JPS5883636A - イソプレンの合成法 - Google Patents

イソプレンの合成法

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JPS5883636A
JPS5883636A JP57187628A JP18762882A JPS5883636A JP S5883636 A JPS5883636 A JP S5883636A JP 57187628 A JP57187628 A JP 57187628A JP 18762882 A JP18762882 A JP 18762882A JP S5883636 A JPS5883636 A JP S5883636A
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butene
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デニス・フオ−スタ−
ジヨ−ジ・エドワ−ド・バ−カ−
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は線状ブテン類からのイソプレンの合成法に関す
る。
イソプレンは合成ゴムの製造のための重要な単量体であ
る・そnは主として天然ゴムと同一の単量体を有するス
テレオゴムであ4 シス−gリイソプレンを製造するの
に使用さnる。よシ小さな炭素単位からc5骨格をつく
るKは4つの基本的方法が今まで商業的kf用されてき
た。
これら方法のうちの2つだけはまだ商業的に実施されて
いる・一つの製造経路は以下の反応式のようにアセチレ
ンおよびアセトンを縮合しっいで水素化しそして脱水す
ることからなる。
もう一つの経路は第1段階としてホルムアルデヒドとイ
ソブチレンとの間のプリンス反応からなる。
その後の段階でこの中間体llI4体は高められた温度
で接触゛分解される。
たとえばフランス特許第1,294,716号明細書お
よび「ohemicalム’bstractsJ第57
巻第15309Jj管参照されたい。
一般には、イソブチレン−ホルムアルデヒド経路の方が
高価なアセチレン原料を使用する経路よシ4優nている
と認められている。それにもかかわらず、インブチレン
もがなり高価なc4炭化水素源であシそしてホルムアル
デヒドはメタノールまたは一酸化炭素のいずれかよシも
はるかに高価な炭素源である。したがって、より経済的
に入手しうる原料からのイソプレンの製造法は顕著な利
点を有するであろう。
本明細書に記載の発明II′i、原料として低コストの
線状ブテン類および合成ガス(OO/H2)を使用する
イソプレンの合成法を提供する・ %にブレイアム等級の無鉛ガソリンのためのオクタンブ
ースターとしてのメチル第5級ブチルニーf ル(MT
BIIi)の大規模製造の出現がこの方法からのラフィ
ネートとしての多重の線状ブテン類を入手可能ならしめ
るようになった。このこと社メタノールを04のオレフ
ィンおよびバラフィン異性体の混合物を含有する精製C
4流と反応させることKよpMTBK法が実施さnつつ
あるという事実による。かかる流れの代表的組Fitは
表1に示されている。
表 1 イソブチ7         44〜491−ブテン 
         24〜282−1fン(シスおよび
トランス)    19〜21n−ブタン      
     6〜8イソブタン           2
〜sMTBI法ではイソブチンのみが反応することによ
り線状ブテン類および76ラフインの混合物がラフィネ
ートとして残留する。現在%線状ブテン類のための大規
模な化学的用途は全く存在しないので、それらの価値は
目下特にガソリンのためのアルキレートとして燃料関係
の販路における有用性によシ示さnているO 線状C4オレフィンから所要のイソプレン骨格を生成′
させるKはさらに別の縦木が2−位置で付加される必要
がある。ヒドロホルミル化反応(また鉱オキソ法)がホ
ルミル基をオレフィン二重結合に結合させることは知ら
れている。
Ituhrchamte社のRoslin氏によル発見
されたこの方法(米国特許第2,52ス066号明細書
参照)Kよれば、たとえばラネーコバル)またけコバル
トカルボニル類のような金属コバルト触媒の存在下にフ
イツシャーートロブシエ麿反応における115℃〜19
0℃および100〜200気圧の高圧において液相にお
けるオレフィン、−酸化訳累および水素からアルコール
類が製造さnる。
この方法は最初の段階が主としてアルデヒドを生成しつ
