JPS588549B2 - 表面処理用真空系 - Google Patents
表面処理用真空系Info
- Publication number
- JPS588549B2 JPS588549B2 JP52050809A JP5080977A JPS588549B2 JP S588549 B2 JPS588549 B2 JP S588549B2 JP 52050809 A JP52050809 A JP 52050809A JP 5080977 A JP5080977 A JP 5080977A JP S588549 B2 JPS588549 B2 JP S588549B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- trap
- surface treatment
- pump
- vacuum system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Compressor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は表面処理用真空系にかＮり、特にハロゲンま
たはハロゲンを含む化合物を排気するに好適する構造の
表面処理用真空系を提供するものである。
たはハロゲンを含む化合物を排気するに好適する構造の
表面処理用真空系を提供するものである。
従来一例として半導体の表面処理を施すための真空系に
第１図に示す構造のものがある。
第１図に示す構造のものがある。
図において１は真空容器、２は高真空（拡散）ポンプ群
、３はトラップ、４は真空メカニカル（ロータリ）ポン
プ、５ａ，５ａ′，５ｂ，５ｂ′，５ｃ，５ｃ′・・・
はいずれも真空管で、一の真空管５ａは中間に真空用バ
ルブ６ａを介して隣接の真空導管５ａ′に接続すると、
ともに前記真空導管５ａは一端（真空用バルブに接続し
た端と反対端）で真空容器１に、真空導管５ｂは一端（
真空用バルブに接続した端と反対端）で高真空ポンプ２
に夫々接続する。
、３はトラップ、４は真空メカニカル（ロータリ）ポン
プ、５ａ，５ａ′，５ｂ，５ｂ′，５ｃ，５ｃ′・・・
はいずれも真空管で、一の真空管５ａは中間に真空用バ
ルブ６ａを介して隣接の真空導管５ａ′に接続すると、
ともに前記真空導管５ａは一端（真空用バルブに接続し
た端と反対端）で真空容器１に、真空導管５ｂは一端（
真空用バルブに接続した端と反対端）で高真空ポンプ２
に夫々接続する。
以下同様にして真空導管５ｂ，５ｂ′は中間に真空用バ
ルブ６ｂを介して高真空ポンプ２とトラップ３とを接続
し、真空導管５ｃ，５ｃ′は中間に真空用バルブ６ｃを
介してトラップ３と真空メカニカルポンプ４（ロータリ
ポンプとも称せられる）とを接続する。
ルブ６ｂを介して高真空ポンプ２とトラップ３とを接続
し、真空導管５ｃ，５ｃ′は中間に真空用バルブ６ｃを
介してトラップ３と真空メカニカルポンプ４（ロータリ
ポンプとも称せられる）とを接続する。
前記トラップ３は排気気流の状態に変化を与え異物を沈
着せしめて真空メカニカルポンプへの流入を防止すると
ともにポンプ油の逆流に備える。
着せしめて真空メカニカルポンプへの流入を防止すると
ともにポンプ油の逆流に備える。
真空容器１内には半導体基板を配置し、一例のＢＦ３（
三フツ化ボロン）を導入して基板にボロンのイオン打込
が施される。
三フツ化ボロン）を導入して基板にボロンのイオン打込
が施される。
なお、図中５ｂ，５ｂ′はともに真空導管で中間に真空
用バルブ６ｄを介して夫々が真空容器１と真空メカニカ
ルポンプ４に接続し、真空容器内を大気圧に（たとえば
半導体基板の出し入れのため）したのちの排気を行なう
ためのものである。
用バルブ６ｄを介して夫々が真空容器１と真空メカニカ
ルポンプ４に接続し、真空容器内を大気圧に（たとえば
