JPS588611B2 - ハケイセイケイカイロ - Google Patents
ハケイセイケイカイロInfo
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- JPS588611B2 JPS588611B2 JP50100815A JP10081575A JPS588611B2 JP S588611 B2 JPS588611 B2 JP S588611B2 JP 50100815 A JP50100815 A JP 50100815A JP 10081575 A JP10081575 A JP 10081575A JP S588611 B2 JPS588611 B2 JP S588611B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- inverter
- transistors
- main electrode
- collector
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はキャリヤインジエクション機構部を備え、この
部分をインバータトランジスタのベース電源部として使
用する形式のバイポーラ型論理方式(以下、IILと称
す)を用いた波形整形回路に関するものである。
部分をインバータトランジスタのベース電源部として使
用する形式のバイポーラ型論理方式(以下、IILと称
す)を用いた波形整形回路に関するものである。
IILの特徴は基板もしくはこの上に形成したエビタキ
シャル層をエミツタ領域とし、この中へベース領域なら
びにコレクタ領域を作り込み形成したいわゆる逆型のN
PN型トランジスタへのベース電流を、基板もしくはこ
の上に形成したエビタキシャル層をベース領域とし、N
PN型トランジスタのベース領域をコレクタ領域として
利用するPNP型トランジスタによって供給するところ
にあり、ベース電流の供給がPNP型トランジスタのベ
ース・エミツタ間にその立ち上り電圧相当の電圧を印加
することによって行なえ、従って極めて低い電圧での動
作が可能になること、NPN型トランジスタとPNP型
トランジスタに構造上共通にできる領域が存在するとと
もにPNP型トランジスタのエミツタ領域を共通な領域
とすることができることなどにより集積度を高めること
ができる効果が奏されるものである。
シャル層をエミツタ領域とし、この中へベース領域なら
びにコレクタ領域を作り込み形成したいわゆる逆型のN
PN型トランジスタへのベース電流を、基板もしくはこ
の上に形成したエビタキシャル層をベース領域とし、N
PN型トランジスタのベース領域をコレクタ領域として
利用するPNP型トランジスタによって供給するところ
にあり、ベース電流の供給がPNP型トランジスタのベ
ース・エミツタ間にその立ち上り電圧相当の電圧を印加
することによって行なえ、従って極めて低い電圧での動
作が可能になること、NPN型トランジスタとPNP型
トランジスタに構造上共通にできる領域が存在するとと
もにPNP型トランジスタのエミツタ領域を共通な領域
とすることができることなどにより集積度を高めること
ができる効果が奏されるものである。
第1図は以上説明してきたIILを2段接続して構成し
た論理回路を等価的に示した図であってキャリヤインジ
エクション機構部を形成するPNP型トランジスタ17
のエミツタが同トランジスタ17のベースに対して正と
なる電圧を端子18へ印加して電流を供給すると、PN
P型トランジスタ17のコレクタすなわちインバータト
ランジスタであるNPN型トランジスタ19のベースに
電流が供給される。
た論理回路を等価的に示した図であってキャリヤインジ
エクション機構部を形成するPNP型トランジスタ17
のエミツタが同トランジスタ17のベースに対して正と
なる電圧を端子18へ印加して電流を供給すると、PN
P型トランジスタ17のコレクタすなわちインバータト
ランジスタであるNPN型トランジスタ19のベースに
電流が供給される。
このとき、NPN型トランジスタ19のベースが接地ま
たはそれに近い電位に保たれているとするとNPN型ト
ランジスタ19はしゃ断状態であり、トランジスタ17
のコレクタ電流は端子20から流出する。
たはそれに近い電位に保たれているとするとNPN型ト
ランジスタ19はしゃ断状態であり、トランジスタ17
のコレクタ電流は端子20から流出する。
一方、NPN型トランジスタ19のベースに同トランジ
スタ19のベース・エミツタ間立ち上り電圧以上の電圧
が印加されているときには、同トランジスタ19が飽和
状態となりそのコレクタ電位はほぼ接地に近いものとな
る。
スタ19のベース・エミツタ間立ち上り電圧以上の電圧
が印加されているときには、同トランジスタ19が飽和
状態となりそのコレクタ電位はほぼ接地に近いものとな
る。
すなわち、NPN型トランジスタ19のコレクタ21に
