JPS5886517A - 液晶光バルブ及びその製造方法 - Google Patents
液晶光バルブ及びその製造方法Info
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- JPS5886517A JPS5886517A JP57189352A JP18935282A JPS5886517A JP S5886517 A JPS5886517 A JP S5886517A JP 57189352 A JP57189352 A JP 57189352A JP 18935282 A JP18935282 A JP 18935282A JP S5886517 A JPS5886517 A JP S5886517A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133502—Antiglare, refractive index matching layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液1光パルプに係夛、峙に反射モードレーデア
ドレス液晶光バルブ(r@fltetiマ・mode
lamor−address@d 1iquid
@rystal 1iqbt導 マalv・)有用な非反射コーティングKr1Jする。
ドレス液晶光バルブ(r@fltetiマ・mode
lamor−address@d 1iquid
@rystal 1iqbt導 マalv・)有用な非反射コーティングKr1Jする。
一般に、レーデアドレスされ反射モードの液晶光パルプ
はその一側面にてレーデに対内するがラス基板を含んで
成シ、プラス基板0@側面には該面上に設けられる非反
射被覆層(非反射コーティング層)と、該非反射コーテ
ィング層上に付着形成される反射コーティング層と%骸
反射コーティング層上に付着形成されゐ液晶層とが設け
られてhる。細く集束されたレーデビームは、上記がラ
ス層及び非反射コーティング層を透過しかつ反射コーテ
ィング層中O対応する近接スポットに衝喫することによ
〉上記液晶層中にスポットをアドレスし、ζこにおいて
し一デV−^#i徴駅富れて熱管生成する。この熱によ
)II!晶層にアPI/ス1れえスポットの光学41愉
Kl!化が龜じ為、波41層の反対側面に入射する―ビ
ー^紘反射層で反射され、液晶層の光学4I性0Ilk
変化−によって*IIIされる。このよう**乗の液晶
光/#ルッによれげ、上記反射層が2つの機能即ち―ビ
ームを反射させこれと同時にレーデビームを歇牧し熱管
生成するという2つO横細をかとなわをけ九ば、ならな
い点にその重IIな譬黴ボTo為。
はその一側面にてレーデに対内するがラス基板を含んで
成シ、プラス基板0@側面には該面上に設けられる非反
射被覆層(非反射コーティング層)と、該非反射コーテ
ィング層上に付着形成される反射コーティング層と%骸
反射コーティング層上に付着形成されゐ液晶層とが設け
られてhる。細く集束されたレーデビームは、上記がラ
ス層及び非反射コーティング層を透過しかつ反射コーテ
ィング層中O対応する近接スポットに衝喫することによ
〉上記液晶層中にスポットをアドレスし、ζこにおいて
し一デV−^#i徴駅富れて熱管生成する。この熱によ
)II!晶層にアPI/ス1れえスポットの光学41愉
Kl!化が龜じ為、波41層の反対側面に入射する―ビ
ー^紘反射層で反射され、液晶層の光学4I性0Ilk
変化−によって*IIIされる。このよう**乗の液晶
光/#ルッによれげ、上記反射層が2つの機能即ち―ビ
ームを反射させこれと同時にレーデビームを歇牧し熱管
生成するという2つO横細をかとなわをけ九ば、ならな
い点にその重IIな譬黴ボTo為。
両して、R耐層は通常比較的高い熱伝導車管有す為アル
々エクムから成鳥・従って、細く集束され九レーデビー
^El)加熱されるアル之具會ム反射層中0小ス4ット
は、実際に熱伝導性e*J6に時開−通と共に拡張し、
以って液晶層中にレーデビームによりて摘かれた貢侭(
1■aぎ・)の解會Rを低減させてしまう、従来Kかけ
暴ζ・同層へ61゛つのs決済としては、上記アル#!
會ム層O層厚を減少させることが考えられるが、これに
よ)アル1ニウム屡の反財力と共にアルミニウム中のレ
ーデビーム吸収が大幅に低減してし會うと%A5欠点一
番為。
々エクムから成鳥・従って、細く集束され九レーデビー
^El)加熱されるアル之具會ム反射層中0小ス4ット
は、実際に熱伝導性e*J6に時開−通と共に拡張し、
以って液晶層中にレーデビームによりて摘かれた貢侭(
1■aぎ・)の解會Rを低減させてしまう、従来Kかけ
暴ζ・同層へ61゛つのs決済としては、上記アル#!