半導体基板の出し入れのため）したのちの排気を行なう
ためのものである。
上記イオン注入において、ＢＦ３は放電等によりイオン
化し、Ｂ＋，Ｆ＋，ＢＦ＋，ＢＦ２＋等を生成、加速さ
れ、目的部位に利用される。
化し、Ｂ＋，Ｆ＋，ＢＦ＋，ＢＦ２＋等を生成、加速さ
れ、目的部位に利用される。
しかしガスの大半はＢＦ３のまＮ真空メカニカルポンプ
に至る。
に至る。
真空メカニカルポンプには潤滑とシールのためミネラル
オイルが允填されているが、このオイルは高分子の炭化
水素で形成され、その構造中の炭素に結合した水素は上
記Ｆ＋の如きハロゲンのイオンや電荷をなくしたＦ′の
如きラジカル種等により、また炭素一炭素間の結合も同
様にハロゲンによって直撃される。
オイルが允填されているが、このオイルは高分子の炭化
水素で形成され、その構造中の炭素に結合した水素は上
記Ｆ＋の如きハロゲンのイオンや電荷をなくしたＦ′の
如きラジカル種等により、また炭素一炭素間の結合も同
様にハロゲンによって直撃される。
さらにオイル中に微量に存在する水分によりさらに反応
は速くなる。
は速くなる。
上記によってオイルの結合、重合、分解を生じ異常に高
粘度化すると同時に高い蒸気圧のオイルを生じる。
粘度化すると同時に高い蒸気圧のオイルを生じる。
たとえば新規に允填するオイルの粘度が２９．４ＣＰ（
センチポアズ）であり、一般の用途にては３ケ月使用経
過しても粘度は３２０Ｐとほとんど変化を来たさないが
、ハロゲンまたはハロゲン化物が導入される上記の使用
例の場合には約半月で１０２ＣＰに達した。
センチポアズ）であり、一般の用途にては３ケ月使用経
過しても粘度は３２０Ｐとほとんど変化を来たさないが
、ハロゲンまたはハロゲン化物が導入される上記の使用
例の場合には約半月で１０２ＣＰに達した。
これはポンプ内のオイルとして不適であり、ポンプを損
傷する。
傷する。
また分解したオイルは蒸気圧も犬となるなどの重大な欠
点がある。
点がある。
本発明は上記従来の欠点を改良するための表面処理用真
空系の構造を提供するものである。
空系の構造を提供するものである。
本発明の表面処理用真空系は真空容器、トラップ、真空
ポンプを直列に配置するとともに、前記真空容器、トラ
ップ、真空ポンプの夫々の間を真空導管で連結した表面
処理用真空系において、トラップ内に、カルシウム、マ
グネシウム、バリウム、ストロンチウムのいずれか、ま
たは、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウ
ム、バリウム、ストロンチウムの夫々にハロゲン原子よ
りもイオン化傾向の小さい原子、または分子、または反
応基を結合させた化合物のいずれかを内装させたことを
特徴とするものである。
ポンプを直列に配置するとともに、前記真空容器、トラ
ップ、真空ポンプの夫々の間を真空導管で連結した表面
処理用真空系において、トラップ内に、カルシウム、マ
グネシウム、バリウム、ストロンチウムのいずれか、ま
たは、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウ
ム、バリウム、ストロンチウムの夫々にハロゲン原子よ
りもイオン化傾向の小さい原子、または分子、または反
応基を結合させた化合物のいずれかを内装させたことを
特徴とするものである。
次に本発明を一実施例の表面処理用真空系につき詳細に
説明する。
説明する。
一例の第２図に示す表面処理用真空系において、１は真
空容器でこれにたとえば半導体基板を配置しＢＦ３を用
いてイオン注入を施すものとする。
空容器でこれにたとえば半導体基板を配置しＢＦ３を用
いてイオン注入を施すものとする。
２は高真空（拡散〕ポンプ群、１３はトラップで、少な
くともハロゲンないしーハロゲン化物を吸収するための
吸収層１３ａを内装．する。
くともハロゲンないしーハロゲン化物を吸収するための
吸収層１３ａを内装．する。
