JPS5884406A - 薄膜抵抗体の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗体の製造方法Info
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- JPS5884406A JPS5884406A JP18114981A JP18114981A JPS5884406A JP S5884406 A JPS5884406 A JP S5884406A JP 18114981 A JP18114981 A JP 18114981A JP 18114981 A JP18114981 A JP 18114981A JP S5884406 A JPS5884406 A JP S5884406A
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- thin film
- resistor
- target
- manufacturing
- film resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な薄膜抵抗体の製造法に係り。
具体的にはＣｒ−５ｉ−５ｉ０１１ｍＫ抵抗体の製造方
法に関する。
法に関する。
従来、薄膜抵抗体には０）Ｃｒ−５ｉ抵抗体、（層）Ｃ
ｒ−５ｉ（）抵抗体が使用されている。しかし、 Ｃｒ
−５ｉ低抵抗は以下＜Ｍ） 〜（＃）（Ｄ欠点含有し、
ｃｒ−ｓｚ。
ｒ−５ｉ（）抵抗体が使用されている。しかし、 Ｃｒ
−５ｉ低抵抗は以下＜Ｍ） 〜（＃）（Ｄ欠点含有し、
ｃｒ−ｓｚ。
抵抗体線以下−）〜（ｅ）の欠点のほかに以下（ｄ）＃
（＃）の欠点を有している。
（＃）の欠点を有している。
（Ｃｒ−５ｉ低抵抗の短所〕
（ｇ） 初期Ｏ熱処理で抵抗値が変化する。
（ｈ） 電力密度は数Ｗ／ｄしかとれぬ。
（Ｃ）高温で長時間使用すると抵抗値が変化する。
例えば、２００℃でａａａ時間使用すると、抵抗値は初
期抵抗（初期熱感ｍ後の値）に対して１〜７％変化する
。
期抵抗（初期熱感ｍ後の値）に対して１〜７％変化する
。
（ｃｒ−ｓ龜Ｏ抵抗体の短所〕
上記←】〜（Ｃ）のほかに、以下（ｄ−）、 Ｃｍ）Ｏ
欠点がある。
欠点がある。
≠） 抵抗値の温度係数社員のみであり、広範な用途が
ない。
ない。
（−） エツチング速度がおそい。
ｔｆｔ、 Ｃｒ−５ｔ低抵抗、 Ｃｒ−５ｉＯ抵抗体紘
蒸着法によシ製造していた。しかし、蒸着法ａ、（８１
大面積の薄膜抵抗体を製造するのに手数がかかる。
蒸着法によシ製造していた。しかし、蒸着法ａ、（８１
大面積の薄膜抵抗体を製造するのに手数がかかる。
（ｈ）抵抗体の組成が不均一になるという欠点があった
。
。
ま九、スパッタリングによ〕薄＊ｍｍ体を製造する場合
、−ターゲットに（ｇ）Ｃｒ−５ｉＯを用いると。
、−ターゲットに（ｇ）Ｃｒ−５ｉＯを用いると。
Ｃｒ−５ｉＯｔ−製造するＳＯＷ素量の調節が困難であ
シ、（旬例えば矩形ＯＣｒ Ｑ板に０例えば５ｉｔＱ円
盤を配置し九もｏｔ使用すると、これでは抵抗体の組成
が不均一となシ、再現性が乏しい、という欠点がある。
シ、（旬例えば矩形ＯＣｒ Ｑ板に０例えば５ｉｔＱ円
盤を配置し九もｏｔ使用すると、これでは抵抗体の組成
が不均一となシ、再現性が乏しい、という欠点がある。
本発明は、上記した従来技術の欠点をなくシ。
大面積の薄膜抵抗体がたやすく得られ、かつ均一な組成
の抵抗体が再現性良く得られＡｌ１１！抵抗体の製造方
法ｅ＊供するにある。
の抵抗体が再現性良く得られＡｌ１１！抵抗体の製造方
法ｅ＊供するにある。
上記目的は、ターゲットにＣｒとＳｉ、 Ｃｒ−５ｉ合
金、たて、横の長さの等しい矩形のＣｒとＢｉｔ−交互
に並べたものを用いてスパッタリングをＩＩ素の存在す
る不活性１囲気中で行なうことで達成される。
金、たて、横の長さの等しい矩形のＣｒとＢｉｔ−交互
に並べたものを用いてスパッタリングをＩＩ素の存在す
る不活性１囲気中で行なうことで達成される。
次にＣｒ−５＊−５＊Ｕ薄膜抵抗体の製造方法を述べる
。ターゲットは、（６〕別＠Ｏｃｒと”、 （ｈ）Ｃｒ