會ム層O層厚を減少させることが考えられるが、これに
よ)アル1ニウム屡の反財力と共にアルミニウム中のレ
ーデビーム吸収が大幅に低減してし會うと%A5欠点一
番為。
また、上述のよ51従秦のレーデアドレスされ反射モー
ドの液晶光dルft調造するに際しての重要な問題とし
ては、fテス基板及びアル゛ ミニラム反射層間に挾持
形IR盲九る非反射コーティング層は反射が最小と&)
かつ透過がレーデビーム波長帯域にか−て最大となるよ
うに1調整”されなければなら1にいこと・で1hる0
周辺光が存在する場合に#i、鋏周辺党を層断するため
に非反射コーティング層がレーデビー人波長帯域以外の
波長帯域Kか−で最大の反射率(又は反射効率)をもつ
仁とが璽tしい、このような非反射コーチ4フフ層はI
Lいに異なる反射率を有する複数OSS層かも成り、各
層厚が該コーティング層會逓遥畜れるべ會ビーム披長に
応じて予め決められなければならtk%Aから。
ドの液晶光dルft調造するに際しての重要な問題とし
ては、fテス基板及びアル゛ ミニラム反射層間に挾持
形IR盲九る非反射コーティング層は反射が最小と&)
かつ透過がレーデビーム波長帯域にか−て最大となるよ
うに1調整”されなければなら1にいこと・で1hる0
周辺光が存在する場合に#i、鋏周辺党を層断するため
に非反射コーティング層がレーデビー人波長帯域以外の
波長帯域Kか−で最大の反射率(又は反射効率)をもつ
仁とが璽tしい、このような非反射コーチ4フフ層はI
Lいに異なる反射率を有する複数OSS層かも成り、各
層厚が該コーティング層會逓遥畜れるべ會ビーム披長に
応じて予め決められなければならtk%Aから。
調造が困−であると−う問題がある。即ち、皺伸反射コ
ーティング層を榔威す為各層の層厚は製造に先立って事
111KNa6&れなけ九ばなら傘I/%かb・上述O
榔威6Ml−ティンダ層を適切に**#すhこと&!極
めて困離である0%に、非屓射諧−テイyI層は湯當f
ラス基収上に付着廖威畜れ、アル々JLI)^反射層は
その後に付着廖威畜れるから%鋏非反射コーティング層
の調造薯関中にそ0反射率會嬌二りして非反射コーティ
ング層會屓耐層に“調整1させることは不可能でiる・
徴りて、非屓射=−ティンダ層會複数の絶縁層i構成す
ればその製造は極めてimsと&うてし會う。
ーティング層を榔威す為各層の層厚は製造に先立って事
111KNa6&れなけ九ばなら傘I/%かb・上述O
榔威6Ml−ティンダ層を適切に**#すhこと&!極
めて困離である0%に、非屓射諧−テイyI層は湯當f
ラス基収上に付着廖威畜れ、アル々JLI)^反射層は
その後に付着廖威畜れるから%鋏非反射コーティング層
の調造薯関中にそ0反射率會嬌二りして非反射コーティ
ング層會屓耐層に“調整1させることは不可能でiる・
徴りて、非屓射=−ティンダ層會複数の絶縁層i構成す
ればその製造は極めてimsと&うてし會う。
本発明は上遮O事情會鑑みて1に一部れたもので番って
、そO間約は従来の非反射コーティング層の代替と1に
為単層から成る吸収及び非反射コーティング層O履金せ
を有するレーデアドレス液蟲党dkfi島って製造及び
非反射コーティング層の@調IE”KIA為11JII
I性を大幅に低減する艦とがで龜為液&党dルツ及びそ
の製造方法をm倶す!Km為。
、そO間約は従来の非反射コーティング層の代替と1に
為単層から成る吸収及び非反射コーティング層O履金せ
を有するレーデアドレス液蟲党dkfi島って製造及び
非反射コーティング層の@調IE”KIA為11JII
I性を大幅に低減する艦とがで龜為液&党dルツ及びそ
の製造方法をm倶す!Km為。
本実1lIKよれば、単層m非反射コーティング層−非
反射及び員駅02りの機能をおこなうように構成される
から従来の液晶光ΔルfKkいて反射コーティング層に
よって1に1九でぃたレーデビーム熱吸収を蚊非夏射コ
ーティング層自体がおこなうことかで敬重と%A311
点がある・従って、アル<ニラ五反耐層0層厚を増加さ
せて解g1変の低減させてしまうことな(、レーデビー
ム吸収上向上せしJ6J&ことがで自る・本発明によれ
ば、調整され′に多層雪非反射層を用いないから、その
製造;ストを低減させるのみならずレーデビーム吸吹効
率の増−によ)性能をも向上させることがで龜為・本実
@0夷箇例によれば、追加されたり四ム反射層がアル々
翼り五反耐層及び単層型非反射コーティング層間に挾持
形成されるように構成され為。
反射及び員駅02りの機能をおこなうように構成される
から従来の液晶光ΔルfKkいて反射コーティング層に
よって1に1九でぃたレーデビーム熱吸収を蚊非夏射コ
ーティング層自体がおこなうことかで敬重と%A311
