JPS5885677A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS5885677A JPS5885677A JP56184601A JP18460181A JPS5885677A JP S5885677 A JPS5885677 A JP S5885677A JP 56184601 A JP56184601 A JP 56184601A JP 18460181 A JP18460181 A JP 18460181A JP S5885677 A JPS5885677 A JP S5885677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- shift register
- horizontal
- solid
- vertical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像電子に関するものである。
最近、固体撮像素子の開発が進み、性能的にも、撮像管
に匹敵するものがすでに実相されるようになってきた。
に匹敵するものがすでに実相されるようになってきた。
固体撮像素子の構成において、〜光感頬部アレイにはＰ
Ｍ接合による多数個のフォトダイオードが２次元的に配
設されたものが用いられる。このフォトダイオードには
、あらかじめ、ＰＭ接合間に一定のバイアス電圧を印加
し、充電せしめておき、充電回路を切断のうえ、光照射
をおこなうと、光励起による担体によって放電がおこな
わｎる。放電電荷を幾何学的配列の方向に沿って、時系
列信号に変換し出力することによって固体撮像素子の信
号が読み出される。
Ｍ接合による多数個のフォトダイオードが２次元的に配
設されたものが用いられる。このフォトダイオードには
、あらかじめ、ＰＭ接合間に一定のバイアス電圧を印加
し、充電せしめておき、充電回路を切断のうえ、光照射
をおこなうと、光励起による担体によって放電がおこな
わｎる。放電電荷を幾何学的配列の方向に沿って、時系
列信号に変換し出力することによって固体撮像素子の信
号が読み出される。
放電電荷を時系列信号に変換し出力する動作は、２次元
配列された電荷パターンの読み出し動作であって、メモ
リシステムにおける読み出し動作と基本的には同じであ
る。しかしながら、電荷信号め読み出しは、ランダムア
クセスにする必要は必ずしもない。通常のテレビジｉ？
システムに対しては、前記のごとく、時系列信号に変換
するために、読み出しはデジタル型のシフトレジスタや
、電荷転送などの方法を応用することができる。
配列された電荷パターンの読み出し動作であって、メモ
リシステムにおける読み出し動作と基本的には同じであ
る。しかしながら、電荷信号め読み出しは、ランダムア
クセスにする必要は必ずしもない。通常のテレビジｉ？
システムに対しては、前記のごとく、時系列信号に変換
するために、読み出しはデジタル型のシフトレジスタや
、電荷転送などの方法を応用することができる。
第１図は、従来のＭＯ８形向体撮像素子の構成例である
。光情報を電荷の形で蓄えるフォトダイオード部１．フ
ォトダイオード部１の信号を一定の順序で読み出すため
の水平および垂直のスイッチＭＯ８）ランジスタ２、ス
イッチ回路を動作させるための、水平および垂直シフト
レジスタ部３゜４と映像増幅器５とで構成式れている。
。光情報を電荷の形で蓄えるフォトダイオード部１．フ
ォトダイオード部１の信号を一定の順序で読み出すため
の水平および垂直のスイッチＭＯ８）ランジスタ２、ス
イッチ回路を動作させるための、水平および垂直シフト