はそのベースに印加された信号を反転した信号が得られ
る。
はそのベースに印加された信号を反転した信号が得られ
る。
そして、NPN型トランジスタ19のコレクタ21を別
に配置したNPN型トランジスタ22のベースに接続す
るならば、NPN型トランジスタ22はNPN型トラン
ジスタ19とは逆の関係で導通あるいはしゃ断するもの
となり、そのコレクタに得られる信号はNPN型トラン
ジスタ19のコレクタに得られる信号とは逆位相の関係
になる。
に配置したNPN型トランジスタ22のベースに接続す
るならば、NPN型トランジスタ22はNPN型トラン
ジスタ19とは逆の関係で導通あるいはしゃ断するもの
となり、そのコレクタに得られる信号はNPN型トラン
ジスタ19のコレクタに得られる信号とは逆位相の関係
になる。
また、信号がこの回路を通過するのに要する時間すなわ
ち伝達遅延時間tdは、第2図に示すようにPNP型ト
ランジスタ17のエミツタに供給する電力Pdと反比例
の関係にあり、両者の積であるPd,tdは一定である
。
ち伝達遅延時間tdは、第2図に示すようにPNP型ト
ランジスタ17のエミツタに供給する電力Pdと反比例
の関係にあり、両者の積であるPd,tdは一定である
。
ところで、従来においてはパルスを発生させるためには
一般にコンデンサを用いており、そのパルス幅はコンデ
ンサの充放電に要する時間で決定していたが、現在の集
積回路技術でコンデンサをチップ上に作り込むことは価
格上で問題があり外付けのコンデンサを使用する場合が
多かった。
一般にコンデンサを用いており、そのパルス幅はコンデ
ンサの充放電に要する時間で決定していたが、現在の集
積回路技術でコンデンサをチップ上に作り込むことは価
格上で問題があり外付けのコンデンサを使用する場合が
多かった。
本発明は先述したIILの信号伝達遅延時間を利用する
ことにより、コンデンサを用いずに安価に集積回路化し
て入力信号に対して所望のパルス幅を有するパルスを出
力することのできる、従来とは構造を異にする波形整形
回路を提供することを目的とする。
ことにより、コンデンサを用いずに安価に集積回路化し
て入力信号に対して所望のパルス幅を有するパルスを出
力することのできる、従来とは構造を異にする波形整形
回路を提供することを目的とする。
以下図面とともに本発明について説明する。
第3図A,B,Cは第1図に示したIILの等価回路に
おけも入力信号、インバータトランジスタ19のコレク
タ21に生じる信号、インバータトランジスタ22のコ
レクタ23に生じる信号のそれぞれの波形を示すもので
、トランジスタ19のベースに付設した端子20へ印加
したパルスが低レベルから高レベルへ変化した時(同図
Aのa1)トランジスタ19はこの時点から遅延時間t
df経過したところで飽和状態となり(同図Bのa2)
、トランジスタ22のベースに供給されていた電流がト
ランジスタ19のコレクタ21を経てトランジスタ19
の側へ流れる(同図Bのa2)。
おけも入力信号、インバータトランジスタ19のコレク
タ21に生じる信号、インバータトランジスタ22のコ
レクタ23に生じる信号のそれぞれの波形を示すもので
、トランジスタ19のベースに付設した端子20へ印加
したパルスが低レベルから高レベルへ変化した時(同図
Aのa1)トランジスタ19はこの時点から遅延時間t
df経過したところで飽和状態となり(同図Bのa2)
、トランジスタ22のベースに供給されていた電流がト
ランジスタ19のコレクタ21を経てトランジスタ19
の側へ流れる(同図Bのa2)。
この結果、トランジスタ22はトランジスタ19が飽和
した時点から遅延時間tdr経過したところでしゃ断す
る。
した時点から遅延時間tdr経過したところでしゃ断す
る。
(同図Cのa3)。一方、入カパルスが高レベルから低
レベルへ変化した時は(同図Aのb1)、遅延時間td
rが経過したところでトランジスタ19がしゃ断する(
同図Bのb2)。
レベルへ変化した時は(同図Aのb1)、遅延時間td
rが経過したところでトランジスタ19がしゃ断する(
同図Bのb2)。
したがってトランジスタ22はトランジスタ19のしゃ
断時から遅延時間tdfが経過したところで飽和状態と
なる(同図Cのb3)。
断時から遅延時間tdfが経過したところで飽和状態と
なる(同図Cのb3)。
すなわち、入力端子20に印加されたパルス信号がトラ
ンジスタ19と同22において遅延されトランジスタ2
2の出力端子であるコレクタ23に伝達されるまでに要
する遅延時間は(tdf+tdr)である。
ンジスタ19と同22において遅延されトランジスタ2
2の出力端子であるコレクタ23に伝達されるまでに要
する遅延時間は(tdf+tdr)である。
以上はインバータトランジスタを2段接続した時の遅延
時間であるが、同トランジスタをk個(kは3以上の整
数)接続した時については、まず偶数個接続した場合、