点がある・従って、アル<ニラ五反耐層0層厚を増加さ
せて解g1変の低減させてしまうことな(、レーデビー
ム吸収上向上せしJ6J&ことがで自る・本発明によれ
ば、調整され′に多層雪非反射層を用いないから、その
製造;ストを低減させるのみならずレーデビーム吸吹効
率の増−によ)性能をも向上させることがで龜為・本実
@0夷箇例によれば、追加されたり四ム反射層がアル々
翼り五反耐層及び単層型非反射コーティング層間に挾持
形成されるように構成され為。
以下図i1を参照して木兄@〇−夷糟例につ自詳述する
。jl!1図にレーデアドレスに射モード液晶光パルプ
の主要部断INが示されてかp、該液晶光ノすルブはI
ラスaI[層1#、非屓射5−ティング層(amtl−
r@flavtiv* seatimg ) 1 #
sアルン二つム反射層10及び液晶層4−から構成畜れ
てい為・顔<a、*されえレーデビーム44はtツスa
*seo曽面1oaから入射し、可m光から威為明ビー
ム4,1は液晶層dolD後@ 4 II &から入射
する。Jjlビーム48はy耐層J#で反射層れ、その
夏射光は液晶層4cの後間4−aから出射してレーデビ
ーム44により責調畜れ為・l!東にかいては1反射層
1oがし〜デビー^440エネルdfの一部を吸収して
熱に変換し ai亀東され大レーデビーム44が反射層
J#0@黴領域Jl及び液晶層4oの近接領域41t−
1鵬し諷って該近接領域41の明ビーム4#に対す為光
学的応答を変化させるから、上達O変調(m・−wla
tl・m)は発生する1例えば。
。jl!1図にレーデアドレスに射モード液晶光パルプ
の主要部断INが示されてかp、該液晶光ノすルブはI
ラスaI[層1#、非屓射5−ティング層(amtl−
r@flavtiv* seatimg ) 1 #
sアルン二つム反射層10及び液晶層4−から構成畜れ
てい為・顔<a、*されえレーデビーム44はtツスa
*seo曽面1oaから入射し、可m光から威為明ビー
ム4,1は液晶層dolD後@ 4 II &から入射
する。Jjlビーム48はy耐層J#で反射層れ、その
夏射光は液晶層4cの後間4−aから出射してレーデビ
ーム44により責調畜れ為・l!東にかいては1反射層
1oがし〜デビー^440エネルdfの一部を吸収して
熱に変換し ai亀東され大レーデビーム44が反射層
J#0@黴領域Jl及び液晶層4oの近接領域41t−
1鵬し諷って該近接領域41の明ビーム4#に対す為光
学的応答を変化させるから、上達O変調(m・−wla
tl・m)は発生する1例えば。
液晶層4et)加電部分4 #ij明ピー^4JK対し
て観めて大音−鷹射性會もち、一方該液晶層am61A
り()領域d@N−^ixf完全に吸収す為・ 非屓JtM−ナインダ層76は反射層JoKよるレーデ
ビー^44011mV羨止し以って該反射層1#がレー
デビーム44を反射せずKFJ&収するようにするため
に款けられていゐ、第3閣に従来の典蓋的な非反射謔−
ナインダ層が示されてお〕、該コーティング層/Ii3
り0層11゜2〆、zfから構成されてい為、これら0
3つの層zt、考(f、Ifは夏射本mtsm**ml
l夫々有し、その層厚はレーデビーム1a0111長に
対応する波長光の反射層1−へO最大伝送を確実化なら
しめるよ5に予め決められている。
て観めて大音−鷹射性會もち、一方該液晶層am61A
り()領域d@N−^ixf完全に吸収す為・ 非屓JtM−ナインダ層76は反射層JoKよるレーデ
ビー^44011mV羨止し以って該反射層1#がレー
デビーム44を反射せずKFJ&収するようにするため
に款けられていゐ、第3閣に従来の典蓋的な非反射謔−
ナインダ層が示されてお〕、該コーティング層/Ii3
り0層11゜2〆、zfから構成されてい為、これら0
3つの層zt、考(f、Ifは夏射本mtsm**ml
l夫々有し、その層厚はレーデビーム1a0111長に
対応する波長光の反射層1−へO最大伝送を確実化なら
しめるよ5に予め決められている。
而して、第3図に示畜れ丸如自多層臘非反射コーティン
グ層zetM%A九従来Oレーデアドレス液晶光パルプ
の製造は tiめて困難である・即ち、fラス基[l−
は製造峙に最l17Kji#g′Iiれ、その後に非反
射コーティング層1#がIラス基板上に付着形成され1
次に!lL射コーティング層10が該非反射ツーティy
ダ層上に付着形成される。従って、製造中に多層x I
−x I *J f[’反射コーチ4フグ層10によ
るレーデビー五反射効果に対して峰真りすることは不可
能である。その代わp%舎層xg1.zl、zf。
グ層zetM%A九従来Oレーデアドレス液晶光パルプ