レジスタ部３゜４と映像増幅器５とで構成式れている。
第２図は上記固体撮像素子の信号亀荷取り出し部の要部
断面図であり、光感頬部であるフォトダイオード部と、
それらに対するスイッチ部の構成例を示している。
断面図であり、光感頬部であるフォトダイオード部と、
それらに対するスイッチ部の構成例を示している。
同図において、２１はＰ型Ｓｉ基板、２２は水平スイッ
チＭＯ８型トランジスタ、２３は光電変換機能を有する
フォトダイオード、２４は垂直スイッチＭＯ８型トラン
ジスタである。いま、光が受光部であるフォトダイオー
ド２３に入射するとＰ型Ｓｉ基板２１内で電子と正孔の
対が発生し、Ｎ型部内では、正孔がＰ型頭域に流出して
電子が残る。
チＭＯ８型トランジスタ、２３は光電変換機能を有する
フォトダイオード、２４は垂直スイッチＭＯ８型トラン
ジスタである。いま、光が受光部であるフォトダイオー
ド２３に入射するとＰ型Ｓｉ基板２１内で電子と正孔の
対が発生し、Ｎ型部内では、正孔がＰ型頭域に流出して
電子が残る。
Ｐ型頭域ではその逆になる。このようにして入方光に相
当して、蓄えら′ｎた光電子はＮチャンネル型の場合は
で−ト電極に正のパルスを印加することにより、縦方向
の垂直信号線に引出さｎる。さらに、信号電荷による垂
１信号緋の電位変動を第１図に示すように映像増巾器６
より出力する。
当して、蓄えら′ｎた光電子はＮチャンネル型の場合は
で−ト電極に正のパルスを印加することにより、縦方向
の垂直信号線に引出さｎる。さらに、信号電荷による垂
１信号緋の電位変動を第１図に示すように映像増巾器６
より出力する。
従来におけるこのような信号の読み出し形式のッチＭＯ
３）ランジスタ２２のスイッチング雑音が極めて大きく
、種々の差動法による消去法を施しても、残留分が固定
雑音として残る場合が多い。
３）ランジスタ２２のスイッチング雑音が極めて大きく
、種々の差動法による消去法を施しても、残留分が固定
雑音として残る場合が多い。
そこで、垂直信号線に引出された信号電荷を、電荷検出
器が容易に接続でき、出方時のスイッチング雑音の影響
を回避できる重荷結合素子（ｃａｎ：ｃｈａｒｇｅ ｃ
ｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）として広く知ら扛るＣＣ
Ｄシフトレジスタを同一基板上に構成し、それによって
水平読出しをおこなう固体撮像素子が開発されている。
器が容易に接続でき、出方時のスイッチング雑音の影響
を回避できる重荷結合素子（ｃａｎ：ｃｈａｒｇｅ ｃ
ｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）として広く知ら扛るＣＣ
Ｄシフトレジスタを同一基板上に構成し、それによって
水平読出しをおこなう固体撮像素子が開発されている。
この固体撮像素子の場合垂直信号線に引出された信号電
荷を水平ＣＣＤシフトレジスタより読み出すために、垂
直信号線の信号電荷を水平ＣＣＤシフトレジスタに直接
注入する構成を用いる。その場合の構成ｔｌＪを第３図
に示した。
荷を水平ＣＣＤシフトレジスタより読み出すために、垂
直信号線の信号電荷を水平ＣＣＤシフトレジスタに直接
注入する構成を用いる。その場合の構成ｔｌＪを第３図
に示した。
第３図において、３１は垂直信号線、３２は水平シフト
レジスタ、３３は垂直シフトレジスタ、３３ｉｊ は
受光部逅なるフォトダイオード、３４は垂直信号線３１
上の信号′ＦＭ、荷を水平シフトレジスタ３２へ注入す
るための電荷注入部、３５は垂直スイッチＭＯ８ｌ−ラ