−５ｉ合金、（Ｏ）図に示すように、たて、横の長さの
等しいＣｒ１とＳ＝２を交互に配置したものを用いゐ（
図中５は枠でＴｏｎ、これはシールド板でかくされてい
る）、そして、上記（ｇ）のターゲラ）を用いた場合は
Ｃｒと５１のスパッタリング条件ｔ−蛮えることで、上
記（旬のターゲットを用いた場合はＣｒとＳｉの組成を
変えることで、上記（＃）０場会は矩形の大きさを変え
、スパッタリング条件を変えることで薄膜抵抗体の組成
が習えられる。
。ターゲットは、（６〕別＠Ｏｃｒと”、 （ｈ）Ｃｒ
−５ｉ合金、（Ｏ）図に示すように、たて、横の長さの
等しいＣｒ１とＳ＝２を交互に配置したものを用いゐ（
図中５は枠でＴｏｎ、これはシールド板でかくされてい
る）、そして、上記（ｇ）のターゲラ）を用いた場合は
Ｃｒと５１のスパッタリング条件ｔ−蛮えることで、上
記（旬のターゲットを用いた場合はＣｒとＳｉの組成を
変えることで、上記（＃）０場会は矩形の大きさを変え
、スパッタリング条件を変えることで薄膜抵抗体の組成
が習えられる。
スパッタリングは、上記（−〜（ｅ）のいずれかＯター
ゲットを用い、不活性ガス（例えばＡＴ、 Ｉｆ。
ゲットを用い、不活性ガス（例えばＡＴ、 Ｉｆ。
Ｎｇ、 Ｘ−など）分圧（１５〜８０ｍ Ｔｏｒｒ 、
駿票ガス分圧ＩＸ１０′７〜ｌＸ１０−” Ｔｏｒｒ
の雰囲気中テ、ターゲットに４００Ｖ〜１０ＪＪ’の電
圧（αシ４〜１聞−〇電力）を印加して行なう。
駿票ガス分圧ＩＸ１０′７〜ｌＸ１０−” Ｔｏｒｒ
の雰囲気中テ、ターゲットに４００Ｖ〜１０ＪＪ’の電
圧（αシ４〜１聞−〇電力）を印加して行なう。
なお、 Ｃｒ−５ｉ−５ｉＯ薄膜抵抗体はＣｒ、 Ｓｉ
、 ５ｉＯ（シリコンの一部が酸化されている事は明ら
かであるが、どの様な状態に酸素が結合しているか不明
であシ、ｍ化状ｌＩＩを平均的な姿で示すとＳｉＯとな
る。ｔた、ＳｉＯの含有率は今９１ａｔｔｕｎｅ饅で示
すことにする）の割合は、任意なものができるが、（’
ｒ：１０ ”ｗ ＳＯａｔａｍａ ％ 、 Ｓｉ：５〜
＠＠ａｔｍ４ｅ饅、 ｓｉｏ： ２〜６０αｔｔｍｍｃ
％のものが抵抗体としての特性が良く製造し品い。
、 ５ｉＯ（シリコンの一部が酸化されている事は明ら
かであるが、どの様な状態に酸素が結合しているか不明
であシ、ｍ化状ｌＩＩを平均的な姿で示すとＳｉＯとな
る。ｔた、ＳｉＯの含有率は今９１ａｔｔｕｎｅ饅で示
すことにする）の割合は、任意なものができるが、（’
ｒ：１０ ”ｗ ＳＯａｔａｍａ ％ 、 Ｓｉ：５〜
＠＠ａｔｍ４ｅ饅、 ｓｉｏ： ２〜６０αｔｔｍｍｃ
％のものが抵抗体としての特性が良く製造し品い。
以下１本発明ｔ−Ｃｒ−５ｉ−５ｉＯの製造法を例にと
シ説明する。
シ説明する。
実施例（１）
ＣｒのみＯターグツ）、Ｓｌ）みのターゲット計２つの
ターゲットを用いた場合、 ＣｒとＳｉの比は。
ターゲットを用いた場合、 ＣｒとＳｉの比は。
ＣｒＯターゲット、Ｓｉのター、ゲットの各々への印加
電力により容易に制御できる。 Ｃｒのターゲットに１
０Ｈ’／ａＡ〜αｉ−の電力を与え、Ｓｉのターゲット
にαり肩〜１シ〜の電′力を与えることによシ、薄膜で
の（：ｒ１５ｉ ７１１子比ｉｊ、 ５０１５０〜５０
／７０の範囲で制御できる。ｔた。１Ｉ１２素ガス圧管
、１０”７Ｔａｒｔから１０−”Ｔ ｏｒγとすること
によｋ）、Ｓｉの酸化割合は、Ｓｉ原子数に対するＳｉ
Ｏの形で考えた原子数の割合で表わすと、５〜９５％と
することができる。 Ｃｒ：Ｓ＊：Ｓｉ０ Ｏ形で表わ
すと、 ＣｒはｌｓＯ〜５Ｑａｔ％、 Ｓｉは２〜４８
＠ｔ％ 、 ５％０は２〜６８ａｔ−の薄膜が得られる
。
電力により容易に制御できる。 Ｃｒのターゲットに１
０Ｈ’／ａＡ〜αｉ−の電力を与え、Ｓｉのターゲット
にαり肩〜１シ〜の電′力を与えることによシ、薄膜で
の（：ｒ１５ｉ ７１１子比ｉｊ、 ５０１５０〜５０
／７０の範囲で制御できる。ｔた。１Ｉ１２素ガス圧管
、１０”７Ｔａｒｔから１０−”Ｔ ｏｒγとすること
によｋ）、Ｓｉの酸化割合は、Ｓｉ原子数に対するＳｉ
Ｏの形で考えた原子数の割合で表わすと、５〜９５％と
することができる。 Ｃｒ：Ｓ＊：Ｓｉ０ Ｏ形で表わ