の製造は tiめて困難である・即ち、fラス基[l−
は製造峙に最l17Kji#g′Iiれ、その後に非反
射コーティング層1#がIラス基板上に付着形成され1
次に!lL射コーティング層10が該非反射ツーティy
ダ層上に付着形成される。従って、製造中に多層x I
−x I *J f[’反射コーチ4フグ層10によ
るレーデビー五反射効果に対して峰真りすることは不可
能である。その代わp%舎層xg1.zl、zf。
層厚は予め決められなけ九ば&6&い、このような多層
蓋の非反射コーティング層Xt/、Z/。
蓋の非反射コーティング層Xt/、Z/。
ICは1層厚の事前設定又は非反射コーティング層10
の1調整”が困難化し層数に比例してコスト高となると
いう重大な欠点をもっている。
の1調整”が困難化し層数に比例してコスト高となると
いう重大な欠点をもっている。
更に、従来のレーデアドレス液晶光パルプによると、ア
ルミニウムから成る反射層30がレーデビームを敷板し
てしまうという欠点がある。
ルミニウムから成る反射層30がレーデビームを敷板し
てしまうという欠点がある。
従って、解像間及びレーデビーム吸収間に相関性即ちト
レードオフ (trad@off )が存在する・特に
アJ&l建s=りム反射=−ティング層10の層厚が増
大すゐから1反射層J0中のアルオニウム物質O高熱伝
導性によ)レーデビーム44かも機状されるエネルプ量
はこれに比例して増加しくこれは1つの利点でToゐ)
、熱の横拡散(及び加熱領域11O横拡散)も増加する
。この結電、液晶層ago加熱領域41によシ生成畜れ
為画像の解像間は低減するという重大な欠点がある・一
方1反射層J#の層厚を減少すれば、解像[は増加す為
が反面レーデ吸収が減少するという間w14があ為。
レードオフ (trad@off )が存在する・特に
アJ&l建s=りム反射=−ティング層10の層厚が増
大すゐから1反射層J0中のアルオニウム物質O高熱伝
導性によ)レーデビーム44かも機状されるエネルプ量
はこれに比例して増加しくこれは1つの利点でToゐ)
、熱の横拡散(及び加熱領域11O横拡散)も増加する
。この結電、液晶層ago加熱領域41によシ生成畜れ
為画像の解像間は低減するという重大な欠点がある・一
方1反射層J#の層厚を減少すれば、解像[は増加す為
が反面レーデ吸収が減少するという間w14があ為。
?ニー f) ヨ51kMJl111u、Ill 2
EK示され好オシ(はクロム(Cr)及び酸化クロム(
CrxOs )の混合体である陶性合金(サーメット)
から成る本発明の単層型吸収非反射コーティング層zo
aを用いることによシ克服すゐことができる0wE2図
に示され九単層74taはjlI3図の多層コーティン
グ層を代替しかつ非反射及びレーデビーム熱吸収の両方
の機N(二重機能)をおこなうように構成されて−る一
層2図の単層構造によれば、唯1つの層によ)構成され
ているから上述した製造及び″調整”を大幅に容J6に
することができるという利点がある。更に、レーデビー
ム吸収は該二重機能によ〕達成され為から、該単層20
mの吸収及び非反射の二重機能により、(解像変の向上
の丸めK)高伝導アルZ二つ^反射層JOの層厚上減少
したとしても、解像1ft低減させるには至らないとい
う利点がある・ 本発明の実施例におiてtj、81図に示されたクーム
層Jobは単層型非反射コーティング層20a及びアル
ンニクム反射コーティング層10g6c挾持形成畜れて
いる。
EK示され好オシ(はクロム(Cr)及び酸化クロム(
CrxOs )の混合体である陶性合金(サーメット)
から成る本発明の単層型吸収非反射コーティング層zo
aを用いることによシ克服すゐことができる0wE2図
に示され九単層74taはjlI3図の多層コーティン
グ層を代替しかつ非反射及びレーデビーム熱吸収の両方
の機N(二重機能)をおこなうように構成されて−る一
層2図の単層構造によれば、唯1つの層によ)構成され
ているから上述した製造及び″調整”を大幅に容J6に
することができるという利点がある。更に、レーデビー
ム吸収は該二重機能によ〕達成され為から、該単層20
mの吸収及び非反射の二重機能により、(解像変の向上
の丸めK)高伝導アルZ二つ^反射層JOの層厚上減少
したとしても、解像1ft低減させるには至らないとい
う利点がある・ 本発明の実施例におiてtj、81図に示されたクーム
層Jobは単層型非反射コーティング層20a及びアル
ンニクム反射コーティング層10g6c挾持形成畜れて
いる。
112図に1本発明に係ゐ単層型非反射コーティング層
の動作例が示され゛ている。レーデビーム44は単層蓋