ンジスタ、ＰＧｌ、ＰＧ２゜ＰＧＣは外部よりパルス電
圧を印加するための外部印加電圧端子（ゲート）である
。
レジスタ、３３は垂直シフトレジスタ、３３ｉｊ は
受光部逅なるフォトダイオード、３４は垂直信号線３１
上の信号′ＦＭ、荷を水平シフトレジスタ３２へ注入す
るための電荷注入部、３５は垂直スイッチＭＯ８ｌ−ラ
ンジスタ、ＰＧｌ、ＰＧ２゜ＰＧＣは外部よりパルス電
圧を印加するための外部印加電圧端子（ゲート）である
。
第４図は輩３図の固体撮像素子において垂直信号線３１
から、水平ＣＣＤシフトレジスタ３２に信号電荷を注入
するときの電荷転送用パルスのタイミング図である。
から、水平ＣＣＤシフトレジスタ３２に信号電荷を注入
するときの電荷転送用パルスのタイミング図である。
第４図において、も□は水平ＣＣＤシフトレジスタ３２
の転送りロックパルスであり、τＨＢＬＫは水平ブラン
キング期間（水平消去時間）を示している。ｐｃは垂直
信号線３１の信号電荷をコンテンサＣＢｉニ移スハルス
、ＰＧ２はコンデンサＣＢ。
の転送りロックパルスであり、τＨＢＬＫは水平ブラン
キング期間（水平消去時間）を示している。ｐｃは垂直
信号線３１の信号電荷をコンテンサＣＢｉニ移スハルス
、ＰＧ２はコンデンサＣＢ。
の電荷を水平ＣＣＤシフトレジスタ３２に移スタめのパ
ルスである。すなわち、ＰＧＩ ＬＰＧ２ 。
ルスである。すなわち、ＰＧＩ ＬＰＧ２ 。
ＰＧＣは垂直信号線３１の電荷を水平ＣＬＯＤシフトレ
ジスタ３に転送するためのゲート群である。
ジスタ３に転送するためのゲート群である。
この場合には、明らかに、垂直信号′−３１に移ちれた
信号電荷を、一旦ＣＢ工に移し更に水平ＣＣＤシフトレ
ジスタ３２に注入するためには、垂直信号線３１の終端
は、ＰＭ接合のＮ型拡散層に接続することが必要となる
。ＰＧＣ端子から与えるクロックによるプートストラツ
フー効果を除けば定常状態で垂直信号線３１、光感頬部
であるフォトダイオード３１コの電位は水平ＣＣＤシフ
トレジスタ３２のチャンネル電位の値までしかならない
。また、垂直信号線３１と拡散１−からの電荷転送は、
拡散層内に、電界が作用しないために、電子の拡散プロ
セスのみによっておこなわれる。９９．９％以上の電荷
転送をおこなうためには、第４図のτ、。
信号電荷を、一旦ＣＢ工に移し更に水平ＣＣＤシフトレ
ジスタ３２に注入するためには、垂直信号線３１の終端
は、ＰＭ接合のＮ型拡散層に接続することが必要となる
。ＰＧＣ端子から与えるクロックによるプートストラツ
フー効果を除けば定常状態で垂直信号線３１、光感頬部
であるフォトダイオード３１コの電位は水平ＣＣＤシフ
トレジスタ３２のチャンネル電位の値までしかならない
。また、垂直信号線３１と拡散１−からの電荷転送は、
拡散層内に、電界が作用しないために、電子の拡散プロ
セスのみによっておこなわれる。９９．９％以上の電荷
転送をおこなうためには、第４図のτ、。
τ２は０．１１１１ｓｅｃ程度を必要とする。これは、
垂直転送に使用できる。水平消去時間τＨＢＬＫの約１
８．６μ式と比較して長すぎる時間である。このため、
撮像特性において、色分離特性、解像特性に障害を生ず
ることになる。
垂直転送に使用できる。水平消去時間τＨＢＬＫの約１
８．６μ式と比較して長すぎる時間である。このため、
撮像特性において、色分離特性、解像特性に障害を生ず
ることになる。
本発明は、上記欠点を除去するものであり、垂直信号電
荷による電位変動分に比例した電荷を水平ＣＣＤシフト
レジスタに注入することによって、電荷の転送に必要な
時間を大巾に短縮しようとするもので第６図に本発明の