遅延時間はk(tdf+tdr)/2で出力波形は入力
波形と同一波形となる。
時間であるが、同トランジスタをk個(kは3以上の整
数)接続した時については、まず偶数個接続した場合、
遅延時間はk(tdf+tdr)/2で出力波形は入力
波形と同一波形となる。
次にkが奇数の場合、入カパルスが高レベルから低レベ
ルに変化する時の遅延時間はtdr+(k−1)(td
f+tdr)/2、入カパルスが低レベルから高レベル
に変化する時の遅延時間はtdf+(k−1)(tdf
+tdr)/2となり出力波形は入力波形に対し反転し
たものとなる。
ルに変化する時の遅延時間はtdr+(k−1)(td
f+tdr)/2、入カパルスが低レベルから高レベル
に変化する時の遅延時間はtdf+(k−1)(tdf
+tdr)/2となり出力波形は入力波形に対し反転し
たものとなる。
以下に上述した遅延時間の関係より得られる本発明の波
形整形回路の一実施例について第4図A〜−Eを用いて
説明する。
形整形回路の一実施例について第4図A〜−Eを用いて
説明する。
第4図Aは本発明の一実施例における波形整形回路の構
成を示す図であって、トランジスタ17はキャリヤイン
ジエクション機構部を形成するPNP型トランジスタで
あり人力信号源24より同図Bに示す入カパルスをイン
バータトランジスタであるトランジスタ25及び同29
のベースにそれぞれ印加する。
成を示す図であって、トランジスタ17はキャリヤイン
ジエクション機構部を形成するPNP型トランジスタで
あり人力信号源24より同図Bに示す入カパルスをイン
バータトランジスタであるトランジスタ25及び同29
のベースにそれぞれ印加する。
本実施例ではインバータトランジスタはトランジスタ2
5、同26、同27、同28を4段縦続接続した回路と
、トランジスタ29のみ1段接続した回路とより構成さ
れている。
5、同26、同27、同28を4段縦続接続した回路と
、トランジスタ29のみ1段接続した回路とより構成さ
れている。
トランジスタ17のエミツタ18は電力供給用の端子で
一定電力を供給しておき、同トランジスタ17のコレク
タはインバータトランジスタ25、同26、同27、同
28、同29及び縦続接続回路を構成しないインバータ
トランジスタ32のベースにそれぞれ接続され、さらに
2つの縦続接続回路の各最終段であるインバータトラン
ジスタ28、同29のコレクタは共にインバータトラン
ジスタ32のベースに接続されている。
一定電力を供給しておき、同トランジスタ17のコレク
タはインバータトランジスタ25、同26、同27、同
28、同29及び縦続接続回路を構成しないインバータ
トランジスタ32のベースにそれぞれ接続され、さらに
2つの縦続接続回路の各最終段であるインバータトラン
ジスタ28、同29のコレクタは共にインバータトラン
ジスタ32のベースに接続されている。
さて、まずトランジスタ25に印加されたパルスはトラ
ンジスタ26、同27、同28と順次伝達され、トラン
ジスタ28の出力端であるコレクタ30には同図Cに示
すように2(tdf+tdr)だけ遅延した入カパルス
と同一波形の信号が現われる。
ンジスタ26、同27、同28と順次伝達され、トラン
ジスタ28の出力端であるコレクタ30には同図Cに示
すように2(tdf+tdr)だけ遅延した入カパルス
と同一波形の信号が現われる。
また、トランジスタ29の出力端であるコレクタ31に
は同図Dに示すように入カパルスに対して反転し、かつ
tdrもしくはtdfだけ遅延した信号が現われる。
は同図Dに示すように入カパルスに対して反転し、かつ
tdrもしくはtdfだけ遅延した信号が現われる。
ここで、トランジスタ32のベースに注目すると、トラ
ンジスタ28および同29がしゃ断状態でコレクタ30
および31が高レベルの時には、トランジスタ17のコ
レクタから供給される電流はトランジスタ32のベース
に流入し、同トランジスタ32を飽和されるので出力端
であるコレクタ33は低レベルになる。
ンジスタ28および同29がしゃ断状態でコレクタ30
および31が高レベルの時には、トランジスタ17のコ
レクタから供給される電流はトランジスタ32のベース
に流入し、同トランジスタ32を飽和されるので出力端
であるコレクタ33は低レベルになる。
他方、トランジスタ28および同29のうち少なくとも
一方が飽和状態で低レベルのときは、トランジスタ17
から供給される電流はトランジスタ28または同29の
飽和している方のトランジスタに流れ、もはやトランジ
スタ32のベースには流れないのでトランジスタ32は
しゃ断状態となり、コレクタ33は高レベルとなる。
一方が飽和状態で低レベルのときは、トランジスタ17
から供給される電流はトランジスタ28または同29の
飽和している方のトランジスタに流れ、もはやトランジ
スタ32のベースには流れないのでトランジスタ32は
しゃ断状態となり、コレクタ33は高レベルとなる。