すと、 ＣｒはｌｓＯ〜５Ｑａｔ％、 Ｓｉは２〜４８
＠ｔ％ 、 ５％０は２〜６８ａｔ−の薄膜が得られる
。
実施例（２）
短量状にＣｒとＢｉｔ並べた１つのターゲット（図１）
ｔ−用いると、短棚状にしたＣｒと５ｉＯ面積比を変化
させることにより容易に組成を制御することができる。
ｔ−用いると、短棚状にしたＣｒと５ｉＯ面積比を変化
させることにより容易に組成を制御することができる。
Ｃｒ／Ｓｉ面積比Ｖｔ？５／！Ｓ−５／？５に変化さ
せると、薄膜でのＣｒ／Ｓｉ Ｏ原子比は９７４〜１０
／９０ ｆｉで変化させることかで１Ｍ、ターゲット
への印加電力１２〜１０Ｆ／ｄの下で酸素ガス圧ｆ １
０−：Ｉｔａｒｔから、１０″″”ｔａｒ、ｒとするｅ
とニヨク。
せると、薄膜でのＣｒ／Ｓｉ Ｏ原子比は９７４〜１０
／９０ ｆｉで変化させることかで１Ｍ、ターゲット
への印加電力１２〜１０Ｆ／ｄの下で酸素ガス圧ｆ １
０−：Ｉｔａｒｔから、１０″″”ｔａｒ、ｒとするｅ
とニヨク。
５ｉｏＨ化割合はＳｉＯの形で考えると５〜９５−の範
囲で制御が出来る。 Ｃｒ：Ｓｉ：ＳｉＯの形で表わす
と、Ｃｒは１０〜９７ａｔ％ 、 Ｓｉは１〜８４ａ
ｔ％ 、 ＳｔＯは１〜８６αｔ％の薄膜が得られる
。
囲で制御が出来る。 Ｃｒ：Ｓｉ：ＳｉＯの形で表わす
と、Ｃｒは１０〜９７ａｔ％ 、 Ｓｉは１〜８４ａ
ｔ％ 、 ＳｔＯは１〜８６αｔ％の薄膜が得られる
。
実施例（３）
Ｃｒ−５−合金ターゲットは、広範囲のＣｒａｓｈ比の
ものが得られるが、実用的にはＣｒ／Ｓｉ ｌ［子比と
して、 ９９７１〜１／９９の範囲で作製でき、これら
をターゲットとして用いた時１作製した薄膜のＣｒ／Ｓ
ｉ原子比Ｆｉ９９７１〜１／？？の範囲で得られる。タ
ーゲットへの印加電力（Ｌ２〜１ｅ’７ａｉ ４Ｄ下で
、酸素ガス圧ｔ−１０−り７ｅｒｒかも１（１−ｊ７’
＃ｊｒとすることによｊ）、Ｓ＊の数比の割合Ｂ ｓｉ
ｏ ｏ形で考えると５〜９５％ ０範囲で制御が出来る
。得られた薄膜の範囲ｔＣｒ：Ｓｓ：ＳｉＯで表わすと
、 Ｃｒは１〜９Ｆ３＠ｔ％ 、 ５ｉは１〜９８ａｔ
％ 、 Ｓ＊０１ｄ １〜９８ｇｔ％ Ｃ）薄膜である
。
ものが得られるが、実用的にはＣｒ／Ｓｉ ｌ［子比と
して、 ９９７１〜１／９９の範囲で作製でき、これら
をターゲットとして用いた時１作製した薄膜のＣｒ／Ｓ
ｉ原子比Ｆｉ９９７１〜１／？？の範囲で得られる。タ
ーゲットへの印加電力（Ｌ２〜１ｅ’７ａｉ ４Ｄ下で
、酸素ガス圧ｔ−１０−り７ｅｒｒかも１（１−ｊ７’
＃ｊｒとすることによｊ）、Ｓ＊の数比の割合Ｂ ｓｉ
ｏ ｏ形で考えると５〜９５％ ０範囲で制御が出来る
。得られた薄膜の範囲ｔＣｒ：Ｓｓ：ＳｉＯで表わすと
、 Ｃｒは１〜９Ｆ３＠ｔ％ 、 ５ｉは１〜９８ａｔ
％ 、 Ｓ＊０１ｄ １〜９８ｇｔ％ Ｃ）薄膜である
。
抵抗体として、抵抗飯温［特性が小さく、ｍ抗錬熱安定
性の良く、パターニング容易な薄膜抵抗体の組成は、
ｃｒ”、ｓ＆：ｓｉｏで表わすと、 Ｃｒ：１Ｇ〜５０
ｇｔ％Ｓｉ ：５〜８５ａｔ％ ＳｔＯ：２〜６ｒＪａ
ｔ＠ の範囲で。
性の良く、パターニング容易な薄膜抵抗体の組成は、
ｃｒ”、ｓ＆：ｓｉｏで表わすと、 Ｃｒ：１Ｇ〜５０
ｇｔ％Ｓｉ ：５〜８５ａｔ％ ＳｔＯ：２〜６ｒＪａ
ｔ＠ の範囲で。
これらの範囲状上記した実施例によシ容易に制御でき作
製し得るものである。
製し得るものである。
以上述べたごとく１本発明によれば１種々の比抵抗及び
抵抗値温度特性が実現できかつ高温環境下での抵抗能安
定性に秀れたＣｒ−５ｚ−５＊０系の抵抗体が形成でき
る。
抵抗値温度特性が実現できかつ高温環境下での抵抗能安
定性に秀れたＣｒ−５ｚ−５＊０系の抵抗体が形成でき
る。
図は、 Ｃｒ物質とＳｉ物質を交互に短棚状にならべた
スパッタ用ターゲットの被スパツタ面である。 １・・・Ｃｒ物質 ２・−５ｉ物質５・・・
枠 代理人弁理士 薄 １）利 ’！ａｈ １９間昭５８−８４４１Ｊ６（３） 第１頁の続き ０発 明 者 三谷正男 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ０発 明 者 平塚型別 横浜市戸塚区戸塚町２１６株式会 社日立製作所戸塚工場内