固体撮像装置の基杢構成を示す。
荷による電位変動分に比例した電荷を水平ＣＣＤシフト
レジスタに注入することによって、電荷の転送に必要な
時間を大巾に短縮しようとするもので第６図に本発明の
固体撮像装置の基杢構成を示す。
第５図において、６１は電位変動を電荷量に変換する電
荷注入部（変換部）６２は垂直走査用シフトレジスタ、
６３はフォトダイオードのアレイ等よりなる光感加部、
６４は光感加部と同一構造で、光学的入力をなくシタフ
ォトダイオード列、６６は水平出力用ＣＯＤシフトレジ
スタ、６７は水平出力用ＣＣＤシフトレジスタの出力部
、６８は差動出力アンプ、６９はムーＤコンバータ、６
０はデジタルメモリ、６１はＤ−ムコンバータである。
荷注入部（変換部）６２は垂直走査用シフトレジスタ、
６３はフォトダイオードのアレイ等よりなる光感加部、
６４は光感加部と同一構造で、光学的入力をなくシタフ
ォトダイオード列、６６は水平出力用ＣＯＤシフトレジ
スタ、６７は水平出力用ＣＣＤシフトレジスタの出力部
、６８は差動出力アンプ、６９はムーＤコンバータ、６
０はデジタルメモリ、６１はＤ−ムコンバータである。
電位変動を電荷量に変換する動作は、垂直転送線の電荷
を拡散層に移し、そ扛を水平ｃａｎシフトレジスタに完
全転送をするのと異なり、極めて高速の１０””ｓｅｅ
程度の動作が可能である。
を拡散層に移し、そ扛を水平ｃａｎシフトレジスタに完
全転送をするのと異なり、極めて高速の１０””ｓｅｅ
程度の動作が可能である。
これを第６図＋ＩＬ１ 、 ｆｂｌ 、 （Ｃ１に示す
ポテンシャル図を用いて説明する（第６図の具体的な構
成は後で説明する第７図に示さ扛ている。）。
ポテンシャル図を用いて説明する（第６図の具体的な構
成は後で説明する第７図に示さ扛ている。）。
第６図＋ＩＬＩ 、 （ｂＪ 、 （（ｌ）ｌにおいて
、Ｄ４は拡散層の上に設けらｎｆｃ端子、Ｐ２ ＊ Ｐ
３ｉ 、 Ｐ＋は図示すシタ順位で配列されたゲート電
極、φＨ２は水平ｃａｐミルシフトレジスタゲート電極
である。時刻ｔ、。
、Ｄ４は拡散層の上に設けらｎｆｃ端子、Ｐ２ ＊ Ｐ
３ｉ 、 Ｐ＋は図示すシタ順位で配列されたゲート電
極、φＨ２は水平ｃａｐミルシフトレジスタゲート電極
である。時刻ｔ、。
ｔ２ は垂直信号線の電位をそれに相当する電荷へ変換
する時刻を示”（、、ｔ、はこの電荷を水平ＣＯＤシフ
トレジスタへ注入する時刻を示す。
する時刻を示”（、、ｔ、はこの電荷を水平ＣＯＤシフ
トレジスタへ注入する時刻を示す。
ゲート電極φＨ２下の水平ＣＣＤＫ注入すべき電荷量は
、ゲート電極Ｐ３、に加える電圧によって、ゲート電極
Ｐ２とゲート電極Ｐｈｉのチャンネル電位差に比例して
、ゲート電極Ｐｓｉの下にと９こむことができる。すな
わち、第６図（２Ｌ）における時刻ｔ１で適当にバイア
スさｆたゲート電極Ｐ２に対し。
、ゲート電極Ｐ３、に加える電圧によって、ゲート電極
Ｐ２とゲート電極Ｐｈｉのチャンネル電位差に比例して
、ゲート電極Ｐｓｉの下にと９こむことができる。すな
わち、第６図（２Ｌ）における時刻ｔ１で適当にバイア
スさｆたゲート電極Ｐ２に対し。
パルス駆動で設定でれた端子Ｄ４の拡散層電位ｖｄＬが
その流入電荷によるＰｓｉゲート電極電極クチヤンネル
電位位の平衡を達成するのに要する時間は１０””２ｓ
ｅｃ程度である。時刻ｔ２−’（第６図（ｂ）テ拡散層
電位をｖｄＨにした後、と９込まれたゲートＰ５ｉの下
の電荷を、時刻ｔ５（第６図（Ｃ））でゲート電極を開
いて、水平ＯＣＤのゲート電極φＨ２下に移すのは、い
わゆる電荷転送によるものであって、１０ｓｅｃの時間