非反射コーティング層20aの@ilJ#a’から入射
する。#−例忙おいては、入射ピー^の20%が上記w
iwzoa’で反射されて、第211に示されているよ
うに位相φ1の一次反射ピー五を生成する。レーデビー
ム44の残〕の80%は単層201の内部を透過する・
該透過−−ムは上記mWzo&’及び後面2(1間を進
行する聞に部分的に吸収され、これによシ後面10iK
遍するO#iビームの一部分だけである。このflにシ
ーでは、近似的に略5sのビーム部分のみip’ *
fl z a /上置して伝送され、残pのビーム部分
は単層16mの内St−介して反射層lIIされる。そ
こで再び皺ビームは後面J#a′及び−il 11 a
’闘會進行する間に部分的に吸収1れるから、ビームの
一層微小な部分だけが曽@ J # a’に遺す為こと
Ktkる0MI釆的に入射ビームの20%に対応する量
が前面10 m’を介して伝送されて、位相φ1mφ1
−に/Qをもつ二次反射ビームを生成する。単層部非反
射コーティング層20aの層厚は、−次反射ピームの位
相φl及びニー、次反射ピー^O位相−露関0先述の関
係を満たすように選択されている。尚、轟該−偶で与え
られた上述した反射、伝1及び吸収の・中−センテーノ
が単なる一例にすぎず1本発明の単層型吸収非反射コー
ティング層O動作を開示する目的だけの丸めに与えられ
丸ものにすぎないのは勿論で1:Iゐ。
の動作例が示され゛ている。レーデビーム44は単層蓋
非反射コーティング層20aの@ilJ#a’から入射
する。#−例忙おいては、入射ピー^の20%が上記w
iwzoa’で反射されて、第211に示されているよ
うに位相φ1の一次反射ピー五を生成する。レーデビー
ム44の残〕の80%は単層201の内部を透過する・
該透過−−ムは上記mWzo&’及び後面2(1間を進
行する聞に部分的に吸収され、これによシ後面10iK
遍するO#iビームの一部分だけである。このflにシ
ーでは、近似的に略5sのビーム部分のみip’ *
fl z a /上置して伝送され、残pのビーム部分
は単層16mの内St−介して反射層lIIされる。そ
こで再び皺ビームは後面J#a′及び−il 11 a
’闘會進行する間に部分的に吸収1れるから、ビームの
一層微小な部分だけが曽@ J # a’に遺す為こと
Ktkる0MI釆的に入射ビームの20%に対応する量
が前面10 m’を介して伝送されて、位相φ1mφ1
−に/Qをもつ二次反射ビームを生成する。単層部非反
射コーティング層20aの層厚は、−次反射ピームの位
相φl及びニー、次反射ピー^O位相−露関0先述の関
係を満たすように選択されている。尚、轟該−偶で与え
られた上述した反射、伝1及び吸収の・中−センテーノ
が単なる一例にすぎず1本発明の単層型吸収非反射コー
ティング層O動作を開示する目的だけの丸めに与えられ
丸ものにすぎないのは勿論で1:Iゐ。
一般に、上記−次及び二次反射ビームは同一の振幅を有
しているが位相は逆である。従ってこれら2種の反射ビ
ーム間の全ての弱め合う干渉が前面JOa’1CjPい
て発生し、皺tllWilO*’においては理論的には
反射が生じない、しかしながら、実際にはレーデビーム
O略4憾が反射し又は損失し、該レーデC−人の1lt
oss憾が上記吸収非反射コーティング層中に徴収され
る。勿論、この状態は層Bamの厚さが1関!11され
た帯域範囲内の波長【もつレーデーーム九対してのみ得
られるものである。他の光帯域においては上記前面16
m’での反射は略完全となっている。
しているが位相は逆である。従ってこれら2種の反射ビ
ーム間の全ての弱め合う干渉が前面JOa’1CjPい
て発生し、皺tllWilO*’においては理論的には
反射が生じない、しかしながら、実際にはレーデビーム
O略4憾が反射し又は損失し、該レーデC−人の1lt
oss憾が上記吸収非反射コーティング層中に徴収され
る。勿論、この状態は層Bamの厚さが1関!11され
た帯域範囲内の波長【もつレーデーーム九対してのみ得
られるものである。他の光帯域においては上記前面16
m’での反射は略完全となっている。
第2mO単層璽黴収非反射コーティング2oaは、酸素
が存在する雰囲気下でガラス基板l。
が存在する雰囲気下でガラス基板l。
上にり四人金属を付着形成しその形成速変(dす・−1
tt軸rat・)を変化し以って酸化変合管制御するこ
とによ)Il造される。実験的には、薫着遮II(・マ
リ・raH・* rate )即ち付着形成速f(da
y・altiom rat・)は種々テストされ、所望
の光学善性を得るに必II!な遠度を決定し九・動作運
論 純粋なクロム0光学定数はN= 3.2. K= 3.