いでそのIlにこれらがアルコールに還元されうる2段
階で実施されつる。
イソプレンと同じ骨格を有する分子を生成させるKFi
前配ヒドロホルイル化反応が、線状ブテン類を用いて実
施される際のその2−位l1LK立体化学的に指向され
なければならない。本発明によれば、仁の結果は過剰の
有機配位子の存在下においてシスブテン−2またはトラ
ンスブテン−2を均質ロジウム触媒でヒドロホルiル化
することによp達成さnる。逆に、従来技術のコバルト
触媒はこの反応には不適当である。
なぜならば原料としてブテン−2を用いても得らnる主
要なアルデヒド異性体は線状n−はンタナールであるか
らである。米国特許第3,965,192号明細書から
扛ブテン−2のヒドロホルばル化において過剰配位子t
Vするロジウム触mを使用すると10:1比の2−メチ
ルブタナール/n−はンタナールでアルデヒドを製造し
うろことが知られている。
表1に示すように、精製C4流中に見出さnる主要な線
状ブテン異性体線ブテン−1であるO過剰の配位子を有
するロジウムヒドロホルイル化触媒はこのオレフィン異
性体に関してL主と1、、テn−はンタナールを与える
ことが知らnている(たとえば米国特許第3,917,
661号および同$5,94へ1)82号各明細書参照
)。しかしながら、シスブテン−2およびトランスブテ
ン−2はブテン−1よりも熱力学的に安定であり、した
がって本発明により混合線状ブテン拳の異性化が実施さ
れて一般には約5%以下のブテン−1を含有する混合物
が提供されうる。すなわち線状ブテン類が最初に異性化
され、ついで過剰配位子を有するロジウム触媒を便用し
てヒドロホルイル化反応条件に付される場合、その生成
物扛2−メチルブタナールである。
本発明の第3段階において2−メチルブタナールは酸性
不均質触媒t−使用して脱水されてイソプレンになる。
すなわち以下のとおシである。
すなわちとこに記載の発明は以下の3工程1)混合線状
ブチ/月μ(1)Q シスシよびトランスのブテン−2
イソプレン を用いる一状プテン類および合成ガスをベースとする新
規かつ有用なイソプレンへのi!路を提供する。
最初のブテン−1f:プテシー2にする異性化は二重結
合異性化触媒また扛「非骨格(non−−に・1・ta
x)J異性化触媒の存在下で実施される・「非誉格」異
性化触媒とは鎖の枝分れを全くもたらさない触媒を意味
する。この反応工程のための遍轟な触媒の具体例として
はたとえばF。
ムsinger氏著[Monoolefins Che
mlstry axA TechnologyJ第10
21頁(ベルガモン社1968年発行)およびその引用
文献に記載のアルイナ、@酸アルイニウム、燐酸アルi
ニウム、アルンナ上に沈積・さnた燐酸、トリア、パラ
ジウム化アスベストおよび硫化モリブデンがあげられる
。この異性化は高めらn+温度および圧力において液相
中で実施するのが好ましい。有用な触媒および反応条件
を包含するブテン−1のブチ7−2への異性化について
のさらに別の情報が「Ind、lng。
Ohem、J第45巻第551〜564貞(1953)
におけるH、N、Dunning氏のオレフィン異性化
に関する総説を参照することにより得らnる・細組ng
氏によシ開示さrtた前記異性化のための触媒および反
応条件はここでの異性化工程のため&le用されうる。
ブテン−1のブテン−2へのJl化ではアルイナおよび
Pd触媒の組付わせ(たとえば米国特許第4.179.
581号明細書参lftりが特Kv用である。
異性化工程のためのより好ましい条件下でブテン−1は
約α3%paを有するアルイナ触媒の固足床上で約80
℃および約500 psi(2[14気圧)においてシ
スブテン−2およびトランスブテン−2の混合物に異性
化さ扛る。この反応では少量の水素が触媒促進剤として
便用さnそしてOO&Cよル触媒毒を除外する友めに水
素がメタン化される。
異性化反応で使用される線状ブテン@扛、異性化された
ブテンのみが次′の工程で反応するので04精製流中に
付随して存在するパラフィンから分lIIされる必*t
iないことがわかるであろう。
ついで生成するブテン−2混合物またはブテン−2に富
んだ混合物社均質ロジウム触媒および過剰の有機配位子
の存在下でヒドロホルiル化されて2−メチルブタナー
ルになる。上記ロジウム触媒は各反応成分と共に反応媒
体中で可溶性であるべきである。ヒドロホルイル化工程
のために適轟なロジウム触媒の具体例としてはたとえば
硫酸ロジウム、酢酸ロジウム、硝酸ロジウムのようなロ