で９９．９９％以上の転送効率で転送するのは容易であ
る。したがって、垂直信号線の電位変動を、水平ｃａｎ
への注入電荷量に変換するのは全体として十数マイクロ
秒でおこない得る。
その流入電荷によるＰｓｉゲート電極電極クチヤンネル
電位位の平衡を達成するのに要する時間は１０””２ｓ
ｅｃ程度である。時刻ｔ２−’（第６図（ｂ）テ拡散層
電位をｖｄＨにした後、と９込まれたゲートＰ５ｉの下
の電荷を、時刻ｔ５（第６図（Ｃ））でゲート電極を開
いて、水平ＯＣＤのゲート電極φＨ２下に移すのは、い
わゆる電荷転送によるものであって、１０ｓｅｃの時間
で９９．９９％以上の転送効率で転送するのは容易であ
る。したがって、垂直信号線の電位変動を、水平ｃａｎ
への注入電荷量に変換するのは全体として十数マイクロ
秒でおこない得る。
しかしながら、水平シフトレジスタに、外部から電荷注
入をおこなう場合には、電荷の注入量が注入量を制御す
るためのゲート電極Ｐｉ 、 Ｐ２およびＰ３ｉの部分
のしきい値電圧のバラツキによって変化することがある
。その場合は、映像における垂直方向に信号出力差を生
じ、縦方向のパターンが映１埃面に現われる。これは固
定パターンノイズとも呼ばれ、映像画質を低下させる。
入をおこなう場合には、電荷の注入量が注入量を制御す
るためのゲート電極Ｐｉ 、 Ｐ２およびＰ３ｉの部分
のしきい値電圧のバラツキによって変化することがある
。その場合は、映像における垂直方向に信号出力差を生
じ、縦方向のパターンが映１埃面に現われる。これは固
定パターンノイズとも呼ばれ、映像画質を低下させる。
これを解決するために、第６図で示す固体撮像素子にお
いて信号処理を外部でおこなう。すなわち、同装置では
ダイオードの２次元アレイ部よりなる光感加部６３、変
換部６１、水平シフトレジスタ部６６で要部を構成し、
光電変換をおこなわない、すなわち光入力のない、フォ
トダイオード列６４を設けておく。
いて信号処理を外部でおこなう。すなわち、同装置では
ダイオードの２次元アレイ部よりなる光感加部６３、変
換部６１、水平シフトレジスタ部６６で要部を構成し、
光電変換をおこなわない、すなわち光入力のない、フォ
トダイオード列６４を設けておく。
第７図は、第６図に示す構成の固体撮像素子の一実施例
である。水平シフトレジスタ７６はφ）ｉｔｓφＨ２１
φＨ５１φＨ４による４相駆動を行ない、実線の区切り
はＣＯＤの１段を表わす。垂直シフトレジスタ７２は２
相のグイナミックンフトレクスタであり、スタートパル
スＳＰｖにより、フォトダイオード３ ｉｊ’をｉ列の
垂直信号線Ｖ工に移すスイッチパルスφｖｊを与える。
である。水平シフトレジスタ７６はφ）ｉｔｓφＨ２１
φＨ５１φＨ４による４相駆動を行ない、実線の区切り
はＣＯＤの１段を表わす。垂直シフトレジスタ７２は２
相のグイナミックンフトレクスタであり、スタートパル
スＳＰｖにより、フォトダイオード３ ｉｊ’をｉ列の
垂直信号線Ｖ工に移すスイッチパルスφｖｊを与える。
Ｐ＋、Ｐ２．Ｄ４は、第６図における注入部６１の垂直
信号電位変動を注入電荷量に変換するためのゲート群の
制御端子であり、Ｒ、Ｄ４の駆動タイミング例は第８図
に示すとおりである。０ＦＣＧ、ＯＦＤはフォトダイオ
ードに対する過大光により、溢れる＝Ｕの排出を制御す
る端子である。６７は水平ｇｃｎの電荷を検出し出力す
る出力部である。
信号電位変動を注入電荷量に変換するためのゲート群の
制御端子であり、Ｒ、Ｄ４の駆動タイミング例は第８図
に示すとおりである。０ＦＣＧ、ＯＦＤはフォトダイオ
ードに対する過大光により、溢れる＝Ｕの排出を制御す