8であ〕、酸化クロム(Cr2O5)の光学定数はN−
11,K−0,06てあ)、これらの定数は81SOa
mの波数に対して適用で11為、定数N及びKは、2つ
Osaなゐ光学物質問の#を界における反射。
tt軸rat・)を変化し以って酸化変合管制御するこ
とによ)Il造される。実験的には、薫着遮II(・マ
リ・raH・* rate )即ち付着形成速f(da
y・altiom rat・)は種々テストされ、所望
の光学善性を得るに必II!な遠度を決定し九・動作運
論 純粋なクロム0光学定数はN= 3.2. K= 3.
8であ〕、酸化クロム(Cr2O5)の光学定数はN−
11,K−0,06てあ)、これらの定数は81SOa
mの波数に対して適用で11為、定数N及びKは、2つ
Osaなゐ光学物質問の#を界における反射。
透過及び敷板O係5it−解祈すゐ丸めのマクスウェル
オ一式(Maxw@ll % equati@n )の
平面波公式化に用いられる公知の複合波数(e@mpl
・!vaマ・nusob@r )を表わしている1例え
ば、真空と光学定数N及びKをもつ物質と間の界面ての
反射の平面波係数(plam@、 wav@sv*ff
1@l@nt)は。
オ一式(Maxw@ll % equati@n )の
平面波公式化に用いられる公知の複合波数(e@mpl
・!vaマ・nusob@r )を表わしている1例え
ば、真空と光学定数N及びKをもつ物質と間の界面ての
反射の平面波係数(plam@、 wav@sv*ff
1@l@nt)は。
Kよって与えられる。
而して、上記陶性合会(サーメット)物質の反射、透過
及び吸収の係数扛、謳2図の一例に関連して与えられた
反射、透過及び吸収の率(□−センナーノ)を決定する
・形成逼1及び酸嵩分圧t−肇化させ以って酸化Rを変
える仁とKより、陶性合金層lea中の酸化りpム及び
クロムの比率は愛化し、これによp上述したクロム及び
酸化クロムの光学定数間のどζかに含まれる中間光学定
数を得る。該定数は上記層201がレーデ波長帯域にお
いて最小の反射係数及び最大の吸収係数をもつよ5Ki
li匍に選択される。
及び吸収の係数扛、謳2図の一例に関連して与えられた
反射、透過及び吸収の率(□−センナーノ)を決定する
・形成逼1及び酸嵩分圧t−肇化させ以って酸化Rを変
える仁とKより、陶性合金層lea中の酸化りpム及び
クロムの比率は愛化し、これによp上述したクロム及び
酸化クロムの光学定数間のどζかに含まれる中間光学定
数を得る。該定数は上記層201がレーデ波長帯域にお
いて最小の反射係数及び最大の吸収係数をもつよ5Ki
li匍に選択される。
111例
1150 am波長のレーデビームに適用される反射毫
−ドレーデアドレス液晶党−寸ルッによれば、fラス基
4[10は酸化シリ゛コンから成〕、単層I11歇収非
反射ローデインダ層20aは陶性合金から威)、該=−
テインダ層10a、クロム中間層及びアル建ニウム反射
層100層厚は夫々4311m532mm、1511m
と設定された。上紀陶性合金ツーテインダ層1#aは、
プラス基板J#0111変t−110℃に保持しながら
酸素50弧及びアルノン(ムr)501g40IFII
気にi?tn−c”4301/21゜4m1i+の廖成
適覆で圧力lXl0−’tar(トール)下で上記fラ
ス基板lo上にり關ム金属time形成法を用いて形成
された。この結果得られえ構成体は85011m1の波
長帯域で0党徴収率は9・襲と1k)、かつ6328m
mの波長帯域での光機状率社87憾となった・これは現
時点にsP−ては本発明の好ましい実施例であるが、!