ジウム塩および上記例より望ましくはないが、たとえば
三塩化ロジウムおよび三臭化pジウムのようなハロゲン
化ロジウムをあげることができる(たとえば米国特許第
4.11へ404号明細書参照)、また、九とえはロジ
ウムカルボニルク四ライド(Rh(co)20t)2の
ようなロジウムカルボニル触媒(たとえば米国特許第4
,292,448号明細書参照)、たとえばロジウム丁
セチルγ七トネートのよりなσジウムキレート(たとえ
ば米国特許第4,110,404号明細書参照)、次と
えばウィルキンソン触媒すなわチクロロトリス()+3
フエニルホスフイン)ロジウム(RhOt(PPh3)
3)のようなホスフィノで錯化されたロジウム触媒(九
とえば米国特許第3.94へ082号明細書参照)およ
びたとえばカルボニルヒドロトリス() II フェニ
ルホスフィン)ロジウムRhH(00)(PPJ)5(
たとえば米国特許第へ96翫192号、同第4,200
,591号および同第4.20(L592号各明測置参
照)およびトリカルボニルビス() IJフェニルホス
フィン)ロジウム(1+)テトラフェニルボレートRh
(003)(PPh5 )2BPh4(米S%許第4,
052,461号明細書参照)のようなホスフィ7類と
のロジウムカルボニル錯体も適尚である。他の適当なロ
ジウム触媒Fiたトエばエチレ/、プロピレン、1.5
−シクロオクタジエン、1.5−へキ賃ジエンおよびビ
シク四−2,2,1−へブタ−2,5−ジエンのような
有機分子とのロジウムの有機錯体である。かかる有機ロ
ジウム錯体の具体例としてはたとえばロジウムげシクロ
−1,5−オクタジエン(たとえば米国特許第4,21
Q、608号明細書参照)、ジ−μmクロロビス((1
,2,5,6−η) −1,5−シクロオクタジエン〕
ジーロジウムまたは二量体シクロオクタジェニルロジウ
ムクロライド(九とえば西′a%許第2.051.”3
19号明細書参照)および((1,2,5,6−り) 
−1,5−シクロオクタジエン)ビス()IJフェニル
ホスフィン)ロジウム(1+)テトラフェニルボレート
(たとえば米国特許第4,052,461号明細書参照
)があげられる・ よシ好ましいロジウム錯体はノ・ライドを!有しないロ
ジウム化合物である・ 有機配位子はロジウムイオンに結合することができるべ
きであり、そしてこnは前記ロジウム錯体におけるよう
に堅固に結合されていてもよいしそして/lたは遊離化
合物として配位されない状態で存在してもよい。II!
3級有機燐化合物、砒票化合物およびアンチ七ン化合物
はロジウムイオンのためのかかる配位子として特に有用
である。ロジウム触媒と一緒に使用するためのこれら配
位子の具体例としてti7’tとえIIi有機ホスフィ
ン類およびホスファイト類があげられる(たとえば米国
特許第4801,646号明細書参照)、九とえばトリ
エチルホスフィン、トリブチルホスフィンのようなトリ
アルキル化ホスフィンおヨヒトリフエ二ルホスフインお
よびその他のかかる0 5判q (1のアルキルホスフ
ィン、アリールホスフィ7およびアルカリルホスフィン
ならびにたとえばトリエチルホスファイト、トリブチル
ホスファイトおよびトリフェニルホスファイトのような
対応するホスファイト類が特に有用である。また有機の
アルシン類およびスチビン類も配位子として使用さnう
るが、しかしスチビン@杜対応するホスフィ7類および
アルシン類よりも好ましくない。
本発明のヒドロホルイル化工程で使用するための例とし
てのロジウム触媒および有機配位子の組合せはロジウム
(シクロオクタジエン)アセチルア七トネートと過剰の
トリフェニルホスフィノとの混合物である。この触媒/
配位子の組合せ鉱後記の上り詳細な実施例中に記載のよ
5tC98%以上の2−メチルブタナールへの選択率を
生じた。
本発明におけるとド藁ホルイル止工程では一般に触媒は
ブテン−2供給分1モル当たり約10−1〜約10−5
モル(Rh基準)の量で存在しそして00/fi2 O
容量%a−ff[約10/90〜90/10 (7)0
07112である。
好ましい条件のヒドロホルばル化工程で蝶シスブテン−
2とトランスブテン−2の混合物がロジウム触媒(Rh
基準)1モル当たり約60〜約150モルのトリフェニ
ルホスフィンの存在下で約り0℃〜約150℃の温度お
よび約1〜約100気圧の圧力において付成ガス(co
:H2−1:1)と反応する。ヒドロホルイル化反応は
発熱反応であシそして大部分の反応熱は反応!a流出液
を蒸発させることKより除去されうる。ま九大体の反応