上記はナトリウム、またはカリウムの夫々とハロゲン原
子よりもイオン化傾向の小さい原子、または分子、また
は反応基との結合になる化合物のいずれかに次に挙げる
ものがよい。
子よりもイオン化傾向の小さい原子、または分子、また
は反応基との結合になる化合物のいずれかに次に挙げる
ものがよい。
Ｎａ２Ｏ，ＮａＨＣＯ３，Ｎａ２ＣＯ３，Ｃ２Ｈ５ＯＮ
ａ（ナトリウムエチラート），ＣＨ３ＯＮａ（ナトリウ
ムメチラート） Ｋ２Ｏ，ＫＨＣＯ３，Ｋ２ＣＯ３，Ｃ２Ｈ５ＯＫ（カリ
ウムエチラート），ＣＨ３０Ｋ（カリウムエチラート） また、カルシウム、マグネシウム、バリウム、ストロン
チウムのいずれか、または、上記の夫々にハロゲン原子
よりもイオン化傾向の小さい原子、または分子、または
反応基を結合させた化合物を次に例示する。
ａ（ナトリウムエチラート），ＣＨ３ＯＮａ（ナトリウ
ムメチラート） Ｋ２Ｏ，ＫＨＣＯ３，Ｋ２ＣＯ３，Ｃ２Ｈ５ＯＫ（カリ
ウムエチラート），ＣＨ３０Ｋ（カリウムエチラート） また、カルシウム、マグネシウム、バリウム、ストロン
チウムのいずれか、または、上記の夫々にハロゲン原子
よりもイオン化傾向の小さい原子、または分子、または
反応基を結合させた化合物を次に例示する。
ＣａＯ，Ｃａ（ＯＨ）２，ＣａＨＯＯ３，ＣａＣＯ３．
ＭｇＯ，Ｍｇ（ＯＨ）２，ＭｇＨＣＯ３，ＭｇＣＯ３．
ＢａＯ，Ｂａ（ＯＨ）２，ＢａＨＣＯ３，ＢａＣＯ３．
ＳｒＯ，Ｓｒ（ＯＨ）２，ＳｒＨＣＯ３，ＳｒＣＯ３．
上記はいずれも排気中飛散して真空メカニカルポンプ４
（ロータリポンプとも称せられる）に混入あるいは悪流
して真空容器側へ流入するのを防止するためのフィルタ
１３ｂにもなる。
ＭｇＯ，Ｍｇ（ＯＨ）２，ＭｇＨＣＯ３，ＭｇＣＯ３．
ＢａＯ，Ｂａ（ＯＨ）２，ＢａＨＣＯ３，ＢａＣＯ３．
ＳｒＯ，Ｓｒ（ＯＨ）２，ＳｒＨＣＯ３，ＳｒＣＯ３．
上記はいずれも排気中飛散して真空メカニカルポンプ４
（ロータリポンプとも称せられる）に混入あるいは悪流
して真空容器側へ流入するのを防止するためのフィルタ
１３ｂにもなる。
次に５ａ，５ａ′，５ｂ，５ｂ′，５ｃ，５ｃ′・・・
・・・はいずれも真空導管で、一の真空導管５ａは中間
に真空用バルブ６ａを介して隣接の真空導管５ａ′に接
続するとともに前記真空導管５ａは一端（真空用バルブ
に接続した端と反対端）で真空容器１に、真空導管５ｂ
は一端（真空用バルブに接続した端と反対端）で高真空
ポンプ２に夫々接続する。
・・・はいずれも真空導管で、一の真空導管５ａは中間
に真空用バルブ６ａを介して隣接の真空導管５ａ′に接
続するとともに前記真空導管５ａは一端（真空用バルブ
に接続した端と反対端）で真空容器１に、真空導管５ｂ
は一端（真空用バルブに接続した端と反対端）で高真空
ポンプ２に夫々接続する。
以下同様にして真空導管５ｂ，５ｂ′は中間に真空用バ
ルブ６ｂを介して高真空ポンプ２とトラップ１３とを接
続し、真空導管５ｃ，５ｃ′は中間に真空用バルブ６ｃ
を介してトラップ１３と真空メカニカルポンプ４とを接
続する。
ルブ６ｂを介して高真空ポンプ２とトラップ１３とを接
続し、真空導管５ｃ，５ｃ′は中間に真空用バルブ６ｃ
を介してトラップ１３と真空メカニカルポンプ４とを接
続する。
また５ｄ，５ｅ′はいずれも真空導管で中間に真空用バ
ルプ６ｄを介して真空容器１と真空メカニカルボンプ４
に接続し、上述の導管と並列になる。
ルプ６ｄを介して真空容器１と真空メカニカルボンプ４
に接続し、上述の導管と並列になる。
これは真空容器に半導体基板の装入、取り出し等を行な
うため真空容器内を大気圧にしたのちの排気を行なうた
めのものである。
うため真空容器内を大気圧にしたのちの排気を行なうた
めのものである。
次に第３図に示す本発明の別の一実施例のトラップ３３
は外囲体４４内に、吸収体組立体２３を着脱自在に取着
けたトラップ組立体で、吸収体２３ａをフィルタ２３ｂ