IJI看によjlmllに明細書に開示していない本発
明の他の夷謔例を作〕出すことができる余地があるのは
勿論である。
−ドレーデアドレス液晶党−寸ルッによれば、fラス基
4[10は酸化シリ゛コンから成〕、単層I11歇収非
反射ローデインダ層20aは陶性合金から威)、該=−
テインダ層10a、クロム中間層及びアル建ニウム反射
層100層厚は夫々4311m532mm、1511m
と設定された。上紀陶性合金ツーテインダ層1#aは、
プラス基板J#0111変t−110℃に保持しながら
酸素50弧及びアルノン(ムr)501g40IFII
気にi?tn−c”4301/21゜4m1i+の廖成
適覆で圧力lXl0−’tar(トール)下で上記fラ
ス基板lo上にり關ム金属time形成法を用いて形成
された。この結果得られえ構成体は85011m1の波
長帯域で0党徴収率は9・襲と1k)、かつ6328m
mの波長帯域での光機状率社87憾となった・これは現
時点にsP−ては本発明の好ましい実施例であるが、!
IJI看によjlmllに明細書に開示していない本発
明の他の夷謔例を作〕出すことができる余地があるのは
勿論である。
第2例
本発明の他の実施例によれば、上記クロム層20bf不
用とし、非反射コーティング層20aが上記アルミニウ
ム反射コーティング層10と直接接合している。l[l
O実施例においては。
用とし、非反射コーティング層20aが上記アルミニウ
ム反射コーティング層10と直接接合している。l[l
O実施例においては。
陶性合金コーティング層leaは、fラス基板10の温
fを120℃に保持しながら酸素50襲及びアルデン5
0%の宴囲気におhて430X/26nxinの形成速
度でプラス基板10の表面上に直接クロム金属を蒸着形
成法【用いて形成された。該陽性合金非反射層20a及
びアルにラム反射層30の層厚は夫々431−115
nn+となった。このようKして得られ九構成体は、8
50 nmの波長帯域での光吸収率は94憾となシ、6
328 nmの波長帯域での光反射率F187%となつ
九。
fを120℃に保持しながら酸素50襲及びアルデン5
0%の宴囲気におhて430X/26nxinの形成速
度でプラス基板10の表面上に直接クロム金属を蒸着形
成法【用いて形成された。該陽性合金非反射層20a及
びアルにラム反射層30の層厚は夫々431−115
nn+となった。このようKして得られ九構成体は、8
50 nmの波長帯域での光吸収率は94憾となシ、6
328 nmの波長帯域での光反射率F187%となつ
九。
第1図は本発明のレーデアドレス反射モード液晶光・櫂
ルブの一実施例の主要部分の断面a!2。 反射反射コーティングの断爾図、菖3図は従来の非反射
コーティング層の断iIl図である。 10・・・ガラス基板、10・・・非反射コーティング
層、201・・・単層型非反射コーティング層、20b
・・・クロム層,J#−・・反射層(反射コーティング
層)、40・・・液晶層、44・−レーデビーム、48
・・・明ビーム。
ルブの一実施例の主要部分の断面a!2。 反射反射コーティングの断爾図、菖3図は従来の非反射
コーティング層の断iIl図である。 10・・・ガラス基板、10・・・非反射コーティング
層、201・・・単層型非反射コーティング層、20b
・・・クロム層,J#−・・反射層(反射コーティング
層)、40・・・液晶層、44・−レーデビーム、48
・・・明ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、前面及び後面を有し該前面がレーデビームを受ける
ように配置され九透明基板と、前記後犀上に形成される
単層蓋吸収非反射コーティング層と、該単層型吸収非反
射コーティング層上に形成される反射コーティング層と
、該反射コーティング層に対向する前面及び明ピー^を
受けるように配置され良後面を有する液晶層とを具備す
ることを特徴とする反射モードレーデアドレスの液晶光
バルブ。 2、前記単層[111収非屓射コ一テイング層は。 互いに異なる一対の光学定数N及びKを有する2つの物
質の組合せから成ル、該層合せは前記2つの物質の光学
定数対間の対応する光学定数対により特性化されること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の液晶光パル
プ。 3、前記単層型吸収非反射コーテイング層は酸素の存在
のもとで前記透明基板上にクロムを真空付着するfil
K形威される陶性合金から成ることIN−特徴とする特
許請求QI[囲第2項に記載の液晶光dルツ。 4、 鍵記単層蓋歇収非戻射コーティング層中には特定
の比率でクロム及び酸化クロムが存在し1選択され九腋
畏での光吸収は前記単層型吸収非反射;−ティング層中
で最小化されることを特徴とす為特許請求の範i!lj
1g3項に記載の液晶光dルデ。 5、 fラス基1[を形成する工程と1選択されえ形
成遮覆及び選択された圧力にお−て酸素を含むtS気気
下前記ガラス基板上にクロム金属を真空付着し単層蓋吸
収非反射コーティング層を形成する工程と、該単層II
吸収非反射コーティング層上に屓射層を形成する工程と
、鋏反射層上に液晶層を彫威す為工程とを具備すること
を特徴とする液晶光バルブの製造方法。 叡 Iラス基at形威する工程と、選択され九形成適吹
及び遥IIR1Iれ大圧力にシいて酸素を含む雰囲気下
で前記fクス基複上にクロム金属を真空付着し単層型吸
収非反射コーティング層を形成する工程と、該単層W1
a収非反射コーティング層上にクロム層を付着形成する
工程と。 該クロム層上に反射層を彫戚する工程と、該反射層上に
液晶層を形成する工程とを具備する仁とを特徴とする液
晶光パルプoxs”in方法。 7、 前記雰囲気は酸素を50弧含み、#記圧力はlX