る端子である。６７は水平ｇｃｎの電荷を検出し出力す
る出力部である。
２次元フォトダイオードアレイ部のフォトダイオード行
３０ｉへの読出しパルスφ７Ｑ ｓフォトダイオード行
３１１への読出しパルスφ７．が順次第８図示のタイミ
ング図で示すように垂直シフトレジスタより与えられる
と、垂直信号線Ｖエ の電位変動△Ｖに相当した基準電
荷列ｑ。ｉ ＋ｍ。工が水平ＣＯＤシフトレジスタ７６
より読み出さｎる。このΔｑｏ工には、水平ＣＬＯＤの
各段での注入電荷量のバラツキのすべてと、１水平期間
τ□に発生する垂直信号線ｖｉへの疑似電荷分が含まれ
る。擬似電荷は、光入射により発生した電荷が、フォト
ダイオードに収′容されずに、直接に垂直信号？ｆｓＶ
ｉに入る電荷である。フォトダイオードアレイ部からの
信号電荷列Δｑｐｉｊを読み出す前に、上記△ｑｏｉを
読み出し、これを、第６図で示すように外部回路でム／
Ｄ変換しデジタルメモリに記憶する。
３０ｉへの読出しパルスφ７Ｑ ｓフォトダイオード行
３１１への読出しパルスφ７．が順次第８図示のタイミ
ング図で示すように垂直シフトレジスタより与えられる
と、垂直信号線Ｖエ の電位変動△Ｖに相当した基準電
荷列ｑ。ｉ ＋ｍ。工が水平ＣＯＤシフトレジスタ７６
より読み出さｎる。このΔｑｏ工には、水平ＣＬＯＤの
各段での注入電荷量のバラツキのすべてと、１水平期間
τ□に発生する垂直信号線ｖｉへの疑似電荷分が含まれ
る。擬似電荷は、光入射により発生した電荷が、フォト
ダイオードに収′容されずに、直接に垂直信号？ｆｓＶ
ｉに入る電荷である。フォトダイオードアレイ部からの
信号電荷列Δｑｐｉｊを読み出す前に、上記△ｑｏｉを
読み出し、これを、第６図で示すように外部回路でム／
Ｄ変換しデジタルメモリに記憶する。
フォトダイオード列３ｏｉは光入力がないが第１行以降
３□、 、 ３ｉ２＃・・・３ｉｊでの光信号を含む信
号列の読み出しの場合には、フォトダイオードからの信
号型荷分Δｑｐｉｊが含まれるので水平のＣＣＤシフト
レジスタの出力ではｑ。ｉ＋△ｑｏｉ＋Δｑｐ ｉｊが
排出される。したがって、第１行以降では、そのフィー
ルド期間は、基準の電荷列ｑ。１＋ｍ。ｉとの差をとる
ことによってΔｑｐｉｊのみをと９出すことができる。
３□、 、 ３ｉ２＃・・・３ｉｊでの光信号を含む信
号列の読み出しの場合には、フォトダイオードからの信
号型荷分Δｑｐｉｊが含まれるので水平のＣＣＤシフト
レジスタの出力ではｑ。ｉ＋△ｑｏｉ＋Δｑｐ ｉｊが
排出される。したがって、第１行以降では、そのフィー
ルド期間は、基準の電荷列ｑ。１＋ｍ。ｉとの差をとる
ことによってΔｑｐｉｊのみをと９出すことができる。
以上のように、本発明の固体撮１球素子の構造によって
、２次元光感知部を、フォトダイオードアツチＭＯ８Ｔ
を付した垂直続出し線、スイッチＭＯ８Ｔに対する垂直
ＭＯＳンフトレジスタの構成を水平読み出し用ＣＣＤシ
フトレジスタと結びつけることによって、読み出し全体
の高い転送効率が実現でき、２−次元固体撮像素子の低
照度時の特性を改善することができる。このため、撮像
素子のダイナミックレンヂが維持され、画質の向上がお
こなわれる。
、２次元光感知部を、フォトダイオードアツチＭＯ８Ｔ
を付した垂直続出し線、スイッチＭＯ８Ｔに対する垂直
ＭＯＳンフトレジスタの構成を水平読み出し用ＣＣＤシ
フトレジスタと結びつけることによって、読み出し全体
の高い転送効率が実現でき、２−次元固体撮像素子の低
照度時の特性を改善することができる。このため、撮像
素子のダイナミックレンヂが維持され、画質の向上がお
こなわれる。
