍｌＯマイナーループ人の出口８点ま
での長さよシ、第１群の両端のマイナーループＡ、Ｂの
出口１及びｂ点間のビット数＋Ｐだけ長く形成したもの
である。

このように構成された本実施例は第５図より明らかなよ
うに書き込みライン５の長さは、第１群の方がｆ！ｓ２
群よシ、第２＃Ｐの両端の！イナールーグ間Ｏビット数
十Ｐだけ長く、読み出しライン７の長さ社、第２群の方
が第１群よシ第１群の両端の！イナーループ間のビット
数十Ｐだけ長くなっておシ、第４図は外見上第５図と全
く同一素子と見なすことがで鳶る。従って第４図の本実
施例は第５ａＩに示す従来の素子と同様な動作を行なう
ことができる。その上素子の縦長の形状を解消し、正方
形もしくはそれに近い形状とすることが可能となり、ウ
ェーハからの素子採取率の向上、及び投影露光時の解像
力の向上、パッケージ化の容易性の向上などの効果を得
ることができる。

次に他の実施例を第６図に示す。本実施例は第４図に示
し次ループ構成を２個差列に配置して形成したものであ
って、符号１１はパズル発生器、１２は書き込みライン
、１５−、〜１３−０はマイナーループ、１４は読み出
しライン、１５はディテクタである。そして各部のビッ
ト数を下表の如き関係とすることによｌ）　０ｄｄ−Ｅ
ｖｅｎ　型となし、同一アクセス時間で２倍の容量及び
２倍のデータレートを実現可能としたものである。なお
このループ構成ではＩ、Ｉｆのブロックのジェネレータ
とディテクタのメジャーラインの位置が■、■のブロッ
クのそれらとそれぞれ１ビツト異なっている。

□　　以下余白 （■−■）＝（■−■）＋１又は−１ （■−０）＝（ｅ−０）−ｚ又は−１ （０−■）＝（の−■）−１又は−１ （０−■）＝（○−■）−１又は−１ ＜０−０）−（■−■）＝（■−■） （４）−ｃ））　−（■−■）＝（■−＠）（■−Ｏ＞
　−＜Ｖ−■）＝（の−Ｏ）（■−■）−〇〇−■）；
（＠−■） 上表の例えば（■→■）は０点から０点までのビッシ数
を表わしている。

以上説明した如く本発明の磁気パズルメモリ素子はｉイ
ナーループ群を２群に分けて並列配置するととＫよ）素
子を正方形もしくはそれに近い形状とすることを可能と
し、ウェーハよシの素子の収率の向上、投影露光時の解
像力の向上、パッケージ化の容Ｊｌ性の向上などを可能
としたものである。

【図面の簡単な説明】

哨１図は磁気バブルメモ先装置の１例の斜視図、第２図
及び＠３図はその素子のメジャーｉイナー構成を示した
構成図、第４図は本発明にかかる実施例の磁気パズルメ
モリ素子の構成図、第５図はその原理説明図、第６図は
他の実施例の構成図である。 ４４’１１　　・・・・バブル発生器、５５’１２・・
・・書き込みライン、 ６　〜６−ｎ　、１３．、−１〜１３　　・・−・マイ
ナー１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　−ｎ−ループ、　　ア、１４　・・・拳読み出しライ
ン、８．１５Φ・・−ディテクタ。 特詐出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水　朗 弁理士　酉　舘　和　之 弁理士内田幸男 弁理士　山　口　昭　之 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、情報の書き込み・読み出しを行なうメジャーライン
   と、情報の蓄積を行なう複数個の！イナーループを有す
   るメジャーマイナー構成の磁気バブルメモリ素子におい
   て、マイナーループ群を第１、第２の２群に分けて並列
   に配置し、各群には専属のバブル発生器と、両群共通に
   使用するディテクタとを設け、第１群の書き込みライン
   は第２群の書き込みラインよシ長く形成し、第２群の読
   出しラインは第１群の読み出しツインより長く形成して
   おき、同一タイミングの書き込−Ｔｈパルスによシ第１
   群および第２群のそれぞれの書き込みライン上に並んだ
   情報列を同時に！イナールーズにトランスファインし、
   また同一タイはングの読み出しパルスによシ読み出しツ
   イン上に転送された情報列は、第１群からレプリケート
   された情報列の最後尾の後２ビット目に第２群からレプ
   リケートされ九情報列の先頭が続き、ディテクタにより
   １ビツトおきに読み出すことができるようにしたことを
   特徴とする磁気パズルメモリ素子。