すなわち、トランジスタ32はトランジスタ28および
同29からの入力がいずれも高レベルであれば出力端で
あるコレクタ33は低レベルとなり、それ以外の時は出
力は高レベルとなる。
同29からの入力がいずれも高レベルであれば出力端で
あるコレクタ33は低レベルとなり、それ以外の時は出
力は高レベルとなる。
ゆえに、信号源24より同図Bで示す入カパルスが印加
されると、トランジスタ32のコレクタ33には同図6
に示すように入力パルス信号の立ち上りよりtdrだけ
遅延し、パルス幅が(tdr+2tdf)である出力パ
ルス信号が得られる。
されると、トランジスタ32のコレクタ33には同図6
に示すように入力パルス信号の立ち上りよりtdrだけ
遅延し、パルス幅が(tdr+2tdf)である出力パ
ルス信号が得られる。
ところで、この出力パルス信号のパルス幅は入カパルス
信号には関係なく使用したトランジスタの遅延特性と使
用個数、すなわち回路素子により決定されるものである
。
信号には関係なく使用したトランジスタの遅延特性と使
用個数、すなわち回路素子により決定されるものである
。
本実施例においては偶数段が奇数段より使用個数が多い
ときであるが、逆に奇数段が偶数段より多いときには入
カパルス信号の立ち上り部分で出力パルスが得られる。
ときであるが、逆に奇数段が偶数段より多いときには入
カパルス信号の立ち上り部分で出力パルスが得られる。
したかって一般にインバータトランジスタを偶数m段と
奇数n段とで構成する波形整形回路より得られる出力パ
ルス幅は、 (■)m>nのとき となる。
奇数n段とで構成する波形整形回路より得られる出力パ
ルス幅は、 (■)m>nのとき となる。
さてここで、既に述べたように遅延時間tdfおよびt
drは、キャリヤインジエクション機構部を形成するP
NP型トランジスタ17のエミツタ18に供給する電力
に逆比例するので、従来では回路定数により決められた
パルス幅を連続して制御できなかったものが、一旦回路
を製造すれば出力パルスのパルス幅は単に供給電力を制
御させることにより任意に連続的に、かつ電子的に制御
できる効果を奏するものである。
drは、キャリヤインジエクション機構部を形成するP
NP型トランジスタ17のエミツタ18に供給する電力
に逆比例するので、従来では回路定数により決められた
パルス幅を連続して制御できなかったものが、一旦回路
を製造すれば出力パルスのパルス幅は単に供給電力を制
御させることにより任意に連続的に、かつ電子的に制御
できる効果を奏するものである。
以上説明してきたように、キャリヤインジエクション機
構部を成形するトランジスタの一方の主電極より制御電
流が各々に供給されるインバータトランジスタの奇数個
を縦続接続してなる回路と、前記インバータトランジス
タの偶数個を縦続接続してなる回路との各最終段の前記
インバータトランジスタの一方の主電極を共に他のイン
バータトランジスタの制御電極に接続し、前記2つの縦
続接続回路の各入力を同一のものとし、さらに前記キャ
リヤインジエクション機構部を形成するトランジスタの
他方の主電極へ電力を供給することにより前記他のイン
バータトランジスタの一方の主電極より出力パルスを取
り出すことを特徴とする本発明の波形整形回路はコンデ
ンサを要せず従来のものとは全く異なる構造を有し、し
かも従来からの製造技術をそのまま使用することにより
安価に集積回路化でき、さらには供給電力を制御するだ
けで簡単に連続的に所望のパルス幅を有するパルス波形
の得られるもので、非常に実用的価値の高いものである
。
構部を成形するトランジスタの一方の主電極より制御電
流が各々に供給されるインバータトランジスタの奇数個
を縦続接続してなる回路と、前記インバータトランジス
タの偶数個を縦続接続してなる回路との各最終段の前記
インバータトランジスタの一方の主電極を共に他のイン
バータトランジスタの制御電極に接続し、前記2つの縦
続接続回路の各入力を同一のものとし、さらに前記キャ
リヤインジエクション機構部を形成するトランジスタの
他方の主電極へ電力を供給することにより前記他のイン
バータトランジスタの一方の主電極より出力パルスを取
り出すことを特徴とする本発明の波形整形回路はコンデ
ンサを要せず従来のものとは全く異なる構造を有し、し
かも従来からの製造技術をそのまま使用することにより
安価に集積回路化でき、さらには供給電力を制御するだ
けで簡単に連続的に所望のパルス幅を有するパルス波形
の得られるもので、非常に実用的価値の高いものである
。
第1図はIILの原理説明のための等価回路図、第2図
はIILの供給電力と伝達遅延時間との関係を示す図、
第3図A〜Cは本発明の波形整形回路の原理説明図、第
4図A〜Eは本発明の波形整形回路の一実施例を示す回
路図および動作説明図である。 17・・・・・・キャリヤインジエクション機構部を形
成するPNP型トランジスタ、18・・・・・・電力供