l0”)−ルの桁に設定され、前記形成速度は20X/
minの桁に設定されることを特徴とする特許請求のI
Il!l第6項に記載O液晶光バルブの製造方法。 8、単層型吸収非反射コーティング層を有しレーデによ
りアドレスされる液晶光/4ルデta造する方法にかい
て、IIMs!を形成する工程と。 互いに相異なる光学定数対N及びKKよって特性化され
る2つの相異なる物質を組合せることにより前記基板上
に単層mT&収非反射ブーティング層を形成する工程と
、前記単層m吸収非反射コーティング層上に反射層ts
成する工程と。 #反射層上KI[屈折性物質から成る層を形成する工1
とを具備することを善黴とする液晶光パルプの製造方法
。 9、 前記単層II吸収反射射コーティング層形成工S
は選択され九蒸着速度で酸素の分圧下において前記基板
上にり四ムを真空付着する工程を含むこと1*徽とする
特許請求の範囲第8項に記−の液晶光、、−r kf
OII造方法・10 111i記単層II数収非反射コ
ーティング層形成工福は鍵記単層型吸反射反射コーティ
ング層O層厚を設定し、曽記組合せ工程は前記単層型吸
収非反射コーティング層の光学定数を前記2つの物質の
光学定数間の中間となるように設定し、曽記層厚艮び前
記中間光学定数は前記単層m吸収非反射コーティング層
が前記レーデの波長帝械H:おいて低屓射率及び高光吸
収率をもつように決められること會特徴とする特許請求
の111sj119項に記I!0液晶光パルプの製造方
法。 11、曽記蒸着遭1及び前記酸素分圧は前記単層蓋吸収
非反射ブーティング層の吸収が鍵記基板九入射する光の
特定&m長にお−て最大となるように選択されることを
特徴とすゐ特許請求の範囲第9項に記載の液晶光パルプ
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31671081A | 1981-10-30 | 1981-10-30 | |
| US316710 | 1981-10-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5886517A true JPS5886517A (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=23230311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57189352A Pending JPS5886517A (ja) | 1981-10-30 | 1982-10-29 | 液晶光バルブ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0078604A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5886517A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4787713A (en) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | The Mead Corporation | Transparent laser-addressed liquid crystal light modulator cell |
| US4799773A (en) * | 1987-08-27 | 1989-01-24 | Hughes Aircraft Company | Liquid crystal light valve and associated bonding structure |
| US9091489B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-07-28 | Paragon Space Development Corporation | Radiator systems |
| MY189914A (en) | 2015-12-17 | 2022-03-21 | Alcon Inc | Reusable lens molds and methods of use thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3836243A (en) * | 1972-06-27 | 1974-09-17 | Bell Telephone Labor Inc | Liquid crystal display apparatus |
| GB1401814A (en) * | 1972-08-25 | 1975-07-30 | Asahi Optical Co Ltd | Anti-reflection coating for the inner surfaces of cemented lenses |
| CH625054A5 (ja) * | 1976-12-27 | 1981-08-31 | Balzers Hochvakuum |
-
1982
- 1982-09-22 EP EP82304991A patent/EP0078604A3/en not_active Withdrawn
- 1982-10-29 JP JP57189352A patent/JPS5886517A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0078604A3 (en) | 1984-09-05 |
| EP0078604A2 (en) | 1983-05-11 |
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