スパッタ用ターゲットの被スパツタ面である。 １・・・Ｃｒ物質 ２・−５ｉ物質５・・・
枠 代理人弁理士 薄 １）利 ’！ａｈ １９間昭５８−８４４１Ｊ６（３） 第１頁の続き ０発 明 者 三谷正男 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ０発 明 者 平塚型別 横浜市戸塚区戸塚町２１６株式会 社日立製作所戸塚工場内
Claims (1)
- 薄ｌ［＃に抗体をスパッタリングで形成する方法におい
て ａ票ガスの存在する不活性ガス雰囲気中で、ターゲ
ットに複数個の金属、これら複数の金属の合金、もしく
は九て、横Ｏ長さが等′ しい矩形ＯＩＩ数の金属を一
定の順序に配置したものを用いて基板上に抵抗体を形成
することを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18114981A JPS5884406A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18114981A JPS5884406A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884406A true JPS5884406A (ja) | 1983-05-20 |
| JPH0463522B2 JPH0463522B2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=16095735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18114981A Granted JPS5884406A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884406A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541898A (en) * | 1977-05-31 | 1979-01-09 | Siemens Ag | Electric resistive film and method of making same |
| JPS5516424A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | Target for composite spatter |
| JPS5693303A (en) * | 1979-11-05 | 1981-07-28 | Corning Glass Works | Resistor composition and method of manufacturing same |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP18114981A patent/JPS5884406A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541898A (en) * | 1977-05-31 | 1979-01-09 | Siemens Ag | Electric resistive film and method of making same |
| JPS5516424A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | Target for composite spatter |
| JPS5693303A (en) * | 1979-11-05 | 1981-07-28 | Corning Glass Works | Resistor composition and method of manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0463522B2 (ja) | 1992-10-12 |
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