給端子、24・・・・・・入力信号源、25〜29,3
2・・・・・・インバータトランジスタ、33・・・・
・・出力端子。
はIILの供給電力と伝達遅延時間との関係を示す図、
第3図A〜Cは本発明の波形整形回路の原理説明図、第
4図A〜Eは本発明の波形整形回路の一実施例を示す回
路図および動作説明図である。 17・・・・・・キャリヤインジエクション機構部を形
成するPNP型トランジスタ、18・・・・・・電力供
給端子、24・・・・・・入力信号源、25〜29,3
2・・・・・・インバータトランジスタ、33・・・・
・・出力端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 キャリヤインジエクション機構部を形成するトラン
ジスタの一方の主電極より制御電流が各々に供給される
インバータトランジスタの奇数個を縦続接続してなる回
路と、前記インバータトランジスタの偶数個を縦続接続
してなる回路と、前記インバータトランジスタの前記2
つの縦続接続回路形成用のものとは異る他のインバータ
トランジスタとを有し、前記2つの縦続接続回路の各最
終段の前記インバータトランジスタの一方の主電極を共
に前記他のインバータトランジスタの制御電極に接続し
、前記2つの縦続接続回路の各入力を同一のものとし、
さらに前記キャリヤインジエクション機構部を形成する
トランジスタの他方の主電極へ電力を供給することによ
り前記他のインバータトランジスタの一方の主電極より
入力信号より短いパルス幅を有し、入カパルスに対して
遅延した出力パルスを取り出すことを特徴とする波形整
形回路。 2 主電極へ供給する電力を可変にしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の波形整形回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50100815A JPS588611B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | ハケイセイケイカイロ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50100815A JPS588611B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | ハケイセイケイカイロ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5224452A JPS5224452A (en) | 1977-02-23 |
| JPS588611B2 true JPS588611B2 (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=14283837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50100815A Expired JPS588611B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | ハケイセイケイカイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588611B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534527A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-11 | Sony Corp | Divider circuit |
| US4370569A (en) * | 1980-10-30 | 1983-01-25 | Hewlett-Packard Company | Integratable single pulse circuit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2958788A (en) * | 1956-06-11 | 1960-11-01 | Bell Telephone Labor Inc | Transistor delay circuits |
| JPS5346626A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-26 | Hitachi Ltd | Power controller |
-
1975
- 1975-08-19 JP JP50100815A patent/JPS588611B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5224452A (en) | 1977-02-23 |
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