器温度の制御も反応器圧力を請書することKより達成さ
nうる。
ついでヒドロホルイル往工程から回収さnる2−メチル
ブタナール生成物は酸性不均質触媒の存在下に高めらn
た温度で脱水さnてイソプレンになる。このために有用
な触媒はたとえは燐酸無水物、硼#I#水物、酸性二酸
化珪素および酸性酸化チタンおよびその他のかかる酸性
化合物のような酸性脱水触媒である。
本発明の脱水工程の念めに好ましい触媒は英国特許第1
,385,348号明細書の実施例8(fchem。
ムbstr、J tX 79巻第106002頁)およ
びソ連邦特許第721,116号明細書([chem、
Abatr、J@ 98巻$9548頁)FC!e載さ
nている燐tlI硼素である。後者の特許明細書によn
ば触媒1d、 s a3po4および硼酸を混合し、そ
の混合物を蒸発させ、粉砕し、鍛焼させついで450〜
650℃で1〜8時間15〜75容量%の水蒸気を含有
する水蒸気と空気との混合物で処理することにょシ製造
−される。
脱水工程のために%に望ましいその他の触媒物質はたと
えId PPG工業から開業的に入手しうるような表面
積≦100 m27gm k Hするシリカビーズ、た
とえば表面積50〜63 m27gm 、平均細孔直径
800Xおよび平均細孔容積α4007gmを有する1
716インチのPP()シリカビーズタイプMO−1で
ある。
仁の脱水反応は吸勢反応であプそして好ましい条件下で
はこの反応は約り00℃〜約400℃の高められ九温度
において固足床触媒上で気相中で実権される。所望のイ
ソプレン生成物は高収皐で、たとえば後記の実施例に記
載のように2−メチルプタナールへの80%転化率にお
いて85%程度の高いイソゾレ/選択率で回収さnる・ 以下に本発明を実施例によシさらによく説明するが、本
発明はこれらの特定な実施例Ktll1足されるもので
はな込ことを理解さrtたい。
実権例 1 下記の大約め濃度範囲内の成分組成を有する04供給精
製流が線状ブテン源として使用さnる・表   2 イソブチン          44〜49ブテン−1
24〜28 ブテン−2(シスおよヒトランス)   19〜21n
−ブタン          6〜8イソブタン   
       2〜3上記の精製流は0.5%pa1に
含有するアルイナ触媒の固足床を有するブチy14性化
反応器の底部に供給される。少量のメタン隋加水承を触
媒促進剤として反応器の頂部に供給する。JI性化反応
は80℃および300 psl (2a 4気圧)で起
る・生成する異性化されたシスおよびトランスのブテン
−2Fi他の04Flt分から分離さnついで回収さ2
′L4かあるい扛次の王権に進む前にパラフィンtV混
合物から分離さrbf忙直接便用されうる。
上述のように精製流から得ることができるがあるいは別
な方法で商業用ブテン−2として入手しうるブテン−2
(シスおよびトラ7ス)は以下のようにヒドロホルばル
化さnて2−メチルブタナールと、することができる。
本実施例では商業上入手しうるブテノ−2(1732g
lll)tロジウム(シクロオクタジエン)アセチルア
セトネート(4,08gm)およびトリフェニルホスフ
ィン(170,37gm)と−緒にオートクレーブに仕
込んだ。このオートクレーブを00712 (1: 1
 )混合物で1000 paLgK加圧しついで攪拌し
ながら110℃に加熱した。この反応温度は4時間維持
された。オートクレーブを冷却しそして排気させた。得
られた生成物をガスク“ロマトグラフイーにより分析し
たところ98%以上の2−メチルブタナールtf舊して
いることが示さnたー0 2−メチルブタナール(ヘリウム中15%)を550℃
において固体結晶状燐酸#l累触媒上に通過させた(液
体毎時空間遠度El 7 hr−’)。
ガス状生成物をガスクロマトグラフィー法により分析し
友ところ2−メチルブタナールの80%転化率でイソプ
レン選択率は85%であることがわかった。
実施例 2 MTBIfプラント(インブチレンを除く)4Cよ多処
理さnた04供給精製流は以下の組Fitt−有する。
表 5 n−ブタン         Z5 イソブタン         Z5 イソブチレン        2.0 ブテン−141・5 シスブテン−216,5 トランスブテン−225,0 上記精製流を異性化反応器に供給しそしてパラフィン類
を分離せずに前記実施例1のようKしてブテン−2に富
んだ流れを回収する。
異性化反応工程からのブテン−2(シスおよびトランス
)k実施例1のような不均質ロジウム触媒および配位子