，２３ｂ′にて包囲し、枠体２３ｃに一体に組み立てた
一例で、トラップを通過する気体流量を犬にできること
と、吸収体の更新が容易である。
は外囲体４４内に、吸収体組立体２３を着脱自在に取着
けたトラップ組立体で、吸収体２３ａをフィルタ２３ｂ
，２３ｂ′にて包囲し、枠体２３ｃに一体に組み立てた
一例で、トラップを通過する気体流量を犬にできること
と、吸収体の更新が容易である。
上述の如《なる真空系の容器にて例えばＢＦ３を用いて
シリコン基板にＢ＋の打込（イオン注入）を施すとき、
放電等によりイオン化されてＢ＋，Ｆ＋，ＢＦ＋，ＢＦ
２＋等となり、加速され選択されたＢ十等がシリコン基
板に注入される。
シリコン基板にＢ＋の打込（イオン注入）を施すとき、
放電等によりイオン化されてＢ＋，Ｆ＋，ＢＦ＋，ＢＦ
２＋等となり、加速され選択されたＢ十等がシリコン基
板に注入される。
しかしガスの大半はＢＦ３のま〜真空メカニカルポンプ
に向けて進行する。
に向けて進行する。
そしてトラップにて一例のＣａ，ＣａＯ，Ｃａ（ＯＨ）
２と反応し、ＣａＦ２として固定される。
２と反応し、ＣａＦ２として固定される。
このためポンプ内のオイル（炭化水素）の変質が防仕さ
れ、真空メカニカルポンプの機能が損ぜられることがな
い。
れ、真空メカニカルポンプの機能が損ぜられることがな
い。
なおトラップ内に形成されたＣａＦ２の如きフッ素化合
物は再蒸発、分解等も生じない安定な化合物であり、ま
たその蒸気圧も０（ゼロ）のため真空系の特性を損ずる
こともない。
物は再蒸発、分解等も生じない安定な化合物であり、ま
たその蒸気圧も０（ゼロ）のため真空系の特性を損ずる
こともない。
なお、上記ふっ素で例示したハロゲン原子に対する池の
原子の塩素、しゆう素、よう素のいずれに対しても、 ＮａＣｌ，ＫＣｌ，Ｃａｆｌ２，ＭｇＯｌ２，ＢａＯｌ
２，Ｓｒ０６２、 ＮａＢｒ，ＫＢｒ，ＯａＢｒ２，ＭｇＢｒ２，ＢａＢｒ
２，ＳｒＢｒ２、 ＮａＩ，ＫＩ，ＣａＩ２，ＭｇＩ２，ＢａＩ２，ＳｒＩ
２、として、また、上述したふっ素に対するカルシウム
の反応は池の原子に対し ＮａＦ，ＫＦ，ＢａＦ２，ＭｇＦ２，ＳｒＦ２として固
定し叙上と変らない効果を示す。
原子の塩素、しゆう素、よう素のいずれに対しても、 ＮａＣｌ，ＫＣｌ，Ｃａｆｌ２，ＭｇＯｌ２，ＢａＯｌ
２，Ｓｒ０６２、 ＮａＢｒ，ＫＢｒ，ＯａＢｒ２，ＭｇＢｒ２，ＢａＢｒ
２，ＳｒＢｒ２、 ＮａＩ，ＫＩ，ＣａＩ２，ＭｇＩ２，ＢａＩ２，ＳｒＩ
２、として、また、上述したふっ素に対するカルシウム
の反応は池の原子に対し ＮａＦ，ＫＦ，ＢａＦ２，ＭｇＦ２，ＳｒＦ２として固
定し叙上と変らない効果を示す。
本発明は実施例に限定されることなく広く表面処理等を
施す真空系に適用できることは言うまでもない。
施す真空系に適用できることは言うまでもない。
第１図は従来の、第２図は本発明一実施例のいずれも表
面処理用真空系の構造を説明するための正面図、第３図
は本発明の一実施例の表面処理用真空系における別のト
ラップの構造を説明するための断面図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 １・・・・・・真空容器、３，１３，３３・・・・・・
トラップ、４・・・・・・真空メカニカルポンプ、５ａ
，５ａ′，５ｂ，５ｂ′，５ｃ，５ｃ′，５ｄ，５ｄ′
・・・・・・真空導管、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ・・・
・・・真空用バルブ、１３ａ，２３ａ・・・・・・吸収
層、１３ｂ，２３ｂ，２３ｂ′・・・・・・トラップ内
のフィルタ。
面処理用真空系の構造を説明するための正面図、第３図
は本発明の一実施例の表面処理用真空系における別のト