′第１図は従来のＭｏｓ爾固体撮像素子の構成を示す図
、第２図は同固体撮像素子の信号電荷取り出し部の要部
断面図、第３図は従来の他の固体撮像素子の構成を示す
図、第４図は同固体撮像素子における駆動パルスを示す
図、第６図は本発明の固体撮像素子の構成を示す図、第
６図（Ｌ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ１は電位変動を電荷
量に変換する動作を説明するためのポテンシャル−１第
７図は本発明の一実施例における固体撮像素子の構成を
示す図、第８図は同固体撮像素子における駆動パルスを
示す図である。 ６１・・・・・・電位変動を電荷量に変換する電荷注入
部（変換部）、６２・・・・・・垂直走査用シフトレジ
スタ、６３・・・・・・光感細部、６４・・・・・・光
学的入力をなくしたフォトダイオード列％６６・・・・
・・水平出力用ＣＣＤシフトレジスタ、６７・・・・・
・出力部。 第１図 第３図 第４図
、第２図は同固体撮像素子の信号電荷取り出し部の要部
断面図、第３図は従来の他の固体撮像素子の構成を示す
図、第４図は同固体撮像素子における駆動パルスを示す
図、第６図は本発明の固体撮像素子の構成を示す図、第
６図（Ｌ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ１は電位変動を電荷
量に変換する動作を説明するためのポテンシャル−１第
７図は本発明の一実施例における固体撮像素子の構成を
示す図、第８図は同固体撮像素子における駆動パルスを
示す図である。 ６１・・・・・・電位変動を電荷量に変換する電荷注入
部（変換部）、６２・・・・・・垂直走査用シフトレジ
スタ、６３・・・・・・光感細部、６４・・・・・・光
学的入力をなくしたフォトダイオード列％６６・・・・
・・水平出力用ＣＣＤシフトレジスタ、６７・・・・・
・出力部。 第１図 第３図 第４図
Claims (1)
- 多数の光感頬部と、同光感知部の信号電荷を読み出すそ
れぞれのスイッチトランジスタと、前記感知部の信号電
荷を共通に読み出す垂直信号線と、各垂直信号線の電位
変動分を注入゛〜荷量の変化に変換する電荷注入部と、
すぐなくとも−組の水平読出し用ＯＣＤシフトレジスタ
とを半導体基板上に備えてなること−を特徴とする固体
撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184601A JPS5885677A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184601A JPS5885677A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885677A true JPS5885677A (ja) | 1983-05-23 |
Family
ID=16156057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56184601A Pending JPS5885677A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885677A (ja) |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP56184601A patent/JPS5885677A/ja active Pending
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