を用いて115モルよび117 Pli (8気圧)に
おいて1:1比の00おヨヒH2(合成ガス)てヒドロ
ホルばル°化する。
ロジウム1モル当た960モルのトリフェニルホスフィ
ン配位子が使用さnる。痕跡量のクロライドを合成ガス
から除去するKFi酸化亜鉛パツキノグが使用さnそし
て痕跡量の水をブテン−2供給原料から除去するには分
子篩充填物が愛用さnる。生成する2−メチルブタナー
ル扛未反応物質から分離されついで回収さnる。
ヒドロホルミル化反応工程からの2−メチルブタナール
はシリカビーズの固定床上て400℃および1001)
81(48気圧)においてg&熱反応で脱水さnてイソ
プレンになる。上記アルデヒド1モル当たり10モルの
水蒸気希釈物が使用さnる・生成するイソプレンは反応
帯域から分離されついで回収される。
通常の当業者ならば本発明の趣旨を逸脱せずに種々のそ
の他の態様を実施できることは明らかであ〕、シたがっ
てすべてのかかる態様も本発明のうちに包含さnるもの
である。
特許出願メ2 モンナント・カンノで二一第1頁の続き − アメリカ合衆国ミズーリ州(63 141)セントルイス・レッドゲ イト1616

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 )(a)  二重結貧異性化触媒の存在下で混合線
    状ブテン類を異性化してシス−ブテノ−2およびトラン
    ス−ブテン−2の混合物を得、11))  上記ブテン
    −2混合物を均質ロジウム触媒および過剰の有機配位子
    の存在下において00およUH2でヒドロホルばル化し
    て2−メチルブタナールにし、 (o)  そして上記2−メチルブタナールを酸性不均
    質触媒の存在下で高めらnた温度において脱水してイソ
    プレンとする ことからなる、線状ブテン類からのインプレン合成法。 2) 14性化触媒がアルばすである前記特許請求の範
    囲−第1項に記載の方法@ 3) J!性化−X約15%パラジウムを有するアルイ
    ナ触媒の固定床上で約80℃の高められ九温度および約
    500 psiの圧力において液相Φで実施される前記
    特許請求の範囲纂1項に記載の方法e 4)均質ロジウム触媒がロジウム(シククオクタジエン
    )アセチルアセトネートでありそして有機配位子がトリ
    フェニルホスフィンであ゛る前記特許請求の範8w11
    項に記載の方法。 5)ヒドロホルイル化がロジウム触v&1モル当たJ)
    約、60〜約150モルのトリフェニルホスフィンの存
    在下で約り0℃〜約150℃の温度および約1〜約10
    0気圧の圧力において合成ガスを用いてなされる前記特
    許請求の颯m第1項に記載の方法。 6)  II性不均質脱水触媒が燐#2s素である前記
    特許請求の範S第1凋に記載の方法・ 7)酸性不均質脱水触媒がシリカビーズである前記特許
    請求の範囲第1項に記載の方法。 8)脱水が約り00℃〜約400℃の温度で気相におい
    て固定床触媒上でなされる前記特許請求の範囲第1項に
    記載の方法。 9)  Jl性化触媒がアルばすであり、均質ロジウム
    触媒がロジウム(シクロオクタジエン)アセチルア七ト
    ネートであシ、有機配位子がトリフェニルホスフィンで
    あシそして酸性不均質触媒が燐酸硼素である前記特許請
    求の範囲第1項に記載の方法。 10)!4性化が約05%パラジウムを有するアルイナ
    触媒の固定床上で約80℃の高められた温度および約s
     o o psiの圧力において液相中で実施され、ヒ
    ドロホルミル化がロジウム触媒1モル当たり約60〜約
    150モルのトリフェニルホスフィンの存在下で約70
    11〜約′150℃の温度および約1〜約100気圧の
    圧力において合成ガスを用いて実施さnそして脱水が約
    20(Ic〜約400℃の温度で気相にお゛いて固定床
    触媒上でなされる前記特許請求の範囲第1項に記載の方
    法。
JP57187628A 1981-10-28 1982-10-27 イソプレンの合成法 Pending JPS5883636A (ja)

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CA1184209A (en) 1985-03-19

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