ラップの構造を説明するための断面図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 １・・・・・・真空容器、３，１３，３３・・・・・・
トラップ、４・・・・・・真空メカニカルポンプ、５ａ
，５ａ′，５ｂ，５ｂ′，５ｃ，５ｃ′，５ｄ，５ｄ′
・・・・・・真空導管、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ・・・
・・・真空用バルブ、１３ａ，２３ａ・・・・・・吸収
層、１３ｂ，２３ｂ，２３ｂ′・・・・・・トラップ内
のフィルタ。
Claims (1)
- １真空容器、トラップ、真空ポンプを直列に配置すると
ともに前記真空容器、トラップ、真空ポンプの夫々の間
を真空導管で連結した表面処理用真空系において、トラ
ップ内に、カルシウム、マグネシウム、バリウム、スト
ロンチウムのいずれか、または、ナトリウム、カリウム
、カルシウム、マグネシウム、バリウム、ストロンチウ
ムの夫々にハロゲン原子よりもイオン化傾向の小さい原
子、または分子、または反応基を結合させた化合物のい
ずれかを内装させたことを特徴とする表面処理用真空系
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52050809A JPS588549B2 (ja) | 1977-05-04 | 1977-05-04 | 表面処理用真空系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52050809A JPS588549B2 (ja) | 1977-05-04 | 1977-05-04 | 表面処理用真空系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53137085A JPS53137085A (en) | 1978-11-30 |
| JPS588549B2 true JPS588549B2 (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=12869084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52050809A Expired JPS588549B2 (ja) | 1977-05-04 | 1977-05-04 | 表面処理用真空系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588549B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067836U (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | ヤマザキマザック株式会社 | スピンドルクリ−ニングツ−ル |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355951A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板真空吸着機構 |
-
1977
- 1977-05-04 JP JP52050809A patent/JPS588549B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067836U (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | ヤマザキマザック株式会社 | スピンドルクリ−ニングツ−ル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53137085A (en) | 1978-11-30 |
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